CN114447763A - 基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，该方法包括：在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；对硬烘后外延片上脊形上方的绝缘膜进行刻蚀；对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。本发明用于外延片上脊形波导电极窗口的制作，能在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足的情况下，完成零对准偏差的电极窗口制备。
Description
技术领域
本发明属于半导体设计技术领域，尤其涉及基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法。
背景技术
脊型波导是利用横向波导结构来抑制波导内部横向高阶电场模，实现单模输出。在半导体激光器中，常利用窄脊形波导作为高光束质量的单模种子源，具有高亮度、高光束质量、体积小、可靠性高等优点，可制作窄脊形波导半导体激光器或带有脊形波导的锥形半导体激光器。
脊型波导作为半导体激光器中有源区域，需要利用电极窗口对其注入电流。传统的电极窗口制作涉及到两步，第一步是在晶圆上旋涂一层光刻胶，利用紫外光刻技术，在脊形波导的上方开出一个电极窗口；再利用干法刻蚀技术，在绝缘膜上刻蚀出电极窗口。为了使注入电流均匀分布在脊形波导中，电极窗口应位于脊形波导的正中间。但是，由于蒸镀绝缘膜后晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足等原因，在光刻时电极窗口的图形位置会发生偏移。若电极窗口位置在脊形波导区域内偏离，会使注入电流分布不均匀，从而影响出射激光的横向模式，降低光束质量；若电极窗口位置偏出脊形波导区域，则会影响器件出光，从而影响激光器的整体性能。
在脊型波导的制备工艺中，如何在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度低的情况下，完成高质量、极小偏差甚至零对准偏差的电极窗口制备，是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于，为克服现有技术缺陷，提供了基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，本发明用于外延片上脊形波导电极窗口的制作，能在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足的情况下，完成零对准偏差的电极窗口制备。
本发明目的通过下述技术方案来实现：
一种基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，所述方法包括：
在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；
在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；
对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；
对硬烘后外延片上脊形波导上方的绝缘膜进行刻蚀；
对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。
进一步的，所述脊形波导的高度为500nm-4um，宽度为1um-10um。
脊形波导的高度取值在500nm-4um，是为了在旋涂光刻胶后尽量保持脊型波导上层和两侧的光刻胶分布在同一水平面上，此时脊形波导上方的光刻胶厚度与脊形两侧的光刻胶厚度相差大，使脊形波导上方光刻胶被完全刻蚀后，脊形两侧仍然残留有一定厚度的光刻胶，在下一步刻蚀工艺中可以保护被光刻胶覆盖的绝缘膜不被刻蚀。若脊形波导的高度超过该范围，光刻胶涂覆的均匀性差，可能导致脊型波导上层和两侧的光刻胶厚度相差小，导致将脊形波导上方光刻胶完全刻蚀后，脊形两侧的光刻胶也几乎被完全刻蚀，无法再保护绝缘膜，从而在后续刻蚀时将侧面的绝缘膜也刻蚀掉，影响后续对脊形的电注入。
需要说明的是，本发明提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法适用于任意宽度的脊形波导，但是在实际制备中，此方法在小尺寸的脊波导中更具有实用价值，对于小尺寸的脊形波导，对电极窗口制备时要求的对准偏差很小，因此需要的对准精度很高，利用此方法可以实现电极窗口的高精度制备。但是当尺寸进一步增大，对准精度的要求就大大下降，此时就可以用传统的光刻技术来制备电极窗口。
进一步的，所述绝缘膜的厚度为60nm-300nm。
绝缘膜的厚度如果低于60nm，会导致脊形波导侧壁无法完全覆盖绝缘膜，从而影响电流注入。如果高于300nm，可能会导致残留的光刻胶厚度不够，在刻蚀时两侧的光刻胶耗尽，使脊形两侧的绝缘膜也被刻蚀掉，影响后续注电，因此本发明将沉积的绝缘层厚度限制在60nm-300nm，能够减少瑕疵的产生。
进一步的，所述绝缘膜的材质包括氧化硅或者氮化硅。
进一步的，所述绝缘膜上涂的光刻胶的厚度为1um-10um。
需要说明的是，光刻胶的厚度与脊形的高度有关，如果光刻胶太薄，光刻胶厚度小于等于脊形高度，就会使光刻胶涂覆不均匀，脊形上方与两侧的光刻胶的高度差太小，导致在刻蚀脊形上方的绝缘膜时也会使脊形两侧的绝缘膜被刻掉，后续会造成漏电，影响电流注入效果。如果光刻胶太厚，在刻蚀时容易造成干法刻蚀仪器腔室污染，无法形成等离子体，需要取出外延片，清洗腔室后再进行刻蚀，步骤非常繁琐。
进一步的，所述在所述绝缘膜上涂一层光刻胶的方法包括旋涂。采用旋涂的方法，易于获得密度较大的涂层，涂层厚度比较均匀。
进一步的，所述对所述光刻胶进行刻蚀采用的方法包括各向异性干法刻蚀。
进一步的，所述对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶的方法包括湿法去胶和等离子体干法去胶。
本发明的有益效果在于：
(1)本发明提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法不需要光刻对准，避免了光刻电极窗口时引入的对准误差，实现了电极窗口位置的零偏差。
(2)本发明提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法简化了制作工艺，不需要采用光刻机对准曝光，大大提高了脊形波导电极窗口的制作效率，有利于脊形波导半导体激光器的工业化生产。
附图说明
图1是本发明实施例提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法的流程示意图；
图2是本发明实施例沉积有绝缘膜的脊形波导示意图；
图3是本发明实施例在绝缘膜上涂有光刻胶的脊形波导示意图；
图4是本发明实施例对光刻胶刻蚀后的脊形波导示意图；
图5是本发明实施例对绝缘膜刻蚀后的脊形波导示意图；
图6是本发明实施例对外延片去胶后的脊形波导示意图。
附图说明：1-脊形波导，2-绝缘膜，3-光刻胶。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
由于蒸镀绝缘膜后晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足等原因，在光刻时电极窗口的图形位置会发生偏移。若电极窗口位置在脊形波导区域内偏离，会使注入电流分布不均匀，从而影响出射激光的模式，降低光束质量；若电极窗口位置偏出脊形波导区域，则会影响器件出光，从而影响激光器的整体性能。因此，电极窗口制备这一工艺在激光器的制备工艺中极其重要。
在脊型波导的制备工艺中，如何在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度低的情况下，完成高质量、极小甚至零对准偏差的电极窗口制备，是目前亟需解决的问题。
为了解决上述技术问题，提出了本发明基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法的下述各个实施例。
实施例1
参照图1，如图1所示是本实施例提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法的流程示意图。该方法具体包括以下步骤：
步骤S100：在刻蚀好脊形波导1的外延片上沉积一层绝缘膜2。
具体地，在刻蚀好脊形波导1的砷化镓外延片上沉积一层绝缘膜2，脊形波导1的高度为4um，宽度为10um，绝缘膜2的材料为氧化硅，厚度为300nm。参照图2，如图2所示是本实施例沉积有绝缘膜的脊形波导示意图。绝缘膜2覆盖在脊形的上端及两侧。
步骤S200：在绝缘膜2上涂一层光刻胶3，并进行软烘。
具体地，在沉积有绝缘膜2的晶圆上旋涂一层光刻胶3，光刻胶3的厚度为10um，并进行软烘。参照图3，如图3所示是本实施例在绝缘膜上涂有光刻胶的脊形波导示意图。光刻胶3厚度一般略大于脊形高度，光刻胶3的厚度与脊形的高度有关，如果光刻胶3太薄，光刻胶3厚度小于等于脊形高度，就会使光刻胶3涂覆不均匀，脊形上方与两侧的胶的高度相差太小，从而导致在刻蚀脊形波导上方的绝缘膜2时也会使其他位置的绝缘膜2被刻掉，后续会造成漏电，影响注入效果。如果光刻胶3太厚，在刻蚀时容易造成干法刻蚀仪器腔室污染，无法形成等离子体，需要取出外延片，清洗腔室后再刻蚀，无法一次性完成刻蚀，步骤非常繁琐。
步骤S300：对光刻胶3进行刻蚀，直至脊形波导1上方的光刻胶3被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶3进行硬烘。
具体地，利用干法刻蚀技术对所述外延片上的光刻胶3进行刻蚀，刻蚀深度为6um，将脊形波导1绝缘膜2层上的光刻胶3被完全刻蚀后停止刻蚀，并对残留的光刻胶3进行硬烘。该步骤提出的完全刻蚀是指将绝缘膜2层上位于脊形波导1上方的光刻胶3全部清除。参照图4，如图4所示是本实施对光刻胶刻蚀后的脊形波导示意图。光刻胶3在完全刻蚀后，露出了脊形上端的绝缘膜2，脊形两侧残留的光刻胶3顶部与脊形上端的绝缘膜2顶部位于同一水平面。
步骤S400：对硬烘后外延片上脊形波导1上方的绝缘膜2进行刻蚀。
具体地，将硬烘后的外延片再次放入刻蚀仪器中，将脊形波导1上层的绝缘膜2层完全刻蚀，刻蚀深度为300nm。该步骤提出的完全刻蚀是指将脊形波导1上方的绝缘膜2全部清除。参照图5，如图5所示是本实施例对绝缘膜刻蚀后的脊形波导示意图。在该步骤中，将脊形上端的绝缘膜2完全刻蚀掉，露出电极窗口的位置。
步骤S500：对脊形波导1上方绝缘膜2被完全刻蚀的外延片去胶，在脊形波导1上得到电极窗口。
具体地，对外延片进行去胶后，在宽度为10um的脊形波导1上得到了宽度为10um的位置无偏差的电极窗口。参照图6，如图6所示是本实施例对外延片去胶后的脊形波导示意图。在该步骤中，去掉残留在剩余的绝缘膜2上的光刻胶3，得到了脊形波导1上端的宽度为10um的位置无偏差的电极窗口。本实施例对脊形波导1上方绝缘膜2被完全刻蚀的外延片去胶的方法包括湿法去胶和等离子体干法去胶，先使用等离子体干法去胶，再使用湿法去胶。
本实施例提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法不需要光刻对准，避免了光刻电极窗口时引入的对准误差，实现了电极窗口位置的零偏差，并且简化了制作工艺，不需要采用光刻机对准曝光，大大提高了脊形波导电极窗口的制作效率，有利于脊形波导半导体激光器的工业化生产。
实施例2
本实施例提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法流程与实施例1相同，具体包括以下步骤：
步骤S100：在刻蚀好脊形波导1的外延片上沉积一层绝缘膜2。
具体地，在刻蚀好脊形波导1的砷化镓外延片上沉积一层绝缘膜2，脊形波导1的高度为500nm，宽度为3um，绝缘膜2的材料为氮化硅，厚度为100nm。
步骤S200：在绝缘膜2上涂一层光刻胶3，并进行软烘。
具体地，在沉积有绝缘膜2的晶圆上旋涂一层光刻胶3，其厚度为2um，并进行软烘。
步骤S300：对光刻胶3进行刻蚀，直至被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶3进行硬烘。
具体地，利用干法刻蚀技术对所述外延片上的光刻胶3进行刻蚀，刻蚀深度为1.5um，即将脊形波导1绝缘膜2层上的光刻胶3被完全刻蚀后停止刻蚀，再对残留的光刻胶3进行硬烘。
步骤S400：对硬烘后外延片上脊形波导1上方的绝缘膜2进行刻蚀。
具体地，将硬烘后的外延片再次放入干法刻蚀仪器中，刻蚀脊形波导1上层的绝缘膜2层，刻蚀深度为100nm。
步骤S500：对脊形波导1上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在脊形波导1上得到电极窗口。
具体地，对外延片进行去胶后，在宽度为3um的脊形波导1上得到了宽度为3um，且位置无偏差的电极窗口。本实施例对脊形波导1上方绝缘膜2被完全刻蚀的外延片去胶的方法包括湿法去胶和等离子体干法去胶，先使用等离子体干法去胶，再使用湿法去胶。
本实施例提供的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；
在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；
对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；
对硬烘后外延片上脊形波导上方的绝缘膜进行刻蚀；
对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。
2.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述脊形波导的高度为500nm-4um，宽度为1um-10um。
3.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述绝缘膜的厚度为60nm-300nm。
4.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述绝缘膜的材质包括氧化硅或者氮化硅。
5.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述绝缘膜上涂的光刻胶的厚度为1um-10um。
6.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘膜上涂一层光刻胶的方法包括旋涂。
7.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行刻蚀采用的方法包括各向异性干法刻蚀。
8.如权利要求1所述的基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，其特征在于，所述对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶的方法包括湿法去胶和等离子体干法去胶。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101150161A (zh) * | 2007-08-30 | 2008-03-26 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种无掩膜半导体外延片制作方法 |
| CN106229812A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法 |
| CN106449378A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法 |
| CN111162447A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 苏州辰睿光电有限公司 | 一种电极窗口、具有电极窗口的半导体器件的制作方法 |
-
2022
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101150161A (zh) * | 2007-08-30 | 2008-03-26 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种无掩膜半导体外延片制作方法 |
| CN106229812A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法 |
| CN106449378A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法 |
| CN111162447A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 苏州辰睿光电有限公司 | 一种电极窗口、具有电极窗口的半导体器件的制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20220506 |