CN114438475B - 密封件镀膜方法及密封件制备方法 - Google Patents

密封件镀膜方法及密封件制备方法 Download PDF

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CN114438475B CN202210105144.8A CN202210105144A CN114438475B CN 114438475 B CN114438475 B CN 114438475B CN 202210105144 A CN202210105144 A CN 202210105144A CN 114438475 B CN114438475 B CN 114438475B
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Abstract

本申请涉及一种密封件镀膜方法及密封件制备方法,所述的密封件镀膜方法,包括:对基于成型工艺生产的密封件进行上料;将上料好的密封件放入清洁腔室;在清洁腔室处于真空环境下,利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁;在清洁完成后,将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室;在镀膜腔室处于真空环境下,利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜;该技术方案,能够有效地清除密封件成型过程中残留的有机溶剂等,避免了清洗和烘干耗时长的影响,极大地提高了镀膜效率;而且能够提升薄膜沉积的膜层质量。

Description

密封件镀膜方法及密封件制备方法
技术领域
本申请涉及真空镀膜技术领域,尤其是涉及一种密封件镀膜方法及密封件制备方法。
背景技术
密封件是用途广泛的器件,在医药应用领域,密封件可以用于封装药品,其类型众多,包括胶塞、瓶盖等;可用于密封各类疫苗、注射剂、生物制剂、抗生素、输液、血液、抗肿瘤药物等等,由于密封件是直接接触容器内药品的包装材料,会导致密封件和药品之间发生活性成分的迁移,吸附甚至发生化学反应,使药物失效,有的还会产生严重的副作用。
为了保证药品运输和保存的安全性与稳定性,需要改善密封件与药品之间的相容性,常用技术手段是在密封件表面上添加一层化学稳定且低离子迁移率的保护膜,加工方法一般采用涂膜、覆膜、镀膜,效果较好的方式是采用化学气相沉积(CVD)在密封件表面沉积一层固体薄膜层,相比于涂膜和覆膜,该工艺更简单、不容易破膜;产品只需要抽样质检;适用于各种复杂形状的密封件。
目前,在密封件的制造过程中,为了能完美符合容器的形状,通常利用模具对密封件进行压制定型,为了便于脱模,往往采用有机溶剂,如脱模剂硅油,由于有机溶剂会降低膜层的附着力,必须在镀膜前将密封件清洗干净,一般都采用清洁剂来对密封件进行清洗,然后烘干,再进行上料和镀膜,镀膜后清洗干净方可使用,由于密封件的清洗和烘干过程耗时长,导致密封件的生产效率较低,而且,清洗不干净和烘干不充分也会影响镀膜效果。
发明内容
本申请的目的旨在解决上述的技术缺陷,提供一种密封件镀膜方法及密封件制备方法,以提高密封件的镀膜效果,提升密封件的生产效率。
一种密封件镀膜方法,包括:
对基于成型工艺生产的密封件进行上料;
将上料好的密封件放入清洁腔室;
在清洁腔室处于真空环境下,利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁;
在清洁完成后,将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室;
在镀膜腔室处于真空环境下,利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜。
在一个实施例中,所述对基于成型工艺生产的密封件进行上料,包括:
将基于硫化成型工艺生产的密封件制作成由多个密封件排列而成的密封件集成板;
在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位;
将固定有密封件集成板的多个置板以层叠方式固定到支撑架上。
在一个实施例中,所述密封件为胶塞;所述密封件集成板为由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板;
所述在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件的非镀膜部位进行遮挡和对密封件集成板进行固定,包括:
将两个胶塞集成板对应塞冠一侧叠放在一起;
分别在两个胶塞集成板的各个胶塞的塞颈一侧套入开设有胶塞通孔阵列的置板;其中,每个胶塞分别对应置板上的一个胶塞通孔,胶塞通孔大于塞颈,使得置板遮挡胶塞的塞冠和塞边,露出塞颈和塞沿;
利用螺栓螺母将两个置板固定为一体。
在一个实施例中,所述密封件为橡胶垫片;所述密封件集成板为由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板;
所述在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位,包括:
将两个垫片集成板对应不需要镀膜的一侧叠放在一起;
分别在垫片集成板需要镀膜的两侧放置开设有垫片通孔阵列的置板;其中,每个橡胶垫片对应置板上的一个垫片通孔,垫片通孔的镂空区域对应为橡胶垫片需要镀膜区域;
利用螺栓螺母将两个置板固定为一体。
在一个实施例中,所述利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁,包括:
向清洁腔室通入清洁气体并开启等离子体离子源产生等离子体;
利用所述等离子体轰击所述密封件的镀膜部位;
调节清洁气体的气压和施加偏压,清除所述密封件的镀膜部位表面残留的有机溶剂并在所述密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹。
在一个实施例中,所述利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜,包括:
将原料室内的镀膜原料在高温低真空条件下升华,并从固体升华成气体;
通过气压差将升华后的气体输入相对低压的裂解室,在更高温度和更低气压下,裂解形成活性单体气体;
将所述活性单体气体输入镀膜腔室,将所述单体气体沉积至各个密封件裸露的表面,逐步聚合和结晶形成线性高分子聚合物。
在一个实施例中,所述将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室,包括:
打开所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门,通过传送带将所述密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门;
其中,清洁腔室和镀膜腔室通过阀门进行连通和真空隔离,且清洁腔室和镀膜腔室分别内置有传送带。
在一个实施例中,在将上料好的密封件放入清洁腔室之前,还包括:
将上料好的所述密封件放入上料腔室,并对所述上料腔室进行抽真空;
所述将上料好的密封件放入清洁腔室,包括:
打开所述上料腔室与清洁腔室之间的阀门,通过传送带将所述密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述上料腔室与清洁腔室之间的阀门;
在镀膜完成后,还包括:
打开镀膜腔室与下料腔室之间的阀门,通过传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,并关闭镀膜腔室与下料腔室之间的阀门;
其中,上料腔室与清洁腔室通过阀门进行连通和真空隔离,镀膜腔室和下料腔室通过阀门进行连通和真空隔离;且上料腔室和下料腔室别内置有传送带。
上述密封件镀膜方法,在镀膜过程中,在清洁腔室处于真空环境下,利用等离子体对密封件的表面进行清洁,能够有效地清除密封件在成型工艺过程中残留的有机溶剂等杂质,避免了清洗和烘干耗时长的影响,极大地提高了镀膜效率;同时,利用等离子体对密封件表面处理以增强分子化学活力,增大密封件表面的镀膜部位的面积,能够显著提升薄膜沉积的膜层质量。
进一步的,设计了包括支撑架和多个置板的固定装置,将密封件制作成密封件集成板,利用预制的置板对密封件集成板的密封件表面的非镀膜部位进行遮挡和对密封件集成板进行固定,多个密封件集成板固定到支撑架上进行镀膜,可以方便地对密封件进行大规模的局部镀膜,提升了整体镀膜效率。
更进一步的,设计了上料腔室、清洁腔室、镀膜腔室和下料腔室构成的连续腔室来进行镀膜,各个腔室通过阀门进行连通和真空隔离,并通过传送带在腔室之间进行移动,实现了全自动化的流水线作业,显著提升了镀膜作业效率。
一种密封件制备方法,包括:密封件成型的步骤以及上述的密封件镀膜方法的步骤。
在一个实施例中,所述密封件成型的步骤,包括:
在模具中涂上有机溶剂;
将胶片装入设定形状的模具中;
在高温和高压下,通过真空模塑成型机压制成型得到设定形状的密封件;
将所述密封件进行脱模。
上述密封件制备方法,基于上述的密封件镀膜方法,密封件在生成成型后即可直接上镀膜生产线进行清洁和镀膜,减少了镀膜前的清洗和烘干环节,从而提升了密封件的生产效率;而且在镀膜前,仅对密封件表面的镀膜部位进行清洁,非镀膜部位在镀膜后再清洁,避免了对非镀膜部位重复清洁,降低了产品生产成本,提升密封件的制造效率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是一个实施例的密封件镀膜方法的流程图;
图2是胶塞结构示意图;
图3是置板的结构示意图;
图4是上料后的固定装置截面示意图;
图5是橡胶垫片结构示意图;
图6是连续腔室结构示意图;
图7是一个实施例的密封件镀膜方法流程图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作。
本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语),具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语,应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样被特定定义,否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
参考图1所示,图1是一个实施例的密封件镀膜方法的流程图,主要包括如下步骤:
步骤S10,对基于成型工艺生产的密封件进行上料。
具体的,对通过成型工艺生产出来密封件后直接进行上料操作,将密封件固定好,可以利用固定装置来固定多个密封件。
对于密封件,根据材料性质可分为橡胶类、塑料类、金属类、玻璃类、陶瓷类和其他类(如纸、干燥剂)等,也可以由两种或两种以上的材料复合或组合而成(如复合膜、铝塑组合盖等);如常用的橡胶类密封件有注射液用卤化丁基橡胶塞、药用合成聚异戊二烯垫片、口服液体药用硅橡胶垫片等;按用途和形制分类可分为输液瓶(袋、膜及配件)、安瓿、药用瓶(管、盖)、药用胶塞、药用预灌封注射器、药用滴眼(鼻、耳)剂瓶、药用硬片(膜)、药用铝箔、药用软膏管(盒)、药用喷(气)雾剂泵(阀门、罐、筒)、药用干燥剂等。
步骤S20,将上料好的密封件放入清洁腔室。
此步骤中,将上料固定好的密封件放入到清洁腔室中,如过程采用固定装置进行固定,则将固定装置及其所固定的多个密封件整体放入到清洁腔室内。
步骤S30,在清洁腔室处于真空环境下,利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁。
具体的,清洁腔室内可以设置等离子体离子源和真空泵,首先真空泵可以将清洁腔室抽真空,然后在真空状态下,通入一定量的清洁气体,启动等离子体离子源产生等离子体轰击密封件,对密封件的表面进行清洁,去除密封件表面上镀膜部位的杂质,如成型工艺残留的有机溶剂等。
优选的,对于等离子体离子源,可以选用射频离子源,清洁气体可以是氧气或者其他惰性气体。
步骤S40,在清洁完成后,将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室。
具体的,清洁完成后,将所有密封件都从清洁腔室转移到镀膜腔室,如果采用固定装置进行固定,则将固定装置及其所固定的密封件整体转移到镀膜腔室。
步骤S50,在镀膜腔室处于真空环境下,利用化学气相沉积工艺对所述密封件表面的镀膜部位进行镀膜。
优选的,可以采用parylene镀膜,制备parylene的原料包括对二甲苯二聚体、一氯对二甲苯二聚体、二氯对二甲苯二聚体等;由于这些原料与药品具有良好的相容性、防酸碱的特性,可以提高医用橡胶胶塞的稳定性,有利于长期存放、金属离子与药品之间不发生迁移,保证疫苗、药品的安全性。
上述实施例的密封件镀膜方法,在清洁腔室处于真空环境下,利用等离子体对密封件的表面进行清洁,能够有效地清除密封件在成型工艺过程中残留的有机溶剂等杂质,避免了清洗和烘干耗时长的影响,极大地提高了镀膜效率;同时,利用等离子体对密封件表面处理后,还可以增强密封件表面分子化学活力,而且增大密封件表面的镀膜部位的面积,能够显著提升薄膜沉积的膜层质量。
为了进一步提升镀膜效率,确保密封件的高密封性,并解决药品与密封件的相容性问题,在镀膜过程可以实现选择性区域镀膜,对于密封件非镀膜部位的遮挡/屏蔽,本申请提供了如下实施例的技术方案。
在一个实施例中,设计了固定装置来对密封件进行固定,固定装置可以包括支撑架和多个置板,置板可以定义为根据镀膜部位需求选择性地露出密封件的需要镀膜部位且屏蔽掉不需要镀膜部位的装置,主要作用是对密封件的非镀膜部位进行选择性覆盖,其形状可以根据密封件的形状来设计,包括圆形、方形或者其他形状;置板可以是金属、(导电)塑料、(合金)陶瓷、橡胶等材料制作而成。
在密封件成型时,将基于硫化成型工艺生产的密封件制作成由多个密封件排列而成的密封件集成板,在上料时,可以采用在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位,然后将固定有密封件集成板的多个置板以层叠方式固定到支撑架上;从而可以方便地对密封件进行批量化的局部镀膜。
上述实施例的技术方案,设计了包括支撑架和多个置板的固定装置,将密封件制作成密封件集成板,利用预制的置板对密封件集成板的密封件表面的非镀膜部位进行遮挡和对密封件集成板进行固定,多个密封件集成板固定到支撑架上进行镀膜,可以方便地对密封件进行大规模的局部镀膜,提升了整体镀膜效率。
基于上述实施例的技术方案,下面以胶塞和橡胶垫片两种常用的药用密封件为示例阐述密封件的上料操作。
示例一:
对于胶塞,在制作密封件集成板时,通过成型工艺将胶塞制作成由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板;然后再对胶塞集成板进行固定和遮挡胶塞的非镀膜部位。参考图2,图2是胶塞结构示意图,在进行局部镀膜时,需要对胶塞的塞冠和塞边进行遮挡,作为非镀膜部位,露出塞颈和塞沿,作为镀膜部位。
所预制的置板的形状,可以参考图3所示,图3是置板的结构示意图,可以根据需要镀膜的塞颈和塞沿的结构参数,在置板上设置胶塞通孔阵列,每个胶塞通孔分别对应一个胶塞,周围布置螺栓孔,用于安装螺栓螺母固定;通过置板对胶塞进行遮挡和固定后,再固定到固定装置的支撑架上。
对于固定装置,参考图4,图4是上料后的固定装置截面示意图,如图示,将两个胶塞集成板对应塞冠一侧叠放在一起;分别在两个胶塞集成板的各个胶塞的塞颈一侧套入开设有胶塞通孔阵列的置板;其中,每个胶塞分别对应置板上的一个胶塞通孔,胶塞通孔大于塞颈,使得置板遮挡胶塞的塞冠和塞边,露出塞颈和塞沿;利用螺栓螺母将两个置板固定为一体;最后将固定有胶塞集成板的多个置板以层叠方式固定到支撑架上。
示例二:
对于橡胶垫片,在制作密封件集成板时,通过成型工艺将橡胶垫片制作成由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板;同理,利用预制的置板来固定垫片集成板和遮挡橡胶垫片的非镀膜部位。
参考图5,图5是橡胶垫片结构示意图,多个橡胶垫片连接成片形成垫片集成板,同样利用类似于图3所示的置板,将两个垫片集成板对应不需要镀膜的一侧叠放在一起;分别在垫片集成板需要镀膜的两侧放置开设有垫片通孔阵列的置板;其中,每个橡胶垫片对应置板上的一个垫片通孔,垫片通孔的镂空区域对应为橡胶垫片需要镀膜区域;利用螺栓螺母将两个置板固定为一体;最后将固定有垫片集成板的多个置板以层叠方式固定到支撑架上。
在一个实施例中,对于步骤S30的清洁工艺,可以包括如下步骤:
S301,向清洁腔室通入清洁气体并开启等离子体离子源产生等离子体。
S302,利用所述等离子体轰击所述密封件的镀膜部位。
S303,调节清洁气体的气压和施加偏压,清除所述密封件的镀膜部位表面残留的有机溶剂并在所述密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹。
上述实施例的技术方案,利用等离子体对密封件表面的镀膜部位进行清洁,可以有效清洁镀膜部位残留的有机溶剂等杂质,避免影响镀膜膜层的附着力,同时在等离子体清洁时,提高了密封件表面的化学活力,在密封件的表面形成被刻蚀的痕迹,增大了材料比表面积,在对密封件表面进行化学沉积时,能够形成更加牢固的镀膜层,从而大大提高了膜层质量。
在一个实施例中,对于步骤S50的利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜的工艺,具体可以包括如下步骤:
S501,将原料室内的镀膜原料在高温低真空条件下升华,从固体升华成气体。
一般情况下parylene原料的升华温度为120-150℃,气压为低于100Pa。
S502,通过气压差将升华后的气体输入相对低压的裂解室,并在更高温度和更低气压下,裂解形成活性单体气体。
其中,裂解室的温度约为650-700℃,压力小于50Pa。
S503,将所述活性单体气体输入镀膜腔室,将所述单体气体沉积至各个密封件裸露的表面,逐步聚合和结晶形成线性高分子聚合物。
其中,镀膜腔室的温度为20-40℃,气压小于10Pa,镀膜过程中多余的未吸附气体则通过真空泵抽离镀膜腔室。
为了进一步提升镀膜效率,本申请实施例还提供流水线的镀膜工艺方案,该镀膜工艺方案中设计了连续腔室来实现流水线作业。
参考图6所示,图6是连续腔室结构示意图,连续腔室包括上料腔室、清洁腔室、镀膜腔室和下料腔室等构成,各个腔室之间通过阀门(如插板阀)进行连通和真空隔离,且各个腔室内置有传送带,其中上料腔室、清洁腔室和镀膜腔室分别设置有真空泵进行抽真空,下料腔室上设置有放气阀,用于调节下料腔室的压强,固定装置在各个腔室之间通过传输带来进行转移,如图示,各个腔室可以同时作业,分别对固定装置1、固定装置2、固定装置3和固定装置4上的密封件进行处理。
基于上述连续腔室,参考图7所示,图7是一个实施例的密封件镀膜方法流程图,可以包括如下:
s1,使用固定装置对生产的密封件进行上料。
如前述实施例所述,密封件通过成型工艺生产出来后,直接上生产线进行上料操作固定到固定装置上。
s2,将所述固定装置及密封件放入上料腔室,并对所述上料腔室进行抽真空。
此步骤中,在将密封件固定到固定装置后,放置到传送带上,关闭腔门并通过真空泵对上料腔室抽真空。
s3,通过传送带将所述固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述上料腔室与清洁腔室之间的阀门。
具体的,清洁腔室事先通过真空泵抽真空,并保持在真空状态,上料腔室抽真空后,打开上料腔室与清洁腔室之间的阀门,通过传送带将固定装置及密封件转移到清洁腔室,然后关闭上料腔室与清洁腔室之间的阀门;此时,上料腔室可以恢复到大气压状态,并进行下一批次镀膜的密封件的上料操作。
s4,利用等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁。
如前述实施例所述,在清洁腔室中,利用等离子体束流去除密封件表面的镀膜部位残留的有机溶剂,并在密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹。
s5,通过传送带将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室。
具体的,在清洁完成后,打开清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门,通过传送带将固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,关闭所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门;此时,清洁腔室可以用于对下一批次的密封件的清洁处理。
s6,利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜。
具体的,开启CVD镀膜程序,对镀膜腔室中固定装置上的密封件表面的镀膜部位进行镀膜。
s7,通过传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,并关闭镀膜腔室与下料腔室之间的阀门。
具体的,在镀膜完成后,打开镀膜腔室与下料腔室之间的阀门,通过传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,关闭镀膜腔室与下料腔室之间的阀门;此时,镀膜腔室可以用于下一批次的密封件的薄膜沉积镀膜;将下料腔室恢复到大气压后即可取出密封件。
上述实施例的技术方案,利用上料腔室、清洁腔室、镀膜腔室和下料腔室构成的连续腔室来进行镀膜,通过阀门和独立腔室实现连续生产,实现了上料-清洁-镀膜-下料的流水线作业,极大地提升了镀膜作业效率。
下面阐述密封件制备方法的实施例。
本申请提供的密封件制备方法,主要包括:密封件成型工艺以及前述实施例的密封件镀膜方法的步骤。
作为实施例,密封件制备方法,可以包括如下步骤:
(1)密封件成型:
在模具中涂上有机溶剂;将胶片装入设定形状的模具中;在高温和高压下,通过真空模塑成型机压制成型得到设定形状的密封件;将所述密封件进行脱模。
(2)密封件镀膜:
密封件脱模后,上料到上料腔室,直接上生产线进行流水线镀膜,并从下料腔室取出,将密封件从下料腔室取出后,清洗后即可使用。
上述实施例的密封件制备方法,基于上述的密封件镀膜方法,密封件在生成成型后即可直接上镀膜生产线进行清洁和镀膜,减少了镀膜前的清洗和烘干环节,从而提升了密封件的生产效率;而且在镀膜前,仅对密封件表面的镀膜部位进行清洁,非镀膜部位在镀膜后再清洁,避免了对非镀膜部位重复清洁,降低了产品生产成本,提升密封件的制造效率。
本申请实施例提供的技术方案,特别适用于目前疫苗和药品容器的胶塞上,经过镀膜的胶塞,完美结合了卤化丁基橡胶高气密性的优点和聚对二甲苯镀膜高阻隔性的特性,镀膜效率高,能够大规模生产,保证疫苗和药品长期储存的稳定性与安全性。
以上仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种密封件镀膜方法,其特征在于,包括:
对基于成型工艺生产的密封件进行上料;将基于硫化成型工艺生产的密封件制作成由多个密封件排列而成的密封件集成板,在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位,将固定有密封件集成板的多个置板以层叠方式固定到支撑架上;
将上料好的密封件放入清洁腔室;
在清洁腔室处于真空环境下,利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁,仅对密封件表面的镀膜部位进行清洁;
在清洁完成后,将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室;
在镀膜腔室处于真空环境下,利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜,对密封件进行批量化的局部镀膜。
2.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述密封件为胶塞;所述密封件集成板为由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板;
所述在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件的非镀膜部位进行遮挡和对密封件集成板进行固定,包括:
将两个胶塞集成板对应塞冠一侧叠放在一起;
分别在两个胶塞集成板的各个胶塞的塞颈一侧套入开设有胶塞通孔阵列的置板;其中,每个胶塞分别对应置板上的一个胶塞通孔,胶塞通孔大于塞颈,使得置板遮挡胶塞的塞冠和塞边,露出塞颈和塞沿;
利用螺栓螺母将两个置板固定为一体。
3.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述密封件为橡胶垫片;所述密封件集成板为由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板;
所述在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位,包括:
将两个垫片集成板对应不需要镀膜的一侧叠放在一起;
分别在垫片集成板需要镀膜的两侧放置开设有垫片通孔阵列的置板;其中,每个橡胶垫片对应置板上的一个垫片通孔,垫片通孔的镂空区域对应为橡胶垫片需要镀膜区域;
利用螺栓螺母将两个置板固定为一体。
4.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁,包括:
向清洁腔室通入清洁气体并开启等离子体离子源产生等离子体;
利用所述等离子体轰击所述密封件的镀膜部位;
调节清洁气体的气压和施加偏压,清除所述密封件的镀膜部位表面残留的有机溶剂并在所述密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹。
5.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜,包括:
将原料室内的镀膜原料在高温低真空条件下从固体升华成气体;
通过气压差将升华后的气体输入相对低压的裂解室,并在更高温度和更低气压下裂解形成活性单体气体;
将所述活性单体气体输入镀膜腔室,将所述单体气体沉积至各个密封件裸露的表面,逐步聚合和结晶形成线性高分子聚合物。
6.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室,包括:
打开所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门,通过传送带将所述密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门;
其中,清洁腔室和镀膜腔室通过阀门进行连通和真空隔离,且清洁腔室和镀膜腔室分别内置有传送带。
7.根据权利要求6所述的密封件镀膜方法,其特征在于,在将上料好的密封件放入清洁腔室之前,还包括:
将上料好的所述密封件放入上料腔室,并对所述上料腔室进行抽真空;
所述将上料好的密封件放入清洁腔室,包括:
打开所述上料腔室与清洁腔室之间的阀门,通过传送带将所述密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述上料腔室与清洁腔室之间的阀门;
在镀膜完成后,还包括:
打开镀膜腔室与下料腔室之间的阀门,通过传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,并关闭镀膜腔室与下料腔室之间的阀门;
其中,上料腔室与清洁腔室通过阀门进行连通和真空隔离,镀膜腔室和下料腔室通过阀门进行连通和真空隔离;且上料腔室和下料腔室分别内置有传送带。
8.一种密封件制备方法,其特征在于,包括:密封件成型的步骤以及权利要求1-7任一项所述的密封件镀膜方法的步骤。
9.根据权利要求8所述的密封件制备方法,其特征在于,所述密封件成型的步骤,包括:
在模具中涂上有机溶剂;
将胶片装入设定形状的模具中;
在高温和高压下,通过真空模塑成型机压制成型得到设定形状的密封件;
将所述密封件进行脱模。
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