CN217127532U - 分布式导气装置及真空镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种分布式导气装置及真空镀膜设备，分布式导气装置包括：分布式布局的多个腔体，每个腔体内设有导气管，导气管分别连接供气管路；腔体用于容纳被镀膜的工件；供气管路用于接入镀膜气体并传输至各个导气管；导气管用于将镀膜气体注入所述腔体，对腔体内的被镀膜的工件进行镀膜；上述分布式导气装置，通过对每个导气管的控制即可实现对注入腔体内的气体量进行精细化控制，便于控制薄膜沉积过程，提升镀膜效果；而且镀膜区域为腔体空间，可以大量减少镀膜材料使用，降低了镀膜成本。

Description

分布式导气装置及真空镀膜设备

技术领域

本申请涉及真空镀膜技术领域，尤其是涉及一种分布式导气装置及真空镀膜设备。

背景技术

在真空镀膜技术中，往往需要采用化学气相沉积(CVD)对工件进行批量镀膜，常规的技术一般是将工件上料到架子上然后放入到真空腔室中，再通入镀膜气体进行沉积镀膜。

常规的技术难以实现对工件进行精细化的镀膜，也不利于对工件薄膜沉积过程进行控制，比如，在某些使用场合中，需要控制薄膜的厚度，对工件进行局部镀膜等，以医药应用领域的密封件，包括胶塞、垫片等，既要确保密封件的镀膜部分沉积一层固体薄膜层，又要避免非镀膜部位被镀膜，以避免破坏密封件的气密性。

而采用常规的镀膜技术对这些工件进行镀膜时，难以控制薄膜沉积过程，需要对工件的非镀膜部位进行遮挡处理，操作比较复杂，影响了镀膜效果和镀膜效率；而且在镀膜时需要大量的镀膜气体注入到真空腔室，大量的镀膜材料被浪费，导致镀膜成本较高。

实用新型内容

本申请的目的旨在解决上述技术缺陷之一，提供一种分布式导气装置及真空镀膜设备，以提升镀膜效果、提高镀膜效率以及降低镀膜成本。

一种分布式导气装置，包括：分布式布局的多个腔体，每个腔体内设有导气管，所述导气管分别连接供气管路；

所述腔体用于容纳被镀膜的工件；

所述供气管路用于接入镀膜气体并传输至各个导气管；

所述导气管用于将镀膜气体注入所述腔体，对腔体内的被镀膜的工件进行镀膜。

在一个实施例中，所述的分布式导气装置，还包括：密封板，所述密封板用于将所述被镀膜的工件密封在腔体内。

在一个实施例中，所述腔体上还设有出气口，用于将腔体中未沉积的镀膜气体排出。

在一个实施例中，所述腔体设于基座上；其中，所述供气管路内置在所述基座内。

在一个实施例中，所述的分布式导气装置，还包括：固定板，所述固定板用于将所述被镀膜的工件压紧在腔体内。

在一个实施例中，所述供气管路连接至产生镀膜气体的裂解室；其中，所述裂解室通过管道连接至原料室。

在一个实施例中，所述被镀膜的工件为密封件；

每个所述腔体与需要镀膜的密封件相匹配；

所述腔体与密封件密封连接，所述腔体内部与密封件的镀膜部位构成密封空间。

上述分布式导气装置，通过分布式布局的多个腔体放置被镀膜的工件，每个腔体内设导气管，分别将供气管路接入的镀膜气体单独注入到腔体内，通过对每个导气管的控制即可实现对注入腔体内的气体量进行精细化控制，便于控制薄膜沉积过程，提升镀膜效果；而且镀膜区域为腔体空间，可以大量减少镀膜材料使用，降低了镀膜成本。

进一步的，在对密封件进行镀膜，设计腔体与密封件形状相匹配，密封件的镀膜部位嵌入腔体内与腔体密封连接，可以实现对工件的局部镀膜，无需在镀膜之前对密封件进行遮挡处理，减少操作流程，大大提升了镀膜效率。

一种真空镀膜设备，包括：上述的分布式导气装置，密封盖，以及第一真空泵；

所述密封盖与所述分布式导气装置的密封连接，形成密封空间；

各个所述腔体上设有出气口，与所述密封空间连通；

所述第一真空泵连接分布式导气装置；其中，所述第一真空泵用于对所述密封空间进行抽真空，以及将腔体中未沉积的镀膜气体抽离。

上述真空镀膜设备，设计了密封盖，密封盖与分布式导气装置形成一个小空间的密闭真空空间，构成了真空环境的沉积室，通过第一真空泵对真空空间抽真空，即可以实现对腔体进行抽真空，同时还可以将镀膜过程中未沉积的镀膜气体抽离腔体，从而减少了抽气和通气的时间，有效提高镀膜效率。

一种真空镀膜设备，包括：上述的分布式导气装置以及第二真空泵；

各个所述腔体上设有出气口，所述出气口分别通过管道连接至第二真空泵；

所述第二真空泵用于对各个腔体进行抽真空以及将腔体内未沉积的镀膜气体抽离。

上述真空镀膜设备，直接将第二真空泵连接至分布式导气装置的各个腔体，从而使得每个腔体都形成一个真空镀膜沉积室，可以利用每个胶塞本身的气密性特点，无需真空腔室也可以实现自动化镀膜生产过程，而且抽真空的空间小，抽气少，所需时间短，同时还可以更加节省原料，有效提高镀膜效率和降低镀膜成本。

一种真空镀膜设备，包括：真空腔室，分布式导气装置，以及连接所述真空腔室的第三真空泵；

所述分布式导气装置的腔体上设有出气口，与真空腔室连通；

所述分布式导气装置放置于真空腔室中；

所述第三真空泵用于对所述真空腔室进行抽真空，以及将真空腔室中未沉积的镀膜气体抽离。

在一个实施例中，所述真空腔室内还设有支撑架，所述支撑架用于放置多个分布式导气装置。

上述真空镀膜设备，可以利用真空腔室作为一个大的沉积室，放置多个分布式导气装置，可以实现大批量生产，一次性完成多个胶塞的镀膜，提高生产效率；从而实现了同时对大批量的密封件进行镀膜，实现流水线批量作业，提升了镀膜效率，且相对于常规的真空腔室镀膜方案，能够大量节省了镀膜材料，节省了镀膜成本。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是一个实施例的分布式导气装置结构截面示意图；

图2是一个实施例的腔体结构截面示意图；

图3是一个示例的密封件结构示意图；

图4是一个示例的单个腔体结构截面示意图；

图5是一个示例的垫片镀膜部位示意图；

图6是一个示例的瓶体镀膜部位示意图；

图7是一个示例的供气管路连接示意图；

图8是一个示例的分布式导气装置的平面图；

图9是一个示例的分布式导气装置的立体图；

图10是一个示例的使用状态下的分布式导气装置结构示意图；

图11是一个示例的密封件集成板截面示意图；

图12是一个示例的真空镀膜设备结构截面示意图；

图13是另一个示例的真空镀膜设备结构截面示意图；

图14是又一个示例的真空镀膜设备截面示意图；

图15是一个示例的真空腔室布局示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本申请提供的分布式导气装置100，可以应用于真空镀膜设备上，特别是对于工件30进行大批量镀膜的场景；参考图1所示，图1是一个实施例的分布式导气装置结构截面示意图，包括：分布式布局的多个腔体11，每个腔体11内设有导气管12，导气管12分别连接供气管路20；腔体11用于容纳被镀膜的工件30；供气管路20用于接入镀膜气体并传输至各个导气管12；导气管12用于将镀膜气体注入腔体11，对腔体11内的被镀膜的工件30进行镀膜。如图1中，如图中分布式布局设计了M个腔体11，M≥2；每个腔体11都可以放入至少一个工件30进行镀膜，将腔体11置于真空环境中，达到设定真空条件后，通过供气管路20向导气管12输入镀膜气体，导气管12设计为向腔体11内部延伸，由此将镀膜气体通入腔体11中，在工件30的表面上沉积形成薄膜；这里的镀膜气体可以是常规的气相沉积法使用的活性单体气体。

对于腔体11结构，可以根据实际需求来设计，同时，也可以根据工件30的形状来设计腔体11形状，如圆形、方形或者其他形状，腔体11的材料方面，可以是金属、(导电)塑料、(合金)陶瓷、橡胶等材料制作而成。

作为实施例，参考图2，图2是一个实施例的腔体结构截面示意图；在腔体11开口部还可以设置密封板13，用于将被镀膜的工件30密封在腔体11内，进一步的在腔体11上设置出气口111，用于将腔体11中未沉积的镀膜气体排出。

如上述实施例的分布式导气装置100，可以应用于真空镀膜技术中，通过分布式布局的多个腔体11，每个腔体11内的导气管12可以将供气管路20接入的镀膜气体单独注入到腔体11内，将通入镀膜气体的方式由“漫灌”变成了“滴管”，由此，通过对每个导气管12的控制即可实现对注入腔体11内的气体量进行精细化控制，便于控制薄膜沉积过程，提升镀膜效果；而且镀膜区域为腔体11空间，镀膜气体只需要填充到腔体11空间即可完成镀膜，由此也可以大量减少镀膜材料使用，降低了镀膜成本。

基于上述实施例的分布式导气装置，下面阐述其在用于对密封件等工件进行镀膜的实施例。

本实施例所指的密封件，可以是橡胶类、塑料类、金属类、玻璃类、陶瓷类和其他类(如纸、干燥剂)等，也可以由两种或两种以上的材料复合或组合而成(如复合膜、铝塑组合盖等)；如常用的橡胶类密封件有注射液用卤化丁基橡胶塞、药用合成聚异戊二烯垫片、口服液体药用硅橡胶垫片等。也可以是输液瓶(袋、膜及配件)、安瓿、药用瓶(管、盖)、药用胶塞、药用预灌封注射器、药用滴眼(鼻、耳)剂瓶、药用硬片(膜)、药用铝箔、药用软膏管(盒)、药用喷(气)雾剂泵(阀门、罐、筒)、药用干燥剂等。

在一个实施例中，分布式导气装置100其用于对密封件等工件进行镀膜时，可以设计每个腔体11与需要镀膜的密封件相匹配，使用时，将密封件的镀膜部位嵌入腔体11内，与腔体11密封连接；出气口111将腔体11中未沉积的镀膜气体排出。

为了更加清晰本申请的技术方案，下面以一种医用的胶塞来进行实施例描述，参考图3所示，图3是一个示例的密封件结构示意图，如图3中的胶塞301，其中塞颈301b和塞沿301c是可以起密封作用的，以塞颈301b密封为例，塞颈301b至塞沿301c之间的部分不能进行镀膜，塞冠301a处于外部的部分，是没必要进行镀膜，这两部分都是非镀膜部分；如图2中，而沿虚线部位是镀膜部位，据此，在对胶塞301镀膜时，需要对非镀膜部分进行遮挡处理，然后再对镀膜部分进行镀膜；常规方案中，一般先对胶塞301的非镀膜部位进行遮挡，然后再整体镀膜，最后去掉遮挡物，该方案操作复杂，镀膜效率低，成本高。

而采用本申请提供的分布式导气装置，在提升镀膜效果、降低镀膜成本的同时，还可以降低镀膜操作复杂度，无需进行非镀膜部位的遮挡处理。参考图4所示，图4是一个示例的单个腔体结构截面示意图，在镀膜时，将密封件的镀膜部位嵌入腔体11内，与腔体11密封连接，例如，以图3所示的药瓶用的胶塞301为例，腔体11与药瓶口的形状一致，将胶塞301嵌入腔体11后，刚好使得胶塞301的密封部位是与腔体11是密封连接的；而刚好腔体11内的镀膜气体能覆盖的范围是镀膜部位，不能覆盖的非镀膜部位，由此，无需再对非镀膜部位进行遮挡处理即可以进行镀膜，图4中虚线箭头方向是镀膜气体的流动方向，镀膜气体从导气管12进入到腔体11内，对胶塞301的镀膜部位进行覆盖镀膜，未沉积的镀膜气体抽离腔体11。从而可以简化了胶塞301镀膜前的操作步骤，极大提升了镀膜效率。另外，为了便于固定密封件，可以通过固定板40与分布式导气装置100结合使用，通过螺栓螺母方式进行固定。

需要说明的是，上述实施例中将密封件的镀膜部位嵌入腔体11中，可以认为是将密封件的镀膜部位的一面密封至腔体11内，例如，如果密封件为垫片302，参考5所示，图5是一个示例的垫片镀膜部位示意图，图中虚线部位为橡胶垫片需要镀膜部位，其他为非镀膜部位，垫片的帽沿302a紧贴在腔体11边缘上，与腔体11形成密封连接。又如，如果是密封件为瓶体303，参考图6所示，图6是一个示例的瓶体镀膜部位示意图，图中虚线部位为瓶体需要镀膜部位，瓶体303外部为非镀膜部位，如果瓶体303是硬性材料，则可以在腔体11内部加入橡胶密封环，使得瓶体303的瓶口303a与腔体11密封连接，由此，在镀膜时只对瓶体303内部镀膜，瓶体303外部无需镀膜。

上述实施例的技术方案，实现对所需镀膜部位的选择性区域镀膜，特别适用于医药领域中，可以确保密封件的高密封性，解决药品与密封件的相容性问题，利用密封件的密封性，利用分布式的腔体与密封件自身密封性进行匹配使用，可以实现对非镀膜部位的快速遮挡，降低了遮挡处理复杂度，极大地提升了镀膜效率。

在一个实施例中，对于化学气相沉积工艺，可以采用Parylene镀膜，制备Parylene原料可以是对二甲苯二聚体、一氯对二甲苯二聚体、二氯对二甲苯二聚体等；其具有与药品可以相容共存、防酸碱的特性，可以提高医用的胶塞的稳定性，有利于长期存放、金属离子与药品之间不发生迁移，保证疫苗、药品的安全性。

据此，对于分布式导气装置100的供气管路20，参考图7所示，图7是一个示例的供气管路示意图，供气管路20连接至产生镀膜气体的裂解室，裂解室通过管道连接至原料室；

在镀膜气体的产生过程中，将原料室中存放的parylene原料在高温低真空条件下升华，从固体升华成气体；利用气压差将升华后的气体进入相对低压的裂解室，在更高温度和更低气压下，裂解形成镀膜气体；一般情况下parylene原料的升华温度为120-150℃，气压为低于100Pa，S502，裂解室的温度约为650-700℃，压力小于50Pa，镀膜的腔室温度为20-40℃，气压小于10Pa；镀膜气体通过供气管路20和导气管12进入到腔体11中进行沉积镀膜。

进一步的，如图7所示，还可以在导气管12上设置气体流量阀，当需要使用时打开气体流量阀，连通腔体11与裂解室，未使用时关闭气体流量阀，隔断腔体11与裂解室。

在一个实施例中，参考图8所示，图8是一个示例的分布式导气装置的平面图，各个腔体11分布设置在分布式导气装置100的基座10上，可以设计集中供气管路20，基座10内设置供气管路20，图8中虚线是指供气管路20，供气管路20与各个腔体11的导气管12连接，并连接至用于产生镀膜气体的裂解室。进一步的，参考图9所示，图9是一个示例的分布式导气装置的立体图，如图中，多个腔体11分布式设计，导气管12通过基座10内部的供气管路20进行供气(图中未示出)；在使用状态下，如图10所示，图10是一个示例的使用状态下的分布式导气装置结构示意图；分布式导气装置100的基座10与固定板40通过螺栓401固定，将胶塞301紧固。

在一个实施例，为了实现快速镀膜作业，形成流水线作业，在镀膜之前，将多个密封件排列制作成密封件集成板；如图11所示，图11是一个示例的密封件集成板截面示意图，腔体11的与密封件集成板的密封件一一对应；在镀膜时，密封件集成板的各个密封件的镀膜部位分别嵌入到对应的腔体11内。图11中是以胶塞301为例，多个胶塞301排列而成且塞冠301a相邻的胶塞301集成板，胶塞301集成板是胶塞301成型后，胶塞301沿边是相互粘结最后形成集成片；使用中，胶塞301集成板的各个胶塞301的塞颈301b分别嵌入到对应的腔体11内；其中，胶塞301的塞颈301b外侧与腔体11内壁密封接触形成密闭空间。

示例性的，在对胶塞301进行批量镀膜时，首先将各个胶塞301通过成型工艺将密封件制作成胶塞301集成板，胶塞301集成板为由多个胶塞301的塞冠301a边沿相邻构成的胶塞301阵列，每个胶塞301分别对应一个腔体11，将整个胶塞301集成板嵌入腔体11后，胶塞301的塞颈301b部位刚好与腔体11的内壁密封连接，从而形成了密闭空间，然后进行沉积镀膜，在镀膜后，将成胶塞301集成板的各个胶塞301分离即可；同理，对于垫片，也可以制作垫片集成板。

上述实施例的技术方案，多个密封件排列制作成密封件集成板，腔体11设计成与密封件集成板的密封件一一对应；在镀膜上料时，能够快速地将批量的密封件嵌入到腔体11中，实现了快速上料处理，可以方便地对密封件进行大规模的镀膜，极大地提高了镀膜效率。

下面阐述真空镀膜设备的实施例。

在一个实施例中，参考图12所示，图12是一个示例的真空镀膜设备结构截面示意图，主要包括分布式导气装置100，密封盖200，以及第一真空泵300a；密封盖200与分布式导气装置100的密封连接，形成密封空间；各个腔体11上设有出气口111，与密封空间连通；第一真空泵300a连接分布式导气装置100；第一真空泵300a用于对密封空间进行抽真空，以及将腔体11中未沉积的镀膜气体抽离。

图12中虚线箭头方向是未沉积的镀膜气体的流动方向，在开始镀膜时，通过第一真空泵300a对真空空间进行抽真空，由于各个腔体11与真空空间是连通的，因此，腔体11可以达到镀膜所需的真空状态，在镀膜过程中，出气口111排出的未沉积的镀膜气体由第一真空泵300a抽离真空空间，从而实现镀膜功能。

上述实施例的技术方案，设计了密封盖200，密封盖200与分布式导气装置100形成一个小空间的密闭真空空间，构成了真空环境的沉积室，通过第一真空泵300a对真空空间抽真空，即可以实现对腔体11进行抽真空，同时还可以将镀膜过程中未沉积的镀膜气体抽离腔体11，从而减少了抽气和通气的时间，有效提高镀膜效率。

在另一个实施例中，如图13所示，图13是另一个示例的真空镀膜设备结构截面示意图，主要包括分布式导气装置100以及第二真空泵300b；各个腔体11上设有出气口111，出气口111分别通过管道连接至第二真空泵300b；第二真空泵300b用于对各个腔体11进行抽真空以及将腔体11内未沉积的镀膜气体抽离。

具体的，如图13中，每个腔体11的出气口111都通过管道连接至第二真空泵300b，在使用时，首先通过第二真空泵300b将各个腔体11内进行抽真空，同时镀膜过程中，未沉积的镀膜气体也通过第二真空泵300b抽离腔体11，图中虚线箭头为未沉积的镀膜气体流动方向。

上述实施例的技术方案，直接将第二真空泵300b连接至分布式导气装置100的各个腔体11，从而使得每个腔体11都形成一个真空镀膜沉积室，采用该技术方案，可以利用每个胶塞301本身的气密性特点，无需额外配备真空腔室也可以实现自动化镀膜生产过程，而且抽真空的空间最小，抽气最少，所需时间最短，同时还可以更加节省原料，有效提高镀膜效率和降低镀膜成本。

在又一个实施例中，如图14所示，图14是又一个示例的真空镀膜设备截面示意图，主要包括分布式导气装置100，以及连接真空腔室400的第三真空泵300c；分布式导气装置100的腔体11上设有出气口111，与真空腔室400连通；分布式导气装置100放置于真空腔室400中；第三真空泵300c用于对所述真空腔室400进行抽真空，以及将真空腔室400中未沉积的镀膜气体抽离。

进一步的，如图14，将分布式导气装置100通过固定板40进行固定后，整体放入到真空腔室400进行镀膜，在镀膜时，可以通过真空腔室400的第三真空泵300c对整个真空腔室400进行抽真空和薄膜沉积；在该技术方案中，可以利用真空腔室400作为一个大的沉积室，放置多个分布式导气装置100，可以实现大批量生产，一次性完成多个胶塞301的镀膜，提高生产效率；如图15所示，图15是一个示例的真空腔室布局示意图，可以在真空腔室400内可以增设支撑架41，通过堆叠形式同时放入多个分布式导气装置100，如图中分布式导气装置1001-N，N≥2，从而实现了同时对大批量的密封件进行镀膜，实现流水线批量作业，提升了镀膜效率，且相对于常规的真空腔室400镀膜方案，能够大量节省了镀膜材料，节省了镀膜成本。

如图14和图15所示的方案中，在镀膜之前，首先将上料好的分布式导气装置100放到支撑架41上进行固定，关闭真空腔室400的腔门，通过第三真空泵300c进行抽真空，然后在达到镀膜真空条件后输入镀膜气体进行镀膜，在镀膜过程中，未沉积的镀膜气体通过出气口111进入到真空腔室400，图中虚线箭头为未沉积的镀膜气体流动方向，最后通过第三真空泵300c抽离真空腔室400，实现镀膜过程。

如上述实施例的真空镀膜设备，在进行镀膜时，可以参考如下工艺流程：

将胶塞硫化成型，形成胶塞集成板，将各个胶塞集成板嵌入到分布式导气装置的腔体中，然后装入真空腔室内。

打开导气管，连通腔体与裂解室，通过原料室将原料升华成气体并通过裂解室产生镀膜气体，将镀膜气体注入到腔体内。

利用镀膜气体对腔体内的密封件的镀膜部位的表面上沉积薄膜，镀膜气体被吸附至胶塞镀膜部位的表面，逐步聚合和结晶形成线性高分子聚合物，通过第三真空泵将未沉积的镀膜气体抽离，从而完成镀膜过程。

镀膜完成后，关闭导气管，关闭第三真空泵，打开真空腔室的腔门，然后从支撑架上取下各个分布式导气装置，拆卸固定板，即可取出胶塞集成板。

综合上述各实施例的技术方案，在无需遮挡处理的情况下，可以实现对密封件的区域镀，提高了上料过程的处理效率；利用分布式导气装置，减少了高分子聚合物的使用量，可有效地降低原材料的成本；使用分布式导气装置，胶塞直接与镀膜分子接触，从而更容易调控镀膜层的厚度，提高镀膜的膜层效果，从而更好地隔绝药品与橡胶的接触，防止金属、药品的相互迁移；同时使用分布式导气装置还极大地减少了抽气和通气的时间，且通过简单的开关导气管即可通入或切断镀膜分子从而实现开始或停止沉积过程，操作简单，有效提高镀膜效率。

本申请实施例提供的技术方案，特别适用于目前疫苗和药品容器的胶塞上，经过镀膜的胶塞，完美结合了卤化丁基橡胶高气密性的优点和Parylene镀膜高阻隔性的特性，在镀膜时，只对塞颈处镀膜，保证瓶塞与药品不相容，沿边处仍为卤化丁基等高分子材料，保持高气密性；而且可以调节分布式导气装置的密封范围，实现与玻璃瓶的完美切合，薄膜完全覆盖所有可能接触药品的部位，包括塞颈和部分沿边；已镀膜的胶塞只需要简单裁剪沿边即可分离各个胶塞，成品率更高；该技术方案，镀膜效率高，能够大规模生产，保证疫苗和药品长期储存的稳定性与安全性。

以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种分布式导气装置，其特征在于，包括：分布式布局的多个腔体，每个腔体内设有导气管，所述导气管分别连接供气管路；

所述腔体用于容纳被镀膜的工件；

所述供气管路用于接入镀膜气体并传输至各个导气管；

所述导气管用于将镀膜气体注入所述腔体，对腔体内的被镀膜的工件进行镀膜。

2.根据权利要求1所述的分布式导气装置，其特征在于，还包括：密封板，所述密封板用于将所述被镀膜的工件密封在腔体内。

3.根据权利要求1所述的分布式导气装置，其特征在于，所述腔体上还设有出气口，用于将腔体中未沉积的镀膜气体排出。

4.根据权利要求1所述的分布式导气装置，其特征在于，所述腔体设于基座上；其中，所述供气管路内置在所述基座内。

5.根据权利要求1所述的分布式导气装置，其特征在于，所述供气管路连接至产生镀膜气体的裂解室；其中，所述裂解室通过管道连接至原料室。

6.根据权利要求1所述的分布式导气装置，其特征在于，所述被镀膜的工件为密封件；

每个所述腔体与需要镀膜的密封件相匹配；

所述腔体与密封件密封连接，所述腔体内部与密封件的镀膜部位构成密封空间。

7.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的分布式导气装置，密封盖，以及第一真空泵；

所述密封盖与所述分布式导气装置的密封连接，形成密封空间；

各个所述腔体上设有出气口，与所述密封空间连通；

所述第一真空泵连接分布式导气装置；其中，所述第一真空泵用于对所述密封空间进行抽真空，以及将腔体中未沉积的镀膜气体抽离。

8.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的分布式导气装置以及第二真空泵；

各个所述腔体上设有出气口，所述出气口分别通过管道连接至第二真空泵；

所述第二真空泵用于对各个腔体进行抽真空以及将腔体内未沉积的镀膜气体抽离。

9.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：真空腔室，权利要求1-6任一项所述的分布式导气装置，以及连接所述真空腔室的第三真空泵；

所述分布式导气装置的腔体上设有出气口，与真空腔室连通；

所述分布式导气装置放置于真空腔室中；

所述第三真空泵用于对所述真空腔室进行抽真空，以及将真空腔室中未沉积的镀膜气体抽离。

10.根据权利要求9所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述真空腔室内还设有支撑架，所述支撑架用于放置多个分布式导气装置。

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