CN114481094A - 密封件镀膜设备及其镀膜方法 - Google Patents

密封件镀膜设备及其镀膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114481094A
CN114481094A CN202210103814.2A CN202210103814A CN114481094A CN 114481094 A CN114481094 A CN 114481094A CN 202210103814 A CN202210103814 A CN 202210103814A CN 114481094 A CN114481094 A CN 114481094A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
coating
sealing element
fixing device
feeding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210103814.2A
Other languages
English (en)
Inventor
朱昆
颜学庆
曹健辉
刘玮
马伟
曹祯烨
陈惠君
杜翰翔
李冬娜
刘晓兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Xinxing Laser Plasma Technology Research Institute
Plasma Equipment Technology Guangzhou Co ltd
Ruichang Dingxin Semiconductor Industry Co ltd
Original Assignee
Guangdong Xinxing Laser Plasma Technology Research Institute
Plasma Equipment Technology Guangzhou Co ltd
Ruichang Dingxin Semiconductor Industry Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Xinxing Laser Plasma Technology Research Institute, Plasma Equipment Technology Guangzhou Co ltd, Ruichang Dingxin Semiconductor Industry Co ltd filed Critical Guangdong Xinxing Laser Plasma Technology Research Institute
Priority to CN202210103814.2A priority Critical patent/CN114481094A/zh
Publication of CN114481094A publication Critical patent/CN114481094A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本申请涉及一种密封件镀膜设备及其镀膜方法,所述密封件镀膜设备包括:固定装置,清洁腔室和镀膜腔室;其中,清洁腔室设置有第一真空泵和等离子体离子源,镀膜腔室设置有第二真空泵和化学气相沉积系统;固定装置用于固定多个密封件,以及将密封件整体从清洁腔室转移到镀膜腔室内;第一真空泵用于对清洁腔室进行抽真空,等离子体离子源用于在真空环境下产生等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁;第二真空泵用于对镀膜腔室进行抽真空,化学气相沉积系统在真空环境下采用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜;该技术方案,极大地提高了镀膜效率,并且能够提升薄膜沉积的膜层质量。

Description

密封件镀膜设备及其镀膜方法
技术领域
本申请涉及真空镀膜技术领域,尤其是涉及一种密封件镀膜设备及其镀膜方法。
背景技术
密封件是用途广泛的器件,在医药应用领域,密封件可以用于封装药品,其类型众多,包括胶塞、瓶盖等;可用于密封各类疫苗、注射剂、生物制剂、抗生素、输液、血液、抗肿瘤药物等等,由于密封件是直接接触容器内药品的包装材料,导致密封件和药品之间发生活性成分的迁移,吸附甚至发生化学反应,使药物失效,有的还会产生严重的副作用。
为了保证药品运输和保存的安全性与稳定性,需要改善密封件与药品之间的相容共存性能,常用技术手段是在密封件表面上添加一层化学稳定且低离子迁移率的保护膜,可以很好地缓解这一现象,加工方法一般采用涂膜、覆膜、镀膜,效果较好的方式是采用化学气相沉积(CVD)在密封件表面沉积一层固体薄膜层,相比于涂膜和覆膜,该工艺更简单、不容易破膜、产品只需要抽样质检、适用于各种复杂形状的密封件。
目前,在密封件的制造过程中,为了能完美符合容器的形状,通常利用模具对密封件进行压制定型,为了便于脱模,往往采用有机溶剂,如脱模剂硅油,由于有机溶剂会降低膜层的附着力,必须在镀膜前将密封件清洗干净,一般都采用清洁剂来对密封件进行清洗,然后烘干,再进行上料和镀膜,镀膜后清洗干净方可使用,由于密封件的清洗和烘干过程耗时长,导致密封件的生产效率较低,而且,清洗不干净和烘干不充分也会影响镀膜效果。
发明内容
本申请的目的旨在解决上述的技术缺陷,提供一种密封件镀膜设备及其镀膜方法,以提高密封件的镀膜效果,提升密封件的生产效率。
一种密封件镀膜设备,包括:固定装置,清洁腔室和镀膜腔室;其中,所述清洁腔室设置有第一真空泵和等离子体离子源,所述镀膜腔室设置有第二真空泵和化学气相沉积系统;
所述固定装置用于固定多个密封件,以及将所述密封件整体从清洁腔室转移到镀膜腔室内;
所述第一真空泵用于对清洁腔室进行抽真空,所述等离子体离子源用于在真空环境下产生等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁;
所述第二真空泵用于对镀膜腔室进行抽真空,所述化学气相沉积系统在真空环境下采用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜。
在一个实施例中,所述清洁腔室与镀膜腔室通过第一阀门连通;所述第一阀门用于连通或关闭清洁腔室与镀膜腔室;
在所述清洁腔室和镀膜腔室内还分别设有第一传送带和第二传送带,所述第一传送带和第二传送带用于将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室。
在一个实施例中,所述的密封件镀膜设备,还包括:连接所述清洁腔室的上料腔室;其中,所述上料腔室与清洁腔室通过第二阀门连通,所述上料腔室还设有第三传送带;所述上料腔室还设有第三真空泵;
所述第三真空泵用于在上料完成后对上料腔室进行抽真空;
所述上料腔室用于放置所述固定装置以对生产的密封件进行上料;
所述第三传送带和第一传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室。
在一个实施例中,所述的密封件镀膜设备,还包括:连接所述镀膜腔室的下料腔室;其中,所述下料腔室与镀膜腔室通过第三阀门连通,所述下料腔室还设有放气阀和第四传送带;
所述下料腔室用于对所述固定装置上已完成镀膜的密封件进行下料;
所述放气阀用于改变下料腔室内的压强,将下料腔室从真空状态切换至大气压状态;
所述第四传送带和第二传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室。
在一个实施例中,所述的密封件镀膜设备,还包括:上下料腔室;其中,所述上下料腔室与清洁腔室通过第二阀门连通,与镀膜腔室通过第三阀门连通;所述上下料腔室还设有第三传送带和第四传送带;
所述上下料腔室还设有第三真空泵和放气阀;
所述上下料腔室用于放置所述固定装置以对生产的密封件进行上料以及对所述固定装置上已完成镀膜的密封件进行下料;
所述第三真空泵用于在上料完成后对上下料腔室进行抽真空;所述放气阀用于改变上下料腔室内的压强,将上下料腔室从真空状态切换至大气压状态;
所述第三传送带和第一传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从上下料腔室转移到清洁腔室,所述第四传送带和第二传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到上下料腔室。
在一个实施例中,所述固定装置包括:所述固定装置包括:支撑架以及多个预制的置板;
所述置板用于对密封件集成板的密封件进行固定和遮挡非镀膜部位;其中,所述密封件集成板由多个密封件排列组成;
所述支撑架用于安装多个固定有密封件集成板的置板。
在一个实施例中,所述密封件为胶塞或者橡胶垫片;其中,所述密封件集成板为由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板;所述密封件集成板为由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板。
一种密封件镀膜方法,包括:
将密封件放置到固定装置上;
将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,启动第一真空泵对清洁腔室进行抽真空;
在真空环境下,启动等离子体离子源产生等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁处理;
清洁处理完成后,将所述固定装置及密封件转移到镀膜腔室,启动第二真空泵对镀膜腔室进行抽真空;
在真空环境下,开启化学气相沉积系统,利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜。
在一个实施例中,所述清洁腔室还连接上料腔室,所述镀膜腔室还连接下料腔室;
在将密封件放置到固定装置上之后,还包括:
将所述固定装置及密封件放入上料腔室,并启动第三真空泵对所述上料腔室进行抽真空;
所述将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,包括:
打开所述第二阀门,通过所述第三传送带和第一传送带将所述固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述第二阀门;
所述将所述固定装置及密封件转移到镀膜腔室,包括:
打开所述第一阀门,通过第一传送带和第二传送带将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭所述第一阀门;
在镀膜完成后,还包括:
打开第三阀门,通过第二传送带和第四传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,并关闭第三阀门;
开启下料腔室的放气阀,将下料腔室从真空状态切换至大气压状态,打开下料腔室取出已完成镀膜的密封件。
在一个实施例中,所述清洁腔室和镀膜腔室还分别连接上下料腔室;
在将密封件放置到固定装置上之后,还包括:
将所述固定装置及密封件放入上下料腔室,并启动第三真空泵对所述上下料腔室进行抽真空;
所述将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,包括:
打开所述第二阀门,通过所述第三传送带和第一传送带将所述固定装置及密封件从上下料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述第二阀门;
在关闭所述第二阀门之后,还包括:
打开第三阀门,通过第二传送带和第四传送带将镀膜腔室中的固定装置及已完成镀膜的密封件从镀膜腔室转移到上下料腔室,并关闭第三阀门;
开启上下料腔室的放气阀,将上下料腔室从真空状态切换至大气压状态,打开上下料腔室取出已完成镀膜的密封件;
所述将所述固定装置及密封件转移到镀膜腔室,包括:
打开所述第一阀门,通过第一传送带和第二传送带将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭所述第一阀门。
上述密封件镀膜设备及其镀膜方法,设计了固定装置、清洁腔室和镀膜腔室,在清洁腔室设置第一真空泵和等离子体离子源,在镀膜腔室设置有二真空泵和化学气相沉积系统,清洁腔室利用等离子体离子源产生等离子体对密封件表面进行清洁,镀膜腔室利用化学气相沉积系统对密封件进行化学气相沉积镀膜,固定装置可以批量固定密封件并进行批量镀膜;该技术方案,能够有效地清除密封件成型过程中残留的有机溶剂,避免了清洗和烘干耗时长的影响,极大地提高了镀膜效率;同时,利用等离子体对密封件表面处理以增强分子化学活力,增大密封件表面的镀膜部位的面积,能够显著提升薄膜沉积的膜层质量。
进一步的,增设了连接清洁腔室的上料腔室和连接镀膜腔室的下料腔室,各个腔室通过阀门进行连通和真空隔离,并通过传送带在腔室之间进行移动,便于清洁前的上料和镀膜后的下料处理,实现了全自动化的流水线作业,显著提升了镀膜作业效率。
更进一步的,设计了一个分别与清洁腔室和镀膜腔室连接的上下料腔室,腔室之间通过阀门进行连通和真空隔离,并通过传送带在腔室之间进行移动,在上下料腔室处于真空状态下,可以分别进行当前批次的密封件的上料处理和镀膜腔室中的密封件的下料处理;节省了腔室数量,降低了对于抽真空和降压至大气压的切换次数,从而大幅度降低了镀膜成本。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;
图2是另一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;
图3是又一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;
图4是又一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;
图5是胶塞结构示意图;
图6是置板的平面示意图;
图7是上料后的固定装置截面示意图;
图8是橡胶垫片结构示意图;
图9是一个实施例的密封件镀膜方法流程图;
图10是另一个实施例的密封件镀膜方法流程图;
图11是又一个实施例的密封件镀膜方法流程图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作。
本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语),具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语,应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样被特定定义,否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
参考图1所示,图1是一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图,本申请的密封件镀膜设备,可以对各种密封件进行镀膜;对于密封件,根据材料性质可分为橡胶类、塑料类、金属类、玻璃类、陶瓷类和其他类(如纸、干燥剂)等,也可以由两种或两种以上的材料复合或组合而成(如复合膜、铝塑组合盖等);如常用的橡胶类密封件有注射液用卤化丁基橡胶塞、药用合成聚异戊二烯垫片、口服液体药用硅橡胶垫片等;按用途和形制分类可分为输液瓶(袋、膜及配件)、安瓿、药用瓶(管、盖)、药用胶塞、药用预灌封注射器、药用滴眼(鼻、耳)剂瓶、药用硬片(膜)、药用铝箔、药用软膏管(盒)、药用喷(气)雾剂泵(阀门、罐、筒)、药用干燥剂等。
如图1所示的密封件镀膜设备,其主要包括至少一个固定装置,清洁腔室和镀膜腔室;其中清洁腔室设置有第一真空泵和等离子体离子源,镀膜腔室设置有第二真空泵和化学气相沉积系统。
所述固定装置用于固定多个密封件,以及述密封件整体从清洁腔室转移到镀膜腔室内;第一真空泵用于对清洁腔室进行抽真空,等离子体离子源用于在真空环境下产生等离子体对固定装置上的密封件表面进行清洁,通过等离子体对固定装置上的密封件表面进行清洁,去除密封件表面上镀膜部位残留的有机溶剂等杂质,并在密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹;对于离子源,可以选用射频离子源等。
所述第二真空泵用于对镀膜腔室进行抽真空,化学气相沉积系统在真空环境下采用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中固定装置上的密封件表面进行镀膜;对于化学气相沉积工艺,可以采用Parylene镀膜,制备Parylene原料可以是对二甲苯二聚体、一氯对二甲苯二聚体、二氯对二甲苯二聚体等;其具有与药品可以相容共存、防酸碱的特性,可以提高医用的胶塞的稳定性,有利于长期存放、金属离子与药品之间不发生迁移,保证疫苗、药品的安全性。
上述实施例的密封件镀膜设备,设计了固定装置、清洁腔室和镀膜腔室,在清洁腔室设置第一真空泵和等离子体离子源,在镀膜腔室设置有二真空泵和化学气相沉积系统,清洁腔室利用等离子体离子源产生等离子体对密封件表面进行清洁,镀膜腔室利用化学气相沉积系统对密封件进行化学气相沉积镀膜,固定装置可以批量固定密封件并进行批量镀膜;该技术方案,能够有效地清除密封件成型过程中残留的有机溶剂,避免了清洗和烘干耗时长的影响,极大地提高了镀膜效率;同时,利用等离子体对密封件表面处理以增强分子化学活力,增大密封件表面的镀膜部位的面积,能够显著提升薄膜沉积的膜层质量。
为了更加清晰本申请的技术方案,下面结合附图和实施例进一步阐述。
在一个实施例中,参考图2所示,图2是另一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;清洁腔室与镀膜腔室通过第一阀门(如插板阀)连通;第一阀门用于连通或关闭清洁腔室与镀膜腔室;在清洁腔室和镀膜腔室内还分别设有第一传送带和第二传送带,第一传送带和第二传送带用于将固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室。
上述实施例的密封件镀膜设备,通过第一阀门将清洁腔室与镀膜腔室连通,由此可以形成连续作业的生产线,如图2中,可以分别对固定装置1和固定装置2上的密封件分别进行处理,从而可以分别在清洁腔室和镀膜腔室中进行不同批次的密封件的处理,从而可以提高镀膜效率。
在一个实施例中,参考图3所示,图3是又一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;本实施例的密封件镀膜设备还可以包括连接清洁腔室的上料腔室;其中,上料腔室还设有第三真空泵,用于在上料完成后对上料腔室进行抽真空,使得上料腔室的真空度与清洁腔室真空度一致;上料腔室与清洁腔室通过第二阀门连通,上料腔室还设有第三传送带;上料腔室用于放置固定装置以对生产的密封件进行上料;第三传送带和第一传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室。
进一步的,密封件镀膜设备还包括连接所述镀膜腔室的下料腔室;其中,下料腔室还设有放气阀和第四传送带;下料腔室用于对固定装置上已完成镀膜的密封件进行下料;放气阀用于改变下料腔室内的压强,将下料腔室从真空状态切换至大气压状态;第四传送带和第二传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室。
上述实施例的密封件镀膜设备,设计了上料腔室和下料腔室,与清洁腔室和镀膜腔室构成了连续腔室,腔室之间通过阀门进行连通,并分别设置了传送带,从而可以形成由上料腔室-清洁腔室-镀膜腔室-下料腔室构成的流水线作业设备,如图3中,各个腔室可以同时作业,分别对固定装置1、固定装置2、固定装置3和固定装置4上的密封件进行处理,从而大幅度提高镀膜作业效率。
另外,在一个实施例中,参考图4所示,图4是再一个实施例的密封件镀膜设备的结构示意图;本申请的密封件镀膜设备还包括:上下料腔室;其中,上下料腔室与清洁腔室通过第二阀门连通,与镀膜腔室通过第三阀门连通;上下料腔室还设有第三传送带和第四传送带;上下料腔室还设有第三真空泵和放气阀;上下料腔室用于放置所述固定装置以对生产的密封件进行上料以及对固定装置上已完成镀膜的密封件进行下料;第三真空泵用于在上料完成后对上下料腔室进行抽真空;放气阀用于改变上下料腔室内的压强,将上下料腔室从真空状态切换至大气压状态;第三传送带和第一传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从上下料腔室转移到清洁腔室,第四传送带和第二传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到上下料腔室。
上述实施例的密封件镀膜设备,设计了一个分别与清洁腔室和镀膜腔室连接的上下料腔室,腔室之间通过阀门进行连通和真空隔离,并通过传送带在腔室之间进行移动,在上下料腔室处于真空状态下,可以分别进行当前批次的密封件的上料处理和镀膜腔室中的密封件的下料处理;如图4中,各个腔室可以同时作业,分别对固定装置1、固定装置2、固定装置3和固定装置4上的密封件进行处理,固定装置1和固定装置4上的密封件可以在上下料腔室处于真空状态下进行转移,从而大幅度提高镀膜作业效率,节省了腔室数量,降低了对于抽真空和降压至大气压的切换次数,从而大幅度降低了镀膜成本。
为了进一步提升镀膜效果和镀膜作业效率,确保密封件的高密封性,并解决药品与密封件的相容性问题,在镀膜过程可以实现选择性区域镀膜,本申请提供了固定装置的优化实施例,固定装置还可以用于对密封件的非镀膜部位进行遮挡。
对于固定装置的技术方案,其可以包括支撑架以及多个置板,对于置板,其可以定义为根据镀膜部位需求选择性地露出密封件的需要镀膜的部位且屏蔽掉不需要镀膜的部位的装置,主要作用是对密封件的非镀膜部位进行选择性覆盖,其形状可以根据密封件的形状来设计,包括圆形、方形或者其他形状;置板可以是金属、(导电)塑料、(合金)陶瓷、橡胶等材料制作而成;密封件通过置板进行遮挡和固定后,再固定到固定装置的支撑架上。
在对密封件进行批量镀膜时,一般会将各个密封件通过成型工艺将密封件制作成密封件集成板;其中,密封件集成板为由多个密封件边沿相邻构成的密封件阵列;在使用时,可以先将两个胶塞集成板对应塞冠一侧叠放在一起,然后分别在两个胶塞集成板的各个胶塞的塞颈一侧套入开设有胶塞通孔阵列的置板,每个胶塞分别对应置板上的一个胶塞通孔,胶塞通孔大于塞颈,使得置板遮挡胶塞的塞冠和塞边,露出塞颈和塞沿;利用螺栓螺母将两个置板固定为一体后,再叠放固定到支撑架上。
上述实施例的固定装置,固定装置设计了包括支撑架和多个置板,将密封件制作成密封件集成板,利用置板对密封件集成板的密封件表面的非镀膜部位进行遮挡和对密封件集成板进行固定,多个密封件集成板固定到支撑架上进行镀膜,可以方便地对密封件进行大规模的局部镀膜,提升了整体镀膜效率。
基于上述实施例的技术方案,下面以胶塞和橡胶垫片两种常用的密封件为示例阐述固定装置的技术方案。
示例性的,密封件为胶塞时,密封件集成板为由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板;在固定和遮挡时,将两个胶塞集成板对应塞冠一侧叠放在一起,分别在两个胶塞集成板的各个胶塞的塞颈一侧套入开设有胶塞通孔阵列的置板,每个胶塞分别对应置板上的一个胶塞通孔,胶塞通孔大于塞颈,使得置板遮挡胶塞的塞冠和塞边,露出塞颈和塞沿;最后利用螺栓螺母将两个置板固定为一体,再叠放固定到支撑架上。
参考图5,图5是胶塞结构示意图,在进行局部镀膜时,需要对胶塞的塞冠和塞边进行遮挡,作为非镀膜部位,露出塞颈和塞沿,作为镀膜部位。
为了实现上述镀膜部位的遮挡,所预制的置板的形状,可以参考图6所示,图6是置板的平面示意图,该置板根据需要镀膜的塞颈和塞沿的结构参数,设置了通孔阵列,每个通孔分别对应一个胶塞,周围布置螺栓孔,用于安装螺栓螺母固定;优选的,置板可以是金属、(导电)塑料、(合金)陶瓷等制作而成。
对于最终上料后的固定装置,参考图7,图7是上料后的固定装置截面示意图,如图示,胶塞集成板上下两层叠加在一起,并在上下两个面上套上置板,两个置板通过螺栓螺母固定,然后置板固定在支撑架上。
示例性的,密封件为橡胶垫片时,密封件集成板为由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板;在固定和遮挡时,将两个垫片集成板对应不需要镀膜的一侧叠放在一起,分别在垫片集成板需要镀膜的两侧放置开设有垫片通孔阵列的置板,每个橡胶垫片对应置板上的一个垫片通孔,垫片通孔的镂空区域对应为橡胶垫片需要镀膜区域;最后利用螺栓螺母将两个置板固定为一体,再叠放固定到支撑架上。
对于橡胶垫片,参考图8,图8是橡胶垫片结构示意图,多个如图示结构的橡胶垫片形成垫片集成板,利用置板上的垫片通孔阵列对垫片集成板的各个橡胶垫片进行遮挡,每个垫片通孔对应橡胶垫片需要镀膜的镀膜区域,上下两层叠加,并在上下两个面上套上置板利用螺栓螺母将两个置板固定为一体,最后固定在支撑架上。
下面阐述密封件镀膜方法的实施例。
参考图9所示,图9是一个实施例的密封件镀膜方法流程图,主要包括如下步骤:
S1,将密封件放置到固定装置上。
S2,将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,启动第一真空泵对清洁腔室进行抽真空。
S3,在真空环境下,启动等离子体离子源产生等离子体对固定装置上的密封件表面进行清洁。
具体的,可以开启清洁腔室的等离子体离子源产生等离子体轰击固定装置上的密封件;然后调节清洁气体的气压和施加偏压,清除密封件的镀膜部位表面残留的有机溶剂,并在密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹;通过有效清洁镀膜部位残留的有机溶剂,避免影响镀膜膜层的附着力,同时提高密封件表面的化学活力,增大密封件表面积,从而提高后续膜层质量。
S4,清洁处理完成后,将固定装置及密封件转移到镀膜腔室,启动第二真空泵对镀膜腔室进行抽真空。
S5,在真空环境下,开启化学气相沉积系统,利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜。
具体的,将原料室内的镀膜原料在高温低真空条件下升华,从固体升华成气体;通过气压差将升华后的气体输入相对低压的裂解室,并在更高温度和更低气压下,裂解形成活性单体气体;将所述活性单体气体输入镀膜腔室,将所述单体气体沉积至各个密封件裸露的表面,逐步聚合和结晶形成线性高分子聚合物,多余的气体则通过第二真空泵抽离镀膜腔室。
一般情况下parylene原料的升华温度为120-150℃,气压为低于100Pa,S502,裂解室的温度约为650-700℃,压力小于50Pa,镀膜腔室的温度为20-40℃,气压小于10Pa。
下面结合附图阐述另一个实施例的密封件镀膜方法,如图10所示,图10是另一个实施例的密封件镀膜方法流程图,包括如下:
s11,将密封件放置到固定装置上。
如前述实施例所述,密封件通过成型工艺生产出来后,直接上生产线进行上料操作固定到固定装置上。
s12,将固定装置及密封件放入上料腔室,并启动第三真空泵对上料腔室进行抽真空。
此步骤中,在将密封件固定到固定装置后,放置到上料腔室的第三传送带上,关闭上料腔室的腔门并通过第三真空泵对上料腔室抽真空。
s13,打开第二阀门,通过第三传送带和第一传送带将固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭第二阀门。
在关闭第二阀门后,上料腔室可以恢复到大气压状态,并进行下一批次镀膜的密封件的上料操作。
s14,在真空环境下,启动等离子体离子源产生等离子体对固定装置上的密封件表面进行清洁。
s15,打开第一阀门,通过第一传送带和第二传送带将固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭第一阀门。
在关闭第一阀门后,清洁腔室可以用于对下一批次的密封件的清洁。
s16,在真空环境下,开启化学气相沉积系统,利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中固定装置上的密封件表面的镀膜部位进行镀膜。
s17,打开第三阀门,通过第二传送带和第四传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,并关闭第三阀门。
在关闭第三阀门后,镀膜腔室可以用于下一批次的密封件的薄膜沉积镀膜。
s18,开启下料腔室的放气阀,将下料腔室从真空状态切换至大气压状态,打开下料腔室取出已完成镀膜的密封件。
具体的,在将下料腔室恢复到大气压后即可取出已完成镀膜的密封件,对密封件表面的非镀膜部位清洁后即可使用。
上述实施例的技术方案,利用上料腔室、清洁腔室、镀膜腔室和下料腔室构成的连续腔室来进行镀膜,通过阀门和独立腔室实现连续生产,实现了上料-清洁-镀膜-下料的流水线作业,极大地提升了镀膜作业效率。
下面结合附图阐述又一个实施例的密封件镀膜方法,如图11所示,图11是又一个实施例的密封件镀膜方法流程图,包括如下:
s21,将密封件放置到固定装置上。
如前述实施例所述,密封件通过成型工艺生产出来后,直接上生产线进行上料操作固定到固定装置上。
s22,将固定装置及密封件放入上下料腔室,并启动第三真空泵对上下料腔室进行抽真空。
此步骤中,在将密封件固定到固定装置后,放置到上下料腔室的第三传送带上,关闭上下料腔室的腔门并通过第三真空泵对上下料腔室抽真空。
s23,打开第二阀门,通过第三传送带和第一传送带将固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭第二阀门。
s24,打开第三阀门,通过第二传送带和第四传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到上下料腔室,并关闭第三阀门。
在关闭第二阀门后,上下料腔室继续处于真空状态,此时,在镀膜腔室中的密封件镀膜完成后,利用真空状态下的上下料腔室来转移已镀膜的密封件。
s25,开启上下料腔室的放气阀,将上下料腔室从真空状态切换至大气压状态,打开上下料腔室取出已完成镀膜的密封件。
经过上述转移操作后,上下料腔室可以恢复到大气压状态,此时可以进行已镀膜密封件的下料操作和下一批次的密封件的上料操作。
s26,在关闭第二阀门之后,在清洁腔室处于真空环境下,启动等离子体离子源产生等离子体对固定装置上的密封件表面进行清洁。
s27,清洁完成后,打开第一阀门,通过第一传送带和第二传送带将固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭第一阀门。
在关闭第一阀门后,清洁腔室可以用于对下一批次的密封件的清洁。
s28,在镀膜腔室处于真空环境下,开启化学气相沉积系统,利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中固定装置上的密封件表面的镀膜部位进行镀膜。
在关闭第三阀门后,镀膜腔室可以用于下一批次的密封件的薄膜沉积镀膜。
上述实施例的技术方案,利用上下料腔室、清洁腔室和镀膜腔室构成的循环腔室来进行镀膜,通过阀门和独立腔室实现连续生产,该技术方案,在上下料腔室处于真空状态下,可以分别进行当前批次的密封件的上料处理和镀膜腔室中的密封件的下料处理;节省了腔室数量,降低了对于抽真空和降压至大气压的切换次数,从而大幅度降低了镀膜成本。
本申请实施例提供的技术方案,特别适用于目前疫苗和药品容器的胶塞上,经过镀膜的胶塞,完美结合了卤化丁基橡胶高气密性的优点和聚对二甲苯镀膜高阻隔性的特性,镀膜效率高,能够大规模生产,保证疫苗和药品长期储存的稳定性与安全性。
以上仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种密封件镀膜设备,其特征在于,包括:固定装置,清洁腔室和镀膜腔室;其中,所述清洁腔室设置有第一真空泵和等离子体离子源,所述镀膜腔室设置有第二真空泵和化学气相沉积系统;
所述固定装置用于固定多个密封件,以及将所述密封件整体从清洁腔室转移到镀膜腔室内;
所述第一真空泵用于对清洁腔室进行抽真空,所述等离子体离子源用于在真空环境下产生等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁;
所述第二真空泵用于对镀膜腔室进行抽真空,所述化学气相沉积系统在真空环境下采用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜。
2.根据权利要求1所述的密封件镀膜设备,其特征在于,所述清洁腔室与镀膜腔室通过第一阀门连通;所述第一阀门用于连通或关闭清洁腔室与镀膜腔室;
在所述清洁腔室和镀膜腔室内还分别设有第一传送带和第二传送带,所述第一传送带和第二传送带用于将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室。
3.根据权利要求2所述的密封件镀膜设备,其特征在于,还包括:连接所述清洁腔室的上料腔室;其中,所述上料腔室与清洁腔室通过第二阀门连通,所述上料腔室还设有第三传送带;所述上料腔室还设有第三真空泵;
所述第三真空泵用于在上料完成后对上料腔室进行抽真空;
所述上料腔室用于放置所述固定装置以对生产的密封件进行上料;
所述第三传送带和第一传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室。
4.根据权利要求3所述的密封件镀膜设备,其特征在于,还包括:连接所述镀膜腔室的下料腔室;其中,所述下料腔室与镀膜腔室通过第三阀门连通,所述下料腔室还设有放气阀和第四传送带;
所述下料腔室用于对所述固定装置上已完成镀膜的密封件进行下料;
所述放气阀用于改变下料腔室内的压强,将下料腔室从真空状态切换至大气压状态;
所述第四传送带和第二传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室。
5.根据权利要求3所述的密封件镀膜设备,其特征在于,还包括:上下料腔室;其中,所述上下料腔室与清洁腔室通过第二阀门连通,与镀膜腔室通过第三阀门连通;所述上下料腔室还设有第三传送带和第四传送带;
所述上下料腔室还设有第三真空泵和放气阀;
所述上下料腔室用于放置所述固定装置以对生产的密封件进行上料以及对所述固定装置上已完成镀膜的密封件进行下料;
所述第三真空泵用于在上料完成后对上下料腔室进行抽真空;所述放气阀用于改变上下料腔室内的压强,将上下料腔室从真空状态切换至大气压状态;
所述第三传送带和第一传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从上下料腔室转移到清洁腔室,所述第四传送带和第二传送带用于在真空环境下将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到上下料腔室。
6.根据权利要求1所述的密封件镀膜设备,其特征在于,所述固定装置包括:支撑架以及多个预制的置板;
所述置板用于对密封件集成板的密封件进行固定和遮挡非镀膜部位;其中,所述密封件集成板由多个密封件排列组成;
所述支撑架用于安装多个固定有密封件集成板的置板。
7.根据权利要求1所述的密封件镀膜设备,其特征在于,所述密封件为胶塞或者橡胶垫片;其中,所述密封件集成板为由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板;所述密封件集成板为由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板。
8.一种密封件镀膜方法,其特征在于,应用于权利要求1-7任一项所述的密封件镀膜设备,所述方法包括:
将密封件放置到固定装置上;
将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,启动第一真空泵对清洁腔室进行抽真空;
在真空环境下,启动等离子体离子源产生等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁;
清洁完成后,将所述固定装置及密封件转移到镀膜腔室,启动第二真空泵对镀膜腔室进行抽真空;
在真空环境下,开启化学气相沉积系统,利用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜。
9.根据权利要求8所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述清洁腔室还连接上料腔室,所述镀膜腔室还连接下料腔室;
在将密封件放置到固定装置上之后,还包括:
将所述固定装置及密封件放入上料腔室,并启动第三真空泵对所述上料腔室进行抽真空;
所述将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,包括:
打开所述第二阀门,通过所述第三传送带和第一传送带将所述固定装置及密封件从上料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述第二阀门;
所述将所述固定装置及密封件转移到镀膜腔室,包括:
打开所述第一阀门,通过第一传送带和第二传送带将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭所述第一阀门;
在镀膜完成后,还包括:
打开第三阀门,通过第二传送带和第四传送带将固定装置及密封件从镀膜腔室转移到下料腔室,并关闭第三阀门;
开启下料腔室的放气阀,将下料腔室从真空状态切换至大气压状态,打开下料腔室取出已完成镀膜的密封件。
10.根据权利要求8所述的密封件镀膜方法,其特征在于,所述清洁腔室和镀膜腔室还分别连接上下料腔室;
在将密封件放置到固定装置上之后,还包括:
将所述固定装置及密封件放入上下料腔室,并启动第三真空泵对所述上下料腔室进行抽真空;
所述将所述固定装置及密封件放入清洁腔室,包括:
打开所述第二阀门,通过所述第三传送带和第一传送带将所述固定装置及密封件从上下料腔室转移到清洁腔室,并关闭所述第二阀门;
在关闭所述第二阀门之后,还包括:
打开第三阀门,通过第二传送带和第四传送带将镀膜腔室中的固定装置及已完成镀膜的密封件从镀膜腔室转移到上下料腔室,并关闭第三阀门;
开启上下料腔室的放气阀,将上下料腔室从真空状态切换至大气压状态,打开上下料腔室取出已完成镀膜的密封件;
所述将所述固定装置及密封件转移到镀膜腔室,包括:
打开所述第一阀门,通过第一传送带和第二传送带将所述固定装置及密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室,并关闭所述第一阀门。
CN202210103814.2A 2022-01-27 2022-01-27 密封件镀膜设备及其镀膜方法 Pending CN114481094A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210103814.2A CN114481094A (zh) 2022-01-27 2022-01-27 密封件镀膜设备及其镀膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210103814.2A CN114481094A (zh) 2022-01-27 2022-01-27 密封件镀膜设备及其镀膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114481094A true CN114481094A (zh) 2022-05-13

Family

ID=81475987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210103814.2A Pending CN114481094A (zh) 2022-01-27 2022-01-27 密封件镀膜设备及其镀膜方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114481094A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115449770A (zh) * 2022-09-01 2022-12-09 江苏宝浦莱半导体有限公司 一种硅基薄膜材料的生产设备
CN116479392A (zh) * 2023-03-24 2023-07-25 江苏博生医用新材料股份有限公司 一种药用橡胶塞镀膜装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103898480A (zh) * 2014-03-25 2014-07-02 侯光辉 一种在电子装置上连续进行真空镀防水膜的装置及方法
CN110629186A (zh) * 2019-09-25 2019-12-31 李湘裔 电致变色功能薄膜器件连续沉积装置
CN112899633A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种离子束镀膜设备及其镀膜方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103898480A (zh) * 2014-03-25 2014-07-02 侯光辉 一种在电子装置上连续进行真空镀防水膜的装置及方法
CN110629186A (zh) * 2019-09-25 2019-12-31 李湘裔 电致变色功能薄膜器件连续沉积装置
CN112899633A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种离子束镀膜设备及其镀膜方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115449770A (zh) * 2022-09-01 2022-12-09 江苏宝浦莱半导体有限公司 一种硅基薄膜材料的生产设备
CN115449770B (zh) * 2022-09-01 2024-05-07 江苏宝浦莱半导体有限公司 一种硅基薄膜材料的生产设备
CN116479392A (zh) * 2023-03-24 2023-07-25 江苏博生医用新材料股份有限公司 一种药用橡胶塞镀膜装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114481094A (zh) 密封件镀膜设备及其镀膜方法
KR100500656B1 (ko) 탄소막 코팅 플라스틱 용기의 제조 장치 및 제조 방법
CN101617564B (zh) 显示装置、用于制造显示装置的装置、以及显示装置的制造方法
CN1669796B (zh) 用于制造显示基板的装置及装配在其中的喷头组合
CN114438475B (zh) 密封件镀膜方法及密封件制备方法
MXPA01009684A (es) Maquina de carrusel para el tratamiento de cuerpos huecos, que incluye un circuito de distribucion de presion perfeccionado.
CN100434566C (zh) 用于进行cvd涂层的回转式机器
CN217298008U (zh) 密封件镀膜设备
JPH01142081A (ja) サブストレートを被覆するための装置
CN104617031B (zh) 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示面板
KR20030040864A (ko) 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치
WO2024060295A1 (zh) 塑料封装容器注吹镀灌封一体机
KR101986004B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
CN117926232A (zh) 一种并行周向连续式等离子体镀膜装置
CN101339967A (zh) 双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备
KR20120049137A (ko) 플라즈마 처리 장치
CN104386918B (zh) 一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法
JPH0240491B2 (zh)
US20100007100A1 (en) Double-sealing device for a machine for the plasma treatment of containers
CN217127532U (zh) 分布式导气装置及真空镀膜设备
JP4617901B2 (ja) 2口クロージャー付きパウチの殺菌充填方法
JP3566456B2 (ja) 既充填シリンジおよびその製造方法と装置
CN114540788A (zh) 密封件镀膜装置及密封件镀膜方法
KR20140140462A (ko) 원자층 증착 장치
CN107849693A (zh) 密封膜形成装置和密封膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination