CN114437737A - 液晶组合物及使用其的液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线 - Google Patents
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Abstract
本发明的课题在于提供一种具有宽温度范围的液晶相、Δn(折射率各向异性)高、常温稳定性良好的液晶组合物及使用其的液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线。一种液晶组合物，其为对于包含具有异硫氰酸酯基(‑NCS)的由通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上的液晶组合物，组合使用了具有二氢茚结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(‑NCS)的由通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上而成。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶组合物及使用其的液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线。
背景技术
作为大多用于显示器用途的液晶的新颖用途，在汽车等移动体与通信卫星之间进行电波的收发且使用液晶的天线备受瞩目。以往，卫星通信使用抛物线天线(parabolaantenna)，但在汽车等移动体中使用的情况下，必须随时将抛物线天线朝向卫星方向，需要大的可动部。但是，使用液晶的天线通过液晶运行，可改变电波的收发方向，因此不需要移动天线本身，天线的形状也可成为平面。
一般而言，对于汽车等的自动运转而言，需要下载高精度三维(Threedimensional，3D)地图信息的大量数据。但是，若为使用液晶的天线，则通过将所述天线组装于汽车中，即便无机械可动部也能够自通信卫星下载大量数据。卫星通信中使用的频带约为13GHz带，与至今为止的液晶显示器用途中使用的频率大不相同。因此，对液晶的要求物性也大不相同，天线用液晶所要求的Δn为0.4左右，运作温度范围为-40℃～120℃。
另外，作为汽车等移动体的自动运转用传感器，使用液晶的红外线激光图像识别及测距装置也备受瞩目。对所述用途的液晶所要求的Δn为0.2～0.3，运行温度范围为-40℃～120℃。
进而，已知构成显示出0.2～0.4以上的高Δn的液晶组合物的液晶性化合物大多相容性低。因而，也重要的是选择相容性高的液晶性化合物。
对此，作为天线用液晶的技术，例如可列举专利文献1。
另外，在非专利文献1中，提倡使用液晶材料作为高频器件的构成成分。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2016-37607号公报
[非专利文献1]多尔菲(D.Dolfi)，《电子快报(Electronics Letters)》，(英国)，1993年，29卷，10号，p.926-927
发明内容
[发明所要解决的问题]
本发明的课题在于提供一种Δn(折射率各向异性)高、具有宽温度范围的液晶相、常温稳定性良好的液晶组合物及使用其的液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线。
[解决问题的技术手段]
本发明人等人进行了努力研究，结果发现，通过对于包含具有异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上的液晶组合物，组合使用了具有二氢茚(indane)结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上，可解决所述课题，从而完成了本发明。
解决所述课题的本发明的结构如下所述。
本发明的液晶组合物包含：
下述通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上；以及
下述通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上，
[化1]
(通式(i)中，
Ri1表示氢原子或碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Ai1及Ai2分别独立地表示碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环中的任一者，
所述Ai1及Ai2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Si1取代，
取代基Si1表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基、碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-和/或-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Si1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
Li1及Li2分别独立地表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基或碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Zi1及Zi2分别独立地表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CF2-和/或-CO-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝N-N＝CH-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
mi1表示0～1的整数，
ni1表示0～3的整数，
在Ai2或Zi2存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同)，
[化2]
(通式(ii)中，
Rii1表示碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Aii1及Aii2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-)、
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基，
所述Aii1及Aii2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Sii1取代，
取代基Sii1表示卤素原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基或碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Sii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
Zii1表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-C(Ria)＝N-N＝C(Rib)-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
所述Ria及Rib分别独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数1～10的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CO-和/或-S-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
nii1表示1～4的整数，
在Aii1及Zii1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同)。
另外，本发明的液晶显示元件使用所述液晶组合物。
另外，本发明的传感器使用所述液晶组合物。
另外，本发明的液晶镜头使用所述液晶组合物。
另外，本发明的光通信机器使用所述液晶组合物。
另外，本发明的天线使用所述液晶组合物。
[发明的效果]
根据本发明，通过对于包含具有异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上的液晶组合物，组合使用了具有二氢茚(indane)结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上，可获得具有宽温度范围的液晶相、Δn(折射率各向异性)高、常温稳定性良好的液晶组合物，所述液晶组合物对液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线有用。
附图说明
图1是搭载有本发明的天线的车辆的概要图的一例。
图2是本发明的天线的分解图的一例。
图3是本发明的天线本体的分解图的一例。
图4是本发明的槽阵列(slot array)部的俯视图的一例。
图5是本发明的天线本体的投影图的俯视图的一例。
图6是沿A-A线切断图5的天线本体的剖面图的一形态。
图7是沿A-A线切断图5的天线本体的剖面图的另一形态。
图8是示出本发明的天线本体的投影图的俯视图的另一例。
图9是沿C-C线切断图8的天线本体的剖面图。
图10是沿B-B线切断图8的天线本体的剖面图。
[符号的说明]
1：天线单元
2：车辆(汽车)
3：壳体
4：控制板
5：上盖
6：槽阵列部
7：贴片阵列部
8：槽(切口部)
9：贴片
10：天线本体
11：天线组装体
12：供电部
12a：供电线
13：第一基板
14：第二基板
15：第三基板
16：液晶层
17：第一电介质层
20：密闭区域
21、23、24：密封壁
22：缓冲层
P：导体
Q：圆板体
L：长度
W：宽度
具体实施方式
(通式(i)所表示的化合物)
本发明的液晶组合物包含具有二氢茚结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(-NCS)的由下述通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上
[化3]
通式(i)中，Ri1表示氢原子或碳原子数1～20的烷基。
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
碳原子数1～20的烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Ri1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Ri1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Ri1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Ri1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Ri1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Ri1通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Ri1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Ri1中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Ri1-1)～式(Ri1-36)所表示的基等。
[化4]
式(Ri1-1)～式(Ri1-36)中，黑点表示向Ai1的键结键。
此外，作为Ri1，就Δn、与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～6的直链状的烷基。
通式(i)中，Ai1及Ai2分别独立地表示碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环中的任一者。
更具体而言，碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环优选为表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-或-S-)
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)1,4-亚环己烯基、双环[2.2.2]辛烷-1,4-二基、萘-2,6-二基、萘-1,4-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、5,6,7,8-四氢萘-1,4-二基、十氢萘-2,6-二基、蒽-2,6-二基、蒽-1,4-二基、蒽-9,10-二基、菲-2,7-二基(萘-2,6-二基、萘-1,4-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、5,6,7,8-四氢萘-1,4-二基、蒽-2,6-二基、蒽-1,4-二基、蒽-9,10-二基或菲-2,7-二基中存在的一个-CH＝或两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基。
Ai1及Ai2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Si1取代。
取代基Si1表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基、碳原子数1～20的烷基中的任一者。
所述烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为3～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-和/或-CO-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代。
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
作为取代基Si1，优选为氟原子或碳数1～3的直链状的烷基。
另外，Ai1及Ai2的至少一个优选为由至少一个取代基Si1取代。
另外，Ai2优选为由至少一个取代基Si1取代。
此外，在取代基Si1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为Ai1中的取代基Si1的取代位置，优选为下述式(Ai1-SP-1)～式(Ai1-SP-2)中的任一者。
[化5]
式(Ai1-SP-1)～式(Ai1-SP-2)中，白点表示向Zi1的键结键，黑点表示向Zi2或异硫氰酸酯基(-NCS)的键结键。
作为Ai2中的取代基Si1的取代位置，优选为下述式(Ai2-SP-1)～式(Ai2-SP-2)中的任一者。
[化6]
式(Ai2-SP-1)～式(Ai2-SP-2)中，白点表示向Zi2的键结键，黑点表示向Zi2或异硫氰酸酯基(-NCS)的键结键。
更具体而言，Ai1优选为表示下述式(Ai1-1)～式(Ai1-4)中的任一者。
[化7]
式(Ai1-1)～式(Ai1-4)中，白点表示向Zi1的键结键，黑点表示向Zi2或异硫氰酸酯基(-NCS)的键结键。
更具体而言，Ai2优选为表示下述式(Ai2-1)～式(Ai2-3)中的任一者。
[化8]
式(Ai2-1)～式(Ai2-3)中，白点表示向Zi2的键结键，黑点表示向Zi2或异硫氰酸酯基(-NCS)的键结键。
通式(i)中，Li1及Li2分别独立地表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基或碳原子数1～20的烷基中的任一者，
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
碳原子数1～20的烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代，
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-可由-O-CO-O-取代，
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代，
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
作为卤素原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Li1及Li2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Li1及Li2中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Li1/2-1)～式(Li1/2-36)所表示的基等。
[化9]
式(Li1/2-1)～式(Li1/2-36)中，黑点表示向二氢茚结构或四氢萘结构的键结键。
就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为Li1及Li2中的至少一个为氟原子，优选为Li1及Li2均为氟原子。
Zi1及Zi2分别独立地表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者。
所述亚烷基为直链状、分支状或环状的亚烷基，优选为直链状的亚烷基。
所述亚烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CF2和/或-CO-取代。
另外，所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代，
另外，所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝N-N＝CH-取代。
但是，在所述亚烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
作为碳原子数2～20的亚烷基的具体例(也包含经取代的亚烷基)，可列举式(Zi1 /2-1)～式(Zi1/2-24)所表示的基等。
[化10]
式(Zi1/2-1)～式(Zi1/2-24)中，白点表示向二氢茚结构、四氢萘结构、Ai1或Ai2的键结键，黑点表示向Ai1或Ai2的键结键。
就提高Δn、低粘性的观点而言，优选为Zi1及Zi2中的至少一个为式(Zi1/2-4)(-C≡C-)，优选为Zi1及Zi2均为式(Zi1/2-4)(-C≡C-)。
通式(i)中，mi1表示0～1的整数。
就与其他液晶化合物的相容性、相转变温度、合成的容易度及原料的获取性的观点而言，mi1优选为表示1。
通式(i)中，ni1表示0～3的整数。
就与其他液晶化合物的相容性、相转变温度、介电常数各向异性、合成的容易度及原料的获取性的观点而言，ni1优选为1或2。
在Ai2或Zi2存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
作为通式(i)所表示的化合物，优选为下述通式(i-1)～通式(i-3)所表示的化合物。
[化11]
通式(i-1)～通式(i-3)中，Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Li1及Li2表示与所述通式(i)中的Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Li1及Li2分别相同的含义，优选的基也表示相同的基。
作为通式(i-1)所表示的化合物，优选为下述通式(i-1-a)～通式(i-1-f)所表示的化合物。
[化12]
[化13]
通式(i-1-a)～通式(i-1-f)中，Ri1、Si1、Li1及Li2分别独立地表示与所述通式(i)中的Ri1、Si1、Li1及Li2相同的含义，优选的基也表示相同的基。
作为通式(i-1-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)所表示的化合物等。
[化14]
作为通式(i-1-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)所表示的化合物等。
[化15]
作为通式(i-1-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)所表示的化合物等。
[化16]
作为通式(i-1-d)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)所表示的化合物等。
[化17]
作为通式(i-1-e)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)所表示的化合物等。
[化18]
作为通式(i-1-f)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)所表示的化合物等。
[化19]
作为通式(i-2)所表示的化合物，优选为下述通式(i-2-a)～通式(i-2-d)所表示的化合物。
[化20]
通式(i-2-a)～通式(i-2-d)中，Ri1、Si1、Li1及Li2分别独立地表示与所述通式(i)中的Ri1、Si1、Li1及Li2相同的含义，优选的基也表示相同的基。
作为通式(i-2-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)所表示的化合物等。
[化21]
作为通式(i-2-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)所表示的化合物等。
[化22]
作为通式(i-2-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)所表示的化合物等。
[化23]
作为通式(i-2-d)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)所表示的化合物等。
[化24]
作为通式(i-3)所表示的化合物，优选为下述通式(i-3-a)～通式(i-3-b)所表示的化合物。
[化25]
作为通式(i-3-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)所表示的化合物等。
[化26]
作为通式(i-3-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物等。
[化27]
通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～五种，优选为一种～四种，优选为一种～三种，优选为一种～两种，优选为一种。
通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为0.5质量％以上，优选为1质量％以上，优选为3质量％以上。
通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为35质量％以下，优选为30质量％以下，优选为25质量％以下。
就提高Δn及Tni的观点而言，通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为0.5质量％～35质量％，优选为1质量％～30质量％，优选为3质量％～25质量％。
通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物可使用已知的合成法进行合成。
(通式(ii)所表示的化合物)
本发明的液晶组合物包含具有异硫氰酸酯基(-NCS)的由下述通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化28]
通式(ii)中，Rii1表示碳原子数1～20的烷基。
所述烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Rii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rii1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rii1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rii1通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Rii1中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Rii1-1)～式(Rii1-36)所表示的基等。
[化29]
式(Rii1-1)～式(Rii1-36)中，黑点表示向Aii1的键结键。
在Rii1所键结的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，在Rii1所键结的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。
另外，作为Rii1，为了使向列相稳定化，优选为碳原子及存在的情况下的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
此外，作为Rii1，就Δn、与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～8的直链状的烷基或碳原子数2～8的直链状的烷氧基。
通式(ii)中，Aii1及Aii2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-)、
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基。
Aii1及Aii2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Sii1取代。
取代基Sii1表示卤素原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基或碳原子数1～20的烷基中的任一者。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
碳原子数1～20的烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
作为取代基Sii1，优选为氟原子或氯原子。
另外，Aii1的至少一个或Aii2优选为由至少一个取代基Sii1取代。
此外，在取代基Sii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为Aii1中的取代基Sii1的取代位置，优选为下述式(Aii1-SP-1)～式(Aii1-SP-4)中的任一者。
[化30]
式(Aii1-SP-1)～式(Aii1-SP-4)中，白点表示向Rii1或Zii1的键结键，黑点表示向Zii1的键结键。
作为Aii2中的取代基Sii1的取代位置，优选为下述式(Aii2-SP-1)～式(Aii2-SP-7)中的任一者。
[化31]
式(Aii2-SP-1)～式(Aii2-SP-7)中，白点表示向Zii1的键结键，黑点表示向异硫氰酸酯基(-NCS)的键结键。
更具体而言，Aii1优选为表示下述式(Aii1-1)～式(Aii1-3)中的任一者。
[化32]
式(Aii1-1)～式(Aii1-3)中，白点表示向Rii1或Zii1的键结键，黑点表示向Zii1的键结键。
更具体而言，Aii2优选为表示下述式(Aii2-1)～式(Aii2-5)中的任一者。
[化33]
式(Aii2-1)～式(Aii2-5)中，白点表示向Zii1的键结键，黑点表示向向异硫氰酸酯基(-NCS)的键结键。
通式(ii)中，Zii1表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者。
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-取代。
另外，所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代。
另外，所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-C(Ria)＝N-N＝C(Rib)-取代。
但是，在碳原子数1～10的烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
Ria及Rib分别独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数1～10的烷基。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
所述烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～8，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CO-和/或-S-取代。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代。
但是，在碳原子数1～10的烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
作为碳原子数1～20的亚烷基的具体例(也包含经取代的亚烷基)，可列举式(Zii1-1)～式(Zii1-24)所表示的基等。
[化34]
式(Zii1-1)～式(Zii1-24)中，白点表示向Aii1的键结键，黑点表示向Aii1或Aii2的键结键。
通式(ii)中，nii1表示1～4的整数，优选为1～2的整数。
在nii1为1的情况下，就提高Δn的观点而言，Zii1优选为表示单键或-C≡C-。
另外，在nii1为2的情况下，就提高An的观点而言，Zii1的至少一个优选为表示-C≡C-。
此外，在通式(ii)中，在Aii1及Zii1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
作为通式(ii)所表示的化合物，优选为下述通式(ii-1)～通式(ii-5)所表示的化合物。
[化35]
Rii1-Aii1-Aii2-NCS (ii-1)
Rii1-Aii1-Aii1-2-Aii2-NCS (ii-5)
通式(ii-1)～通式(ii-5)中，Rii1、Aii1及Aii2表示与所述通式(ii)中的Rii1、Aii1及Aii2分别相同的含义。
通式(ii-3)～通式(ii-5)中，Aii1-2的定义与所述通式(ii)中的Aii1的定义相同。
作为通式(ii-1)所表示的化合物，优选为下述通式(ii-1-a)所表示的化合物。
[化36]
通式(ii-1-a)中，Rii1表示与所述通式(ii)中的Rii1相同的含义。
作为通式(ii-1-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)
所表示的化合物等。
[化37]
作为通式(ii-2)所表示的化合物，优选为下述通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)所表示的化合物。
[化38]
通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)中，Rii1及Sii1分别独立地表示与所述通式(ii)中的Rii1及Sii1分别相同的含义。
作为通式(ii-2-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)所表示的化合物等。
[化39]
作为通式(ii-2-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)所表示的化合物等。
[化40]
作为通式(ii-2-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)所表示的化合物等。
[化41]
作为通式(ii-3)所表示的化合物，优选为下述通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)所表示的化合物。
[化42]
通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)中，Rii1及Sii1分别独立地表示与所述通式(ii)中的Rii1及Sii1分别相同的含义。
作为通式(ii-3-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)所表示的化合物等。
[化43]
作为通式(ii-3-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)所表示的化合物等。
[化44]
作为通式(ii-3-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-3-c.1)～结构式(ii-3-c.3)所表示的化合物等。
[化45]
作为通式(ii-4)所表示的化合物，优选为下述通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)所表示的化合物。
[化46]
通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)中，Rii1及Sii1分别独立地表示与所述通式(ii)中的Rii1及Sii1分别相同的含义。
作为通式(ii-4-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)所表示的化合物等。
[化47]
作为通式(ii-4-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)所表示的化合物等。
[化48]
作为通式(ii-4-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)所表示的化合物等。
[化49]
作为通式(ii-4-d)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)所表示的化合物等。
[化50]
作为通式(ii-5)所表示的化合物，优选为下述通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)所表示的化合物。
[化51]
通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)中，Rii1及Sii1分别独立地表示与所述通式(ii)中的Rii1及Sii1分别相同的含义。
作为通式(ii-5-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)所表示的化合物等。
[化52]
作为通式(ii-5-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物等。
[化53]
通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)、结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～二十种，优选为一种～十八种，优选为一种～十五种，优选为两种～十五种。
通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为20质量％以上，优选为25质量％以上，优选为30质量％以上。
通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为99质量％以下，优选为97.5质量％以下，优选为95质量％以下。
就提高Δn、与其他液晶组合物的相容性的观点而言，通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)、结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为20质量％～99质量％，优选为25质量％～97.5质量％，优选为30质量％～95质量％。
通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)、结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物可使用已知的合成方法进行合成。
(其他化合物)
就提高Δε的观点而言，本发明的液晶组合物也可包含具有氰基(-CN)的由下述通式(iii)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化54]
通式(iii)中，Riii1表示碳原子数1～20的烷基。
所述烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Riii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riii1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riii1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riii1通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riii1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Riii1中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Riii1-1)～式(Riii1-36)所表示的基等。
[化55]
式(Riii1-1)～式(Riii1-36)中，黑点表示向Aiii1的键结键。
在Riii1所键结的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，在Riii1所键结的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。
另外，作为Riii1，为了使向列相稳定化，优选为碳原子及存在的情况下的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
此外，作为Riii1，就Δn、与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～8的直链状的烷基。
通式(iii)中，Aiii1、Aiii2及Aiii3分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-)、
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基。
Aiii1、Aiii2及Aiii3中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Siii1取代。
取代基Siii1表示卤素原子、氰基、碳原子数1～6的烷基中的任一者。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
另外，至少一个Aiii1、Aiii2或Aiii3优选为由至少一个取代基Siii1取代。
另外，Aiii2优选为由至少一个取代基Siii1取代。
此外，在取代基Siii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为Aiii2中的取代基Siii1的取代位置，就溶解性的观点而言，优选为下述式(Aiii2-SP-1)。
[化56]
式(Aiii2-SP-1)中，白点表示向Aiii1的键结键，黑点表示向Aiii3的键结键。
更具体而言，Aiii1优选为表示下述式(Aiii1-1)～式(Aiii1-2)中的任一者。
[化57]
式(Aiii1-1)～式(Aiii1-2)中，白点表示向Riii1或Aiii1的键结键，黑点表示向Aiii1或Aiii2的键结键。
更具体而言，Aiii2优选为表示下述式(Aiii2-1)～式(Aiii2-3)中的任一者。
[化58]
式(Aiii2-1)～式(Aiii2-3)中，白点表示向Aiii1的键结键，黑点表示向Aiii3的键结键。
更具体而言，Aiii3优选为表示下述式(Aiii3-1)～式(Aiii3-2)中的任一者。
[化59]
式(Aiii3-1)～式(Aiii3-2)中，白点表示向Aiii2的键结键，黑点表示向氰基(-CN)的键结键。
通式(iii)中，niii1表示1～2的整数。
此外，在通式(iii)中，在Aiii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为通式(iii)所表示的化合物，优选为下述通式(iii-1)所表示的化合物。
[化60]
Riii1-Aiii1-Aiii2-Aiii3-NCS (iii-1)
通式(iii-1)中，Riii1、Aiii1、Aiii2及Aiii3表示与所述通式(iii)中的Riii1、Aiii1、Aiii2及Aiii3分别相同的含义。
作为通式(iii-1)所表示的化合物，优选为下述通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)所表示的化合物。
[化61]
通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)中，Riii1及Siii1分别独立地表示与所述通式(iii)中的Riii1及Siii1分别相同的含义。
作为通式(iii-1-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iii-1-a.1)～结构式(iii-1-a.3)所表示的化合物等。
[化62]
作为通式(iii-1-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iii-1-b.1)～结构式(iii-1-b.3)所表示的化合物等。
[化63]
作为通式(iii-1-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iii-1-c.1)～结构式(iii-1-c.3)所表示的化合物等。
[化64]
通式(iii)、通式(iii-1)、通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)、结构式(iii-1-a.1)～结构式(iii-1-a.3)、结构式(iii-1-b.1)～结构式(iii-1-b.3)或结构式(iii-1-c.1)～结构式(iii-1-c.3)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～五种，优选为一种～四种，优选为一种～三种，优选为一种～两种，优选为一种。
通式(iii)、通式(iii-1)、通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)、结构式(iii-1-a.1)～结构式(iii-1-a.3)、结构式(iii-1-b.1)～结构式(iii-1-b.3)或结构式(iii-1-c.1)～结构式(iii-1-c.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为1质量％以上，优选为2质量％以上，优选为3质量％以上。
通式(iii)、通式(iii-1)、通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)、结构式(iii-1-a.1)～结构式(iii-1-a.3)、结构式(iii-1-b.1)～结构式(iii-1-b.3)或结构式(iii-1-c.1)～结构式(iii-1-c.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为20质量％以下，优选为15质量％以下，优选为10质量％以下。
就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，通式(iii)、通式(iii-1)、通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)、结构式(iii-1-a.1)～结构式(iii-1-a.3)、结构式(iii-1-b.1)～结构式(iii-1-b.3)或结构式(iii-1-c.1)～结构式(iii-1-c.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为1质量％～15质量％，优选为2质量％～15质量％，优选为3质量％～20质量％。
通式(iii)、通式(iii-1)、通式(iii-1-a)～通式(iii-1-c)、结构式(iii-1-a.1)～结构式(iii-1-a.3)、结构式(iii-1-b.1)～结构式(iii-1-b.3)或结构式(iii-1-c.1)～结构式(iii-1-c.3)所表示的化合物可使用已知的合成方法进行合成。
就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，本发明的液晶组合物也可包含具有炔基(Riv1-C≡C-)及氰基(-CN)的由下述通式(iv)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化65]
通式(iv)中，Riv1表示碳原子数1～20的烷基。
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-COO-、-OCO-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氯原子、溴原子、氟原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Riv1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riv1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riv1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riv1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riv1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riv1通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Riv1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Riv1中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Riv1-1)～式(Riv1-36)所表示的基等。
[化66]
式(Riv1-1)～式(Riv1-36)中，黑点表示向-C≡C-的键结键。
此外，作为Riv1，就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～8的直链状的烷基。
通式(iv)中，Aiv1及Aiv2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-)、
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基。
Aiv1及Aiv2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Siv1取代。
取代基Siv1表示卤素原子、氰基、碳原子数1～6的烷基中的任一者。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
另外，Aiv1的至少一个优选为由取代基Siv1取代。
此外，在取代基Siv1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为Aiv1中的取代基Siv1的取代位置，就溶解性的观点而言，优选为下述式(Aiv1-SP-1)中的任一者。
[化67]
式(Aiv1-SP-1)中，白点表示向-C≡C-或Aiv1的键结键，黑点表示向Aiv1或Aiv2的键结键。
作为Aiv2中的取代基Siv1的取代位置，优选为下述式(Aiv2-SP-1)～式(Aiv2-SP-2)中的任一者。
[化68]
式(Aiv2-SP-1)～式(Aiv2-SP-2)中，白点表示向Aiv1的键结键，黑点表示向氰基(-CN)的键结键。
更具体而言，Aiv1优选为表示下述式(Aiv1-1)～式(Aiv1-3)中的任一者。
[化69]
式(Aiv1-1)～式(Aiv1-3)中，白点表示向-C≡C-或Aiv1的键结键，黑点表示向Aiv1或Aiv2的键结键。
更具体而言，Aiv2优选为表示下述式(Aiv2-1)～式(Aiv2-2)中的任一者。
[化70]
式(Aiv2-1)～式(Aiv2-2)中，白点表示向Aiv1的键结键，黑点表示向氰基(-CN)的键结键。
通式(iv)中，niv1表示1～2的整数。
此外，在通式(iv)中，在Aiv1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为通式(iv)所表示的化合物，优选为下述通式(iv-1)所表示的化合物。
[化71]
通式(iv-1)中，Riv1、Aiv1及Aiv2表示与所述通式(iv)中的Riv1、Aiv1及Aiv2分别相同的含义。
作为通式(iv-1)所表示的化合物，优选为下述通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)所表示的化合物。
[化72]
通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)中，Riv1及Siv1分别独立地表示与所述通式(iv)中的Riv1及Siv1分别相同的含义。
作为通式(iv-1-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iv-1-a.1)～结构式(iv-1-a.2)所表示的化合物等。
[化73]
作为通式(iv-1-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iv-1-b.1)～结构式(iv-1-b.2)所表示的化合物等。
[化74]
作为通式(iv-1-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iv-1-c.1)～结构式(iv-1-c.2)所表示的化合物等。
[化75]
作为通式(iv-1-d)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iv-1-d.1)～结构式(iv-1-d.2)所表示的化合物等。
[化76]
作为通式(iv-1-e)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iv-1-e.1)～结构式(iv-1-e.2)所表示的化合物等。
[化77]
作为通式(iv-1-f)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(iv-1-f.1)～结构式(iv-1-f.2)所表示的化合物等。
[化78]
通式(iv)、通式(iv-1)、通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)、结构式(iv-1-a.1)～结构式(iv-1-a.2)、结构式(iv-1-b.1)～结构式(iv-1-b.2)、结构式(iv-1-c.1)～结构式(iv-1-c.2)、结构式(iv-1-d.1)～结构式(iv-1-d.2)、结构式(iv-1-e.1)～结构式(iv-1-e.2)或结构式(iv-1-f.1)～结构式(iv-1-f.2)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～五种，优选为一种～四种，优选为一种～三种，优选为一种～两种，优选为一种。
通式(iv)、通式(iv-1)、通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)、结构式(iv-1-a.1)～结构式(iv-1-a.2)、结构式(iv-1-b.1)～结构式(iv-1-b.2)、结构式(iv-1-c.1)～结构式(iv-1-c.2)、结构式(iv-1-d.1)～结构式(iv-1-d.2)、结构式(iv-1-e.1)～结构式(iv-1-e.2)或结构式(iv-1-f.1)～结构式(iv-1-f.2)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为0质量％以上，优选为1质量％以上，优选为5质量％以上。
通式(iv)、通式(iv-1)、通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)、结构式(iv-1-a.1)～结构式(iv-1-a.2)、结构式(iv-1-b.1)～结构式(iv-1-b.2)、结构式(iv-1-c.1)～结构式(iv-1-c.2)、结构式(iv-1-d.1)～结构式(iv-1-d.2)、结构式(iv-1-e.1)～结构式(iv-1-e.2)或结构式(iv-1-f.1)～结构式(iv-1-f.2)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为35质量％以下，优选为30质量％以下，优选为25质量％以下。
就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，通式(iv)、通式(iv-1)、通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)、结构式(iv-1-a.1)～结构式(iv-1-a.2)、结构式(iv-1-b.1)～结构式(iv-1-b.2)、结构式(iv-1-c.1)～结构式(iv-1-c.2)、结构式(iv-1-d.1)～结构式(iv-1-d.2)、结构式(iv-1-e.1)～结构式(iv-1-e.2)或结构式(iv-1-f.1)～结构式(iv-1-f.2)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为0质量％～35质量％，优选为1质量％～30质量％，优选为5质量％～25质量％。
通式(iv)、通式(iv-1)、通式(iv-1-a)～通式(iv-1-f)、结构式(iv-1-a.1)～结构式(iv-1-a.2)、结构式(iv-1-b.1)～结构式(iv-1-b.2)、结构式(iv-1-c.1)～结构式(iv-1-c.2)、结构式(iv-1-d.1)～结构式(iv-1-d.2)、结构式(iv-1-e.1)～结构式(iv-1-e.2)或结构式(iv-1-f.1)～结构式(iv-1-f.2)所表示的化合物可使用已知的合成方法进行合成。
本发明的液晶组合物也可包含具有至少一个-C≡C-以及氰基(-CN)作为连结基的由下述通式(v)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化79]
通式(v)中，Rv1表示碳原子数1～20的烷基。
所述烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氯原子、溴原子、氟原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Rv1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rv1通过将Rv1中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rv1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rv1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rv1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rv1通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Rv1中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Rv1-1)～式(Rv1-36)所表示的基等。
[化80]
式(Rv1-1)～式(Rv1-36)中，黑点表示向Av1的键结键。
在Rv1所键结的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，在Rv1所键结的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。
另外，作为Rv1，为了使向列相稳定化，优选为碳原子及存在的情况下的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
此外，作为Rv1，就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～8的直链状的烷基。
通式(v)中，Av1及Av2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-)、
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基。
Av1及Av2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Sv1取代。
取代基Sv1表示卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基中的任一者。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中存在的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在碳原子数1～6的烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
另外，Av1的至少一个或Av2优选为由至少一个取代基Sv1取代。
此外，在取代基Sv1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为Av1中的取代基Sv1的取代位置，就溶解性的观点而言，优选为下述式(Av1-SP-1)。
[化81]
式(Av1-SP-1)中，白点表示向Rv1或Zv1的键结键，黑点表示向Zv1的键结键。
作为Av2中的取代基Sv1的取代位置，优选为下述式(Av2-SP-1)～式(Av2-SP-2)中的任一者。
[化82]
式(Av2-SP-1)～式(Av2-SP-2)中，白点表示向Zv1的键结键，黑点表示向氰基(-CN)的键结键。
更具体而言，Av1优选为表示下述式(Av1-1)～式(Av1-3)中的任一者。
[化83]
式(Av1-1)～式(Av1-3)中，白点表示向Rv1或Zv1的键结键，黑点表示向Zv1的键结键。
更具体而言，Av2优选为表示下述式(Av2-1)～式(Av2-3)中的任一者。
[化84]
式(Av2-1)～式(Av2-3)中，白点表示向Zv1的键结键，黑点表示向氰基(-CN)的键结键。
通式(v)中，Zv1表示单键、-C≡C-、-CH＝CH-、-CF＝CF-中的任一者。
但是，Zv1的至少一个表示-C≡C-。
通式(v)中，nv1表示1～2的整数。
此外，在通式(v)中，在Av1及Zv1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
作为通式(v)所表示的化合物，优选为下述通式(v-1)～通式(v-2)所表示的化合物。
[化85]
通式(v-1)～通式(v-2)中，Rv1、Av1及Av2表示与所述通式(v)中的Rv1、Av1及Av2分别相同的含义。
通式(v-1)～通式(v-2)中，Av1-2的定义与所述通式(v)中的Av1的定义相同。
作为通式(v-1)所表示的化合物，优选为下述通式(v-1-a)～通式(v-1-f)所表示的化合物。
[化86]
通式(v-1-a)～通式(v-1-f)中，Rv1及Sv1分别独立地表示与所述通式(v)中的Rv1及Sv1分别相同的含义。
作为通式(v-1-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-1-a.1)～结构式(v-1-a.3)所表示的化合物等。
[化87]
作为通式(v-1-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-1-b.1)～结构式(v-1-b.3)所表示的化合物等。
[化88]
作为通式(v-1-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-1-c.1)～结构式(v-1-c.3)所表示的化合物等。
[化89]
作为通式(v-1-d)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-1-d.1)～结构式(v-1-d.3)所表示的化合物等。
[化90]
作为通式(v-1-e)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-1-e.1)～结构式(v-1-e.3)所表示的化合物等。
[化91]
作为通式(v-1-f)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-1-f.1)～结构式(v-1-f.3)所表示的化合物等。
[化92]
作为通式(v-2)所表示的化合物，优选为下述通式(v-2-a)～通式(v-2-b)所表示的化合物。
[化93]
通式(v-2-a)～通式(v-2-b)中，Rv1及Sv1分别独立地表示与所述通式(v)中的Rv1及Sv1分别相同的含义。
作为通式(v-2-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-2-a.1)～结构式(v-2-a.3)所表示的化合物等。
[化94]
作为通式(v-2-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(v-2-b.1)～结构式(v-2-b.3)所表示的化合物等。
[化95]
通式(v)、通式(v-1)～通式(v-2)、通式(v-1-a)～通式(v-1-f)、通式(v-2-a)～通式(v-2-b)、结构式(v-1-a.1)～结构式(v-1-a.3)、结构式(v-1-b.1)～结构式(v-1-b.3)、结构式(v-1-c.1)～结构式(v-1-c.3)、结构式(v-1-d.1)～结构式(v-1-d.3)、结构式(v-1-e.1)～结构式(v-1-e.3)、结构式(v-1-f.1)～结构式(v-1-f.3)、结构式(v-2-a.1)～结构式(v-2-a.3)或结构式(v-2-b.1)～结构式(v-2-b.3)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～五种，优选为一种～四种，优选为一种～三种，优选为一种～两种，优选为一种。
通式(v)、通式(v-1)～通式(v-2)、通式(v-1-a)～通式(v-1-f)、通式(v-2-a)～通式(v-2-b)、结构式(v-1-a.1)～结构式(v-1-a.3)、结构式(v-1-b.1)～结构式(v-1-b.3)、结构式(v-1-c.1)～结构式(v-1-c.3)、结构式(v-1-d.1)～结构式(v-1-d.3)、结构式(v-1-e.1)～结构式(v-1-e.3)、结构式(v-1-f.1)～结构式(v-1-f.3)、结构式(v-2-a.1)～结构式(v-2-a.3)或结构式(v-2-b.1)～结构式(v-2-b.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为0.5质量％以上，优选为1质量％以上，优选为5质量％以上。
通式(v)、通式(v-1)～通式(v-2)、通式(v-1-a)～通式(v-1-f)、通式(v-2-a)～通式(v-2-b)、结构式(v-1-a.1)～结构式(v-1-a.3)、结构式(v-1-b.1)～结构式(v-1-b.3)、结构式(v-1-c.1)～结构式(v-1-c.3)、结构式(v-1-d.1)～结构式(v-1-d.3)、结构式(v-1-e.1)～结构式(v-1-e.3)、结构式(v-1-f.1)～结构式(v-1-f.3)、结构式(v-2-a.1)～结构式(v-2-a.3)或结构式(v-2-b.1)～结构式(v-2-b.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为20质量％以下，优选为15质量％以下，优选为10质量％以下。
就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，通式(v)、通式(v-1)～通式(v-2)、通式(v-1-a)～通式(v-1-f)、通式(v-2-a)～通式(v-2-b)、结构式(v-1-a.1)～结构式(v-1-a.3)、结构式(v-1-b.1)～结构式(v-1-b.3)、结构式(v-1-c.1)～结构式(v-1-c.3)、结构式(v-1-d.1)～结构式(v-1-d.3)、结构式(v-1-e.1)～结构式(v-1-e.3)、结构式(v-1-f.1)～结构式(v-1-f.3)、结构式(v-2-a.1)～结构式(v-2-a.3)或结构式(v-2-b.1)～结构式(v-2-b.3)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为0.5质量％～20质量％，优选为1质量％～15质量％，优选为5质量％～10质量％。
通式(v)、通式(v-1)～通式(v-2)、通式(v-1-a)～通式(v-1-f)、通式(v-2-a)～通式(v-2-b)、结构式(v-1-a.1)～结构式(v-1-a.3)、结构式(v-1-b.1)～结构式(v-1-b.3)、结构式(v-1-c.1)～结构式(v-1-c.3)、结构式(v-1-d.1)～结构式(v-1-d.3)、结构式(v-1-e.1)～结构式(v-1-e.3)、结构式(v-1-f.1)～结构式(v-1-f.3)、结构式(v-2-a.1)～结构式(v-2-a.3)或结构式(v-2-b.1)～结构式(v-2-b.3)所表示的化合物可使用已知的合成方法进行合成。
本发明的液晶组合物也可包含具有至少一个-C≡C-作为连结基的由下述通式(vi)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化96]
通式(vi)中，Rvi1表示氢原子或碳原子数1～20的烷基。
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
碳原子数1～20的烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氯原子、溴原子、氟原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Rvi1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi1通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi1通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi1通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Rvi1中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Rvi1-1)～式(Rvi1-36)所表示的基等。
[化97]
式(Rvi1-1)～式(Rvi1-36)中，黑点表示向Avi1的键结键。
在重视液晶组合物整体的可靠性的情况下，Rvi1优选为碳原子数1～12的烷基，在重视液晶组合物整体的粘性降低的情况下，Rvi1优选为碳原子数2～8的烯基。
在Rvi1所键结的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，在Rvi1所键结的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。
另外，作为Rvi1，为了使向列相稳定化，优选为碳原子及存在的情况下的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
此外，作为Rvi1，就Δn、与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～6的直链状的烷基。
通式(vi)中，Rvi2表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基或碳原子数1～20的烷基中的任一者。
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氯原子、溴原子、氟原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，Rvi2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi2通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi2通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi2通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，Rvi2通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为Rvi2中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(Rvi2-1)～式(Rvi2-36)所表示的基等。
[化98]
式(Rvi2-1)～式(Rvi2-36)中，黑点表示向Avi3的键结键。
在Rvi2所键结的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，在Rvi2所键结的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。
另外，作为Rvi2，为了使向列相稳定化，优选为碳原子及存在的情况下的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
此外，作为Rvi2，就Δn、与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为碳原子数2～6的直链状的烷基或碳原子数2～6的直链状的硫代烷氧基。
通式(vi)中，Avi1、Avi2及Avi3分别独立地表示碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环中的任一者。
更具体而言，碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环优选为表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-或-S-)
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)1,4-亚环己烯基、双环[2.2.2]辛烷-1,4-二基、萘-2,6-二基、萘-1,4-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、5,6,7,8-四氢萘-1,4-二基、十氢萘-2,6-二基、蒽-2,6-二基、蒽-1,4-二基、蒽-9,10-二基、菲-2,7-二基(萘-2,6-二基、萘-1,4-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、5,6,7,8-四氢萘-1,4-二基、蒽-2,6-二基、蒽-1,4-二基、蒽-9,10-二基或菲-2,7-二基中存在的一个-CH＝或两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基。
Avi1、Avi2及Avi3中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Svi1取代。
取代基Svi1表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基、碳原子数1～20的烷基中的任一者。
所述烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
所述烷基的碳原子数优选为2～10，优选为3～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-和/或-CO-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代。
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
作为取代基Svi1，优选为氟原子或碳数1～3的直链状的烷基。
另外，Avi1、Avi2及Avi3的至少一个优选为由至少一个取代基Svi1取代。
另外，Avi1优选为由至少一个取代基Svi1取代。
此外，在取代基Svi1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
作为Avi1中的取代基Svi1的取代位置，优选为下述式(Avi1-SP-1)～式(Avi1-SP-2)中的任一者。
[化99]
式(Avi1-SP-1)～式(Avi1-SP-2)中，白点表示Rvi1的键结键，黑点表示向-C≡C-的键结键。
作为Avi2中的取代基Svi1的取代位置，优选为下述式(Avi2-SP-1)～式(Avi2-SP-7)中的任一者，就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为表示下述式(Avi2-SP-1)～式(Avi2-SP-5)中的任一者。
[化100]
式(Avi2-SP-1)～式(Avi2-SP-7)中，白点表示-C≡C-的键结键，黑点表示向Zvi1的键结键。
作为Avi3中的取代基Svi3的取代位置，优选为下述式(Avi3-SP-1)～式(Avi3-SP-7)中的任一者，就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为表示下述式(Avi3-SP-1)～式(Avi3-SP-5)中的任一者。
[化101]
式(Avi3-SP-1)～式(Avi3-SP-7)中，白点表示向Zvi1的键结键，黑点表示向Zvi1或Rvi2的键结键。
更具体而言，Avi1优选为表示下述式(Avi1-1)～式(Avi1-4)中的任一者。
[化102]
式(Avi1-1)～式(Avi1-4)中，白点表示Rvi1的键结键，黑点表示向-C≡C-的键结键。
更具体而言，Avi2优选为表示下述式(Avi2-1)～式(Avi2-4)中的任一者。
[化103]
式(Avi2-1)～式(Avi2-4)中，白点表示-C≡C-的键结键，黑点表示向Zvi1的键结键。
更具体而言，Avi3优选为表示下述式(Avi3-1)～式(Avi3-3)中的任一者。
[化104]
式(Avi3-1)～式(Avi3-3)中，白点表示向Zvi1的键结键，黑点表示向Zvi1或Rvi2的键结键。
通式(vi)中，Zvi1分别独立地表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者。
所述亚烷基为直链状、分支状或环状的亚烷基，优选为直链状的亚烷基。
所述亚烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CF2-和/或-CO-取代。
另外，所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代。
另外，所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝N-N＝CH-取代。
但是，在所述亚烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
作为碳原子数2～20的亚烷基的具体例(也包含经取代的亚烷基)，可列举式(Zvi1-1)～式(Zvi1-24)所表示的基等。
[化105]
式(Zvi1-1)～式(Zvi1-24)中，白点表示向Avi2或Avi3的键结键，黑点表示向Avi3的键结键。
通式(vi)中，nvi1表示1～3的整数，优选为1～2的整数。
在nvi1为1的情况下，就提高Δn的观点而言，Zvi1优选为表示-C≡C-。
另外，在nvi1为2或3的情况下，就提高Δn的观点而言，Zvi1的至少一个优选为表示-C≡C-。
此外，在通式(vi)中，在Avi3及Zvi1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
作为通式(vi)所表示的化合物，优选为下述通式(vi-1)所表示的化合物。
[化106]
通式(vi-1)中，Rvi1、Rvi2、Avi1、Avi2及Avi3表示与所述通式(vi)中的Rvi1、Rvi2、Avi1、Avi2及Avi3分别相同的含义。
作为通式(vi-1)所表示的化合物，优选为下述通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)所表示的化合物。
[化107]
通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)中，Rvi1、Rvi2及Svi1分别独立地表示与所述通式(vi)中的Rvi1、Rvi2及Svi1分别相同的含义。
作为通式(vi-1-a)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(vi-1-a.1)～结构式(vi-1-a.2)所表示的化合物等。
[化108]
作为通式(vi-1-b)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(vi-1-b.1)～结构式(vi-1-b.6)所表示的化合物等。
[化109]
作为通式(vi-1-c)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(vi-1-c.1)～结构式(vi-1-c.4)所表示的化合物等。
[化110]
作为通式(vi-1-d)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(vi-1-d.1)～结构式(vi-1-d.5)所表示的化合物等。
[化111]
作为通式(vi-1-e)所表示的化合物的具体例，可列举下述结构式(vi-1-e.1)～结构式(vi-1-e.4)所表示的化合物等。
[化112]
通式(vi)、通式(vi-1)、通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)、结构式(vi-1-a.1)～结构式(vi-1-a.2)、结构式(vi-1-b.1)～结构式(vi-1-b.6)、结构式(vi-1-c.1)～结构式(vi-1-c.4)、结构式(vi-1-d.1)～结构式(vi-1-d.5)或结构式(vi-1-e.1)～结构式(vi-1-e.4)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～五种，优选为一种～四种，优选为一种～三种，优选为一种～两种，优选为一种。
通式(vi)、通式(vi-1)、通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)、结构式(vi-1-a.1)～结构式(vi-1-a.2)、结构式(vi-1-b.1)～结构式(vi-1-b.6)、结构式(vi-1-c.1)～结构式(vi-1-c.4)、结构式(vi-1-d.1)～结构式(vi-1-d.5)或结构式(vi-1-e.1)～结构式(vi-1-e.4)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为0质量％以上，优选为3质量％以上，优选为5质量％以上。
通式(vi)、通式(vi-1)、通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)、结构式(vi-1-a.1)～结构式(vi-1-a.2)、结构式(vi-1-b.1)～结构式(vi-1-b.6)、结构式(vi-1-c.1)～结构式(vi-1-c.4)、结构式(vi-1-d.1)～结构式(vi-1-d.5)或结构式(vi-1-e.1)～结构式(vi-1-e.4)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为40质量％以下，优选为35质量％以下，优选为30质量％以下。
就提高Δn及Tni的观点而言，通式(vi)、通式(vi-1)、通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)、结构式(vi-1-a.1)～结构式(vi-1-a.2)、结构式(vi-1-b.1)～结构式(vi-1-b.6)、结构式(vi-1-c.1)～结构式(vi-1-c.4)、结构式(vi-1-d.1)～结构式(vi-1-d.5)或结构式(vi-1-e.1)～结构式(vi-1-e.4)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为0质量％～40质量％，优选为3质量％～35质量％，优选为5质量％～30质量％。
通式(vi)、通式(vi-1)、通式(vi-1-a)～通式(vi-1-e)、结构式(vi-1-a.1)～结构式(vi-1-a.2)、结构式(vi-1-b.1)～结构式(vi-1-b.6)、结构式(vi-1-c.1)～结构式(vi-1-c.4)、结构式(vi-1-d.1)～结构式(vi-1-d.5)或结构式(vi-1-e.1)～结构式(vi-1-e.4)所表示的化合物可使用已知的合成方法进行合成。
本发明的液晶组合物也可包含具有至少一个-C≡C-以及-N＝N-作为连结基的由下述通式(vii)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化113]
通式(vii)中，Rvii1及Rvii2分别独立地表示氟原子、氯原子、氰基、碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一者。
所述基中的一个或不邻接的两个以上的-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-、或-O-CO-取代。
另外，Rvii1及Rvii2中存在的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为氟原子。
但是，Rvii1及Rvii2不会均表示选自氟原子、氯原子及氰基中的取代基。
碳原子数1～12的烷基为直链状或分支状的烷基，优选为直链状的烷基。
碳原子数1～12的烷基的碳原子数为1～12，优选为1～8，优选为1～5，优选为2～5。
作为碳原子数1～12的烷基的具体例，例如可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、异癸基、十二烷基及2-乙基己基等。
碳原子数1～8的烷氧基为直链状或分支状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
碳原子数1～8的烷氧基的碳原子数优选为1～5。
作为碳原子数1～8的烷氧基的具体例，例如可列举甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基及己氧基等。
碳原子数2～8的烯基为直链状或分支状的烯基，优选为直链状的烯基。
碳原子数2～8的烯基的碳原子数优选为2～5，优选为2～3。
作为碳原子数2～8的烯基的具体例，可列举式(Rvii1/2-1)～(Rvii1/2-5)所表示的基等(各式中的黑点表示环结构中的碳原子)。
[化114]
碳原子数2～8的烯氧基为直链状或分支状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
碳原子数2～8的烯氧基的碳原子数优选为2～5。
作为碳原子数2～8的烯氧基的具体例，可列举式(Rvii1/2-6)～(Rvii1/2-10)所表示的基等(各式中，黑点表示环结构中的碳原子)。
[化115]
在重视液晶组合物整体的可靠性的情况下，Rvii1优选为碳原子数1～12的烷基，在重视液晶组合物整体的粘性降低的情况下，Rvii1优选为碳原子数2～8的烯基。
另外，在Rvii1所键结的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及碳原子数4～5的烯基，在Rvii1所键结的环结构为环己烷、吡喃及二噁烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基及直链状的碳原子数2～5的烯基。
另外，作为Rvii1，为了使向列相稳定化，优选为碳原子及存在的情况下的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
在通式(vii)所表示的化合物为Δε为正的所谓p型化合物的情况下，Rvii2优选为氟原子、氰基、三氟甲基或三氟甲氧基，优选为氟原子或氰基。
在由通式(vii)所表示的化合物为Δε几乎为0的所谓非极性型化合物的情况下，Rvii2表示与Rvii1相同的含义，但Rvii2与Rvii1可相同也可不同。
通式(vii)中，Zvii1、Zvii2及Zvii3分别独立地表示单键、-O-CH2-、-CH2-O-、-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-、-CO-O-、-O-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CF2-CF2-或-C≡C-。
此处，Zvii1、Zvii2和/或Zvii3优选为单键。
通式(vii)中，Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5及Avii6分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)及基(c)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-)
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-1,4-二基、萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
所组成的群组中的基，所述基(a)、基(b)及基(c)中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代，
作为卤素原子，可列举氯原子、溴原子及氟原子，优选为氟原子。
在要求提高Δn的情况下，Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5和/或Avii6分别独立地优选为显示出芳香族性的二价环式基即基(b)或基(c)，为了改善响应速度，Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5和/或Avii6分别独立地优选为脂肪族的二价环式基即基(a)，且分别独立地优选为表示下述的结构：
[化116]
(R表示碳原子数1～6的烷基。)
的任一者，优选为1,4-亚苯基、萘-2,6-二基及四氢萘-2,6-二基中任一者，所述的1,4-亚苯基、萘-2,6-二基及四氢萘-2,6-二基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由氟原子或碳原子数1～6的烷基取代。
特别是就提高Δn的观点而言，Avii2优选为表示选自由以下的基(d)～基(f)：
[化117]
(Xviid1、Xviid2、Xviie1、Xviie2、Xviif1及Xviif2分别独立地表示氢原子或氟原子。)
所组成的群组中的基。
另外，就与其他液晶化合物的相容性的观点而言，优选为表示基(f)。
另外，为了提高与其他液晶组合物的相容性，Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5和/或Avii6中的至少一个优选为表示由碳原子数1～6的烷基取代的1,4-亚苯基，更优选为由亚乙基取代的1,4-亚苯基。
所述通式(vii)中，mvii1、mvii2及mvii3分别独立地表示0或1，mvii1+mvii2+mvii3表示0或1。
此处，在重视在液晶组合物中的溶解性的情况下，mvii1优选为0，在重视Δn及Tni的情况下，mvii1优选为1。
另外，mvii1+mvii2+mvii3优选为0。
本发明中的通式(vii)所表示的化合物的一分子中的环结构即Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5和/或Avii6合计优选为具有1个～5个氟原子，更优选为具有1个～4个氟原子。
本发明中的通式(vii)所表示的化合物一分子中的环结构即Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5和/或Avii6合计优选为具有0个～3个卤素原子(氟原子以外)，更优选为具有0个～2个卤素原子(氟原子以外)。
本发明中的通式(vii)所表示的化合物一分子中的环结构即Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5和/或Avii6合计优选为具有1个～5个卤素原子(包括氟原子)，更优选为具有1个～4个卤素原子(包括氟原子)。
所述通式(vii)所表示的化合物优选为以下的通式(vii-1)所表示的化合物。
[化118]
(所述通式(vii-1)中，Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3表示与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3分别相同的含义，
Avii3-1及Avii5-1分别独立地表示1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不相邻的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
所述通式(vii-1)中，Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3分别与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3相同，优选的基、优选的个数也相同，因此此处省略说明。
所述通式(vii)所表示的化合物优选为以下的通式(vii-2)所表示的化合物。
[化119]
(所述通式(vii-2)中，Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3表示与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3分别相同的含义。
Avii3-2表示1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
Avii5-2表示萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-1,4-二基、萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
所述通式(vii-2)中，Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3相同，优选的基、优选的个数也相同，因此此处省略说明。
所述通式(vii)所表示的化合物优选为以下的通式(vii-3)所表示的化合物。
[化120]
通式(vii-3)中，Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3表示与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3分别相同的含义。
Avii3-3表示萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-1,4-二基、萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
Avii5-3表示1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
通式(vii-3)中，Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2、Zvii1、Zvii2、Zvii3、Avii1、Avii2、Avii4、Avii6、mvii1、mvii2及mvii3相同，优选的基、优选的数量也相同，因此此处省略说明。
就进一步提高液晶组合物的相容性的观点而言，作为本发明的通式(vii-1)的具体的结构，优选为以下的通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)所表示的三环或四环的化合物。
[化121]
[化122]
[化123]
[化124]
[化125]
所述通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)中，Avii2-1分别独立地表示下述的结构式。
[化126]
所述通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)中，mvii1-1、mvii2-1及mvii3-1分别独立地表示0或1，mvii1-1+mvii2-1+mvii3-1表示0或1。
所述通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)中，Zvii1-1、Zvii2-1及Zvii3-1分别独立地表示单键、-CO-O-、-CF＝CF-、-CF2-O-、-O-CF2-或-C≡C-。
所述通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)中，Avii1-1、Avii4-1及Avii6-1分别独立地表示1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
所述通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)中，Rvii1、Rvii2与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2相同，优选的基、优选的个数也相同，因此此处省略说明。
作为本发明的通式(vii-2)的具体的结构，优选为以下的通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)所表示的化合物。
[化127]
所述通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)中，Avii2-2分别独立地表示下述的结构式。
[化128]
所述通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)中，mvii1-2、mvii2-2及mvii3-2分别独立地表示0或1，mvii1-2+mvii2-2+mvii3-2表示0或1。
所述通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)中，Zvii1-2、Zvii2-2及Zvii3-2分别独立地表示单键、-CO-O-、-CF＝CF-、-CF2-O-、-O-CF2-或-C≡C-。
所述通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)中，Avii1-2、Avii4-2及Avii6-2分别独立地表示1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
所述通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)中，Rvii1、Rvii2与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2相同，优选的基、优选的个数也相同，因此此处省略说明。
作为本发明的通式(vii-3)的具体的结构，优选为以下的通式(vii-3-1)所表示的化合物。
[化129]
所述通式(vii-3-1)中，Avii2-3分别独立地表示下述的结构式。
[化130]
所述通式(vii-3-1)中，mvii1-3、mvii2-3及mvii3-3分别独立地表示0或1，mvii1-3+mvii2-3+mvii3-3表示0或1。
所述通式(vii-3-1)中，Zvii1-3、Zvii2-3及Zvii3-3分别独立地表示单键、-CO-O-、-CF＝CF-、-CF2-O-、-O-CF2-或-C≡C-。
所述通式(vii-3-1)中，Avii1-3、Avii4-3及Avii6-3分别独立地表示1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)，所述基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
所述通式(vii-3-1)中，Rvii1、Rvii2与所述通式(vii)中的Rvii1、Rvii2相同，优选的基、优选的个数也相同，因此此处省略说明。
作为通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)的具体的结构，可列举下述结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物。
[化131]
[化132]
[化133]
[化134]
式中，X分别独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～6的烷基。
[化135]
式中，X分别独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～6的烷基。
[化136]
[化137]
所述结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物中，优选为(vii-1.2)～(vii-1.8)、(vii-1.12)～(vii-1.18)、(vii-1.22)～(vii-1.28)、(vii-1.32)～(vii-1.38)、(vii-1.42)～(vii-1.44)、(vii-1.46)～(vii-1.48)、(vii-1.50)～(vii-1.52)、(vii-1.54)～(vii-1.56)、(vii-1.58)～(vii-1.60)、(vii-1.62)～(vii-1.64)、(vii-1.66)～(vii-1.68)、(vii-1.70)～(vii-1.72)、(vii-1.74)～(vii-1.76)、(vii-1.78)～(vii-1.80)、(vii-1.82)～(vii-1.84)及(vii-1.86)～(vii-1.88)、(vii-1.90)～(vii-1.101)。
通式(vii)、通式(vii-1)～通式(vii-3)、通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)、通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)、通式(vii-3-1)或结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物可单独使用，或者也可组合使用两种以上。可组合的化合物的种类并无特别限制，根据介电各向异性、常温下的溶解性、转变温度、双折射率等所期望的性能，适当组合使用。
通式(vii)、通式(vii-1)～通式(vii-3)、通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)、通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)、通式(vii-3-1)或结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物在液晶组合物中使用的种类为一种或两种以上，优选为一种～十种，优选为一种～五种。
通式(vii)、通式(vii-1)～通式(vii-3)、通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)、通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)、通式(vii-3-1)或结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为1质量％，优选为3质量％，优选为5质量％。
通式(vii)、通式(vii-1)～通式(vii-3)、通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)、通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)、通式(vii-3-1)或结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为45质量％，优选为40质量％，优选为35质量％。
通式(vii)、通式(vii-1)～通式(vii-3)、通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)、通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)、通式(vii-3-1)或结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量具体而言，优选为1质量％～45质量％，优选为3质量％～40质量％，优选为5质量％～35质量％。
通式(vii)、通式(vii-1)～通式(vii-3)、通式(vii-1-1)～通式(vii-1-22)、通式(vii-2-1)～通式(vii-2-3)、通式(vii-3-1)或结构式(vii-1.1)～结构式(vii-1.101)所表示的化合物可利用已知的方法来制造。
本发明的液晶组合物也可包含下述通式(2a)～通式(2c)所表示的化合物的一种或两种以上。
[化138]
通式(2a)～通式(2c)中，R2a及R2b分别独立地表示碳原子数1～20的烷基、卤素原子中的任一者。
碳原子数1～20的烷基为直链状、分支状或环状的烷基，优选为直链状的烷基。
碳原子数1～20的烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代。
另外，所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代。
作为卤素原子，可列举：氯原子、溴原子、氟原子。
但是，在所述烷基由规定的基取代的情况下，氧原子与氧原子不会直接键结。
另外，就化合物的稳定性的观点而言，优选为硫原子与硫原子和/或氧原子与硫原子不会直接键结。
例如，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，可表示碳原子数1～19的烷氧基。
所述烷氧基为直链状、分支状或环状的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。
所述烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-S-，可表示碳原子数1～19的硫代烷氧基(烷基巯基、烷基硫基)。
所述硫代烷氧基为直链状、分支状或环状的硫代烷氧基，优选为直链状的硫代烷氧基。
所述硫代烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～20的烯基。
所述烯基为直链状、分支状或环状的烯基，优选为直链状的烯基。
所述烯基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-C≡C-，可表示碳原子数2～20的炔基。
所述炔基为直链状、分支状或环状的炔基，优选为直链状的炔基。
所述炔基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将一个或两个以上的-CH2-CH2-取代为-CH＝CH-，可表示碳原子数2～19的烯氧基。
所述烯氧基为直链状、分支状或环状的烯氧基，优选为直链状的烯氧基。
所述烯氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～20的卤化烷基。
所述卤化烷基为直链状、分支状或环状的卤化烷基，优选为直链状的卤化烷基。
所述卤化烷基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
另外，R2a及R2b通过将所述烷基中的一个-CH2-取代为-O-，且将所述烷基中的一个或两个以上的氢原子取代为卤素原子，可表示碳原子数1～19的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基为直链状、分支状或环状的卤化烷氧基，优选为直链状的卤化烷氧基。
所述卤化烷氧基的碳原子数优选为2～10，优选为2～6。
作为R2a及R2b中的碳原子数1～20的烷基(也包含经取代的烷基)的具体例，可列举式(R2a/b-1)～式(R2a/b-36)所表示的基等。
[化139]
式(R2a/b-1)～式(R2a/b-36)中，黑点表示向环A、环B、环C或环D的键结键。
作为R2a及R2b中的卤素原子，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
通式(2a)～通式(2c)中，环A、环B、环C及环D分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)：
(a)1,4-亚环己基(所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-)、
(b)1,4-亚苯基(所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝)
(d)1,4-亚环己烯基、1,3-二噁烷-反式-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基或吡啶-2,5-二基
所组成的群组中的基。
所述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代。
作为卤素原子，可列举氯原子、溴原子及氟原子，优选为氟原子。
通式(2a)～通式(2c)中，L2a、L2b及L2c分别独立地表示单键、-CH2-CH2-、-CH(CH3)-CH2-、-CH2-CH(CH3)-、-CH2-CH2-CH2-CH2-、-CO-O-、-O-CO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH＝CH-、-CH＝CF-、-CF＝CH-、-CF＝CF-、-N＝N-、-C≡C-或-CH＝N-N＝CH-中的任一者。
选自由通式(2a)～通式(2c)所表示的化合物所组成的群组中的化合物在液晶组合物中使用的种类优选为一种或两种以上。
选自由通式(2a)～通式(2c)所表示的化合物所组成的群组中的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的下限值优选为0质量％，优选为2.5质量％，优选为5.0质量％。
选自由通式(2a)～通式(2c)所表示的化合物所组成的群组中的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量的上限值优选为30质量％，优选为25质量％，优选为20质量％。
选自由通式(2a)～通式(2c)所表示的化合物所组成的群组中的化合物在液晶组合物100质量％中的合计含量具体而言优选为0质量％～30质量％，优选为2.5质量％～25质量％，优选为5.0质量％～20质量％。
通式(2a)～通式(2c)所表示的化合物可通过已知的方法进行制造。
(液晶组合物)
本发明的含聚合性化合物的液晶组合物例如可通过将所述通式(i)所表示的化合物、所述通式(ii)所表示的化合物、根据需要的所述其他化合物、添加物混合来进行制造。
作为添加物，可列举稳定剂、色素化合物等。
作为稳定剂，例如可列举：氢醌类、氢醌单烷基醚类、叔丁基儿茶酚类、邻苯三酚类、噻吩类、硝基化合物类、β-萘胺类、β-萘酚类、亚硝基化合物类、受阻酚类、受阻胺类等。
使用稳定剂的情况下稳定剂在液晶组合物100质量％中的合计含量优选为0.005质量％～1质量％，优选为0.02质量％～0.5质量％，优选为0.03质量％～0.1质量％。
就提高Δn的观点而言，本发明的含聚合性化合物的液晶组合物中通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物与通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)、结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物的质量比优选为1/99～50/50，优选为3/97～35/65。
另外，就Δn的观点而言，本发明的液晶组合物优选为仅含有通式(i)所表示的化合物以及通式(ii)所表示的化合物作为液晶化合物。
更具体而言，本发明的液晶组合物优选为仅含有通式(i)、通式(i-1)～通式(i-3)、通式(i-1-a)～通式(i-1-f)、通式(i-2-a)～通式(i-2-d)、通式(i-3-a)～通式(i-3-b)、结构式(i-1-a.1)～结构式(i-1-a.3)、结构式(i-1-b.1)～结构式(i-1-b.3)、结构式(i-1-c.1)～结构式(i-1-c.3)、结构式(i-1-d.1)～结构式(i-1-d.3)、结构式(i-1-e.1)～结构式(i-1-e.3)、结构式(i-1-f.1)～结构式(i-1-f.3)、结构式(i-2-a.1)～结构式(i-2-a.3)、结构式(i-2-b.1)～结构式(i-2-b.3)、结构式(i-2-c.1)～结构式(i-2-c.3)、结构式(i-2-d.1)～结构式(i-2-d.3)、结构式(i-3-a.1)～结构式(i-3-a.3)或结构式(i-3-b.1)～结构式(i-3-b.3)所表示的化合物以及通式(ii)、通式(ii-1)～通式(ii-5)、通式(ii-1-a)、通式(ii-2-a)～通式(ii-2-c)、通式(ii-3-a)～通式(ii-3-c)、通式(ii-4-a)～通式(ii-4-d)、通式(ii-5-a)～通式(ii-5-b)、结构式(ii-1-a.1)～结构式(ii-1-a.4)、结构式(ii-2-a.1)～结构式(ii-2-a.5)、结构式(ii-2-b.1)～结构式(ii-2-b.3)、结构式(ii-2-c.1)～结构式(ii-2-c.3)、结构式(ii-3-a.1)～结构式(ii-3-a.4)、结构式(ii-3-b.1)～结构式(ii-3-b.3)、结构式(ii-4-a.1)～结构式(ii-4-a.3)、结构式(ii-4-b.1)～结构式(ii-4-b.3)、结构式(ii-4-c.1)～结构式(ii-4-c.3)、结构式(ii-4-d.1)～结构式(ii-4-d.3)、结构式(ii-5-a.1)～结构式(ii-5-a.4)或结构式(ii-5-b.1)～结构式(ii-5-b.4)所表示的化合物。
液晶相上限温度(Tni)是液晶组合物自向列相向各向同性相发生相转变的温度。
就Tni越高，则即便在高温下也可维持向列相，且可扩大驱动温度范围的观点而言，本发明的液晶组合物的液晶相上限温度(Tni)优选为135℃以上，优选为137℃～200℃，优选为140℃～195℃。
液晶相下限温度(T→n)是液晶组合物自其他相(玻璃、近晶相、结晶相)向向列相发生相转变的温度。
就T→n越低，则即便在低温下也可维持向列相，因此可扩大驱动温度范围的观点而言，本发明的液晶组合物的液晶相下限温度(T→n)优选为10℃以下，优选为-78℃～0℃，优选为-40℃～-5℃。
本发明的液晶组合物在25℃、589nm下的Δn(折射率各向异性)优选为0.36以上，优选为0.36～0.6，优选为0.37～0.55，优选为0.38～0.50。
可见光区域的Δn与几十GHz带的Δε相关，Δn越高，则可使GHz带的介电常数的变化越大。因此，若液晶组合物的589nm下的Δn为0.36以上，则可增大GHz带的介电常数的变化，因此适合作为传感器或天线用的液晶组合物。
此处，在相位差Re、液晶层的厚度d(单元间隙)与Δn之间，式：Δn＝Re/d的关系成立，在本说明书中，根据相位差测定装置求出Δn。
更具体而言，在带聚酰亚胺取向膜的玻璃单元中注入本发明的液晶组合物的样品，利用相位差膜-光学材料检查装置RETS-100(大冢电子股份有限公司制造)测定测定温度25℃、589nm下的面内的延迟(相位差Re)。
此外，使用玻璃基板间的单元间隙为3.0μm、聚酰亚胺取向膜的摩擦方向平行的玻璃单元。
另外，也可利用阿贝折射计测定液晶组合物的ne、no，算出Δn。
(液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线)
以下，对使用本发明的液晶组合物的液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器、天线进行说明。
本发明的液晶显示元件的特征在于使用所述液晶组合物，优选为以有源矩阵方式或无源矩阵方式驱动。
另外，本发明的液晶显示元件优选为通过可逆地改变所述液晶组合物的液晶分子的取向方向，从而可逆地切换介电常数的液晶元件。
本发明的传感器的特征在于使用所述液晶组合物，例如，作为其形态，可列举：利用电磁波、可见光或红外光的测距传感器、利用温度变化的红外线传感器；利用胆固醇型液晶的间距变化引起的反射光波长变化的温度传感器；利用反射光波长变化的压力传感器；利用组成变化引起的反射光波长变化的紫外线传感器；利用电压、电流引起的温度变化的电传感器；利用伴随放射线粒子的径迹的温度变化的放射线传感器；利用超声波的机械振动引起的液晶分子排列变化的超声波传感器；利用温度变化引起的反射光波长变化或电场引起的液晶分子排列变化的电磁传感器等。
作为测距传感器，优选为使用光源的光达(Light Detection And Ranging，LiDAR)用传感器。
作为LiDAR，优选为人造卫星用、飞机用、无人飞机(无人机)用、汽车用、铁路用、船舶用。
作为汽车用，特别优选为自动驾驶汽车用。
光源优选为发光二极管(light-emitting diode，LED)或激光，优选为激光。
用在LiDAR的光优选为红外光，波长优选为800nm～2000nm。
特别优选为905nm或1550nm波长的红外激光。
在重视所使用的光检测器的成本或全天候的灵敏度的情况下，优选为905nm的红外激光，在重视与人的视觉相关的安全性的情况下，优选为1550nm的红外激光。
本发明的液晶组合物显示出高Δn，因此可提供可见光、红外光及电磁波区域的相位调变力大、检测灵敏度优异的传感器。
本发明的液晶镜头的特征在于使用所述液晶组合物，例如，作为其形态之一，包括：第一透明电极层、第二透明电极层、设置在所述第一透明电极层与所述第二透明电极层之间的含有所述液晶组合物的液晶层、设置在所述第二透明电极层与所述液晶层之间的绝缘层、以及设置在所述绝缘层与所述液晶层之间的高电阻层。本发明的液晶镜头例如用作二维(Two-dimensional，2D)、3D的切换镜头、照相机的焦点调节用镜头等。
本发明的光通信机器的特征在于使用所述液晶组合物，例如，作为其形态之一，可列举如下结构的硅上液晶(Liquid crystal on silicon，LCOS)，其在反射层(电极)上具有液晶层，所述液晶层中二维状地配置了构成多个像素的各个的液晶。
本发明的光通信机器例如用作空间相位调变器。
本发明的天线的特征在于使用所述液晶组合物。
更具体而言，本发明的天线包括：具有多个槽(slot)的第一基板、与所述第一基板相向且设置有供电部的第二基板、设置在所述第一基板与所述第二基板之间的第一电介质层、与所述多个槽对应地配置的多个贴片电极(patch electrode)、设置有所述贴片电极的第三基板、以及设置在所述第一基板与所述第三基板之间的液晶层，且所述液晶层含有所述液晶组合物。
作为液晶组合物，通过对于包含具有异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上的液晶组合物，组合使用具有二氢茚结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上，从而Δn高、具有宽温度范围的液晶相、常温稳定性良好，因此可提供一种对热等外部刺激具有高可靠性的天线。
由此，可提供一种能够对微波或毫米波的电磁波进行更大的相位控制的天线。
以下，使用附图对本发明的天线进行说明。
如图1所示，连结有四个天线单元1的天线组装体11安装在车辆(汽车)2的车顶部。天线单元1为平面型天线，且安装在车顶部，因此天线单元1始终朝向通信卫星方向。由此，可进行双方均能收发的卫星通信。
此外，本说明书中的“天线”包括天线单元1或连结多个天线单元1的天线组装体11。
本发明的天线优选为在用于卫星通信的Ka带频率或者K带频率或Ku带频率下运行。
接着，图2中示出天线单元1的构成要素的实施方式的一例。图2是图1所示的天线单元1的分解图。具体而言，天线单元1的结构包括：天线本体10；控制板4，控制天线本体10；壳体3，具有能够收容天线本体10及控制板4的凹部；以及上盖5，将壳体3封闭。
控制板4中设置有发送机和/或接收机。发送机具有如下机构：通过信息源编码处理，对语音或图像等数据之类的来自信号源的信息，例如进行语音编码或图像编码等，并通过传输线路编码处理进行纠错编码后，进行调变而作为电波传输。另一方面，接收机具有如下机构：对入射电波进行调变，通过传输线路解码处理进行纠错后，通过信息源解码处理，例如经过语音解码或图像解码，转换为语音或图像等数据之类的信息。另外，控制板4由已知的微计算机即中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、只读存储器(Read Only Memory，ROM)等构成，统一控制天线本体1、发送机和/或接收机的各部的运行。通过将预先保存在控制板4所具备的CPU或ROM中的各种程序读出至RAM中执行，来执行规定的处理。控制板4具备以下部件等的功能：存储部，存储各种设定信息或控制程序；运算部，执行与向天线本体1内的液晶层施加的电压量及电压方向有关的各种运算、与电波的发送有关的各种运算、以及/或者电波的接收中的各种运算；检测部，进行接收电波或发送电波的检测或者对液晶层的施加电压的检测。
图2中，作为能够收容圆盘型的天线本体1的壳体3的一例，记载有六棱柱型的壳体3及上盖5，但可根据天线本体1的形状将壳体3及上盖5适宜变更为圆柱状、八棱柱状、三棱柱状等已知的形状。
为了说明天线本体10的结构，以下使用图3～图10进行说明。图3是对天线本体10的构成要素进行了分解的概略图。
如图3所示，天线本体10包括槽阵列部6及贴片阵列部7。而且，在槽阵列部6中，在圆板状的导体P面上形成有多个槽(切口部)8，在槽阵列部6的中心部的内部设置有供电部12。另外，在贴片阵列部7中，作为一例，在圆板体Q形成有多个长度为L、宽度为W的方形的贴片(patch)9。而且，天线本体10具有如下结构：包括形成有多个槽8的圆板状的导体P即槽阵列部6、及形成有多个贴片的圆板状的贴片阵列部7，并且贴片阵列部7与槽阵列部6以相对于所述圆板状的导体P的表面上所形成的各个槽8而将贴片9相对配置的方式贴合。
槽阵列部6是将圆板状的导体P面上空出的切口部(以下为槽8)用作放射元件(或入射元件)的天线部。而且，槽阵列部6包括槽8及设置在圆板状的导体P的中心部的供电部12。一般而言，槽阵列部6具有在传输线路的前端直接激励、或者经由设置在槽背面的空腔进行激励的机构。而且，槽阵列部6可用于自利用底板的天线或微带线(microstrip line)等经由槽向贴片天线供电等。图3中，作为槽阵列部6的一例，记载了径向线槽阵列的形态，但本发明的范围并不限定于此。
图4中示出图3的槽阵列部6的俯视图。以下，使用图4来说明槽阵列部6。槽阵列部6具有通过设置在其中心部的同轴线来进行供电的结构。因此，在图4所示的槽阵列部6的中心部设置有供电部12。另外，槽阵列部6在圆板状的导体P的表面上形成有多个成组的槽8(以下称为“槽对”)。槽对8具有两个长方形形状的切口部配置为“八”字的结构。更详细而言，两个长方体形状的槽8以正交的方式配置，槽对8的其中一个槽相对于另一个槽间隔1/4波长地配置。由此，可根据天线的方位角而收发具有不同的旋转方向的圆极化波。
此外，本说明书中，将两个槽8称为槽对8，将一个槽8简称为槽8，将槽及槽对的总称称为槽(对)8。
槽对8自圆板状的导体基板P的中心部朝向放射方向外侧以螺旋状形成有多个。而且，槽对8以沿着螺旋相邻的槽对8间的距离均固定的方式形成在圆盘型的基板表面。由此，可使相位在槽阵列部6的正面一致而增强电磁场，且可在正面形成笔型波束(pencilbeam)。
此外，图3及图4中，将槽8的形状的一例表示为长方体的形状，但本发明的槽8的形状并不限定于长方体，可采用圆形、椭圆形、多边形等已知的形状。另外，图3及图4中，作为槽8的一例，示出了槽对的形态，但本发明的槽8并不限定于槽对。进而，示出了使圆板状的导体基板P的表面的槽8的配置为螺旋状的例子，但槽8的配置并不限定于螺旋状，也可将槽8配置为例如后述的图8所示般的同心圆状。
本发明的供电部12具有接收电磁波和/或放射电磁波的功能。而且，本发明的供电部12只要是将由作为放射元件或入射元件的贴片9捕捉电波而产生的高频电力向接收机传输的部分，或者为了供给高频电力而连接放射元件与供电线的部分，则并无特别限制，可利用已知的供电部及供电线。图3及图4中示出同轴供电部作为一例。
如图3所示，贴片阵列部7包括：圆板体Q，具有多个长度为L、宽度为W的方形形状的贴片9；以及液晶层(未图示)，填充在与槽阵列部6之间。本实施方式的贴片阵列部7是所谓的微带天线的结构，是以长度L与1/2波长的整数倍一致的频率共振的共振器。
此外，图3中，作为贴片9的一例，示出了长度为L、宽度为W的方形形状的贴片9，但贴片9的形状并不限定于四边形，也可为圆形形状的贴片9。图5中示出了圆形形状的贴片9的实施方式作为本发明的另一实施方式。
图5是本发明的天线本体10的俯视图，更详细而言，是在自贴片阵列部7观察天线本体10的情况下，相对于圆板体Q的主面而垂直投影贴片9、供电部12、槽对8的图。因此，由虚线表示贴片9、供电部12及槽对8。另外，在贴片9的形状为圆形形状的情况下，一般而言，可以被称为TM11模式的电磁场分布来运行。如图5所示，贴片9的投影体与槽对8的投影体重合，因此可理解设置在圆板体Q上的贴片9相对于圆板状的导体P的表面上所形成的各个槽8相对配置的状态。如上所述，通过利用相对于各个槽8对应地配置各个贴片9的结构，可通过电磁耦合供电方式自槽8向贴片9供电，或者自贴片9向槽8传播入射电波。因此，可提供能够发送和/或接收电波的天线。
一般而言，使用同轴线等一般的传输线路或平面型传输线路来对贴片阵列部7的放射元件(例如贴片9)进行供电的方法大致分为直接连接供电方式及电磁耦合供电方式两种。因此，作为本发明的供电方式，可列举：直接连接供电方式，其是通过将传输线路直接连接在贴片9(放射元件)来激励放射元件的方法；以及电磁耦合供电方式，其是不直接连接传输线路与贴片电极(放射元件)，而通过在终端开放或短路的供电线路的周围产生的电磁场来激励贴片电极(放射元件)的方法。本发明中，示出电磁耦合供电方式的形态。
本实施方式中，利用(同轴)供电部12的供电线路为终端开放，因此产生所述供电线路的终端与节点一致的电流驻波。由此，产生包围所述供电线路((同轴)供电部12)般的磁场，通过所述磁场入射至槽8，而将槽(对)8激励。而且，通过因槽(对)8的激励而产生的磁场入射至贴片9，而将贴片9激励。由于激励强度最大是入射至槽8的磁场最大时，因此优选为在自供电线路((同轴)供电部12)产生的磁场最大的位置(电流驻波的波腹)形成槽(对)8。
本发明的天线的优选形态是将径向线槽阵列与贴片天线阵列组合而成的结构。
接着，使用图5所示的天线本体10的剖面图即图6来说明天线本体10的实施方式。图6理所当然是表示天线的结构的概略图。
如图6所示，天线本体10包括：圆板状的第二基板14、自中心部朝向放射方向外侧形成有多个槽(对)8的圆板状的第一基板13(与圆板状的导体P对应；也称为槽阵列基板)、设置在第二基板14与第一基板13之间的第一电介质层17、设置在圆板状的第一基板13与圆板状的第二基板14的中心部的供电部12、圆板状的第三基板15(与圆板体Q对应；也称为贴片基板)、安装在第三基板15的贴片9(放射元件或入射元件)、以及设置在第三基板15与第一基板13之间的液晶层16。另外，供电部12经由供电线12a与设置在控制基板的发送机和/或接收机电性连接。而且，各个贴片9对应于各个槽对8。
此处所谓的“(各)贴片9对应于(各)槽对8”，是指如所述图5的说明所示，相对于第二基板14的主面而垂直投影贴片9的投影面与槽(对)8重合。换言之，是指相对于第三基板15的主面而垂直投影槽(对)8的投影面与贴片9重合。
另外，第一基板13、第二基板14及第三基板15优选为具有相同面积的圆板体。
在图6中，描述了由(同轴)供电部12供电的电波(箭头)成为圆筒波而在第一电介质层17内向放射方向外侧传播的期间，自槽(对)8向液晶层16传输的情况。而且，若如图4所示，槽(对)8被配置成使所谓的“八”字型的正交的两个槽错开1/4波长，则可产生圆极化波。如上所述，通过电磁耦合供电方式而将槽(对)8激励，由此自槽(对)8产生的磁场入射至贴片9而将贴片9激励。其结果，贴片9可放射出指向性高的电波。
另一方面，在接收入射电波的情况下，根据收发可逆的定理，与所述相反地，贴片9接收到入射电波后，经由设置在所述贴片9正下方的槽(对)8而将入射电波传播至供电部12。
圆极化波与线性极化波不同，是电场方向随着时间经过而旋转的电波，分类为在全球定位系统(global positioning system，GPS)或电子收费系统(electronic tollcollection，ETC)中使用的右旋圆极化波、及在卫星无线电广播等中使用的左旋圆极化波，本发明的天线中，任一极化波均可接收。
通过向贴片9与第一基板13之间的液晶层16施加电压，可改变液晶层16的液晶分子的取向方向。其结果，液晶层16的介电常数发生变化，因此槽(对)8的静电电容发生变化，结果可控制槽(对)8的电抗及共振频率。换言之，通过控制液晶层16的介电常数，可调节槽8的电抗及共振频率，因此可控制通过调节槽(对)8及贴片9的激励而进行的对各贴片9的供电。由此，能够调节经由液晶层16的放射电波。因此，例如，也可设置薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)等调节向液晶层16施加的电压的施加电压调节部件。另外，通过改变液晶层16的液晶分子的取向方向，折射率发生变化，作为其结果，透过液晶层16的电磁波的相位发生偏移，作为其综合结果，能够进行相位阵列控制。
第一基板13及第二基板14的材料只要为铜等导体则并无特别限制。另外，第三基板15的材料并无特别限制，根据使用形态，可使用玻璃基板、亚克力基板、陶瓷(氧化铝)、硅、玻璃布(glass cloth)特氟龙(Teflon)(注册商标)(聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE))等已知的材料。第一电介质层17的材料可根据所期望的相对介电常数适宜选择已知的材料，也可为真空。进而，贴片9的材料只要为铜、银等导体则并无特别限制。
接着，使用图7来说明天线本体10的另一实施方式。图7中所示的实施方式是天线本体10的槽阵列部6的部分与图6所示的实施方式不同的形态。
在图7中，天线本体10包括：在其中一个表面形成有多个槽(对)8的中空体的第一基板13；收容在所述中空体的第一基板13的内部的圆板状的第二基板14、第一电介质层17及供电部12；圆板状的第三基板15；安装在第三基板15的贴片9；以及设置在第三基板15与第一基板13之间的液晶层16，且供电部12设置在未形成多个槽(对)8的、第一基板13的另一个表面与第二基板14之间，并且设置在第一基板13及圆板状的第二基板14的中心部。另外，供电部12经由供电线12a与设置在控制基板的发送机和/或接收机电性连接。而且，各个贴片9对应于各个槽对8。另外，在图7中，中空体的第一基板13的两侧面部向中空体的外侧突出，具体而言，具有相对于水平方向成45°的倾斜面。
如图7中所示，由(同轴)供电部12供电的电波(箭头)成为圆筒波而在第一电介质层17内向放射方向外侧传播。而且，传播的圆筒波被中空体的第一基板13的两侧面部反射，由此绕过第二基板14的圆筒波被变换为自圆板状的第一基板13的外周朝向中心的行进波(箭头)，在第一电介质层17内传播。此时，行进波自槽(对)8传输至液晶层16。由此，与图6所示的实施方式同样地，贴片9被激励，可放射出指向性高的电波。
另一方面，在接收到入射电波的情况下也同样地，贴片9接收到入射电波后，经由设置在所述贴片9正下方的槽(对)8而将入射电波传播至供电部12。
接着，使用图8～图10来对天线本体10的又一实施方式进行说明。在以上所述的图5～图7的天线本体10的实施方式中，对在第一基板13与第三基板15之间均匀地设置液晶层16的天线本体10的结构进行了说明。另一方面，在图8～图10的实施方式中，对在分别配置有贴片9与槽8的空间内(以下为密闭区域20)填充有液晶层16的天线本体10的结构进行说明。
图8是表示本发明的天线本体10的实施方式的一例的俯视图。更详细而言，图8是在自贴片阵列部7观察天线本体10的情况下，相对于圆板体Q的主面而垂直投影贴片9、供电部12、槽8的图。因此，与图5同样地，由虚线表示贴片9、供电部12及槽8。图8中，方形形状的贴片9与一个长方体形状的槽8分别对应于密闭区域20而配置。另外，如图8所示，贴片9的投影体与槽8的投影体重合，因此在贴片9的正下方形成有槽8。由此，图8所示的天线本体10的实施方式可通过电磁耦合供电方式自槽8向贴片9供电，或者自贴片9向槽8传播入射电波。因此，可提供能够发送和/或接收电波的天线。
另外，如图8中所示，在本实施方式中，贴片9及槽8自圆板体Q的中心朝向圆板体Q的外周方向配置成同心圆状。因此，通过同轴模式供电，会出现圆锥波束，因此在圆板体Q的正面相位一致，电磁场可相互增强。
接着，使用图8所示的天线本体10的剖面图即图9来说明天线本体10的实施方式。此外，图9理所当然是表示天线的结构的概略图。
如图9所示，天线本体10包括：圆板状的第二基板14；多个槽8自中心部朝向放射方向外侧形成为同心轴状的圆板状的第一基板13；设置在第二基板14侧的第一基板13表面的缓冲层22；设置在缓冲层22与第二基板14之间的第一电介质层17；设置在圆板状的第一基板13及圆板状的第二基板14的中心部，且以与第一电介质层17接触的方式设置的供电部12；圆板状的第三基板15；安装在第三基板15的贴片9(放射元件或入射元件)；以及由第三基板15与第一基板13之间的密封壁24隔离，且以与贴片9接触的方式将设置有贴片9的多个密闭区域20内填充的液晶层16。另外，供电部12经由供电线12a与设置在控制基板的发送机和/或接收机电性连接。而且，各个贴片9对应于各个槽8，在各密闭区域20内存在至少一个贴片9、至少一个槽8及液晶层16，多个密闭区域20的各个经由密封壁21、密封壁23、密封壁24而被隔离。
图9中虽未示出，但根据需要，也可在各密闭区域20内，例如在第一基板13上设置控制液晶层16的电压的TFT(薄膜晶体管)。由此，可以有源方式控制液晶层16的电压的施加。另外，视需要，也可在各密闭区域20内设置取向膜，用以固定构成液晶层16的液晶分子的取向方向。作为所述取向膜，可在第一基板13与液晶层16之间设置容易向液晶分子的垂直方向取向的垂直取向膜或者容易向液晶分子的水平方向取向的均匀取向膜。例如可列举聚酰亚胺取向膜、光取向膜等。
接着，使用图8所示的天线本体10的沿B-B线切断的剖面图即图10来说明本实施方式的密闭区域20。此外，图10理所当然是表示密闭区域20的概略图。
如图10所示，密闭区域20是由密封壁24、缓冲层22及第一基板13与第三基板15将上下四方包围的密闭空间，在内部至少一个贴片9与至少一个槽8以相对的方式设置在同一密闭空间内，且填充有液晶层16。
在本实施方式中，密封壁24可由已知的绝缘体等形成。另外，缓冲层22可由已知的电介质材料等形成。
图10中虽未示出，但根据需要，也可在密闭区域20内，例如在第一基板13上设置控制液晶层16的电压的TFT(薄膜晶体管)。由此，可以有源方式控制液晶层16的电压的施加。若对利用所述有源方式的驱动方法进行更详细的说明，则例如可列举：以贴片9为共用电极，且以第一基板13为像素电极，通过形成在第一基板13上的TFT来控制贴片9与第一基板13之间的电压，从而控制液晶层16的液晶分子的取向的方法；或者，以第一基板13为像素电极，且在第一基板13上形成电极层及TFT，控制贴片9与第一基板13之间的电压，从而控制液晶层16的液晶分子的取向的方法；进而，在第一基板13上设置梳齿电极及TFT，通过所述TFT来控制液晶层16的液晶分子的取向的方法等。此外，以有源方式控制液晶层16的电压的施加的方法并不限定于所述方法。
另外，此时，也可在各密闭区域20内设置取向膜，用以固定构成液晶层16的液晶分子的取向方向。作为所述取向膜，可在第一基板13与液晶层16之间设置容易向液晶分子的垂直方向取向的垂直取向膜或者容易向液晶分子的水平方向取向的均匀取向膜。
为了使液晶层16同步，可对向贴片9与第一基板13之间的液晶层16施加的电压进行调变。例如，如上所述，通过使用有源方式控制对液晶层16的施加电压，槽8的静电电容发生变化，结果可控制槽8的电抗及共振频率。槽8的共振频率与自在线路中传播的电波放射的能量具有相关关系。因此，通过调整槽8的共振频率，槽8实质上不与来自供电部12的圆筒波能量耦合，或者与圆筒波能量耦合并放射至自由空间。此种槽8的电抗及共振频率的控制可在形成有多个的密闭区域20的各个中进行。换言之，通过控制液晶层16的介电常数，可通过TFT来控制对各密闭区域20内的贴片9的供电。因此，可控制发送电波的贴片9及不发送电波的贴片，因此能够调节经由液晶层16的放射电波的发送及接收。
[实施例]
以下，列举实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不受下述实施例的任何限定。
以下实施例及比较例的组合物以表中的比例含有各化合物，含量以“质量％”记载。
另外，化合物的记载使用以下的略称。此外，只要并无特别说明，则可采取顺式体与反式体的化合物表示反式体。
＜环结构＞
[化140]
＜末端结构＞
[表1]
| 略称 | 化学结构 |
| -n | -C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub> |
| n- | C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>- |
| -On | -OC<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub> |
| nO- | C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>O- |
| -V | -CH＝CH<sub>2</sub> |
| V- | CH<sub>2</sub>＝CH- |
| -V1 | -CH＝CH-CH<sub>3</sub> |
| 1V- | CH<sub>3</sub>-CH＝CH- |
| -2V | -CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-CH＝CH<sub>2</sub> |
| V2- | CH<sub>2</sub>＝CH-CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>- |
| -2V1 | -CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-CH＝CH-CH<sub>3</sub> |
| 1V2- | CH<sub>3</sub>-CH＝CH-CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>- |
| -F | -F |
| -CN | -CN |
| -NCS | -NCS |
(其中，表中的n为自然数)
<连结结构>
[表2]
| 略称 | 化学结构 |
| - | 单键 |
| -n- | -C<sub>n</sub>H<sub>2n</sub>- |
| -nO- | -C<sub>n</sub>H<sub>2n</sub>O- |
| -On- | -OC<sub>n</sub>H<sub>2n</sub>- |
| -CO-O- | -C(＝O)-O- |
| -O-CO- | -O-C(＝O)- |
| -V- | -CH＝CH- |
| -nV- | -C<sub>n</sub>H<sub>2n</sub>-CH＝CH- |
| -Vn- | -CH＝CH-C<sub>n</sub>H<sub>2n</sub>- |
| -T- | -C≡C- |
| -CF2O- | -CF<sub>2</sub>-O- |
| -OCF2- | -O-CF<sub>2</sub>- |
| -S- | -S- |
| -D- | -N＝N- |
| -Z- | -CH＝N-N＝CH- |
(其中，表中的n为自然数)
<物性值>
Tni(℃)：液晶组合物自向列相向各向同性相转变的温度(上限温度)
T→n(℃)：液晶组合物自其他相向向列相转变的温度(下限温度)
Δn：液晶组合物的25℃、589nm下的折射率各向异性
Δε：液晶组合物的25℃、1kHz下的介电常数各向异性
常温稳定性：在1mL的样品瓶(马尔姆(Maruemu)公司制造)中秤量0.5g的液晶组合物，盖上所配置的盖子。将其在25℃的温度控制式恒温槽(爱斯佩克(Espec)公司制造，SH-241)中历时336小时进行保存，每24小时通过目视来确认析出物自液晶组合物的产生。
Vth：使用间隙为8.3μm的扭曲向列(twisted nematic，TN)单元测定的液晶组合物在25℃下的阈值电压
(实施例1～实施例9以及比较例1)
制作实施例1～实施例9以及比较例1的液晶组合物，测定其物性值。将结果示于表3及表4中。
[表3]
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | |
| T<sub>ni</sub> | 155.2 | 149.1 | 157.6 | 137.8 | 162.3 |
| T<sub>→n</sub> | G-35 | G-38 | G-25 | G-17 | G-23 |
| Δn | 0.395 | 0.391 | 0.385 | 0.378 | 0.401 |
| Δε | 14.58 | 14.46 | 14.67 | 14.55 | 14.46 |
| V<sub>th</sub> | 2.036 | 2.002 | 2.034 | 1.933 | 2.119 |
| 常温稳定性 | 无析出 | 无析出 | 无析出 | 无析出 | 无析出 |
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph1-NCS | 7 | 7 | 7 | 5 | 5 |
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph3-NCS | |||||
| 4-Tet3-Ph-T-Ph3-NCS | |||||
| 5-Cy-Ph-NCS | 3 | 3 | 3 | ||
| 4O-Ph-T-Ph1-NCS | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| 4O-Ph2-T-Ph-NCS | 8 | 8 | 5 | 8 | 5 |
| 5O-Ph2-T-Ph-NCS | 5 | 5 | 3 | 5 | 5 |
| 3-Ph-T-Ph3-NCS | 10 | 10 | 10 | 12 | 10 |
| 5-Ph-T-Ph3-NCS | 10 | 10 | 10 | 12 | 10 |
| 4-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 19 | 17 | 20 | 15 | 17 |
| 5-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 16 | 15 | 17 | 15 | 15 |
| 2-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | |||||
| 3-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | |||||
| 3-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | |||||
| 4-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | |||||
| 5-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | |||||
| 2-Cy-Ph-Ph3-NCS | 10 | 10 | 10 | 10 | 6 |
| 4-Cy-Ph-Ph3-NCS | 10 | 10 | 10 | 10 | 6 |
| 3-Ph-Ph1-Ph-CN | |||||
| 4-T-Ph-Ph-CN | |||||
| 4-T-Ph1-Ph-CN | 2 | ||||
| 4-Ph-T-Ph1-Ph3-CN | 2 | ||||
| 3-Ph-T-Ph1-Ph-CN | |||||
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph-2 | 12 | ||||
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph-4 | |||||
| 4-Ph3-T-Pm3-T-Ph-S-1 | |||||
| 2-Ph3-T-Ph-D-Ph-2 | |||||
| 3-Ph3-T-Ph-D-Ph-2 | |||||
| 3-Tet3-T-Ph-D-Ph-2 | |||||
| 3-Tet3-T-Ph-D-Ph-4 | |||||
| 合计(质量％) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
[表4]
| 实施例6 | 实施例7 | 实施例8 | 实施例9 | 比较例1 | |
| T<sub>ni</sub> | 166.0 | 192.7 | 169.9 | 184.2 | 130.1 |
| T<sub>→n</sub> | G-18 | G-23 | G-35 | G-24 | G-45 |
| Δn | 0.421 | 0.450 | 0.407 | 0.413 | 0.354 |
| Δε | 10.61 | 8.50 | 15.40 | 16.40 | 14.22 |
| V<sub>th</sub> | 2.380 | 2.927 | 2.032 | 2.220 | 1.872 |
| 常温稳定性 | 无析出 | 无析出 | 无析出 | 无析出 | 无析出 |
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph1-NCS | 5 | 5 | 5 | 4 | |
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph3-NCS | 5 | 4 | |||
| 4-Tet3-Ph-T-Ph3-NCS | 10 | 8 | |||
| 5-Cy-Ph-NCS | 3 | 7 | |||
| 4O-Ph-T-Ph1-NCS | 5 | 5 | 5 | 5 | |
| 4O-Ph2-T-Ph-NCS | 5 | 7 | 5 | ||
| 5O-Ph2-T-Ph-NCS | 5 | 7 | 5 | ||
| 3-Ph-T-Ph3-NCS | 8 | 7 | 9 | ||
| 5-Ph-T-Ph3-NCS | 8 | 7 | 9 | ||
| 4-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 9 | 8 | 6 | 6 | 15 |
| 5-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 8 | 8 | 6 | 6 | 15 |
| 2-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 3 | 3 | |||
| 3-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 3 | 3 | |||
| 3-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | 8 | 7 | |||
| 4-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | 8 | 7 | |||
| 5-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | 8 | 7 | |||
| 2-Cy-Ph-Ph3-NCS | 7 | 7 | 15 | ||
| 4-Cy-Ph-Ph3-NCS | 7 | 7 | 15 | ||
| 3-Ph-Ph1-Ph-CN | 5 | ||||
| 4-T-Ph-Ph-CN | 10.5 | ||||
| 4-T-Ph1-Ph-CN | 10.5 | 6 | 2 | ||
| 4-Ph-T-Ph1-Ph3-CN | 2 | ||||
| 3-Ph-T-Ph1-Ph-CN | 6 | ||||
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph-2 | 10 | 10 | 8 | ||
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph-4 | 8 | ||||
| 4-Ph3-T-Pm3-T-Ph-S-1 | 7 | 7 | |||
| 2-Ph3-T-Ph-D-Ph-2 | 5 | 5 | |||
| 3-Ph3-T-Ph-D-Ph-2 | 8 | 8 | |||
| 3-Tet3-T-Ph-D-Ph-2 | 6 | 5 | |||
| 3-Tet3-T-Ph-D-Ph-4 | 6 | 5 | |||
| 合计(质量％) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
根据实施例1～实施例9，对于包含具有异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上的液晶组合物而组合使用了具有二氢茚结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上而成的液晶组合物的Tni为135℃以上，Δn为0.36以上，因此得知具有宽温度范围的液晶相，且具有高折射率各向异性(Δn)。
另外，常温下的稳定性也良好。
另一方面，根据比较例1，未组合使用具有二氢茚结构或四氢萘结构以及异硫氰酸酯基(-NCS)的由通式(i)所表示的化合物的液晶组合物尽管在常温下的稳定性良好，但由于Tni小于135℃且、Δn小于0.36，因此关于液晶相的温度范围以及折射率各向异性(Δn)，而为差的结果。
(实施例10～实施例11)
制作实施例10～实施例11的液晶组合物，测定其物性值，结果可确认到相同的结果。将结果示于表5中。
[表5]
| 实施例10 | 实施例11 | |
| T<sub>ni</sub> | 138.9 | 138.5 |
| T<sub>→n</sub> | G-33 | G-33 |
| Δn | 0.390 | 0.391 |
| Δε | 16.76 | 16.43 |
| V<sub>th</sub> | 1.832 | 1.842 |
| 常温稳定性 | 无析出 | 无析出 |
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph1-NCS | 7 | 7 |
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph3-NCS | ||
| 3-Tet3-Ph-T-Ph3-NCS | 5 | |
| 4-Tet3-Ph-T-Ph3-NCS | ||
| 3-Tet3-T-Ph-Ph3-NCS | 3 | 10 |
| 5-Cy-Ph-NCS | 3 | |
| 4O-Ph-T-Ph1-NCS | 5 | 5 |
| 4O-Ph2-T-Ph-NCS | 8 | 8 |
| 5O-Ph2-T-Ph-NCS | 5 | 5 |
| 3-Ph-T-Ph3-NCS | 13 | 13 |
| 5-Ph-T-Ph3-NCS | 13 | 13 |
| 4-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 13 | 13 |
| 5-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | 8 | 3 |
| 2-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | ||
| 3-Cy-Ph-T-Ph1-NCS | ||
| 3-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | ||
| 4-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | ||
| 5-Cy-Ph-T-Ph3-NCS | ||
| 2-Cy-Ph-Ph3-NCS | 10 | 10 |
| 4-Cy-Ph-Ph3-NCS | 10 | 10 |
| 3-Ph-Ph1-Ph-CN | ||
| 4-T-Ph-Ph-CN | ||
| 4-T-Ph1-Ph-CN | ||
| 4-Ph-T-Ph1-Ph3-CN | ||
| 3-Ph-T-Ph1-Ph-CN | ||
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph-2 | ||
| 3-Tet3-T-Ph-T-Ph-4 | ||
| 4-Ph3-T-Pm3-T-Ph-S-1 | ||
| 2-Ph3-T-Ph-D-Ph-2 | ||
| 3-Ph3-T-Ph-D-Ph-2 | ||
| 3-Tet3-T-Ph-D-Ph-2 | ||
| 3-Tet3-T-Ph-D-Ph-4 | ||
| 合计(质量％) | 100 | 100 |
[产业上的可利用性]
本发明的液晶组合物可用于液晶显示元件、传感器、液晶镜头、光通信机器及天线。
Claims (17)
1.一种液晶组合物，包含：
下述通式(i)所表示的化合物的一种或两种以上；以及
下述通式(ii)所表示的化合物的一种或两种以上，
通式(i)中，
Ri1表示氢原子或碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Ai1及Ai2分别独立地表示碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环中的任一者，
所述Ai1及Ai2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Si1取代，
取代基Si1表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基、碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-和/或-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Si1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
Li1及Li2分别独立地表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基或碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Zi1及Zi2分别独立地表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CF2-和/或-CO-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝N-N＝CH-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
mi1表示0～1的整数，
ni1表示0～3的整数，
在Ai2或Zi2存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同；
通式(ii)中，
Rii1表示碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Aii1及Aii2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)所组成的群组中的基：
(a)1,4-亚环己基，其中所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-，
(b)1,4-亚苯基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
(c)萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，其中萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，及
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
所述Aii1及Aii2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Sii1取代，
取代基Sii1表示卤素原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基或碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Sii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
Zii1表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-C(Ria)＝N-N＝C(Rib)-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
所述Ria及Rib分别独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数1～10的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CO-和/或-S-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
nii1表示1～4的整数，
在Aii1及Zii1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
2.根据权利要求1所述的液晶组合物，其中
所述通式(i)所表示的化合物是下述通式(i-1)～通式(i-3)所表示的化合物，
通式(i-1)～通式(i-3)中，
Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Li1及Li2表示与所述通式(i)中的Ri1、Ai1、Ai2、Zi1、Li1及Li2分别相同的含义。
3.根据权利要求1或2所述的液晶组合物，其中
所述通式(ii)所表示的化合物选自由下述通式(ii-1)～通式(ii-5)所表示的化合物所组成的群组中，
Rii1_Aii1_Aii2_NCS (ii-1)
Rii1_Aii1_Aii1-2_Aii2_NCS (ii-5)
通式(ii-1)～通式(ii-5)中，
Rii1、Aii1及Aii2表示与所述通式(ii)中的Rii1、Aii1及Aii2分别相同的含义，
通式(ii-3)～通式(ii-5)中，Aii1-2的定义与所述通式(ii)中的Aii1的定义相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶组合物，还包含下述通式(iii)所表示的化合物的一种或两种以上，
通式(iii)中，
Riii1表示碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Aiii1、Aiii2及Aiii3分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)所组成的群组中的基：
(a)1,4-亚环己基，其中所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-，
(b)1,4-亚苯基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，其中萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，及
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
所述Aiii1、Aiii2及Aiii3中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Siii1取代，
取代基Siii1表示卤素原子、氰基、碳原子数1～6的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Siii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
niii1表示1～2的整数，
在Aiii1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶组合物，还包含下述通式(iv)所表示的化合物的一种或两种以上，
通式(iv)中，
Riv1表示碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Aiv1及Aiv2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)所组成的群组中的基：
(a)1,4-亚环己基，其中所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-，
(b)1,4-亚苯基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，其中萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
Aiv1及Aiv2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Siv1取代，
取代基Siv1表示卤素原子、氰基、碳原子数1～6的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Siv1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
niv1表示1～2的整数，
在Aiv1存在多个的情况下，这些可相同也可不同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶组合物，还包含下述通式(v)所表示的化合物的一种或两种以上，
通式(v)中，
Rv1表示碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CO-O-、-O-CO-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Av1及Av2分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)、基(c)及基(d)所组成的群组中的基：
(a)1,4-亚环己基，其中所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-和/或-S-，
(b)1,4-亚苯基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，其中萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，及
(d)噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,5-二基、苯并噻吩-2,6-二基、二苯并噻吩-3,7-二基、二苯并噻吩-2,6-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
所述Av1及Av2中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Sv1取代，
取代基Sv1表示卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中存在的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为卤素原子，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Sv1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
Zv1表示单键、-C≡C-、-CH＝CH-、-CF＝CF-中的任一者，
Zv1的至少一个表示-C≡C-，
nv1表示1～2的整数，
在Av1及Zv1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的液晶组合物，还包含下述通式(vi)所表示的化合物的一种或两种以上，
通式(vi)中，
Rvi1表示氢原子或碳原子数1～20的烷基，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Rvi2表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基或碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-、-CO-和/或-CS-取代，
所述烷基中一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-和/或-C≡C-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-、-O-CO-CH＝CH取代，
所述烷基中一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
Avi1、Avi2及Avi3分别独立地表示碳原子数3～16的烃环或碳原子数3～16的杂环中的任一者，
所述Avi1、Avi2及Avi3中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由取代基Svi1取代，
取代基Svi1表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、五氟巯基、硝基、氰基、异氰基、氨基、羟基、巯基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二异丙基氨基、三甲基硅烷基、二甲基硅烷基、硫代异氰基、碳原子数1～20的烷基中的任一者，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-S-和/或-CO-取代，
所述烷基中一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CO-O-、-O-CO-、-CO-S-、-S-CO-、-CO-NH-和/或-NH-CO-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-可由-O-CO-O-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-CO-O-、-CH＝CH-O-CO-、-CO-O-CH＝CH-和/或-O-CO-CH＝CH-取代，
所述烷基中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
在取代基Svi1存在多个的情况下，这些可相同也可不同，
Zvi1分别独立地表示单键、碳原子数1～20的亚烷基中的任一者，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-分别独立地可由-O-、-CF2-和/或-CO-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-分别独立地可由-CH2-CH(CH3)-、-CH(CH3)-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝C(CH3)-、-C(CH3)＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-C≡C-、-CO-O-和/或-O-CO-取代，
所述亚烷基中的一个或两个以上的-CH2-CH2-CH2-CH2-分别独立地可由-CH＝N-N＝CH-取代，
但氧原子与氧原子不会直接键结，
nvi1表示1～3的整数，
在Avi1及Zvi1存在多个的情况下，这些分别可相同也可不同。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的液晶组合物，还包含下述通式(vii)所表示的化合物的一种或两种以上，
所述通式(vii)中，
Rvii1及Rvii2分别独立地表示氟原子、氯原子、氰基或碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一者，
所述基中的一个或不邻接的两个以上的-CH2-分别独立地可由-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-、或-O-CO-取代，
另外，Rvii1及Rvii2中存在的一个或两个以上的氢原子分别独立地可经取代为氟原子，
但Rvii1及Rvii2不会均表示选自氟原子、氯原子及氰基中的基，
Zvii1、Zvii2及Zvii3分别独立地表示单键、-O-CH2-、-CH2-O-、-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-、-CO-O-、-O-CO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CF2-CF2-或-C≡C-，
Avii1、Avii2、Avii3、Avii4、Avii5及Avii6分别独立地表示选自由以下的基(a)、基(b)及基(c)所组成的群组中的基：
(a)1,4-亚环己基，其中所述基中存在的一个-CH2-或不邻接的两个以上的-CH2-可经取代为-O-，
(b)1,4-亚苯基，其中所述基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，及
(c)萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，其中萘-1,4-二基、萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的一个-CH＝或不邻接的两个以上的-CH＝可经取代为-N＝，
所述基(a)、基(b)及基(c)中的一个或两个以上的氢原子分别独立地可由卤素原子、氰基或碳原子数1～6的烷基取代，
mvii1、mvii2及mvii3分别独立地表示0或1，
mvii1+mvii2+mvii3表示0或1。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的液晶组合物，其中25℃、589nm下的Δn为0.36以上。
10.一种液晶显示元件，其使用如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物。
11.根据权利要求10所述的液晶显示元件，其以有源矩阵方式或无源矩阵方式驱动。
12.一种液晶显示元件，其通过可逆地改变如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物的液晶分子的取向方向来可逆地切换介电常数。
13.一种传感器，其使用如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物。
14.一种液晶镜头，其使用如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物。
15.一种光通信机器，其使用如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物。
16.一种天线，其使用如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物。
17.根据权利要求16所述的天线，包括：
第一基板，具有多个槽；
第二基板，与所述第一基板相向，设置有供电部；
第一电介质层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；
多个贴片电极，与所述多个槽对应地配置；
第三基板，设置有所述贴片电极；以及
液晶层，设置于所述第一基板与所述第三基板之间，且
所述液晶层含有如权利要求1至9中任一项所述的液晶组合物。
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