CN114415433B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提出一种阵列基板、显示面板和显示装置,其中,阵列基板包括多条数据线、扫描线、像素阵列、第一公共电极线和第二公共电极线,阵列基板采用HSD设计,阵列基板上设置了第一公共电极线和第二公共电极线,第二公共电极线设置于数据线上并彼此连接形成公共电极网状结构,确保公共电极电压信号的稳定性,有效提高了显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请属于阵列基板技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
阵列基板由子像素阵列组成,子像素的公共电极和像素电极形成存储电容,确保子像素在薄膜晶体管关闭状态下画面正常显示,同时,由于阵列基板上的公共电极与彩膜基板上的公共电极的电压信号相同,可以屏蔽像素边缘的不规律电场,避免液晶分子导向紊乱出现暗纹,因此,阵列基板上的公共电极的电压信号的稳定性对于阵列基板以及显示面板的显示效果至关重要。
为了提高公共电极电压信号的稳定性,通常的做法是,将整个面板的公共电极电压信号形成网状来确保整个阵列基板的公共电极电压信号的稳定性,但是一般的网状设计会严重影响画素开口率,而如何在开口率影响最小的情况进行网状公共电极设计是一大难点。
其中,HSD(Half Source Driving,半源极驱动)像素阵列中,水平方向相邻两个像素单元共用一条数据线,相较于传统像素阵列,数据线可以减少一半,同时同一行相邻像素单元连接到不同扫描线上,同一行中彼此间隔一个像素单元的像素连接在同一条扫描线上,因此扫描线相对于传统像素阵列增加一倍的数量。
通常的HSD设计为了在竖直方向X上实现+-+-翻转显示需要2线驱动,即同一数据线上的数据信号在每两行扫描线输入行开启信号时需要翻转电平,电平翻转导致功耗增加,且由于同一条数据线两侧像素驱动顺序不同,数据信号的延迟会使相邻像素充电差异,而产生垂直亮暗线的显示缺陷。
同时,通常的HSD设计中,网状公共电极结构处于相邻四个像素电极之间,相邻行的公共电极通过导电结构连接,为了避免不同信号与导电结构之间互相影响,4个像素电极相邻位置都有一个缺口,严重影响画素开口率。
为了解决HSD功耗高,垂直亮暗线的弊端,像素电极采用长短手设计,即同一行中每两个相邻的子像素与同一数据线连接,同时,相同列的不同行的子像素交叉连接至相邻两条数据线,同一行中每两个相邻的子像素分别连接至相邻两条不同的扫描线,同一列的不同行的子像素连接至不同的扫描线。
通过采用长短手设计,可以实现用列翻转驱动在竖直方向X实现+-+-翻转显示,但是由于长短手设计中,同一行中每两个相邻的子像素中远离数据线的像素电极需要通过导电结构跨接,占据了原用于设置公共电极结构的位置,导致无法正常使用原有的公共电极结构设计,公共电极电压信号彼此断开,无法形成网状结构,导致稳定性降低。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板,通过在数据线上增设另一公共电极线并对应连接,实现公共电极网状结构,解决传统的长短手设计中无法设计网状公共电极结构导致公共电极电压信号稳定性降低的问题。
本申请实施例的第一方面提出了一种阵列基板,包括包括多条数据线、多条扫描线和像素阵列,所述数据线用于输入对应极性的数据信号,所述扫描线用于逐行输入行开启信号,所述像素阵列包括阵列排布的像素单元;
所述像素单元包括像素电极和薄膜晶体管,所述像素电极阵列排布,每一所述像素电极通过所述薄膜晶体管分别与所述数据线和扫描线连接;
与各所述像素电极边缘部分重叠形成存储电容的多条第一公共电极线;
设置于每一所述数据线上的第二公共电极线,各所述第二公共电极线通过导电结构对应连接。
本申请一实施方式,所述第二公共电极线与所述第一公共电极线接入相同大小的公共电极电压信号。
本申请一实施方式,同行相邻两个所述像素单元构成像素单元组,相邻的所述像素单元组分别与相邻的两条所述数据线连接,同行相邻的两个所述像素单元与同一所述数据线连接并分别与相邻两条不同的所述扫描线连接,同列的两个所述像素单元组中对角两个所述像素单元分别与相邻两条不同的所述扫描线连接,同行间隔一个所述像素单元的两个所述像素单元与相同所述扫描线连接;
相邻行的所述像素单元组之间设置有用于容置对应所述薄膜晶体管和所述扫描线的走线区,相邻所述第二公共电极线通过设置于所述走线区的所述导电结构对应连接。
本申请一实施方式,所述第一公共电极线包括与所述像素电极边缘部分分别重叠的第一子公共电极线和第二子公共电极线;
所述第一子公共电极线位于所述像素电极组中的相邻两个所述像素电极之间;
所述第二子公共电极线位于所述像素电极组的外围;
相邻行的所述像素电极组中,各所述第一子公共电极线沿竖直方向相连,且所述第一子公共电极线和所述第二子公共电极线位于不同层;
所述走线区还设置有多个第一过孔,所述第一子公共电极线通过所述第一过孔与所述导电结构连接;
对应所述像素电极组的所述第二子公共电极线通过所述第一过孔与所述导电结构连接;
相邻列的所述第二公共电极线通过所述导电结构连接。
本申请一实施方式,所述第一过孔设置于所述相邻行的所述像素单元组之间的走线区位置,且与当前所述像素单元组连接的所述数据线临近设置。
本申请一实施方式,多个所述像素单元组以每两行和每三列为一周期像素单元组,对应每一所述周期像素单元组中设置有两个所述第一过孔;
其中,一所述第一过孔设置于第n列第m行的所述像素单元组和第n列第m+1行的所述像素单元组之间,另一所述第一过孔设置于第n+3列第m+1行的所述像素单元组和第n+3列第m+2行的所述像素单元组之间,其中,n=3*(k-1)+1,k和m为正整数。
本申请一实施方式,相邻行的所述像素单元之间设置有用于容置对应所述薄膜晶体管和所述扫描线的走线区;
每一所述像素电极设置有一个缺角,所述缺角临近所述数据线和所述走线区设置,对应每一所述缺角位置设置有第二过孔;
所述第一公共电极线通过所述第二过孔与所述导电结构连接,所述第二公共电极线通过所述导电结构与所述第二过孔连接。
本申请一实施方式,每两个所述第二过孔以数据线为中心对称设置于两侧。
本申请实施例的第二方面提出了一种显示面板,包括彩膜基板、液晶层和如上所述的阵列基板,所述液晶层设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。
本申请实施例的第三方面提出了一种显示装置,包括背光模组、显示面板驱动电路和如上所述的显示面板,所述显示面板驱动电路与所述显示面板对应连接,所述背光模组与所述显示面板相对设置。
本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是:阵列基板采用HSD设计,同时,阵列基板上,设置了第一公共电极线和第二公共电极线,第二公共电极线设置于数据线上并彼此连接形成公共电极网状结构,确保公共电极电压信号的稳定性,有效提高了显示面板的显示效果。
附图说明
图1为本申请实施例一提供的阵列基板的子像素的结排列意图;
图2为本申请实施例二提供的阵列基板的结构示意图;
图3为本申请实施例三提供的阵列基板的结构示意图;
图4为本申请实施例三提供的阵列基板中第一过孔的结构示意图;
图5为本申请实施例四提供的阵列基板的第一种结构示意图;
图6为本申请实施例四提供的阵列基板的第二种结构示意图;
图7为本申请实施例四提供的阵列基板中缺角的局部放大示意图;
图8为本申请实施例四提供的阵列基板的竖直方向第二过孔的结构示意图;
图9为本申请实施例四提供的阵列基板水平方向第二过孔的结构示意图;
图10为本发明实施例五提供的显示面板的结构示意图;
图11为本申请实施例六提供的显示装置的结构示意图。
其中,图中各附图标记为:
100-显示面板,200-显示面板驱动电路,300-背光模组,1-阵列基板,2-彩膜基板,3-液晶层,11-数据线,12-扫描线,13-像素单元,131-像素电极,132-薄膜晶体管,14-第一公共电极线,15-第二公共电极线,16-导电膜,17-导电结构,18-第一过孔,19-缺角,20-第二过孔,141-第一子公共电极线,142-第二子公共电极线。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
实施例一
本申请实施例的第一方面提出了一种阵列基板1,如图1所示,本实施例中,阵列基板1包括多条数据线11、多条扫描线12和像素阵列,多条数据线沿水平方向Y上依次排布,多条扫描线沿竖直方向X上依次排布,其中,相邻数据线11上接收的数据信号的极性相反,多条扫描线12用于逐行输入行开启信号。
其中,像素阵列包括阵列排布的像素单元组,相邻的像素单元组分别与相邻的两条数据线11连接,每一像素单元组包括同行相邻两个像素单元13,同行相邻的两个像素单元13与同一数据线11连接并分别与相邻两条不同的扫描线12连接,同列的两个像素单元组中对角两个像素单元13分别与相邻两条不同的扫描线12连接,同行间隔一个像素单元13的两个像素单元13与相同扫描线12连接。
如图2所示,像素单元13包括像素电极131和薄膜晶体管132,像素电极131阵列排布,每一像素电极131通过薄膜晶体管132分别与数据线11和扫描线12连接;
阵列基板1还包括阵列排布的多条第一公共电极线14和第二公共电极线15,每一第一公共电极线位于像素单元组中相邻两个像素电极131中并与相邻两个像素电极131沿列方向部分重叠形成存储电容;
第二公共电极线15设置于每一数据线11上,各第二公共电极线通过导电结构对应连接。
本实施例中,像素单元13与数据线11和扫描线12采用长短手结构连接,数据线11上的驱动信号极性不变,如图1所示,以第n数据线11为例,扫描线12逐行输入行开启信号时,与数据线11交叉连接的像素单元组均为负极性数据信号,从整体看来,数据线11以列翻转的方式即可实现正负正负极性翻转,行扫描驱动过程中无需变换极性,因此,每一帧画面中电压恒定,无正负极性切换,有效改善了垂直亮暗线、功耗以及竖直方向X信号干扰的问题。
同时,阵列基板1上,第一公共电极线14设置于像素单元组中的两个像素电极131中,并与该两个像素电极131部分重叠形成存储电容,确保子像素在薄膜晶体管132关闭状态下画面正常显示,同时,第一公共电极线14和第二公共电极线15接入相同大小的公共电极电压信号,由于阵列基板1上的第一公共电极与彩膜基板2上的公共电极的电压信号相同,从而屏蔽像素边缘的不规律电场,避免液晶分子导向紊乱出现暗纹。
由于像素阵列为长短手设计,如图2所示,同一数据线11连接的同一像素单元组中的两个像素电极131中,邻近该数据线11的像素电极131的上下位置分别设置有薄膜晶体管132,用于分别连接两个像素电极131至数据线11和相邻的扫描线12,远离该数据线11的像素电极131通过导电膜16连接薄膜晶体管132,导电膜16跨接在相邻行的两个像素单元组的中间位置,相邻行的两个像素单元组内的两个第一公共电极线14无连接位置,无法实现网状公共电极结构。
为了进一步实现网状公共电极结构,保证公共电极电压信号的稳定性,本实施例中,在每一数据线11上层叠设置有第二公共电极线15,第二公共电极线15通过导电结构17直接或者间接连接,例如直接通过对应走线区连接,或者在阵列基板1上通过过孔间接连接,具体连接方式不限,通过将第二公共电极线15两两相接,使得整个阵列基板1的公共电极电压信号形成一个网状结构,确保公共电极电压信号的稳定,有效提高了显示面板100的显示效果。
同时,为了屏蔽扫描线12对像素电极131的干扰,第二公共电极线15与第一公共电极线14上的公共电极电压信号相同,由于新增的第二公共电极线15与第一公共电极线14的电压信号相同,在水平方向Y上可以屏蔽扫描线12对像素电极131的干扰,进一步提高了显示面板100的显示效果。
其中,第二公共电极线15采用导电结构17,其材料类型可对应选择,本申请一实施方式,第二公共电极线15和导电结构17均为铟锡氧化物半导体透明导电膜16。
同时,连接第二公共电极线15的导电结构17的位置可对应设置,具体结构不限。
本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是:阵列基板1采用HSD设计,同时子像素采用长短手设计,降低功耗和解决亮暗线问题,阵列基板1上,设置了第一公共电极线14和第二公共电极线15,第二公共电极线15设置于数据线11上并彼此连接形成公共电极网状结构,确保公共电极电压信号的稳定性,并且新增的第二公共电极线15的电压信号与第一公共电极线14的电压信号相同,在水平方向Y上可屏蔽行开启信号对像素电极131的干扰,有效提高了显示面板100的显示效果。
实施例二
基于实施例一的基础上进行具体化,如图2所示,本申请一实施方式,相邻行的像素单元组之间设置有用于容置对应薄膜晶体管132和扫描线12的走线区,相邻第二公共电极线15通过设置于走线区的导电结构17连接。
本实施例中,相邻列的像素单元组之间的走线区设置有两条扫描线12,以及连接对角设置的两个像素电极131的多个薄膜晶体管132,为了避免导电结构17跨接在像素电极131上引起干扰,第二公共电极线15之间的导电结构17设置于走线区,减少信号干扰,通过将第二公共电极线15通过走线区两两直接相接,使得整个阵列基板1的公共电极电压信号形成一个网状结构,确保公共电极电压信号的稳定有效提高了显示面板100的显示效果。
其中,导电结构17可层叠在扫描线12上,或者与扫描线12分开单独走线,具体设置方式不限。
实施例三
基于实施例一的基础上进行具体化和优化,如图3和图4所示,本申请一实施方式,第一公共电极线14包括与像素电极131边缘部分分别重叠的第一子公共电极线141和第二子公共电极线142;
第一子公共电极线141位于像素电极组中的相邻两个像素电极131之间;
第二子公共电极线142位于像素电极组的外围;
相邻行的像素电极组中,各第一子公共电极线141沿竖直方向X相连,且第一子公共电极线141和第二子公共电极线142位于不同层;
走线区还设置有多个第一过孔18,第一子公共电极线141通过第一过孔18与导电结构17连接;
对应像素电极组的第二子公共电极线142通过第一过孔18与导电结构17连接;
相邻列的第二公共电极15线通过导电结构17连接。
本实施例中,第一过孔18设置在走线区,如图4所示,导电结构17通过第一过孔18分别与第一子公共电极线141和第二子公共电极线142接触电连接,从而将竖直方向X的像素电极131自身的第一公共电极即第一子公共电极线141通过导电结构17和第二公共电极线15实现串接,水平方向Y上每间隔两个像素电极131的第一公共电极即第二子公共电极141通过导电结构17和第二公共电极线15实现连接,最终实现整个显示面板100的公共电极电压信号周期性连接,确保公共电极电压信号的稳定性,提升显示面板100的显示效果。
同时,相较于实施例二,本实施例中,第一公共电极线14和第二公共电极线15周期性串接,确保公共电极电压信号的稳定性,提升显示面板100的显示效果。
其中,第一过孔18的位置可对应设置,为了简化工艺,本申请一实施方式,第一过孔18设置于相邻行的像素单元组之间的走线区位置,且与当前像素单元组连接的数据线11临近设置,即第一过孔18临近第二公共电极线15,并通过第一过孔18以及导电结构17对应连接。
同时,第一过孔18的个数可对应设置,可在每两行像素单元组的中间位置设置,或者间隔设置,如图3所示,本申请一实施方式,多个像素单元组以每两行和每三列为一周期像素单元组,对应每一周期像素单元组中设置有两个第一过孔18;
其中,一第一过孔18设置于第n列第m行的像素单元组和第n列第m+1行的像素单元组之间,另一第一过孔18设置于第n+3列第m+1行的像素单元组和第n+3列第m+2行的像素单元组之间,其中,n=3*(k-1)+1,k和m为正整数。
即本实施例中,以六个阵列排布的像素单元组为一最小单元,并且在对角位置的走线区设置两个第一过孔18,确保整个显示面板100的公共电极电压信号的稳定性。
实施例四
基于实施例一的基础上进行具体化和优化,如图5和图6所示,本申请一实施方式,相邻行的像素单元组之间设置有用于容置对应薄膜晶体管132和扫描线12的走线区;
每一像素电极131设置有一个缺角19,缺角19临近数据线11和走线区设置,对应每一缺角19位置设置有第二过孔20;
如图7所示,图7为缺角19的局部放大图,第一公共电极线14通过第二过孔20与导电结构17连接,第二公共电极线15通过导电结构17与第二过孔20连接。
本实施例中,与实施例三采用同样的过孔连接方式,但改变了过孔数量和位置,在数据线11和第二公共电极线15的两侧设置两个第二过孔20,分别用于通过导电结构17连接数据线11左右两侧的第一公共电极线14和数据线11上层叠的第二公共电极线15,如图7和图8所示,在竖直方向X上,第一公共电极线14通过第二过孔20与导电结构17接触电连接,以及如图7和图9所示,在水平方向Y上,层叠在数据线11上的第二公共电极线15与导电结构17连接,导电结构17通过第二过孔20与第一公共电极线17接触电连接,从而将每个像素电极131的第一公共电极线14在竖直方向X上通过竖直方向X上的第二公共电极线15串接在一起,水平方向Y上通过像素电极131中间横向的导电结构17以及第二公共电极线15串接在一起,两者结合最终达到整个显示面板100的公共电极串接在一起,确保公共电极电压信号的稳定性良好,提升面板显示品质。
同时,第二过孔20设置在走线区局部挖洞的缺口处,竖直方向X上相邻两颗像素电极131不用使用导电结构17做桥接的两个过孔进行连接,从而不受子像素长短手的限制,并且,每个子像素电极131旁边只需一个第二过孔20,只影响像素电极131的一个角,因此相较常规的网状公共电极过孔设计,本实施例中,在实现每个子像素电极131的第一公共电极14和第二公共电极15的串接的目的的同时,可优化开口率。
其中,位于数据线11和第二公共电极线15两侧的两个第二过孔20可如图5对角设置或者如图6所示,以数据线11为中心对称设置,本申请一实施方式,为了简化工艺,如图6和图7所示,每两个第二过孔20以数据线11为中心对称设置。
实施例五
本申请还提出一种显示面板100,如图10所示,该显示面板100包括彩膜基板2、液晶层3以及阵列基板1,该阵列基板1的具体结构参照上述实施例,由于本显示面板100采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
本实施例中,彩膜基板2包括上偏光片、彩色滤光片、公共电极层以及上配向层,阵列基板1包括下配向层、驱动层以及下偏光片,其中,驱动层为薄膜晶体管132驱动层,驱动层用于配合公共电极层驱动液晶层3的液晶分子,阵列基板1上设置有对应的数据线11、扫描线12、像素阵列、第一公共电极线14和第二公共电极线15。
实施例六
本申请还提出一种显示装置,如图11所示,该显示装置包括背光模组300、显示面板驱动电路200和显示面板100,该显示装置的具体结构参照上述实施例,由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。其中,显示面板驱动电路200与显示面板100对应连接,背光模组300与显示面板100相对设置。
本实施例中,显示面板驱动电路200包括源极驱动电路、栅极驱动电路、电压补偿电路400和公共电极电压电路300,还可包括驱动所需的时序控制器和电源管理集成电路,时序控制器控制源极驱动电路和栅极驱动电路逐行扫描,同时,公共电极电压电路300获取电源管理集成电路输出的模拟电压,并转换为对应大小的公共电极电压信号并通过阵列基板1等结构输出至彩膜基板2的公共电极层,以及输出至阵列基板1上的第一公共电极线14和第二公共电极线15,彩膜基板2的公共电极层上的公共电极电压信号与源极驱动电路输出的数据驱动信号配合驱动液晶分子,并配合背光模组300显示对应的图像信息。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括多条数据线、多条扫描线和像素阵列,所述数据线用于输入对应极性的数据信号,所述扫描线用于逐行输入行开启信号,其特征在于:
所述像素阵列包括阵列排布的像素单元组,相邻的所述像素单元组分别与相邻的两条所述数据线连接,每一所述像素单元组包括同行相邻两个像素单元,同行相邻的两个所述像素单元与同一所述数据线连接并分别与相邻两条不同的所述扫描线连接,同列的两个所述像素单元组中对角两个所述像素单元分别与相邻两条不同的所述扫描线连接,同行间隔一个所述像素单元的两个所述像素单元与相同所述扫描线连接;
所述像素单元包括像素电极和薄膜晶体管,所述像素电极阵列排布,每一所述像素电极通过所述薄膜晶体管分别与所述数据线和扫描线连接;
与各所述像素电极边缘部分重叠形成存储电容的多条第一公共电极线;
所述第一公共电极线包括与所述像素电极边缘部分分别重叠的第一子公共电极线和第二子公共电极线;
所述第一子公共电极线位于所述像素电极组中的相邻两个所述像素电极之间;
所述第二子公共电极线位于所述像素电极组的外围;
设置于每一所述数据线上的第二公共电极线,各所述第二公共电极线通过导电结构对应连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二公共电极线与所述第一公共电极线接入相同大小的公共电极电压信号。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻行的所述像素单元组之间设置有用于容置对应所述薄膜晶体管和所述扫描线的走线区,相邻所述第二公共电极线通过设置于所述走线区的所述导电结构对应连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,相邻行的所述像素电极组中,各所述第一子公共电极线沿竖直方向相连,且所述第一子公共电极线和所述第二子公共电极线位于不同层;
所述走线区还设置有多个第一过孔,所述第一子公共电极线通过所述第一过孔与所述导电结构连接;
对应所述像素电极组的所述第二子公共电极线通过所述第一过孔与所述导电结构连接;
相邻列的所述第二公共电极线通过所述导电结构连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔设置于所述相邻行的所述像素单元组之间的走线区位置,且与当前所述像素单元组连接的所述数据线临近设置。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,多个所述像素单元组以每两行和每三列为一周期像素单元组,对应每一所述周期像素单元组中设置有两个所述第一过孔;
其中,一所述第一过孔设置于第n列第m行的所述像素单元组和第n列第m+1行的所述像素单元组之间,另一所述第一过孔设置于第n+3列第m+1行的所述像素单元组和第n+3列第m+2行的所述像素单元组之间,其中,n=3*(k-1)+1,k和m为正整数。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻行的所述像素单元之间设置有用于容置对应所述薄膜晶体管和所述扫描线的走线区;
每一所述像素电极设置有一个缺角,所述缺角临近所述数据线和所述走线区设置,对应每一所述缺角位置设置有第二过孔;
所述第一公共电极线通过所述第二过孔与所述导电结构连接,所述第二公共电极线通过所述导电结构与所述第二过孔连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,每两个所述第二过孔以数据线为中心对称设置于两侧。
9.一种显示面板,其特征在于,包括彩膜基板、液晶层和如权利要求1~8任一项所述的阵列基板,所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。
10.一种显示装置,其特征在于,包括背光模组、显示面板驱动电路和如权利要求9所述的显示面板,所述显示面板驱动电路与所述显示面板对应连接,所述背光模组与所述显示面板相对设置。
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