CN114411188B - 一种电解水析氢阴极及其制备方法 - Google Patents
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 42
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- INPLXZPZQSLHBR-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Co+2] INPLXZPZQSLHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910021503 Cobalt(II) hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ASKVAEGIVYSGNY-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Co+2] ASKVAEGIVYSGNY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000003011 anion exchange membrane Substances 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- XQUUBFSGPFGMLK-UHFFFAOYSA-N P(=O)(=O)SP(=O)=O.[Co] Chemical compound P(=O)(=O)SP(=O)=O.[Co] XQUUBFSGPFGMLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229920005598 conductive polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010411 electrocatalyst Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000005431 greenhouse gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/02—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form
- C25B11/03—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form perforated or foraminous
- C25B11/031—Porous electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/02—Hydrogen or oxygen
- C25B1/04—Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/055—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the substrate or carrier material
- C25B11/057—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the substrate or carrier material consisting of a single element or compound
- C25B11/061—Metal or alloy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/055—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the substrate or carrier material
- C25B11/057—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the substrate or carrier material consisting of a single element or compound
- C25B11/065—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/073—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
- C25B11/075—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of a single catalytic element or catalytic compound
- C25B11/089—Alloys
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
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Abstract
一种电解水析氢阴极及其制备方法,涉及水分解电极技术领域,电解水析氢阴极包括多孔导电基底、纳米线阵列层、析氢催化剂层,纳米线阵列层为钴基纳米线阵列,析氢催化剂层为富镍的镍钼合金催化剂。本发明在多孔导电基底上生长钴基纳米线阵列,可以增大电极材料的比表面积,经电化学活性处理后,作为碱液电解水制氢,表现出优异的析氢活性和高稳定性;且本发明采用物理共溅射方法在钴基纳米线阵列表面沉积富镍的镍钼合金催化剂,活化处理后作为碱液电解水制氢的阴极,催化剂层覆盖均匀,厚度可控,与基底结合牢固,便于大规模工业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及水分解电极技术领域,具体涉及一种电解水析氢阴极及其制备方法。
背景技术
氢气作为一种重要的清洁能源,具有非常高的燃烧热值,且燃烧产物仅为水蒸气,无温室气体产生,因而被认为是最有望代替化石能源的新型能源,受到全世界范围的广泛关注。然而制氢技术的发展是制约氢能利用的瓶颈,目前工业制氢工艺主要是以煤、石油、天然气等化石燃料制氢,从环境保护和资源利用的角度来考虑并不符合现今“绿色可持续发展”的能源发展战略。近年来,随着可再生能源的不断发展和电力优化与升级,电解水制氢逐步成为最有前景,最清洁的制氢技术工艺,但由于析氢过电位过高导致电力能耗增加,目前电解水制氢工艺通过使用铂等贵金属基催化剂作为析氢电极来提高产氢效率,然而,贵金属价格高昂且全球储存量低,无法实现大规模的推广,限制了该类电催化剂在电解水制氢中的应用。另外,目前对于析氢阴极的制备,通常是首先采用化学法制备催化剂粉体颗粒,然后使用导电高分子粘合剂将其负载在导电基体上。该类电极在碱液环境中长时间工作时,粘合剂的退化会使催化剂从导电基底脱落,导致电极稳定性变差;同时,使用高分子粘合剂会增加电极界面电阻,降低阴极析氢性能,增加能耗;因此,开发和研究一种高效、稳定、廉价的电催化析氢电极具有重要的意义和价值。
发明内容
针对上述情况,为克服现有技术之缺陷,本发明提供一种电解水析氢阴极及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:电解水析氢阴极包括多孔导电基底、纳米线阵列层、析氢催化剂层,纳米线阵列层为钴基纳米线阵列,析氢催化剂层为富镍的镍钼合金催化剂层。
优选地,多孔导电基底可以为碳纸或碳布或泡沫镍。
优选地,所述钴基纳米线阵列为氢氧化钴、氧化钴、磷化钴、硫化钴、磷硫化钴中的一种。
优选地,所述析氢催化剂层中镍的原子百分比含量为60%~90%。
优选地,所述析氢催化剂层中镍的原子百分比含量为80%。
电解水析氢阴极的制备方法,包括以下步骤:
(1)多孔导电材料的预处理;
(2)钴基纳米线阵列的生长:在预处理后的多孔导电材料上生长钴基纳米线阵列;
(3)制备富镍的镍钼合金催化剂层:采用镍钼双靶材共溅射法在生长有钴基纳米线阵列的多孔导电材料上沉积富镍的镍钼合金催化剂,得到样品A;
(4)电化学活化:将样品A放入在碱性溶液中,采用采用循环伏安、线性电压扫描、恒电流和恒电势方法中的一种进行电化学活化。
优选地,步骤(1)中多孔导电材料预处理过程为:将多孔导电材料依次经丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗,并烘干。
优选地,步骤(2)中钴基纳米线阵列的生长,具体过程为:以多孔导电材料为基底,硝酸钴为钴源,发生水热反应,在多孔导电材料上生长钴基纳米线前驱体;并采用化学气相法或液相法对前驱体进行氢氧化、氧化、硫化、磷化或者硫磷化处理,获得相应的氢氧化钴、氧化钴、磷化钴、硫化钴、磷硫化钴纳米线阵列。
优选地,步骤(3)中制备富镍的镍钼合金催化剂层,具体过程为:将生长有钴基纳米线阵列的多孔导电材料作为基底置于磁控溅射系统中,抽真空,打开氩气开关,然后打开溅射电源,调节功率,采用纯度大于99.9%的镍靶和钼靶纯金属靶材,进行预溅射,开启样品旋转,打开挡板开始共溅射镍钼合金薄膜,溅射结束后,充入氮气破除真空,得到样品A。
优选地,步骤(4)中电化学活化:将样品A放入在1 mol/L的KOH溶液中,采用循环伏安、线性电压扫描、恒电流和恒电势方法中的一种进行电化学活化2小时以上。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1):本发明在多孔导电基底上生长钴基纳米线阵列,可以增大电极材料的比表面积,经电化学活性处理后,作为碱液电解水制氢,表现出优异的析氢活性和高稳定性;另外,当应用于阴离子交换膜电解水制氢系统时,该纳米线阵列结构利于催化剂层与阴离子交换膜的集成,通过改善催化剂与阴离子交换膜界面间的有序性,提高电解水效率,降低能耗;
(2):本发明采用物理共溅射方法在钴基纳米线阵列表面沉积富镍的镍钼合金催化剂,活化处理后作为碱液电解水制氢的阴极,催化剂层覆盖均匀,厚度可控,与基底结合牢固,便于大规模工业化生产。
附图说明
图1:本发明提供电解水析氢阴极层状结构示意图,图中:1-多孔导电基底;2-纳米线阵列层;3-析氢催化剂层。
图2:本发明提供电解水析氢阴极扫描电子显微镜照片。
图3:电解水析氢阴极材料的线性电压扫描曲线。
图4:本发明提供电解水析氢阴极材料的稳定性曲线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:如图1所示,电解水析氢阴极包括多孔导电基底、纳米线阵列层、析氢催化剂层,所述纳米线阵列层为钴基纳米线阵列,所述析氢催化剂层为富镍的镍钼合金催化剂层。多孔导电基底可以为碳纸或碳布或泡沫镍。钴基纳米线阵列为氢氧化钴、氧化钴、磷化钴、硫化钴、磷硫化钴中的一种。析氢催化剂层中镍的原子百分比含量为60%~90%。在本实施例中析氢催化剂层中镍的原子百分比含量为80%。
电解水析氢阴极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)多孔导电材料的预处理;
(2)钴基纳米线阵列的生长:在预处理后的多孔导电材料上生长钴基纳米线阵列;
(3)制备富镍的镍钼合金催化剂层:采用镍钼双靶材共溅射法在生长有钴基纳米线阵列的多孔导电材料上沉积富镍的镍钼合金催化剂,得到样品A;
(4)电化学活化:将样品A放入在碱性溶液中,采用循环伏安、线性电压扫描、恒电流和恒电势方法中的一种进行电化学活化。
实施例2:实施例1中电解水析氢阴极的制备方法,具体步骤如下:
(1)多孔导电材料的预处理:将多孔导电材料依次经丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗,丙酮、异丙醇和去离子水依次超声清洗15 min~20 min,100 ℃烘干后待用;
(2)钴基纳米线阵列的生长,具体过程为:以多孔导电材料为基底,硝酸钴为钴源,105 ℃水热反应6个小时,在多孔导电材料上生长钴基纳米线前驱体;并采用化学气相法或液相法对前驱体进行氢氧化、氧化、硫化、磷化或者硫磷化处理,获得相应的氢氧化钴、氧化钴、磷化钴、硫化钴、磷硫化钴纳米线阵列。
(3)制备富镍的镍钼合金催化剂层:具体过程为:将生长有钴基纳米线阵列的多孔导电材料作为基底置于磁控溅射系统中,抽取系统背景真空度至3.0×10-4Pa,打开氩气开关,流量为50 sccm,然后打开溅射电源,功率分别调为100~160 W和80~100 W,采用纯度大于99.9%的镍靶和钼靶纯金属靶材,预溅射15 min,之后开启样品旋转,速率为10 rpm,打开挡板开始共溅射镍钼合金薄膜,控制镍钼合金催化剂层的厚度为10-200 nm,溅射结束后,充入氮气破除真空,得到样品A。
(4)电化学活化:将样品A放入在1 mol/L的KOH溶液中,采用循环伏安、线性电压扫描、恒电流和恒电势方法中的一种进行电化学活化2小时以上、电流密度值范围为10~1000mA/cm2,电势值范围为-0.05~-0.01 V(vs RHE)。
实施例3:实施例1中电解水析氢阴极的制备方法,具体步骤如下:
(1)多孔导电材料的预处理:将碳纸依次经丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗,丙酮、异丙醇和去离子水依次超声清洗15 min,100 ℃烘干后待用;
(2)钴基纳米线阵列的生长,具体过程为:以碳纸为基底,硝酸钴为钴源,105 ℃水热反应6个小时,在碳纸上生长钴基纳米线前驱体;并采用化学气相法对前驱体进行硫化处理,获得硫化钴纳米线阵列。
(3)制备富镍的镍钼合金催化剂层:具体过程为:将生长有硫化钴纳米线阵列的碳纸作为基底置于磁控溅射系统中,抽取系统背景真空度至3.0×10-4Pa,打开氩气开关,流量为50 sccm。然后打开溅射电源进行预溅射,镍靶溅射功率为160 W,钼靶溅射功率为80 W。预溅射15分钟后开启样品旋转,速率为10 rpm,打开挡板开始共溅射镍钼合金薄膜,控制镍钼合金催化剂层的厚度为25 nm,溅射结束后,充入氮气破除真空,得到样品A。
(4)电化学活化:将样品A放入在1 mol/L的KOH溶液中,采用循环伏安法进行电化学活化2小时,活化电势范围为-0.05~-0.01 V(vs RHE)。
对采用实施例3方法制备的电解水析氢阴极进行SEM观察,如图2所示,电解水析氢阴极扫描电子显微镜照片,电极表面具有有序的纳米线阵列结构,镍钼合金薄膜均匀地沉积在钴基纳米线阵列表面。由于镍钼合金薄膜催化剂采用溅射法制备,其与基底之间结合牢固,测试后并未见薄膜脱落。
对采用实施例3方法制备的电解水析氢阴极进行电化学性能测试,在样品A电化学活化结束后,在相同碱性溶液中测量阴极材料的电催化析氢活性及稳定性,其中,图3活化后阴极材料的线性电压扫描曲线,达到10 mA/cm2和100 mA/cm2,所需的过电位分别是31 mV和324 mV。
图4为析氢阴极材料的稳定性曲线,该析氢阴极材料在电流密度为10 mA/cm2的条件下稳定运行100 h,工作电势未见明显变化。
综上所述,本发明在多孔导电基底上生长钴基纳米线阵列,可以增大电极材料的比表面积,经电化学活性处理后,作为碱液电解水制氢,表现出优异的析氢活性和高稳定性;且本发明采用物理共溅射方法在钴基纳米线阵列表面沉积富镍的镍钼合金催化剂,活化处理后作为碱液电解水制氢的阴极,催化剂层覆盖均匀,厚度可控,与基底结合牢固,便于大规模工业化生产。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种电解水析氢阴极的制备方法,其特征在于,包括多孔导电基底、纳米线阵列层、析氢催化剂层,所述纳米线阵列层为有序钴基纳米线阵列,所述析氢催化剂层为富镍的镍钼合金催化剂层;
具体制备步骤如下:
(1)多孔导电材料的预处理;
(2)钴基纳米线阵列的生长:以碳纸为基底,硝酸钴为钴源,105℃水热反应6个小时,在碳纸上生长钴基纳米线前驱体;并采用化学气相法对前驱体进行硫化处理,获得硫化钴纳米线阵列;
(3)制备富镍的镍钼合金催化剂层:将生长有硫化钴纳米线阵列的碳纸作为基底置于磁控溅射系统中,抽取系统背景真空度至3.0×10-4 Pa,打开氩气开关,流量为50 sccm,然后打开溅射电源进行预溅射,镍靶溅射功率为160 W,钼靶溅射功率为80 W,预溅射15 min后开启样品旋转,速率为10 rpm,打开挡板开始共溅射镍钼合金薄膜,控制镍钼合金催化剂层的厚度为25 nm,溅射结束后,充入氮气破除真空,得到样品A,其中,所述镍钼合金催化剂层中镍的原子百分比含量为80%;
(4)电化学活化:将样品A放入在碱性溶液中,采用循环伏安、线性电压扫描、恒电流和恒电势方法中的一种进行电化学活化。
2.根据权利要求1所述的电解水析氢阴极的制备方法,其特征在于,步骤(1)中多孔导电材料预处理过程为:将多孔导电材料依次经丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗,并烘干。
3.根据权利要求1所述的电解水析氢阴极的制备方法,其特征在于,步骤(4)中电化学活化:将样品A放入在1 mol/L的KOH溶液中,采用循环伏安、线性电压扫描、恒电流和恒电势方法中的一种进行电化学活化2小时以上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210084778.XA CN114411188B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 一种电解水析氢阴极及其制备方法 |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114411188A CN114411188A (zh) | 2022-04-29 |
CN114411188B true CN114411188B (zh) | 2023-12-22 |
Family
ID=81276367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210084778.XA Active CN114411188B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 一种电解水析氢阴极及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114411188B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114752951A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-07-15 | 临沂大学 | 一种可同步制氢和有机物氧化的装置及电极制备方法 |
CN114941152A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-08-26 | 山东华通新材料科技有限公司 | 一种碱水电解槽用多元合金整体阴极的制备方法以及应用 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104630822A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-05-20 | 太原理工大学 | 一种泡沫过渡金属固(气)态磷化自支撑析氢电极及其制备方法 |
CN105749926A (zh) * | 2016-02-03 | 2016-07-13 | 厦门大学 | 一种非贵金属电解析氢催化剂的制备方法 |
CN110219016A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-10 | 南昌航空大学 | 一种水电解制氢用高效长寿命多孔镍钼合金的制备方法 |
CN110433846A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-12 | 浙江工业大学 | 一种磷掺杂氮化钴纳米线电催化剂及其制备方法和应用 |
KR20210017346A (ko) * | 2019-08-08 | 2021-02-17 | 한국세라믹기술원 | 전기화학적 물분해용 질화갈륨 나노와이어 광전극 제조 방법 |
CN113846346A (zh) * | 2020-06-28 | 2021-12-28 | 深圳大学 | 复合材料及其制备方法、电催化水解制氢的方法 |
-
2022
- 2022-01-25 CN CN202210084778.XA patent/CN114411188B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN113846346A (zh) * | 2020-06-28 | 2021-12-28 | 深圳大学 | 复合材料及其制备方法、电催化水解制氢的方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN114411188A (zh) | 2022-04-29 |
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