CN108950481B - 一种应力调控催化剂薄膜电极及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明属于电催化材料领域，公开了一种应力调控催化剂薄膜电极及其制备方法和应用。将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比球磨混合，烧结，压制成La0.7Sr0.3CoO3靶材，然后通过脉冲激光溅射在沉积Au导电网络的SrTiO3(001)或LaAlO3(001)单晶衬底上沉积具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜，连接银导线后封装，得到所述催化剂薄膜电极。本发明利用衬底和薄膜晶格常数不匹配沉积得到应力差异的薄膜，从而调控电极的催化活性，具有制备方法简单，成本低的优势。

Description

一种应力调控催化剂薄膜电极及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于电催化材料领域，具体涉及一种应力调控催化剂薄膜电极及其制备方法和应用。
背景技术
化石燃料如石油、天然气和煤炭，是不可持续的，消耗迅速，是全球气候变化、有毒气体排放和环境恶化的主要原因。现代社会逐渐且不可避免地从化石燃料经济向清洁能源经济发展。大量科学和工程努力致力于提高各种电化学储能转换装置的活性和稳定性，最受广泛关注的器件如锂离子电池，超级电容器，低温燃料电池，储存氢气技术和金属空气电池，主要问题还是在于降低成本和提高稳定性，使技术在商业上可行。
高比重能量密度金属空气电池和高效低温燃料电池以及电解水制备氢气尚未成功地以广泛和成本有效的方式商业化。有几个可能的原因，包括制造成本高，效率低，操作稳定性低，所有这些都可以归结于组件材料开发问题。在这三种技术中的所有组件中，空气电极的氧催化剂是至关重要的，因为它是整个系统性能和成本的主要贡献者之一。因此，析氧催化材料的开发对于使这些技术提升到具有竞争力的商业地位是至关重要的。
迄今为止，基于贵金属及其合金(例如，IrO2，RuO2，Pt，Au，Pt-Au合金)的材料由于其电催化活性而广泛用作金属空气电池、低温燃料电池电解水产氢中的。然而，贵金属高成本合金对这些技术的大规模商业化是一个重大的限制。因此，为了克服这些挑战并开发稳定的催化剂，已经研究了各种非贵金属催化剂及其电催化活性。钙钛矿氧化物作为氧催化剂的首次应用出现在20世纪70年代。这种材料已经在实验室规模上展现出巨大的潜力，包括高的往返效率，一定程度的稳定性和高的本质活性，同时保持非常低的成本。此外，氧缺陷钙钛矿可以在富氧条件下用作储氧材料，并且在氧析出条件下用作氧供应。然而，在应用于工业之前，需要进一步改进活动和稳定性。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种应力调控催化剂薄膜电极的制备方法。
本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的催化剂薄膜电极。
本发明的再一目的在于提供上述催化剂薄膜电极在电解水中的应用。
本发明目的通过以下技术方案实现：
一种应力调控催化剂薄膜电极的制备方法，包括如下制备步骤：
(1)将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比球磨混合均匀，烧结得到La0.7Sr0.3CoO3粉末，然后在模具中压制成靶材；
(2)在SrTiO3(001)单晶衬底(STO)或LaAlO3(001)单晶衬底(LAO)上通过离子溅射沉积Au导电网络；
(3)以步骤(1)所得靶材在步骤(2)沉积Au导电网络的衬底上通过脉冲激光溅射沉积(PLD)得到与衬底具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜；
(4)将步骤(3)处理后的衬底上Au导电网络连接银导线，然后用环氧树脂包覆La0.7Sr0.3CoO3薄膜以外的部分，得到所述催化剂薄膜电极。
优选地，步骤(1)中所述烧结的温度为1100～1300℃。
优选地，步骤(2)中所述Au导电网络的厚度为5～10nm。
优选地，步骤(3)中所述脉冲激光溅射沉积(PLD)的参数为：衬底温度500～600℃，氧压150～250Pa，激光能量250～350mj，激光频率5～10Hz，沉积时间6～12min。
优选地，步骤(3)中所述La0.7Sr0.3CoO3薄膜的厚度为30nm～100nm。
一种应力调控催化剂薄膜电极，通过上述方法制备得到。
上述催化剂薄膜电极在电解水中的应用。
本发明的原理为：激光轰击(脉冲激光沉积)La0.7Sr0.3CoO3靶材，其羽辉在晶格常数不同的SrTiO3(001)单晶衬底(STO)或LaAlO3(001)单晶衬底(LAO)上由于晶格常数的不匹配沉积得到应力差异的薄膜。不同厚度的La0.7Sr0.3CoO3薄膜衬底，具有不同应力大小。在氧析出中的应用，得到的电极具有不同的氧析出催化活性，从而调控了同种催化剂同种环境下的催化效率，对于特定钙钛矿选择不同的适当的应力状态可以极大的发挥其催化活性。本发明所得催化剂薄膜电极，施加压缩应力对于其发挥析氧催化活性是最有益的。
本发明的制备方法及所得到的产物具有如下优点及有益效果：
(1)本发明利用衬底和薄膜晶格常数不匹配沉积得到应力差异的薄膜，从而调控电极的催化活性，具有制备方法简单，成本低的优势。
(2)本发明使用脉冲激光溅射沉积的方法，可以使用于几乎所有钙钛矿材料的性能调控和改性。
附图说明
图1为本发明实施例1～4所得催化剂薄膜电极的应力验证结果图。
图2为本发明实施例1～4所得催化剂薄膜电极的循环伏安曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例的一种应力调控催化剂薄膜电极的制备，具体制备步骤如下：
(1)将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比高速球磨12h混合均匀，1200℃马弗炉烧结得到La0.7Sr0.3CoO3粉末，然后在模具中压制成靶材；
(2)在LaAlO3(001)单晶衬底(LAO)上通过离子溅射沉积10nm Au导电网络；
(3)以步骤(1)所得靶材在步骤(2)沉积Au导电网络的衬底上通过脉冲激光溅射沉积(PLD)得到与衬底具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜；PLD的参数为：衬底温度600℃，氧压200Pa，激光能量300mj，激光频率5Hz，沉积时间3min，激光频率10Hz，沉积时间3min。所得La0.7Sr0.3CoO3薄膜的厚度为30nm；
(4)将步骤(3)处理后的衬底Au导电网络部分连接银导线，然后用环氧树脂包覆La0.7Sr0.3CoO3薄膜以外的部分，得到所述催化剂薄膜电极。
实施例2
本实施例的一种应力调控催化剂薄膜电极的制备，具体制备步骤如下：
(1)将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比高速球磨12h混合均匀，1200℃马弗炉烧结得到La0.7Sr0.3CoO3粉末，然后在模具中压制成靶材；
(2)在LaAlO3(001)单晶衬底(LAO)上通过离子溅射沉积10nm Au导电网络；
(3)以步骤(1)所得靶材在步骤(2)沉积Au导电网络的衬底上通过脉冲激光溅射沉积(PLD)得到与衬底具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜；PLD的参数为：衬底温度600℃，氧压200Pa，激光能量300mj，激光频率5Hz，沉积时间6min，激光频率10Hz，沉积时间6min。所得La0.7Sr0.3CoO3薄膜的厚度为100nm；
(4)将步骤(3)处理后的衬底Au导电网络部分连接银导线，然后用环氧树脂包覆La0.7Sr0.3CoO3薄膜以外的部分，得到所述催化剂薄膜电极。
实施例3
本实施例的一种应力调控催化剂薄膜电极的制备，具体制备步骤如下：
(1)将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比高速球磨12h混合均匀，1200℃马弗炉烧结得到La0.7Sr0.3CoO3粉末，然后在模具中压制成靶材；
(2)在SrTiO3(001)单晶衬底(STO)上通过离子溅射沉积10nm Au导电网络；
(3)以步骤(1)所得靶材在步骤(2)沉积Au导电网络的衬底上通过脉冲激光溅射沉积(PLD)得到与衬底具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜；PLD的参数为：衬底温度600℃，氧压200Pa，激光能量300mj，激光频率5Hz，沉积时间3min，激光频率10Hz，沉积时间3min。所得La0.7Sr0.3CoO3薄膜的厚度为30nm；
(4)将步骤(3)处理后的衬底Au导电网络部分连接银导线，然后用环氧树脂包覆La0.7Sr0.3CoO3薄膜以外的部分，得到所述催化剂薄膜电极。
实施例4
本实施例的一种应力调控催化剂薄膜电极的制备，具体制备步骤如下：
(1)将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比高速球磨12h混合均匀，1200℃马弗炉烧结得到La0.7Sr0.3CoO3粉末，然后在模具中压制成靶材；
(2)在SrTiO3(001)单晶衬底(STO)上通过离子溅射沉积10nm Au导电网络；
(3)以步骤(1)所得靶材在步骤(2)沉积Au导电网络的衬底上通过脉冲激光溅射沉积(PLD)得到与衬底具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜；PLD的参数为：衬底温度600℃，氧压200Pa，激光能量300mj，激光频率5Hz，沉积时间6min，激光频率10Hz，沉积时间6min。所得La0.7Sr0.3CoO3薄膜的厚度为100nm；
(4)将步骤(3)处理后的衬底Au导电网络部分连接银导线，然后用环氧树脂包覆La0.7Sr0.3CoO3薄膜以外的部分，得到所述催化剂薄膜电极。
对以上实施例1～4所得催化剂薄膜电极进行应力验证，结果如图1所示。001及002对应于衬底和薄膜的晶格的001面和002面，La0.7Sr0.3CoO3的峰以劈裂的形式出现在衬底的主峰上，说明薄膜与衬底晶格取向面是平行的，是一种外延生长的状态。实施例1中La0.7Sr0.3CoO3的峰(001LSC,002LSC)在主峰(001LAO,002LAO)左边，说明La0.7Sr0.3CoO3为压缩应力状态；实施例2也是压缩状态，但是由于其峰位较于实施例1更右，说明其压缩应力小于实施例1；实施例3中La0.7Sr0.3CoO3的峰(001LSC,002LSC)在主峰(001STO,002STO)右边，说明La0.7Sr0.3CoO3为拉伸应力状态；实施例4也是拉伸状态，但是由于其峰位较于实施例3更左，说明其拉伸应力小于实施例3。
对以上实施例1～4所得催化剂薄膜电极进行催化性能测试：
(1)将分析纯KOH与高纯水配制0.1mol/L的电解液，通入高纯氧至电解液氧饱和；
(2)在步骤(1)制备的普通电解液中放入以上实施例1～4所得催化剂薄膜电极，进行1.2～2.0V电压范围循环伏安法测试。
所得催化剂薄膜电极的循环伏安曲线图如图2所示(实施例1和实施例2为同一应力状态(压缩)，不同薄膜厚度的La0.7Sr0.3CoO3电极。实施例3和实施例4为同一应力状态(拉伸)，不同薄膜厚度的La0.7Sr0.3CoO3电极)。由图2结果可见，在不同应力条件情况下，实施例1和实施例3对比，实施例1(压缩)较于实施例3(拉伸)有着更低的氧析出电位，即更低的电位下就会有氧析出电流，这样电的利用更为经济，并且在同一电位下，实施例1(压缩)较于实施例3(拉伸)电流密度更大，说明氧的产率更高。同样的，实施例2和实施例4对比，虽然薄膜厚度变大，导致电荷传导阻力更大，但是其趋势也说明了压缩应力下拥有更高的氧析出催化活性。印证了通过不同应力状态调控电极的催化活性。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种应力调控催化剂薄膜电极在电解水中的应用，其特征在于：所述应力调控催化剂薄膜电极通过如下方法制备得到：
(1)将碳酸锶、氧化镧和氧化钴按La0.7Sr0.3CoO3的化学计量比球磨混合均匀，烧结得到La0.7Sr0.3CoO3粉末，然后在模具中压制成靶材；
(2)在SrTiO3(001)单晶衬底或LaAlO3(001)单晶衬底上通过离子溅射沉积Au导电网络；
(3)以步骤(1)所得靶材在步骤(2)沉积Au导电网络的衬底上通过脉冲激光溅射沉积得到与衬底具有应力差异的La0.7Sr0.3CoO3薄膜；
(4)将步骤(3)处理后的衬底上Au导电网络连接银导线，然后用环氧树脂包覆La0.7Sr0.3CoO3薄膜以外的部分，得到所述催化剂薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的一种应力调控催化剂薄膜电极在电解水中的应用，其特征在于：步骤(1)中所述烧结的温度为1100～1300℃。
3.根据权利要求1所述的一种应力调控催化剂薄膜电极在电解水中的应用，其特征在于：步骤(2)中所述Au导电网络的厚度为5～10nm。
4.根据权利要求1所述的一种应力调控催化剂薄膜电极在电解水中的应用，其特征在于：步骤(3)中所述脉冲激光溅射沉积的参数为：衬底温度500～600℃，氧压150～250Pa，激光能量250～350mj，激光频率5～10Hz，沉积时间6～12min。
5.根据权利要求1所述的一种应力调控催化剂薄膜电极在电解水中的应用，其特征在于：步骤(3)中所述La0.7Sr0.3CoO3薄膜的厚度为30nm～100nm。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110144600A (zh) * 2019-05-21 2019-08-20 华南理工大学 一种平板式高性能薄膜电催化工作电极及制备与应用
CN110318067A (zh) * 2019-07-09 2019-10-11 清华大学 可回收利用的电催化电极、制备和回收方法
CN112144111A (zh) * 2020-09-30 2020-12-29 深圳大学 一种相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法
CN113046693A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 青岛大学 一种基于挠曲电效应的自供电型光电探测器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3974807B2 (ja) * 2001-04-16 2007-09-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ２重層ペロブスカイト酸化物電極を有する電界効果トランジスタ構造及びその形成方法
CN101845306A (zh) * 2010-03-31 2010-09-29 天津大学 La1-xSrxCoO3钙钛矿催化剂的制备及应用
CN107740050A (zh) * 2017-11-24 2018-02-27 深圳大学 一种调控镧锶锰氧薄膜泊松比的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3974807B2 (ja) * 2001-04-16 2007-09-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ２重層ペロブスカイト酸化物電極を有する電界効果トランジスタ構造及びその形成方法
CN101845306A (zh) * 2010-03-31 2010-09-29 天津大学 La1-xSrxCoO3钙钛矿催化剂的制备及应用
CN107740050A (zh) * 2017-11-24 2018-02-27 深圳大学 一种调控镧锶锰氧薄膜泊松比的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Sensing properties of perovskite oxide La1-xSrxCoO3-δ obtained by using pulsed laser deposition";Dam T.V.Anh et.al.;《European conference on solid-state transducers》;20030930;第366-367页 *
"Strain-induced high coercivity in La0.7Sr0.3CoO3 films";X.Y.Zhao et al.;《IEE transactions on magnetic》;20151022;第51卷(第11期);第1-4页 *
"The modulation of oxygen vacancies by the combined current and temperature cycling in La0.7Sr0.3CoO3 films";J Li et al.;《AIP Advances》;20180116;第056435-1-056435-6页 *
"Water electrolysis on La1-xSrxCoO3-δ perovskite electrocatalysts";J.Tyler Mefford et al.;《Nature Communications》;20160323;第1-11页 *

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