CN114410096A - 一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃pc光学薄膜材料及其制备方法 - Google Patents
一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃pc光学薄膜材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114410096A CN114410096A CN202111135012.1A CN202111135012A CN114410096A CN 114410096 A CN114410096 A CN 114410096A CN 202111135012 A CN202111135012 A CN 202111135012A CN 114410096 A CN114410096 A CN 114410096A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cobalt
- montmorillonite
- containing organic
- organic montmorillonite
- film material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2369/00—Characterised by the use of polycarbonates; Derivatives of polycarbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/011—Nanostructured additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/346—Clay
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及一种有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料及其制备方法。其特征在于它由有机蒙脱土与PC树脂共混、熔融挤出制备而成。改性方法为:一、利用环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性钠基蒙脱土。二、将含钴有机蒙脱土与PC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。本发明的优点在于:本专利制备的含钴有机蒙脱土能在不影响PC树脂光学性能的基础上,同时提高PC树脂的耐热老化、阻燃和力学性能,制备得到一种具有良好的耐热老化性能、阻燃性能和力学性能的PC光学薄膜材料。制备方法环保、制备过程简单、成本相对低廉、设备要求低,能广泛用于光学薄膜材料领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料及其制备方法,属于高分子材料领域。
背景技术
聚碳酸酯(Polycarbonate,简称PC)是一种综合性能优良的热塑性工程塑料,但由于分子链结构中存在敏感的碳酸酯键,在高温加工过程中很容易发生老化降解,导致聚碳酸酯发生黄变和力学性能衰减。聚碳酸酯在燃烧时会滴下热熔体,引起附近的材料着火,因此其阻燃改性十分重要。同时,力学性能的不足限制了聚碳酸酯在许多领域的应用。
为了提高聚碳酸酯的耐高温黄变性能、阻燃性能和力学性能,需对聚碳酸酯进行改性。
提高聚碳酸酯的耐高温黄变性能常用添加抗氧化物质的方法,如:杨伟夺等用硅橡胶改性聚碳酸酯,提高了聚碳酸酯的低温韧性和热处理后的韧性保持率,耐老化性能优异;孙腾加入抗氧剂有效降低了聚碳酸酯的泛黄程度,其中以抗氧剂168的效果最佳,黄色指数可降至13%,透明度高达 99.6%,溶液色差为0.51%;严谨等发现亚磷酸酯抗氧剂通过抑制碳酸酯键的断链反应,能有效提高PC的色泽稳定性。受阻酚抗氧剂上的酚羟基不利于碳酸酯键的热稳定,易导致其发生断链反应,但却有助于异亚丙基键的热稳定化;中国专利CN110144106A加入苯甲酰氧基苯甲酸苄酯和己二酸二酰肼改性聚碳酸酯,两者的加入可以有效延缓聚碳酸酯的热老化和紫外线老化,制得了一种防黄变性能优异的聚酯复合材料;中国专利CN104292787A以复合抗氧剂k21制备了一种高抗冲耐老化抗静电透明聚碳酸酯聚合物,其原料配方由复合抗氧剂、增韧剂、紫外线吸收剂、聚碳酸酯、抗静电剂、抗静电剂组成;中国专利CN107619590A添加亚磷酸酯类抗氧剂制备了一种耐黄变纳米银抗菌聚碳酸酯材料及其成型品,使得聚碳酸酯树脂在300℃-330℃的加工条件下耐黄变性能提升明显。
提高聚碳酸酯的阻燃性能常用添加阻燃物质对聚碳酸酯进行改性。如:蒋季成等人用含硅环的三磷腈衍生物对聚碳酸酯进行改性,结果发现,当添加3份HSPCTP时,复合材料的LOI值达到28.4%,并可以通过UL 94 V–0等级测试;张丽丽等用以苯基膦酰二氯和哌嗪为原料合成了一种新型大分子含磷氮阻燃剂-聚苯基磷酰哌嗪并用于聚碳酸酯的阻燃研究,当添加量为7%时,聚碳酸酯的极限氧指数为34.8%;JP2020111668A用缩合磷酸酯改性聚碳酸酯,制备了一种耐热性、耐热变色性优异的阻燃性聚碳酸酯树脂组合物;中国专利CN103087491A用含钴有机蒙脱土作为阻燃剂添加到聚碳酸酯中,制备了一种阻燃性能优异的树脂组合物;中国专利CN104419176A采用磺酸盐无卤阻燃剂与含钴有机蒙脱土协同阻燃,制得阻燃性达UL-94V-0级和防止熔滴落等性能的阻燃聚碳酸酯复合材料。
提高聚碳酸酯的力学性能常用添加聚合物或纳米粒子的方法。如:张定文用马来酸酐接枝PP/POE共混物对聚碳酸酯改性,但其尖锐缺口冲击强度由46提高到471 ,断裂伸长率由 PC的88.5%提高到112.0%,断裂强度也略有提高,加工性能比纯聚碳酸酯大为改善。可明显提高聚碳酸酯的缺口冲击强度;蒋季成等人用含硅环的三磷腈衍生物对蒙脱土进行改性,结果发现,当添加3份HSPCTP时,复合材料的LOI值达到28.4%并可以通过,断裂伸长率和冲击强度分别比纯PC提高了174%和135%;中国专利CN100374504C公开了一种聚碳酸酯/蒙脱土纳米复合材料,该复合材料的力学性能得到显著的提高,化学性能如耐应力开裂性能大幅度改善;中国专利CA2538891A1公开了一种增强热塑性模塑组合物,该组合物的的热稳定性和冲击强度提升明显。
上述改性方法提升某一性能的同时,往往会导致其它性能的劣化。本专利提供了一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料及其制备方法,利用环氧基三苯基氯化磷改性蒙脱土,再用有机改性蒙脱土改性PC,制得耐热老化阻燃的PC光学薄膜材料,PC的耐热老化、阻燃和力学性能同时提高。制备的新型PC光学薄膜材料具有高透光性、低雾度、高耐热老化、阻燃和力学性能优良等优点,且制备过程无有毒有害物质排放、绿色环保、工艺简单、设备要求低、成本低。
发明内容
本发明的目的是:针对目前PC材料耐老化剂仅能提供单一性能的不足,本专利提供一种含环氧基蒙脱土改性的PC光学薄膜材料的制备方法,其具有能同时提高PC树脂耐热老化、阻燃和力学性能的特点,且不影响PC光学薄膜材料的光学性能。本专利首先利用环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性蒙脱土,制备一种含有磷和环氧基的具有优异耐高温性能的含钴有机蒙脱土,改性蒙脱土共混改性的PC聚酯材料具有良好的耐热老化、阻燃和力学性能。
本发明的原理和优点是:用环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性蒙脱土后,制得的含钴有机蒙脱土其纳米片层表面含有大量的环氧官能团,能与聚碳酸酯受热分解产生的羧基自由基反应,抑制PC受热后分子断链反应的进行;环氧基还能与聚碳酸酯分解产生的小分子双酚A反应,阻止显色官能团的生成;含有环氧基的蒙脱土在体系中起交联点的作用,增加分子间作用力,降低了聚碳酸酯分子链的断裂几率;三者的共同作用提高PC的耐老化性能。而钴在PC加工过程中可以起到遮黄作用,提升PC的耐黄变能力。
含钴有机蒙脱土中含有的磷元素能提高聚碳酸酯的阻燃性能;同时,蒙脱土的纳米片层结构能阻挡氧气的进入,阻挡PC受热降解产生的小分子挥发,延缓燃烧过程的继续进行;纳米蒙脱土的存在能阻止燃烧时高温导致的分子链的回缩,提高聚碳酸酯的抗滴落性能。纳米蒙脱土与P的协效作用能进一步提高PC的阻燃性能。
含钴有机蒙脱土上负载的环氧基可与PC分子链两端的羟基发生化学反应,因而增加了含钴有机蒙脱土与PC的相容性,提高了蒙脱土在PC树脂中的分散性,降低了蒙脱土的片层厚度,因而还能提高PC的耐热性能和力学性能,对PC材料的透光率、雾度等光学性能影响较小。
本发明的内容是:一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料,其特征是它由含钴有机蒙脱土与PC树脂共混、熔融挤出制备而成,所述各原料的用量为:含钴有机蒙脱土0.5~7.5wt%,PC树脂92.5~99.5wt%。所述含钴有机蒙脱土是由环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性钠基蒙脱土得到,所述树脂是双酚A型聚碳酸酯。
本发明的第二个内容是:一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料的制备方法。其特征在于包含以下步骤:
(1)含钴有机蒙脱土的制备:将钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴按比例溶解于蒙脱土上层悬浮液,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为室温~90℃的条件下搅拌反应1~5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到由环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)PC光学薄膜材料的制备:将0.5~7.5wt%步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与92.5~99.5wt%PC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。
本发明的优点是:本专利是用环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性蒙脱土后,制得含钴有机蒙脱土,其纳米片层表面含有大量的环氧基官能团,能与聚碳酸酯受热分解产生的羧基自由基反应,抑制PC受热后分子断链反应的进行;环氧基还能与聚碳酸酯分解产生的小分子双酚A反应,阻止显色官能团的生成;含有环氧基的蒙脱土在体系中起交联点的作用,增加分子间作用力,降低了聚碳酸酯分子链的断裂几率;三者的共同作用提高PC的耐老化性能。
有机蒙脱土中含有的钴根据色光加色法原理,在PC加工过程中可以起到遮黄作用,提升PC的耐黄变能力;钴元素是通过阳离子交换形式化学结合于蒙脱土片层上,不引入对PC老化等性能有损的阴离子,且能牢固结合在蒙脱土中,不易迁移损耗,耐黄变能力持久。
含钴有机蒙脱土中含有的磷元素能提高聚碳酸酯的阻燃性能,钴元素可在PC高温燃烧时催化成碳,提高阻燃性能;同时,蒙脱土的纳米片层结构能阻挡氧气的进入,阻挡PC受热降解产生的小分子挥发,延缓燃烧过程的继续进行;纳米蒙脱土的存在能阻止燃烧时高温导致的分子链的回缩,提高聚碳酸酯的抗滴落性能,且纳米蒙脱土与P的协效作用能进一步提高PC的阻燃性能;钴元素可在PC高温燃烧时催化成碳,进一步提高PC的阻燃性。
含钴有机蒙脱土上负载的环氧基可与PC分子链两端的羟基发生化学反应,因而增加了含钴有机蒙脱土与PC的相容性,提高了蒙脱土在PC树脂中的分散性,降低了蒙脱土的片层厚度,因而还能提高PC的耐热性能和力学性能,对PC材料的透光率、雾度等光学性能影响较小。
本专利制备的含钴有机蒙脱土中含有磷和环氧基,在不影响PC树脂光学性能的基础上,能同时提高PC树脂的耐热老化、阻燃和力学性能,制备得到一种具有良好的耐热老化性能、阻燃性能和力学性能的PC光学薄膜材料。且制备过程无有毒有害物质排放、绿色环保、工艺简单、设备要求低、成本低,能广泛用于PC光学薄膜材料领域。
具体实施例
下面通过具体实施例对本发明进行进一步说明,但下列实施例仅用于帮助对本发明技术的理解目的,不得以此作为对本发明保护范围的进一步限制。
为说明实施例的实施效果,将实施例制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。
蒙脱土中有机物的负载量通过热失重TGA进行测试;薄膜的黄变指数(YI)按照GB/T 39822-2021方法进行测试,测试光源为CIE标准光源D65;将PC材料反复通过双螺杆挤出机挤出、造粒,并制备成薄膜,测试不同挤出次数对薄膜材料黄变指数(YI)的影响,判断PC薄膜材料的耐热老化性能;PC薄膜的极限氧指数采用GB/T 2406.1-2008;垂直燃烧等级根据GB/T 2408-2008进行测试;PC薄膜透光率和雾度按照GB/T 2410-2008方法测定;PC薄膜的拉伸强度Rm按照GB/T 1040.3-2006方法进行测定。
具体实施例1
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为室温的条件下搅拌反应1h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表1。
具体实施例2
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为40℃的条件下搅拌反应1h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表1。
具体实施例3
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应1h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表1。
具体实施例4
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为80℃的条件下搅拌反应1h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表1。
具体实施例5
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为90℃的条件下搅拌反应1h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表1。
表1 改性温度对聚碳酸酯材料性能的影响
通过分析实施例1-4可以得出改性温度对含钴有机蒙脱土的有机物负载量具有较大影响。反应温度为室温时,温度过低环氧丙基三苯基氯化磷的交换能力较弱改性效果较差,蒙脱土片层的尺寸较大导致PC树脂的光学性能变差。当反应温度为90℃时,反应温度过高导致环氧丙基三苯基氯化磷易从蒙脱土片层中脱附到水中,使得含钴有机蒙脱土的有机物负载量降低,改性效果较差。由表1可知,最佳的改性温度为60℃,在保证反应速率的同时还不会导致改性剂的大量脱附,PC树脂的光学性能最好。
具体实施例6
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应2h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表2。
具体实施例7
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应3h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980g PC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表2。
具体实施例8
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表2。
具体实施例9
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷15.75g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表2。
表2改性时间对聚碳酸酯材料性能的影响
通过分析实施例6-9和实施例3可以得出改性时间对含钴有机蒙脱土的有机物负载量的影响不大。反应时间为1h时,反应时间过短阳离子交换反应未能充分进行,改性效果较差,颗粒尺寸较大PC树脂的光学性能较差。当反应时间为5h时,反应时间过长,改性效果无明显进步。由表2可知,最佳的改性时间为4h,在保证反应充分进行的同时,还能减少反应时间避免时间过长导致的改性效果变差的问题。
具体实施例10
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表3。
具体实施例11
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷31.5g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表3。
具体实施例12
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷39.38g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表3。
具体实施例13
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷47.25g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表3。
表3季鏻盐用量对聚碳酸酯材料性能的影响
通过分析实施例10-13和实施例8可以得出随着改性剂用量的增加,含钴有机蒙脱土中的有机物负载量急剧增大,这是因为在一定温度下改性剂在水中的溶解度是恒定不变的,当改性剂的量过多时根据相似相溶原理,其会大量吸附在蒙脱土片层中,导致蒙脱土的有机物负载量急剧增加,与聚合物的相容性增大,PC树脂的光学性能增加。当改性剂过多时在季鏻盐会进入基质当中并与大分子链末端的官能团反应进入分子链中,不会对聚合物的光学性能造成较大影响。由表3可知,改性剂的最佳用量为23.6g。
具体实施例14
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.09g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表4。
具体实施例15
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.27g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表4。
具体实施例16
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.36g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980g PC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表4。
具体实施例17
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.42g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表4。
表4 氯化钴用量对聚碳酸酯性能的影响
通过分析实施例10-13和实施例8可以得出随着氯化钴用量的增加,PC树脂的光学性能没有明显提升,这是因为,钴与钠基蒙脱土中的阳离子的交换能力较弱,当氯化钴添加量升高的时候蒙脱土中含钴量不会有较大提升。所以,当氯化钴用量上升的时候,PC树脂的光学性能没有较大提升。
具体实施例18
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.18g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将10g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1990gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表5。
具体实施例19
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.18g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将50g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1950gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表5。
具体实施例20
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.18g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将100g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1900gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表5。
具体实施例21
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g和氯化钴0.18g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为60℃的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机蒙脱土;
(2)将150g步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与1850gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表5。
表5 含钴有机蒙脱土的用量对聚碳酸酯材料性能的影响
具体实施例14和18-21反映了不同含钴有机蒙脱土含量对PC聚酯材料性能的影响,随着含钴有机蒙脱土含量的增加PC耐热老化高阻燃高强度聚酯材料的性能均有不同程度的提升。但是,当蒙脱土含量过高时,虽然阻燃性能继续增加,但光学性能和力学性能下降明显。根据上表可知,具体实施例14的综合性能最佳。
具体实施例22
将根据实施例14制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料再用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥1次,得到挤出两次的含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
具体实施例23
将根据实施例14制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料再用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥2次,得到挤出三次的含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
具体实施例24
将根据实施例14制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料再用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥3次,得到挤出四次的含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
具体实施例25
将根据实施例14制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料再用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥4次,得到挤出五次的含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
具体实施例26
将根据实施例14制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料再用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥5次,得到挤出六次的含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
具体实施例27
将根据实施例14制备的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料再用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥6次,得到挤出七次的含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
为了说明本发明的优势,本文将以对比实施例对本发明进行阐述。
对比实施例1
将2000g纯PC树脂通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
对比实施例2
将2000gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到纯PC树脂挤出材料。将纯PC树脂挤出材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。具体性能见表6。
对比实施例3
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为室温的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷改性的有机改性蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的有机蒙脱土与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。
对比实施例4
(1)将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与环氧丙基三苯基氯化磷23.6g共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为室温的条件下搅拌反应4h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷改性的有机改性蒙脱土;
(2)将20g步骤(1)制备的有机蒙脱土和0.18g氯化钴与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。
对比实施例5
将20g未处理的蒙脱土和0.18g氯化钴与1980gPC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。将耐热老化阻燃PC光学薄膜材料通过单螺杆挤出机熔融挤出、流延铸片、拉伸、定型,制备得到厚度为100μm的PC薄膜。
表5挤出次数对聚碳酸酯材料性能的影响
通过分析具体实施例14和22-27可以得知,随着挤出次数的增加PC聚酯材料的各项性能均有不同程度的降低,当挤出次数达到五次后与纯聚碳酸酯挤出料的性能相接近。挤出次数增加后,含钴有机蒙脱土在PC树脂中的分散性更好,透光率和雾度有些许提升,但挤出次数过多后,PC树脂出现一定程度的降解,导致PC光学薄膜的力学性能有轻微下降。通过对比例3-4和具体实施例14可知,阳离子交换法添加的氯化钴能提高PC树脂的耐黄变性能和阻燃性能,并且,不会对PC树脂的光学性能和力学性能造成劣化。而共混法添加的氯化钴虽能提高PC树脂的耐黄变性能和阻燃性,但对PC树脂的光学性能和力学性能有一定损害。
本专利用环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性蒙脱土后,制得的含钴有机蒙脱土其片层表面含有大量的环氧官能团,能与聚碳酸酯受热分解产生的羧基自由基反应,抑制PC受热后分子断链反应的进行;环氧基还能与聚碳酸酯分解产生的小分子双酚A反应,阻止显色官能团的生成;含有环氧基的蒙脱土在体系中起交联点的作用,增加分子间作用力,降低了聚碳酸酯分子链的断裂几率;三者的共同作用提高PC的耐老化性能。
含钴有机蒙脱土中含有的磷元素能提高聚碳酸酯的阻燃性能;同时,蒙脱土的纳米片层结构能阻挡氧气的进入,阻挡PC受热降解产生的小分子挥发,延缓燃烧过程的继续进行;纳米蒙脱土的存在能阻止燃烧时高温导致的分子链的回缩,提高聚碳酸酯的抗滴落性能。纳米蒙脱土与P的协效作用能进一步提高PC的阻燃性能。
含钴有机蒙脱土上负载的环氧基可与PC分子链两端的羟基发生化学反应,增加了含钴有机蒙脱土与PC的相容性,提高了蒙脱土在PC树脂中的分散性,降低了蒙脱土的片层厚度,因而还能提高PC的耐热性能和力学性能,对PC材料的透光率、雾度等光学性能影响较小。因此,本专利成功制备了一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。
本发明各原料的上下限、区间取值,以及工艺参数的上下限、区间取值都能实现本发明,在此处不一一列举实例。
Claims (3)
1.一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料,其特征是它由含钴有机蒙脱土与PC树脂共混、熔融挤出制备而成,所述各原料的用量为:含钴有机蒙脱土0.5~7.5wt%,PC树脂92.5~99.5wt%。
2.根据权利要求1所述的有机蒙脱土是由环氧丙基三苯基氯化磷改性钠基蒙脱土得到,所述树脂是双酚A型聚碳酸酯。
3.根据权利要求1所述的一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料的制备方法,其特征在于它包含以下步骤:
(1)含钴有机蒙脱土的制备:将45g钠基蒙拓土与800mL蒸馏水混合后进行超声分散30min,超声分散结束后静置5-10min,除去底部沉淀物。将上层悬浮液与15-60g环氧丙基三苯基氯化磷和0.09-0.42g氯化钴共混,后加入到砂磨机中研磨2h,将砂磨后得到的悬浮液在温度为室温~90℃的条件下搅拌反应1~5h,抽滤,用蒸馏水洗涤至滤液中无氯离子,将过滤物与蒸馏水混合均匀后用冷冻干燥机烘干,将干燥产物研磨,过200目筛网,制备得到环氧丙基三苯基氯化磷和氯化钴改性的含钴有机改性蒙脱土;
(2)PC光学薄膜材料的制备:将0.5~7.5wt%步骤(1)制备的含钴有机蒙脱土与92.5~99.5wt%PC树脂用高速混合机共混后,用双螺杆挤出机熔融挤出、造粒、干燥后得到含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃PC光学薄膜材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111135012.1A CN114410096B (zh) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃pc光学薄膜材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111135012.1A CN114410096B (zh) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃pc光学薄膜材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114410096A true CN114410096A (zh) | 2022-04-29 |
CN114410096B CN114410096B (zh) | 2023-09-22 |
Family
ID=81260560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111135012.1A Active CN114410096B (zh) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃pc光学薄膜材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114410096B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3869540A (en) * | 1973-05-25 | 1975-03-04 | Fmc Corp | Montmorillonite clay catalysts for the production of phosphonitrilic chloride |
US20050181275A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Jang Bor Z. | Open electrochemical cell, battery and functional device |
KR20050114459A (ko) * | 2004-06-01 | 2005-12-06 | 주식회사 엘지화학 | 몬모릴로나이트를 포함하는 폴리카보네이트/에이비에스수지 나노복합재 |
EP2266786A1 (de) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | GKSS-Forschungszentrum Geesthacht GmbH | Herstellung von Verbundwerkstoffen aus Nanokompositen |
CN103923450A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-07-16 | 宁波泛塑新材料科技有限公司 | 金属离子处理蒙脱土协效阻燃pc/abs合金材料及其制备方法 |
CN104419176A (zh) * | 2013-09-05 | 2015-03-18 | 青岛欣展塑胶有限公司 | 无卤阻燃聚碳酸酯(pc)复合材料及其制备方法 |
KR20170096603A (ko) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 한국생산기술연구원 | 표면개질된 충전제, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물 및 이의 용도 |
CN112980162A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-18 | 西南科技大学 | 一种蒙脱土改性pet耐高温光学聚酯材料及其制备方法 |
-
2021
- 2021-09-27 CN CN202111135012.1A patent/CN114410096B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3869540A (en) * | 1973-05-25 | 1975-03-04 | Fmc Corp | Montmorillonite clay catalysts for the production of phosphonitrilic chloride |
US20050181275A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Jang Bor Z. | Open electrochemical cell, battery and functional device |
KR20050114459A (ko) * | 2004-06-01 | 2005-12-06 | 주식회사 엘지화학 | 몬모릴로나이트를 포함하는 폴리카보네이트/에이비에스수지 나노복합재 |
EP2266786A1 (de) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | GKSS-Forschungszentrum Geesthacht GmbH | Herstellung von Verbundwerkstoffen aus Nanokompositen |
CN104419176A (zh) * | 2013-09-05 | 2015-03-18 | 青岛欣展塑胶有限公司 | 无卤阻燃聚碳酸酯(pc)复合材料及其制备方法 |
CN103923450A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-07-16 | 宁波泛塑新材料科技有限公司 | 金属离子处理蒙脱土协效阻燃pc/abs合金材料及其制备方法 |
KR20170096603A (ko) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 한국생산기술연구원 | 표면개질된 충전제, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물 및 이의 용도 |
CN112980162A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-18 | 西南科技大学 | 一种蒙脱土改性pet耐高温光学聚酯材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
DE-YI WANG,ET AL.: ""Nonisothermal Crystallization Behaviors of Flame-Retardant Copolyester/Montmorillonite Nanocomposites"" * |
ZHIYI ZHANG,ET AL.: ""Toughening of Polycarbonate with Organic-Inorganic Hybrid Materials"" * |
田素燕,等: ""钴掺杂蒙脱土改性材料的制备及吸附机理的研究"" * |
许远远,等: ""有机改性蒙脱土对无卤阻燃PC/ABS 合金的影响"" * |
阮康杰,等: ""改性硅灰石对可陶瓷化硅橡胶复合材料性能的影响"" * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114410096B (zh) | 2023-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108148391B (zh) | 一种抗紫外无卤阻燃pc/abs合金及其制备方法 | |
CN105385133A (zh) | 无卤阻燃pc增强材料及其制备方法和在制备电表外壳中的应用 | |
CN112538252B (zh) | 一种透明耐水解耐候的无卤阻燃聚碳酸酯复合材料 | |
CN110229491A (zh) | 一种透明的无卤阻燃聚碳酸酯的复合材料及其制备方法 | |
CN109369958B (zh) | 一种有机修饰磷酸锆的制备方法及其应用 | |
CN114426760A (zh) | 耐水解的聚酯基复合材料及其制备方法 | |
CN110643165A (zh) | 高性能抗紫外环保阻燃pc/abs复合材料及制备方法 | |
CN112457575A (zh) | 一种聚丙烯无卤阻燃材料及其制备方法 | |
CN114410096A (zh) | 一种含钴有机蒙脱土改性的耐热老化阻燃pc光学薄膜材料及其制备方法 | |
CN116574336A (zh) | 一种抗紫外无卤阻燃tpv电缆料及其制备方法 | |
CN112795145B (zh) | 一种不含锑白的高gwit溴系阻燃pbt及其制备方法和应用 | |
CN112940351B (zh) | 一种纳米纤维素-防老剂复合微球、防止外观泛彩的橡胶组合物及其制备方法 | |
CN110698831A (zh) | 高填充高抗冲高耐候环保阻燃pc/abs复合材料 | |
CN114773798B (zh) | 一种高冲击、长效耐黄变的pbt增强阻燃复合材料及其制备方法和应用 | |
CN113105734B (zh) | 耐候、高韧性、耐磨、阻燃合金塑料材料的制备方法 | |
CN113881178B (zh) | 一种耐候阻燃聚甲基丙烯酸甲酯复合材料及其制备方法和应用 | |
CN117447788B (zh) | 一种光伏电缆用低烟无卤阻燃电缆料及其制备方法 | |
CN114292507B (zh) | 一种有机蒙脱土改性的阻燃性pc材料及其制备方法 | |
CN110591267A (zh) | 耐候性优异低烟环保5va级阻燃asa材料及其制备方法 | |
CN110643164A (zh) | 一种pc/petg合金材料及其制备方法 | |
CN115232458B (zh) | 一种阻燃抗菌透明pc树脂组合物及其制备方法 | |
CN114369328B (zh) | 一种低烟耐老化交联弹性体及其制备方法 | |
CN114230985B (zh) | 一种高阻燃性、耐析出的无卤阻燃增强pbt材料及其制备方法 | |
CN113061297B (zh) | 一种用于热水管道的聚乙烯树脂组合物及制备方法 | |
CN111621125B (zh) | 一种高性能增强型无卤无红磷阻燃pbt工程塑料材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |