CN114405918B - 再生蚀刻机或pecvd设备的衬里的方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法,该方法包括以下连续步骤:(a)用软质擦拭物对所述衬里的表面进行湿式研磨;(b)任选地,在40‑60℃下,用中性脱脂剂清洗所述衬里的表面;(c)任选地,在40‑60℃下,用浓度为0.05重量%‑5重量%的柠檬酸溶液清洗所述衬里的表面;和(d)干燥所述衬里的表面。本申请能够实现简化蚀刻机或PECVD设备的衬里的再生工艺、提高其再生次数并有效降低生产成本。
Description
技术领域
本申请涉及蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面处理技术领域,更特别涉及再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法。
背景技术
蚀刻机或PECVD设备的衬里(又称LINER)是用于保护蚀刻机腔体内部免受等离子腐蚀的装置。实际应用中,由于铝合金具备质量轻和含性能良好的氧化膜的优点,通常使用铝合金材质并进行精密的阳极氧化处理(形成氧化膜,又称皮膜)以用作蚀刻机或PECVD设备的衬里。然而,由于蚀刻机腔体内部腐蚀性的气体作用,会导致蚀刻机或PECVD设备的衬里皮膜被持续刻蚀,以致逐渐失去保护作用。
因此,当蚀刻机或PECVD设备的衬里使用寿命到期后,就需要重新进行表面工程,生成全新的阳极皮膜,此过程称之为蚀刻机或PECVD设备的衬里的再生。现有技术中,该再生过程一般由剥离皮膜、研磨、遮蔽、阳极氧化、烘干等步骤组成,其实际上与新品蚀刻机或PECVD设备的衬里的生产工艺基本相同,仅仅是增加了剥离氧化膜的工序。然而,由于蚀刻机或PECVD设备的衬里对其厚度稳定性以及其所含的孔(一般为数个或数十个)的尺寸稳定性(防止造成装配间隙)有较高的要求,随着上述再生次数的增加,衬里厚度会不断变薄且孔的尺寸会不断扩张,直到不符合安装标准并报废。一般地,使用上述现有技术的再生方法,会逐步导致蚀刻机或PECVD设备的衬里的厚度或孔尺寸的较大幅度的变化,因此再生次数一般最多仅为10次左右且使用成本很高。
因此,非常需要开发一种新的再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法和设备,以简化再生工艺、提高再生次数并有效降低生产成本。
发明内容
通过提供一种新的再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法和设备,其能够实现简化再生工艺、提高再生次数并有效降低生产成本。
根据本申请的第一方面,其提供再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法,该方法包括以下连续步骤:
(a)用软质擦拭物对所述衬里的表面进行湿式研磨;
(b)任选地,在40-60℃下,用中性脱脂剂清洗所述衬里的表面;
(c)任选地,在40-60℃下,用浓度为0.05重量%-5重量%的柠檬酸溶液清洗所述衬里的表面;和
(d)干燥所述衬里的表面。
在一个优选实施方案中,所述步骤(a)中的软质擦拭物为目数不小于1000#的多孔织物。
在一个更优选实施方案中,所述多孔织物为百洁布或羊绒布或海绵砂。
在一个优选实施方案中,所述步骤(a)中的湿式研磨采用手动和/或机械驱动进行,优选采用机械驱动进行,更优选采用手持式高速气动研磨机进行。
在一个更优选实施方案中,所述手持式高速气动研磨机的空载转速为8000-13000转/分钟和/或工作压力为7-8kg,进一步优选为12000转/分钟和/或工作压力为7.5kg。
在一个优选实施方案中,所述步骤(a)中的湿式研磨使用去离子水进行。
在一个更优选实施方案中,所述步骤(a)中的湿式研磨使用超纯水进行。
在一个优选实施方案中,所述步骤(a)进行3-8分钟。
在一个优选实施方案中,所述步骤(b)在50-55℃下进行。
在一个优选实施方案中,所述步骤(b)进行3-5分钟。
在一个优选实施方案中,所述步骤(c)在50-55℃下进行。
在一个优选实施方案中,所述步骤(c)用浓度为0.1重量%-3重量%的柠檬酸溶液进行,进一步优选地,所述步骤(c)用浓度为1.5重量%-2.5重量%的柠檬酸溶液进行。
在一个优选实施方案中,所述步骤(c)进行20-40分钟。
在一个优选实施方案中,所述步骤(d)在40-60℃下进行5-15分钟。
在一个优选实施方案中,根据本申请的第一方面的方法不包括剥离所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面的皮膜的步骤。
根据本申请的第二方面,其提供根据本申请的第一方面所述的方法获得的再生的蚀刻机或PECVD设备的衬里。
根据本申请的第三方面,其提供再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的设备,包括:
用于实施本申请的第一方面所述步骤(a)的装置;
任选地,用于实施本申请的第一方面所述步骤(b)的装置;
任选地,用于实施本申请的第一方面所述步骤(c)的装置;和
用于实施本申请的第一方面所述步骤(d)的装置。
根据本申请的第四方面,其提供目数不小于1000#的多孔织物在再生蚀刻机或PECVD设备的衬里中的用途,所述用途包括用所述目数不小于1000#的多孔织物对所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面进行湿式研磨。
根据本申请的第五方面,其提供柠檬酸在再生蚀刻机或PECVD设备的衬里中的用途,所述用途包括用浓度为0.05重量%-5重量%的柠檬酸溶液清洗依次经历湿式研磨、及任选的中性脱脂剂处理的蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面。
应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
结合附图并参考以下详细说明,本申请各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素,其中:
图1示出了本申请实施例3的蚀刻机衬里皮膜再生前后的SEM对比图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的实施例。虽然附图中显示了本申请的某些实施例,然而应当理解的是,本申请可以通过各种形式来实现,而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例,相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本申请。应当理解的是,本申请的附图及实施例仅用于示例性作用,并非用于限制本申请的保护范围。
除非另有限定,本文使用的所有技术以及科学术语具有与本申请所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时,以本说明书中的定义为准。
本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形,意在覆盖非排它性的包括。
当量、浓度、或其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时,这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围,而不论该范围是否单独公开了。例如,当公开了范围“1至5”时,所描述的范围应被解释为包括范围“1至4”、“1至3”、“1-2”、“1-2和4-5”、“1-3和5”等。当数值范围在本文中被描述时,除非另外说明,否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数。
此外,本文中要素或组分前的不定冠词“一种”和“一个”对要素或组分的数量要求(即出现次数)无限制性。因此“一个”或“一种”应被解读为包括一个或至少一个,并且单数形式的要素或组分也包括复数形式,除非所述数量明显旨在限定单数形式。
进一步地,在以下说明书中将提及大量的表述,这些表述被定义为具有下列含义。
“PECVD设备”是指用于实施等离子体增强化学的气相沉积法的设备。
“蚀刻机或PECVD设备的衬里”是指应用于蚀刻机或PECVD设备的真空腔体的内部保护装置,其又被称为“LINER”。在本文中,除非另有说明或暗示,“蚀刻机或PECVD设备的衬里”均指使用过的轻度污染(目测下,局部异色,块状异色,发黑程度较轻)、中度污染(目测下,表面超过50%区域异色,发黑程度较轻)或重度污染(目测下,整面污染发黑,明显看到沉积层)的衬里。
“软质擦拭物”是指适合于擦拭蚀刻机或PECVD设备的衬里表面而不明显损伤其皮膜的具备柔软特性的制品。
“湿式研磨”是指使用水性介质作为润滑剂,在潮湿的环境下进行的研磨。
“中性脱脂剂”是指指脱脂溶液本体的pH值在6-8之间的脱脂剂。
“去离子水”是指除去了呈离子形式杂质后的纯水,其电阻率不低于15 MΩ*cm(25℃)。
“超纯水”是指电阻率不低于18 MΩ*cm(25℃)的水。
如前文所描述,现有技术中缺乏可以简化再生工艺、提高再生次数并有效降低生产成本的再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法和设备。
再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法
为了至少部分地解决上述问题以及其他潜在问题中的一个或者多个,本申请的示例实施方案提出了再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法,该方法包括以下连续步骤:(a)用软质擦拭物对所述衬里的表面进行湿式研磨;(b)任选地,在40-60℃下,用中性脱脂剂清洗所述衬里的表面;(c)任选地,在40-60℃下,用浓度为0.05重量%-5重量%的柠檬酸溶液清洗所述衬里的表面;和(d)干燥所述衬里的表面。
在上述方案中,针对轻度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里,本申请通过用软质擦拭物对所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面进行湿式研磨以使衬里的表面脏污松动并进一步干燥,实现了对轻度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里的有效再生;针对中度污染和重度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里,本申请通过依次用软质擦拭物对所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面以使衬里的表面脏污松动;用中性脱脂剂清洗,进一步去除脏污;以及用低浓度柠檬酸溶液清洗,然后干燥,实现了对中度污染和重度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里的有效再生,进而最终实现了简化再生工艺、提高再生次数并有效降低生产成本。具体地,本申请至少提供了以下两种实施方案:
再生中度或重度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法,该方法包括以下连续步骤:
(a)用软质擦拭物对所述衬里的表面进行湿式研磨;
(b)在40-60℃下,用中性脱脂剂清洗所述衬里的表面;
(c)在40-60℃下,用浓度为0.05重量%-5重量%的柠檬酸溶液清洗所述衬里的表面;和
(d)干燥所述衬里的表面。
再生轻度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法,该方法包括以下连续步骤:
(a)用软质擦拭物对所述衬里的表面进行湿式研磨;和
(d)干燥所述衬里的表面。
关于上述步骤(a)中的软质擦拭物,并无特别限制,只要其能够满足适合于擦拭蚀刻机或PECVD设备的衬里表面而不明显损伤其皮膜的条件即可。基于不明显损伤皮膜的基本要求,该软质擦拭物中通常不应含有金刚砂、人造刚玉等刚性磨料。典型地,该软质擦拭物可选自布质或者纤维织物。为了兼顾有效去除表面沉积物且同时氧化膜损失较小,该软质擦拭物优选采用目数不小于1000#的多孔织物,更优选采用目数为1000#-2000#的多孔织物。进一步地,从成本的角度考量,该多孔织物优选为百洁布或羊绒布或海绵砂。
关于上述步骤(a)中执行湿式研磨的方式,并无特别限制,可以采用手动和/或机械驱动进行。但是,考虑到提供稳定、均匀的摩擦力,优选采用机械驱动,更优选采用手持式高速气动研磨机进行。
关于手持式高速气动研磨机,其可采用8000-13000转/分钟或9000-12000转/分钟或10000-11000转/分钟的空载转速。例如,具体采用的空载转速可以为8000转/分钟、9000转/分钟、10000转/分钟、11000转/分钟、12000转/分钟、13000转/分钟或这些数值之间的任何数值。但为了实现最佳状态的研磨,最优选采用12000转/分钟的空载转速。
关于手持式高速气动研磨机,其可采用7-8kg的工作压力(对应于空压机的供气压力)。例如,具体采用的工作压力可以为7.1kg、7.2kg、7.3kg、7.4kg、7.5kg、7.6kg、7.7kg、7.8kg、7.9kg、8kg或这些数值之间的任何数值。但为了实现最佳状态的研磨,最优选采用7.5kg的工作压力。
关于上述步骤(a)中湿式研磨的环境,其可使用水性介质进行。水性介质的存在起到同时润滑和降温的作用,可以提升对材料研磨的均匀性,还可以有效避免研磨时高速摩擦导致的温度上升,避免引起工件局部烧伤或皮膜烧伤。进一步地,为了避免水性介质中可能存在的钙、镁离子沉积在氧化膜孔内或者周边,进而可能造成蚀刻机腔体内的污染,优选使用去离子水,更优选使用超纯水。
关于水性介质的使用方式,可以采用衬里表面不洒水,而百洁布浸水的方式;或采用衬里表面洒水,而百洁布不浸水的方式;或采用衬里表面洒水且百洁布浸水的方式。特别地,为了在水性介质充分的情况下作业以达到满意的研磨效果,优选采用衬里表面洒水且百洁布浸水的方式。
关于上述步骤(a)中湿式研磨的时间,并无特别限制,例如可以进行1-30分钟或2-20分钟或3-8分钟或这些数值之间的任何数值。但是,为了兼顾效率和研磨效果,优选采用3-8分钟,更优选采用5分钟。
关于实施上述步骤(b)的温度,其可具体为例如40℃、41℃、42℃、43℃、44℃、45℃、46℃、47℃、48℃、49℃、50℃、51℃、52℃、53℃、54℃、55℃、56℃、57℃、58℃、59℃、60℃或这些数值之间的任何数值。优选地,实施上述步骤(b)的温度为50-55℃,更优选为52℃。
关于实施上述步骤(b)的时间,并无特别限制,例如可以进行1-30分钟或2-20分钟或3-5分钟或这些数值之间的任何数值。但是,为了兼顾效率和清洗效果,优选采用3-5分钟,更优选采用4分钟。
关于实施上述步骤(c)的温度,其可为例如40℃、41℃、42℃、43℃、44℃、45℃、46℃、47℃、48℃、49℃、50℃、51℃、52℃、53℃、54℃、55℃、56℃、57℃、58℃、59℃、60℃或这些数值之间的任何数值。优选地,实施上述步骤(c)的温度为50-55℃,更优选为52℃。
关于上述步骤(c)中柠檬酸溶液的浓度,其可具体为例如0.05重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%、1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%、2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%、2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%、3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%、4.8重量%、4.9重量%、5.0重量%或这些数值之间的任何数值(所述重量百分比以柠檬酸自身的重量除以柠檬酸溶液的总重量而计算得出)。但是,为了兼顾效率和清洗效果,优选采用浓度为0.1重量%-3重量%的柠檬酸溶液,更优选采用浓度为1.5重量%-2.5重量%的柠檬酸溶液,最优选采用2重量%的柠檬酸溶液。优选地,所述柠檬酸溶液为柠檬酸水溶液。
关于实施上述步骤(c)的时间,并无特别限制,例如可以进行10-80分钟或15-60分钟或20-40分钟或这些数值之间的任何数值。但是,为了兼顾效率和清洗效果,优选采用20-40分钟,更优选采用30分钟。
关于实施上述步骤(d)的温度和时间,并无特别限制,例如可以在40-60℃下进行1-30分钟或3-20分钟或5-15分钟或这些数值之间的任何数值。但是,为了兼顾效率和干燥效果,优选采用在50℃下5-15分钟,更优选采用在50℃下10分钟。
再生的蚀刻机或PECVD设备的衬里
本申请的另一示例实施方案还提出了由上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法获得的再生的蚀刻机或PECVD设备的衬里。
再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的设备
本申请的另一示例实施方案还提出了再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的设备,包括:
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(a)的装置;
任选地,用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(b)的装置;
任选地,用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(c)的装置;和
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(d)的装置。
具体地,本申请至少提供了以下两种实施方案:
再生中度或重度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里的设备,包括:
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(a)的装置;
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(b)的装置;
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(c)的装置;和
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(d)的装置。
再生轻度污染的蚀刻机或PECVD设备的衬里的设备,包括:
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(a)的装置;和
用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(d)的装置。
关于用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(a)的装置,可以采用任何类型的装置,只要其可以有效实施用软质擦拭物对所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面进行湿式研磨的步骤即可。例如,该装置可以是用于手动驱动的装置或用于机械驱动的装置,优选为手持式高速气动研磨机。
关于用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(b)的装置,可以采用任何类型的装置,只要其可以有效实施用中性脱脂剂清洗经上述步骤(a)处理的所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面的步骤即可。例如,可根据该装置的用途或使用环境等适当地选择被构造成容纳中性脱脂剂的容器。
关于用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(c)的装置,可以采用任何类型的装置,只要其可以有效实施用柠檬酸溶液清洗经上述步骤(b)处理的所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面的步骤即可。例如,可根据该装置的用途或使用环境等适当地选择被构造成容纳柠檬酸溶液的容器。
关于用于实施上述再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法中步骤(d)的装置,可以采用任何类型的装置,只要其可以有效实施干燥经上述步骤(c)处理的所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面的步骤即可。例如,可根据该装置的用途或使用环境等适当地选择为真空干燥箱。
多孔织物的用途
本申请的另一示例实施方案还提出了目数不小于1000#的多孔织物在再生蚀刻机或PECVD设备的衬里中的用途,所述用途包括用所述目数不小于1000#的多孔织物对所述蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面进行湿式研磨。
优选地,所述多孔织物为百洁布或羊绒布或海绵砂。
通过特定选择多孔织物并控制其目数,可以有效去除表面沉积物,并同时避免对氧化膜造成较大损伤。
柠檬酸的用途
本申请的另一示例实施方案还提出柠檬酸在再生蚀刻机或PECVD设备的衬里中的用途,所述用途包括用浓度为0.05重量%-5重量%的柠檬酸溶液清洗依次经历湿式研磨、及任选的中性脱脂剂处理的蚀刻机或PECVD设备的衬里的表面。
优选地,采用浓度为0.1重量%-3重量%的柠檬酸溶液,更优选地,采用浓度为1.5重量%-2.5重量%的柠檬酸溶液(优选柠檬酸水溶液)。
通过特定选择柠檬酸溶液,可以预料不到地取得比使用其它有机酸更好的清洗效果。
优选实施例
下面结合说明书附图,进一步对本申请的优选实施例进行详细描述,以下的描述为示例性的,并非对本申请的限制,任何的其他类似情形也都落入本申请的保护范围之中。
材料和设备
实施下述实施例1-4及对比例1-7所采用的材料和设备如下:
手持式高速气动研磨机:购自美国丹纳布雷公司;
百洁布:1000#,韩国太阳牌;
中性脱脂剂:由麦德美公司以商品名MINCO出售;
蚀刻机衬里:购自合肥微睿光电科技有限公司,型号B9 Y2O3 COVER,G/V(1)-3..MP3300。
下述实施例1-3以及对比例1-7均针对重度污染的蚀刻机衬里进行:
实施例1
再生蚀刻机衬里的方法,该方法采用以下连续步骤:
(a)采用手持式高速气动研磨机(空载转速为8000转/分钟且工作压力为7kg),用浸有超纯水的1000#的百洁布对洒有超纯水的蚀刻机衬里的表面进行湿式研磨,持续3分钟;
(b)在40℃下,用中性脱脂剂清洗经上述步骤(a)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续3分钟;
(c)在40℃下,用浓度为0.05重量%的柠檬酸水溶液清洗经上述步骤(b)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续20分钟;和
(d)在40℃下,干燥经上述步骤(c)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续5分钟。
实施例2
再生蚀刻机衬里的方法,该方法采用以下连续步骤:
(a)采用手持式高速气动研磨机(空载转速为13000转/分钟且工作压力为8kg),用浸有超纯水的1000#的百洁布对洒有超纯水的蚀刻机衬里的表面进行湿式研磨,持续8分钟;
(b)在60℃下,用中性脱脂剂清洗经上述步骤(a)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续5分钟;
(c)在60℃下,用浓度为5重量%的柠檬酸水溶液清洗经上述步骤(b)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续40分钟;和
(d)在60℃下,干燥经上述步骤(c)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续15分钟。
实施例3
再生蚀刻机衬里的方法,该方法采用以下连续步骤:
(a)采用手持式高速气动研磨机(空载转速为12000转/分钟且工作压力为7.5kg),用浸有超纯水的1000#的百洁布对洒有超纯水的蚀刻机衬里的表面进行湿式研磨,持续5分钟;
(b)在52℃下,用中性脱脂剂清洗经上述步骤(a)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续4分钟;
(c)在52℃下,用浓度为2重量%的柠檬酸水溶液清洗经上述步骤(b)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续30分钟;和
(d)在50℃下,干燥经上述步骤(c)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续10分钟。
对比例1
与实施例3基本相同,区别仅在于采用500#的百洁布。
对比例2
与实施例3基本相同,区别仅在于采用浓度为10重量%的柠檬酸水溶液。
对比例3
与实施例3基本相同,区别仅在于采用浓度为20重量%的柠檬酸水溶液。
对比例4
与实施例3基本相同,区别仅在于采用浓度为2重量%的草酸水溶液。
对比例5
与实施例3基本相同,区别仅在于采用浓度为2重量%的酒石酸水溶液。
对比例6
与实施例3基本相同,区别仅在于采用浓度为2重量%的乙酸水溶液。
对比例7(现有技术的方法)
再生蚀刻机衬里的方法,该方法采用以下连续步骤:
(a)在45-55℃下,用50g/L的氢氧化钠溶液清洗蚀刻机衬里表面,持续5~8分钟,以剥离蚀刻机衬里的皮膜;
(b)将经上述步骤(a)处理的蚀刻机衬里的表面依次用120#砂纸手工研磨一遍、180#砂纸手工研磨一遍、600#百洁布手工研磨二遍;
(c)使用胶带对经上述步骤(b)处理的蚀刻机衬里的表面的非阳极区进行遮蔽;
(d)对经上述步骤(c)处理的蚀刻机衬里的表面进行阳极氧化,具体包括:
①脱脂:使用中性脱脂剂,温度:40-60℃,时间3~5分钟;
②蚀刻:使用50g/L氢氧化钠溶液,温度:45-55℃,时间1~3分钟;
③中和:使用250-350g/L硝酸,温度25~35℃,时间4~6分钟;
④阳极氧化:使用混合有机酸电解液,时间120分钟;
⑤封孔:去离子纯水,温度85-95℃,时间30分钟;和
(5)在70-80℃下,干燥经上述步骤(d)处理的蚀刻机衬里的表面,持续30分钟。
下述实施例4针对轻度污染的蚀刻机衬里进行:
实施例4
再生蚀刻机衬里的方法,该方法采用以下连续步骤:
(a)采用手持式高速气动研磨机(空载转速为12000转/分钟且且工作压力为7.5kg),用浸有超纯水的1000#的百洁布对洒有超纯水的蚀刻机衬里的表面进行湿式研磨,持续5分钟;和
(d)在50℃下,干燥经上述步骤(a)处理的所述蚀刻机衬里的表面,持续10分钟。
测试结果
测试由上述实施例1-4和对比例1-7获得的再生的蚀刻机衬里的各项性能指标,结果如下表1所示:
表1
基于上表1的测试结果可知,使用本发明的新再生方法所得的再生蚀刻机衬里在皮膜厚度保持率、皮膜粗糙度、耐电压性以及孔尺寸稳定性方面均取得了优异的效果,尤其是与现有技术(对即比例7)相比,其技术优势更为明显。此外,图1的测试结果还进一步证明使用本发明的新再生方法实现了对蚀刻机衬里皮膜的彻底清洗。
综上,本发明的再生方法兼具再生工艺简单、再生次数高且成本低的技术优势,取得了明显的有益效果。
前述的示例仅是说明性的,用于解释本申请的特征的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围,且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此,申请人的用意是所附的权利要求并不被说明本申请的特征的示例的选择限制。如在权利要求中使用的,术语“包括”和其语意上的变体在逻辑上也包括不同和变化的用语,例如但不限于“基本组成为”或“组成为”。当需要时,提供了一些数值范围,而这些范围也包括了在其之间的子范围。这些范围中的变化也对于本领域技术人员也是自明的,且不应被认为被捐献给公众,而这些变化也应在可能的情况下被解释为被所附的权利要求覆盖。而且在科技上的进步将形成由于语言表达的不准确的原因而未被目前考虑的可能的等同物或子替换,且这些变化也应在可能的情况下被解释为被所附的权利要求覆盖。
Claims (7)
1.再生蚀刻机或PECVD设备的衬里的方法,该方法包括以下连续步骤:
(a)用软质擦拭物对所述衬里的表面进行湿式研磨;软质擦拭物为目数不小于1000#的羊绒布或海绵砂;湿式研磨采用手持式高速气动研磨机进行,其空载转速为8000-13000转/分钟和/或工作压力为7-8kg;湿式研磨使用去离子水或超纯水进行;
(b)在40-60℃下,用中性脱脂剂清洗所述衬里的表面,清洗进行3-5分钟;
(c)在40-60℃下,用浓度为0.05重量%-5重量%的柠檬酸溶液清洗所述衬里的表面,清洗进行20-40分钟;和
(d)干燥所述衬里的表面,在40-60℃下进行5-15分钟。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述手持式高速气动研磨机的空载转速为12000转/分钟和/或工作压力为7.5kg。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述步骤(a)进行3-8分钟。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述步骤(b)在50-55℃下进行。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述步骤(c)在50-55℃下进行。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述步骤(c)用浓度为0.1重量%-3重量%的柠檬酸溶液进行。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述步骤(c)用浓度为1.5重量%-2.5重量%的柠檬酸溶液进行。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210031877.1A CN114405918B (zh) | 2022-01-12 | 2022-01-12 | 再生蚀刻机或pecvd设备的衬里的方法 |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114405918A CN114405918A (zh) | 2022-04-29 |
CN114405918B true CN114405918B (zh) | 2023-03-28 |
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ID=81273698
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210031877.1A Active CN114405918B (zh) | 2022-01-12 | 2022-01-12 | 再生蚀刻机或pecvd设备的衬里的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114405918B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115125468B (zh) * | 2022-07-12 | 2023-07-18 | 合肥微睿光电科技有限公司 | 一种用于干刻工艺中熔射壁板再生的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4035581B2 (ja) * | 1995-07-12 | 2008-01-23 | 日本エア・リキード株式会社 | 高圧ガス容器の内面処理方法 |
JP3970439B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2007-09-05 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
CN101205621B (zh) * | 2006-12-21 | 2010-10-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种铝材料零件的清洗方法 |
CN101214485B (zh) * | 2007-01-04 | 2010-07-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法 |
TWI470692B (zh) * | 2011-12-28 | 2015-01-21 | Ares Green Technology Corp | 蝕刻機反應腔體之清洗方法 |
CN110841970A (zh) * | 2018-08-20 | 2020-02-28 | 深圳仕上电子科技有限公司 | 适用于表面附着物为Anodized部品的清洗方法 |
-
2022
- 2022-01-12 CN CN202210031877.1A patent/CN114405918B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN114405918A (zh) | 2022-04-29 |
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