CN114375099A - 一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于PCB技术领域，具体涉及一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，包括以下步骤：S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；S2.电镀；S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数。S4.外层线路；S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。通过本发明的方法，可以控制孔到光学点在±3mil以内，满足MiniLED板钻孔加工的要求。
Description
技术领域
本发明属于PCB技术领域，具体涉及一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法。
背景技术
MiniLED技术又称次毫米发光二极管，是指将传统LCD显示屏侧边背光源几十颗的LED灯珠，更改为数千颗、数万颗甚至更多的直下式背光源灯珠，通过大数量灯珠的密集分布，实现了小范围内的区域调光，从而能够在更小的混光距离内实现更高的亮度均匀性和色彩对比度，可对现有LCD显示器件的背光性能起到了极大的提升作用。因此，尺寸更小的MiniLED作为新一代高端显示和背光技术，不光继承了传统小间距无缝拼接、宽色域、低功耗和长寿命的特点，还拥有高防护性、可视角度大、高PPI、高亮度和对比度等优势。
为适应MiniLED的市场发展，应用于MiniLED背光产品的印制电路板也需相对应发展，目前应用于MiniLED产品的印制电路板中，需要管控NPTH孔（非沉铜孔）到光学点距离，公差±3mil，现有技术的方法是：1、电镀后钻NPTH孔，钻孔是用压合靶孔打Pin定位，钻孔系数与镭射系数相同；2、做外层线路，外层线路抓压合靶孔定位，外层系数与镭射系数相同、3、蚀刻后用二次元测量孔到光学点距离。
但是，现有技术的加工方法中，仍存在以下问题：1、钻孔NPTH孔出现偏孔，非涨缩问题，而是整体往一方向偏移的问题，钻孔时无法得知偏移多少而进行控制调整；2、出现孔偏后，孔到光学点距离超出±3mil的公差范围，现有技术的孔到光学点只能达到±5.5mil内。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法。
本发明的技术方案为：
一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；
设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；
S2.电镀；
S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数。
S4.外层线路；
S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。
进一步的，步骤S1中，所述PCB板上设置的环形靶组左右镜像对称设置。
进一步的，步骤S1中，通过镭射的方式烧出环形靶组。
进一步的，步骤S1中，所述环形靶组由对称排布的5个环形靶组成。
进一步的，步骤S1中，所述第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶的直径大小为D+4Dmil，第五环形靶的直径大小为D+5Dmil。
进一步的，步骤S1中，设钻孔的孔径为1mm，则所述第一环形靶的直径大小为D+1mil，第二环形靶的直径大小为D+2mil，第三环形靶的直径大小为D+3mil, 第四环形靶的直径大小为D+4mil，第五环形靶的直径大小为D+5mil。
进一步的，步骤S3中，若首件确认孔分别与第一环形靶、第二环形靶相交，则孔偏＞2mil且＜3mil，以此类推。
进一步的，步骤S3中，当孔偏超出3mil，则确认是整体性孔偏还是涨缩性孔偏，若是整体性孔偏，则调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则调整钻孔系数。
进一步的，步骤S3中，钻孔系数与镭射系数相同。
进一步的，步骤S4中，包括外层线路与环形靶组进行对位，外层系数与镭射系数相同。
通过本发明的方法，可以控制孔到光学点在±3mil以内，满足MiniLED板钻孔加工的要求。
本发明的有益效果在于：
通过本发明方法，钻孔做首件后，即可得知是否有孔偏及孔偏的具体参数，若是出现整体性孔偏，可调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则可调整涨缩系数，从而达到控制孔偏的目的。
附图说明
图1为本发明在PCB板的四角制备环形靶组后的结构示意图;
图2为本发明一实施例制备的环形靶组的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
实施例1
一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组10，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；
设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；
S2.电镀；
S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数。
S4.外层线路；
S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。
进一步的，步骤S1中，所述PCB板上设置的环形靶组左右镜像对称设置。
进一步的，步骤S1中，通过镭射的方式烧出环形靶组。
进一步的，步骤S1中，所述环形靶组由对称排布的5个环形靶组成。
进一步的，步骤S1中，所述第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶的直径大小为D+4Dmil，第五环形靶的直径大小为D+5Dmil。
进一步的，步骤S1中，设钻孔的孔径为1mm，则所述第一环形靶的直径大小为D+1mil，第二环形靶的直径大小为D+2mil，第三环形靶的直径大小为D+3mil, 第四环形靶的直径大小为D+4mil，第五环形靶的直径大小为D+5mil。
进一步的，步骤S3中，若首件确认孔分别与第一环形靶、第二环形靶相交，则孔偏＞2mil且＜3mil，以此类推。
进一步的，步骤S3中，当孔偏超出3mil，则确认是整体性孔偏还是涨缩性孔偏，若是整体性孔偏，则调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则调整钻孔系数。
进一步的，步骤S3中，钻孔系数与镭射系数相同。
进一步的，步骤S4中，包括外层线路与环形靶组进行对位，外层系数与镭射系数相同。
实施例2
本实施例提供一种与实施例1相同的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，所不同的是，步骤S1中，所述第一环形靶1的直径大小为D+Dmil，第二环形靶2的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶3的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶4的直径大小为D+4Dmil，第五环形靶5的直径大小为D+5Dmil。
实施例3
本实施例提供一种与实施例1相同的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，所不同的是，步骤S1中，设钻孔的孔径为1mm，则所述第一环形靶1的直径大小为D+1mil，第二环形靶2的直径大小为D+2mil，第三环形靶3的直径大小为D+3mil, 第四环形靶4的直径大小为D+4mil，第五环形靶5的直径大小为D+5mil。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过本领域任一现有技术实现。
Claims (10)
1.一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于， 包括以下步骤：
S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；
设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；
S2.电镀；
S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数；
S4.外层线路；
S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。
2.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，所述PCB板上设置的环形靶组左右镜像对称设置。
3.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，通过镭射的方式烧出环形靶组。
4.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，所述环形靶组由对称排布的5个环形靶组成。
5.根据权利要求4所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，所述第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶的直径大小为D+4Dmil，第五环形靶的直径大小为D+5Dmil。
6.根据权利要求5所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，设钻孔的孔径为1mm，则所述第一环形靶的直径大小为D+1mil，第二环形靶的直径大小为D+2mil，第三环形靶的直径大小为D+3mil, 第四环形靶的直径大小为D+4mil，第五环形靶的直径大小为D+5mil。
7.根据权利要求5或6所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S3中，若首件确认孔分别与第一环形靶、第二环形靶相交，则孔偏＞2mil且＜3mil，以此类推。
8.根据权利要求5或6所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S3中，当孔偏超出3mil，则确认是整体性孔偏还是涨缩性孔偏，若是整体性孔偏，则调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则调整钻孔系数。
9.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S3中，钻孔系数与镭射系数相同。
10.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S4中，包括外层线路与环形靶组进行对位，外层系数与镭射系数相同。
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