CN114373810A - 光伏组件及制备方法 - Google Patents

光伏组件及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114373810A
CN114373810A CN202111594680.0A CN202111594680A CN114373810A CN 114373810 A CN114373810 A CN 114373810A CN 202111594680 A CN202111594680 A CN 202111594680A CN 114373810 A CN114373810 A CN 114373810A
Authority
CN
China
Prior art keywords
battery
battery piece
main grid
cell
piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111594680.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114373810B (zh
Inventor
高慧慧
田君山
黄豪
罗伟
甘胜泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinyu Saiwei Power Technology Co ltd
Original Assignee
Xinyu Saiwei Power Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinyu Saiwei Power Technology Co ltd filed Critical Xinyu Saiwei Power Technology Co ltd
Priority to CN202111594680.0A priority Critical patent/CN114373810B/zh
Publication of CN114373810A publication Critical patent/CN114373810A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114373810B publication Critical patent/CN114373810B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188—Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种光伏组件及其制备方法，涉及光伏组件领域，包括：电池片；电池片包含正面和背面，正面和背面包含至少一条主栅，电池片的正面的主栅和背面的主栅错位设置；电池片包括第一电池片和第二电池片，第一电池片和第二电池片为具有不同主栅图形或不同导电类型的电池片；第一电池片和第二电池片采用相互交替的方式利用焊带直线串联形成电池串，每个电池串中相邻第一电池片与第二电池片的间距为‑0.5~0.5mm。该光伏组件中电池片与电池片之间不存在间隙，不仅避免了间隙会产生的边缘隐裂、破片的风险，且该光伏组件单位面积内具有更高的功率。本发明中还公开了一种光伏组件的制备方法。

Description

光伏组件及制备方法
技术领域
本发明涉及光伏组件领域，尤其涉及一种光伏组件及制备方法。
背景技术
如图1所示，现有光伏组件中电池片10采用正面和正面排列，背面和背面排列的方式，为了实现电流的导通，电池片10的正面的主栅需与电池片10的背面的主栅利用焊带串联连接，在连接过程中，焊带20需要进行折弯处理，则电池片10与电池片10之间需要一定的间隙，该间隙的大小一般为2-3mm，该间隙不仅会存在导致电池片边缘隐裂，破片的风险，且间隙会导致组件整体尺寸变大，引发组件材料的用量增多，组件成本增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光伏组件及其制备方法，该光伏组件中电池片与电池片之间不存在间隙，不仅避免了间隙会产生的边缘隐裂、破片的风险，且该光伏组件单位面积内具有更高的功率。该光伏组件的制备方法可实现上述光伏组件的制备，能更进一步地提高光伏组件的品质。
本发明的第一方面，本发明提供了一种光伏组件，包括电池片；
电池片包含正面和背面，正面和背面包含至少一条主栅，电池片的正面的主栅和背面的主栅错位设置；
电池片包括第一电池片和第二电池片，第一电池片和第二电池片为具有不同主栅图形或不同导电类型的电池片；
第一电池片和第二电池片采用相互交替的方式利用焊带直线串联形成电池串，每个电池串中相邻第一电池片与第二电池片的间距为-0.5~0.5mm。
通过焊带直线串联第一电池片和第二电池片，可控制第一电池片和第二电池片之间的间距为-0.5~0.5mm，使得第一电池片和第二电池片之间为无缝或几乎无缝，即电池片与电池片之间不存在间隙，避免了间隙会产生的边缘隐裂、破片的风险，且增加了光伏组件单位面积内的功率；此外，对电池片的正面和背面的主栅采用错位设置，有效避免正面和背面的焊带粘连造成的短路问题，提高了光伏组件的品质。
在一种可能的实现方式中，第一电池片和第二电池片具有相同的导电类型且具有不同的主栅图形，第一电池片的正面的主栅与第二电池片的背面的主栅图形一致，第一电池片的背面的主栅与第二电池片的正面的主栅图形一致；
在一种可能的实现方式中，第一电池片和第二电池片具有不同的导电类型且具有相同的主栅图形，第一电池片的正面的主栅与第二电池片的正面的主栅图形一致，第一电池片的背面的主栅与第二电池片的背面的主栅图形一致。
在一种可能的实现方式中，电池片的正面主栅的间距和/或电池片的背面主栅的间距为16.8mm~25mm；和/或，电池片的正面的主栅位于背面的两个主栅的中间或电池片的背面的主栅位于正面的两个主栅的中间。
在一种可能的实现方式中，电池片为双面电池片。
在一种可能的实现方式中，光伏组件包括至少两排电池组，每排电池组包括至少一串电池串，相邻两排电池组之间的间距为-0.5~0.5mm。
在一种可能的实现方式中，电池串中包含的电池片的数量为奇数，电池串上的焊带与汇流条焊接，实现电池串与电池串之间的串联或并联。
本发明的第二方面，本发明提供了一种光伏组件的制备方法，该方法包括：
制备第一电池片和第二电池片；第一电池片和第二电池片具有不同主栅图形或不同导电类型；第一电池片和第二电池片的正面和背面包含至少一条主栅，正面的主栅和背面的主栅错位设置；
利用焊带将第一电池片和第二电池片采用相互交替的方式排列直线串联得到电池串，第一电池片与第二电池片的间距为-0.5~0.5mm；
通过汇流条连接电池串，实现电池串之间的串联或并联；
在电池组件正面设置EVA和玻璃；
在电池组件背面设置EVA和背板；
将EVA、玻璃、电池串、背板层压成一个整体；
在整体四周安装边框；在汇流条位置安装接线盒，得到光伏组件。
通过对第一电池片和第二电池片设置不同主栅图形或不同导电类型，使得焊带可直线串联第一电池片和第二电池片，且第一电池片和第二电池片之间的间距为-0.5~0.5mm，使得第一电池片和第二电池片之间为无缝或几乎无缝，即电池片与电池片之间不存在间隙，再通过正背面的主栅的错位设置，有效避免正面和背面的焊带粘连造成的短路问题，从而不仅避免了间隙会产生的边缘隐裂、破片的风险，且增加了光伏组件单位面积内的功率，有效提高了光伏组件的品质。
在一种可能的实现方式中，制备第一电池片和第二电池片的过程为：
选取相同导电类型的一批次硅片；
将批次硅片进行制绒，扩散，后清洗，PECVD；
将批次硅片分成第一组和第二组；
将第一组硅片在扩散面印刷第一类主栅线，在背面印刷第二类主栅线，完成第一电池片的制备；
将第二组硅片在扩散面印刷第二类主栅线，在背面印刷第一类主栅线，完成第二电池片的制备；
烘干第一组硅片和第二组硅片；
在一种可能的实现方式中，制备第一电池片和第二电池片的过程为：
选取P型硅片为第一组硅片；选取N型硅片为第二组硅片；
将第一组硅片和第二组硅片进行制绒，扩散，后清洗，PECVD，并在扩散面印刷第一类主栅线，在背面印刷第二类主栅线；
烘干第一组硅片和第二组硅片。
在一种可能的实现方式中，第一类主栅线和/或第二类主栅线的间距为16.8mm~25mm；和/或，任一第一类主栅线位于相邻两个第二类主栅线的中间或第二类主栅线位于两个第一类主栅线的中间。
在一种可能的实现方式中，光伏组件包含至少两排电池组，每排电池组包含至少一串电池串，相邻两排电池组之间的间距为-0.5~0.5mm。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中电池串的结构示意图。
图2为本发明中电池串的一种实施例的结构示意图的主视图。
图3为本发明中电池串的一种实施例的结构示意图的俯视图。
图4为本发明中电池串的具有相同导电类型的第一电池片和第二电池片一种实施例的结构示意图。
图5为本发明中电池串的具有不同导电类型的第一电池片和第二电池片一种实施例的结构示意图。
图6为本发明中光伏组件的一种实施例的结构示意图。
图7为本发明中光伏组件的另一种实施例的结构示意图。
图8为本发明中光伏组件的再一种实施例的结构示意图。
图9为本发明中光伏组件的再一种实施例的结构示意图。
图10为本发明中光伏组件的再一种实施例的结构示意图。
图11为本发明中光伏组件的一种实施例的制备方法的流程示意图。
图12为本发明中光伏组件的另一种实施例的制备方法的流程示意图。
图13为本发明中光伏组件的再一种实施例的制备方法的流程示意图。
附图标记：
100-电池串；101-主栅；10-电池片；11-第一电池片；11a-第一电池片的正面；11b-第一电池片的背面；12-第二电池片；12a-第二电池片的正面；12b-第二电池片的背面；20-焊带；30-汇流条；1000-第一电池组；1000a-第一电池组的第一子电池组，1000b-第一电池组的第二子电池组，2000-第二电池组，2000a-第二电池组的第一子电池组，2000b-第二电池组的第二子电池组。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
下面，参考附图2-10描述本发明第一方面公开的一种光伏组件：
如图2-3所示，光伏组件100包括电池片，电池片包括第一电池片11和第二电池片12，光伏组件100由第一电池片11和第二电池片12采用焊带20直线串联形成电池串，使得第一电池片11和第二电池片12之间为无缝或几乎无缝，即电池片与电池片之间不存在间隙，可以理解的是，考虑到电池片的端面的直线度，第一电池片11和第二电池片12之间的间距可以为-0.5~0.5mm，例如可以是-0.5mm、-0.4mm、-0.3mm、-0.2mm、-0.1mm、0mm、0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm或0.5mm。需要说明的是，第一电池片11和第二电池片12之间的间距为负值时，第一电池片11的一部分和第二电池片12的一部分叠置。
其中，如图4所示，当第一电池片11和第二电池片12具有相同的导电类型，也就是同为P型或者同为N型时，第一电池片11的正面11a上的主栅101和第二电池片12的背面12b的主栅101的图形一致；第一电池片11的背面11b上的主栅101和第二电池片12的正面12a的主栅101的图形一致；或者，如图5所示，当第一电池片11和第二电池片12具有不同的导电类型，也就是当第一电池片11为P型，第二电池片12为N型时，或者第一电池片11为N型，第二电池片12为P型时；第一电池片11的正面11a上的主栅101和第二电池片12的正面12a的主栅101的图形一致；第一电池片11的背面11b上的主栅101和第二电池片12的背面12b的主栅101的图形一致。由此通过对正背面的主栅设置不同的类型，实现正背面栅线的错位设置。
进一步地，电池片包含正面和背面，正面和背面包含至少一条主栅，电池片的正面的主栅和背面的主栅错位设置，即第一电池片11的正面和背面的主栅进行错位设置，第二电池片12的正面的主栅和背面的主栅错位设置，如图4所示，对第一电池片11的正面11a设置4条主栅101，对背面11b设置3条主栅101，且正面主栅与背面主栅错位设置，从而有效避免了正面和背面的焊带20粘连造成的短路问题。在一个具体的实施例中，正面的主栅位于背面相邻的两个主栅之间，正面的主栅距离背面上述相邻两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%，或者电池片的背面主栅位于正面的两个主栅的中间，背面的主栅距离正面上述相连两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%。由此通过正背面主栅的错位设置，有效避免焊带连接主栅可能产生的短路风险，有效提高光伏组件的品质。
更进一步地，电池片正面的主栅的间距和/或背面主栅的间距可以设置为16.8mm~25mm之间，例如可以是17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm和25mm，由此可以更进一步地提高组件的品质。
在一种可能的实现方式中，电池片为双面电池片，则第一电池片11和第二电池片12可以为双面电池片，尤其是HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-laye，异质结）双面电池，双面电池片的正面的效率和背面的效率相当，可以减少电池片的正面和背面的主栅串联造成的效率差异，提高光伏组件的功率。
在一种可能的实现方式中，光伏组件中包含至少两排电池组，相邻两排电池组之间的间距为-0.5mm~0.5mm。示例性地，如图6所示，光伏组件包括第一电池组1000和第二电池组2000，第一电池组1000和第二电池组2000之间的间距为-0.5mm~0.5mm，通过减少电池组之间的距离，有效增加了单位面积内光伏组件的功率，且增加了光伏组件的美观，有利于提升光伏组件的适用性，以便于为光伏组件的后续改进提供良好的基础，使得该类光伏组件更适用于后续光伏组件的应用。
进一步地，每排电池片包括至少一串电池串，每串电池串的数量为奇数，电池串上的焊带与汇流条进行焊接，从而实现电池串与电池串之间的串联和并联，最终实现光伏组件的正负极的导通。
在一些具体的实施例中，如图6-10所示，光伏组件包括第一电池组1000和第二电池组2000，第一电池组1000和第二电池组2000包含至少一串电池串100，第一电池组1000和第二电池组2000沿着垂直电池串100上焊带20的延伸方向上平行对齐排列，第一电池组1000和第二电池组2000之间的间距为-0.5mm~0.5mm，第一电池组1000和第二电池组2000上的焊带20与汇流条30之间进行有规则的连接，从而实现光伏组件的正负极的导通。
具体地，根据第一电池片11和第二电池片12的导电类型的不同、电池组的数量以及电池串的数量不同，电池串上的焊带20与汇流条30的连接方式不同。下面将以几个具体的示例描述其第一电池片11和第二电池片12与焊带20和汇流条30的连接方式。值得理解的是，下述描述仅是示例性说明，而不是对发明的具体限制。
示例一：若第一电池片11和第二电池片12为相同导电类型的电池片，例如如图6所示，第一电池片11和第二电池片12为具备相同P型导电类型的电池片，且光伏组件包含两排电池组，第一电池组1000和第二电池组2000，每排电池组包含一串电池串，电池串包括多个第一电池片11和多个第二电池片12，多个第一电池片11和多个第二电池片12一一交替设置，且则第一电池片11和第二电池片12按照正面和背面相互交替（例如在电池串的同一侧，第一电池片11的正面和第二电池片12的背面相互交替、或第一电池片11的背面和第二电池片12的正面相互交替）的方式连接形成电池串，且每串电池串的电池片的数量为奇数，每串电池串的电池片的数量相同且沿着焊带20的延伸方向上平行对齐排列，位于上方的为第一电池组1000，位于下方的为第二电池组2000，第一电池组1000背面的焊带20与单独的汇流条30连接，第二电池组2000的正面与单独的汇流条30连接，第一电池组1000正面的焊带20和第二电池组2000背面的焊带20与同一汇流条30连接，形成完整的回路，从而实现光伏组件正负极的导通。
可以理解的是，若第一电池片11和第二电池片12为具备相同N型导电类型的电池片，除汇流条30与正背面的焊带20连接相反以外，其他连接规则与本示例相同。
示例二：若第一电池片11和第二电池片12为不同导电类型的电池片，例如如图7所示，第一电池片11为P型，第二电池片12为N型，则第一电池片11和第二电池片12按照第一电池片11的P型正面和第二电池片12的N型正面相互交替连接形成电池串，且每串电池串的电池片的数量为奇数，每串电池串的电池片的数量相同且沿着焊带20的延伸方向上平行对齐排列，光伏组件包含两排电池组，第一电池组1000和第二电池组2000，位于上方的为第一电池组1000，位于下方的为第二电池组2000，第一电池组1000背面的焊带20与单独的汇流条30连接，第二电池组2000的正面与单独的汇流条30连接，第一电池组1000正面的焊带20和第二电池组2000背面的焊带20与同一汇流条30连接，形成完整的回路，从而实现光伏组件正负极的导通。
可以理解的是，当第一电池片11为N型，第二电池片12为P型时，除汇流条30与正背面的焊带20连接相反以外，其他连接规则与本示例相同。
示例三：若光伏组件包含至少两排电池组，每排电池组包含子电池组，每组子电池组包含一串电池串，例如如图8所示，光伏组件包括两排电池组，第一电池组1000和第二电池组2000，即第一电池组1000还包含第一子电池组1000a和第二子电池组1000b，第二电池组2000还包括第一子电池组2000a和第二子电池组2000b，每个子电池组包含一串电池串，每串电池串中若第一电池片11和第二电池片12为具备相同导电类型的电池片，例如相同P型导电类型的电池片，则第一电池片11和第二电池片12按照正面和背面相互交替的方式连接形成电池串，且每串电池串的电池片的数量为奇数，则第一子电池组1000a和第二子电池组2000a远离第二子电池组的一侧的焊带20与通过一汇流条30焊接，且其连接的正负极的焊带20相反；第二子电池组1000b和第二子电池组1000b远离第一子电池组的一侧的焊带20与通过一汇流条30焊接，且其连接的正负极的焊带20相反；第一子电池组与第二子电池组相邻的一侧中，第一子电池组1000a和第二子电池组1000b与同一汇流条30相连，且连接的正负极焊带20相同，第一子电池组2000a和第二子电池组2000b与同一汇流条30相连，且连接的正负极焊带20相同。
可以理解的是，当第一电池片11为P型，第二电池片12为N型，且P型正面与N型正面相互交替形成电池串时，其连接规则与本实施例相同；若第一电池片11和第二电池片12为具备相同N型导电类型的电池片，或者第一电池片11为N型，第二电池片12为P型，且N型正面与P型正面相互交替形成电池串时，除汇流条30与正背面的焊带20连接相反以外，其他连接规则与本示例相同。
示例四：若光伏组件包含至少两排电池组，每排电池组包含多串电池串，例如如图9所示，光伏组件包括两排电池组，第一电池组1000和第二电池组2000，第一电池组1000和第二电池串2000具有多串电池串，且每串电池串的电池片的数量为奇数，若第一电池片11和第二电池片12为具备相同导电类型的电池片，例如P型导电类型的电池片，则第一电池片11和第二电池片12按照正面和背面相互交替的方式连接形成电池串，且每串电池串的数量电池片的为奇数，则将第一电池组1000一侧的多条焊带20与同一汇流条30焊接，且其相邻正负极焊带20相同；与之相同的2000的一侧的多条焊带20与同一汇流条30焊接，且其相邻的正负极焊带20相同；第一电池组1000和第二电池组2000的另一侧中，第一电池组1000的第一串的焊带20和第二电池组2000的最后一串的焊带20与单独的汇流条30相连，中间的第一电池组10000中间的焊带20和第二电池组2000的中间的焊带20与同一汇流条30相连，且正负极焊带20相反。
可以理解的是，当第一电池片11和第二电池片12同为N型，且采用第一电池片11的N型正面第二电池片12的N型和正面交替连接；或者第一电池片11为P型，第二电池片12为N型，采用P型正面和N型正面交替连接形成电池串时，本领域技术人员可很容易根据本实施例的正负极的连接规则来进行焊带20和汇流条30的焊接。
示例五：若光伏组件包含至少两排电池组，每排电池组包含子电池组，每组子电池组包含多串电池串，例如如图10所示，当第一电池组1000和第二电池串2000具有多串电池串时，且第一电池组1000和第二电池组2000具有子电池组时，若第一电池片11和第二电池片12为具备相同导电类型的电池片，例如P型导电类型的电池片，则第一电池片11和第二电池片12按照正面和背面相互交替的方式连接形成电池串，且每串电池串的电池片的数量为奇数，则第一子电池组1000a和第二子电池组2000a远离第二子电池组1000b的一侧的焊带20与通过一汇流条30焊接，且其连接的正负极的焊带20相同；第二子电池组1000b和第二子电池组2000b远离第一子电池组1000a的一侧的焊带20与通过一汇流条30焊接，且其连接的正负极的焊带20相同；第一子电池组1000a与第二子电池组1000b相邻的一侧中，第一子电池组1000a和第二子电池组1000b的第一串与同一汇流条30相连，且连接的正负极焊带20相同，第一子电池组2000a和第二子电池组2000b的最下面一串与同一汇流条30相连，且连接的正负极焊带20相同，中间的第一电池组10000和第二电池组2000的焊带20与同一汇流条30相连，且正负极焊带20相反。
可以理解的是，当第一电池片11和第二电池片12同为N型，且采用正面和正面交替连接；或者第一电池片11为P型，第二电池片12为N型，采用P型正面和N型正面交替连接形成电池串时，本领域技术人员可很容易根据本实施例的正负极的连接规则来进行焊带20和汇流条30的焊接。
可以理解的是，本发明中还可以包括两排以上的电池组，例如第三电池组或第四电池组等，每排电池组还可以包含至少两个以上的子电池组，本领域技术人员可很容易根据以上实施例的正负极的连接规则来进行焊带和汇流条的焊接，本发明中不限定电池排、子电池组和电池串的数量。
下面，参考附图11-13描述本发明第二方面公开的一种光伏组件的制备方法。
如图11所示，该制备方法包括：
步骤一：制备第一电池片和第二电池片；第一电池片和第二电池片具有不同主栅图形或不同导电类型；第一电池片和第二电池片的正面和背面包含至少一条主栅，正面的主栅和背面的主栅错位设置；
该步骤中，需要选取两种不同类型的电池片，即两种电池片可以为具备不同的主栅图形或者是具备不同的导电类型，且两种电池片的正面和背面需包含至少一条主栅，该主栅可以为直线型主栅，也可以为点式型主栅，且正面的主栅和背面的主栅在正背面的相对位置是错开设计的。
在一种可能的实现方式中，如图4所示，第一电池片和第二电池片具有相同的导电类型，也就是同为P型或者同为N型，第一电池片的正面11a上的主栅101和第二电池片的背面12b的主栅101的图形一致；第一电池片的背面11b上的主栅101和第二电池片的正面12a的主栅101的图形一致；第一电池片的正面11a设置4条主栅101，对背面11b设置3条主栅101。
其中，正面主栅与背面主栅错位设置，背面的主栅位于正面相邻的两个主栅之间，且背面的主栅距离正面上述相邻两个主栅的距离为正面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%；或者电池片的背面主栅位于正面的两个主栅的中间，背面的主栅距离正面上述相连两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%。
第二电池片的正面12a设置3条主栅101，背面12b设置4条主栅101，且正面主栅与背面主栅错位设置，正面的主栅位于背面相邻的两个主栅之间，且正面的主栅距离背面上述相邻两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%；或者电池片的背面主栅位于正面的两个主栅的中间，背面的主栅距离正面上述相连两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%。电池片正面的主栅的间距可以设置为16.8mm~25mm之间，和/或背面主栅的间距可以设置为16.8mm~25mm之间。
进一步地，如图12所示，在具体的操作中，可以选取同一批次的硅片，该硅片的导电类型相同，且具有比较相近的电性能，也就是电阻率和少子寿命相近的硅片，这样可保证该批次硅片后期的效率比较接近，将该批次的硅片进行制绒、扩散、后清洗和PECVD(Plasmaenhanced chemical vapor deposition，等离子体辅助化学气相沉积），上述制绒、扩散、后清洗和PECVD的过程为本领域人员所熟知的工艺操作，在此就不在赘述。PECVD完成后，则可将该批次硅片分成平均的两组，第一组硅片和第二组硅片，将第一组硅片在扩散面印刷第一类主栅线，在背面印刷第二类主栅线，完成第一电池片的制备；将第二组硅片在扩散面印刷第二类主栅线，在背面印刷第一类主栅线，完成第二电池片的制备；随后对第一电池片和第二电池片进行烘干，由此得到第一电池片和第二电池片。
在另一种可能的实现方式中，如图5所示，当第一电池片和第二电池片具有不同的导电类型，也就是当第一电池片为P型时，第二电池片为N型，或者第一电池片为N型时，第二电池片为P型；第一电池片的正面11a上的主栅101和第二电池片的正面12a的主栅101的图形一致；第一电池片的背面11b上的主栅101和第二电池片的背面11b的主栅101的图形一致；第一电池片的正面11a设置4条主栅101，对背面11b设置3条主栅101，且正面主栅与背面主栅错位设置，背面的主栅位于正面相邻的两个主栅之间，背面的主栅距离正面上述相邻两个主栅的距离为正面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%；或者电池片的背面主栅位于正面的两个主栅的中间，背面的主栅距离正面上述相连两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%。第二电池片的正背面的图形与第一电池片的正背面图形相同，正面的主栅位于背面相邻的两个主栅之间，且正面的主栅距离背面上述相邻两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%。或者电池片的背面主栅位于正面的两个主栅的中间，背面的主栅距离正面上述相连两个主栅的距离为背面上述相邻两个主栅之间距离的40%-60%。
可选地，电池片正面的主栅和背面主栅的间距可以分别设置为16.8mm~25mm之间。任一第一类主栅线位于相邻两个第二类主栅线之间，或者任一第二类主栅线位于相邻两个第一类主栅线之间。
进一步地，如图13所示，在具体的操作中，可以选取电阻率和少子寿命相近的一批次P型硅片和一批次N型硅片，将两批次的硅片进行制绒、扩散、后清洗和PECVD，并在扩散面印刷第一类主栅线，在背面印刷第二类主栅线，随后烘干，由此得到第一电池片和第二电池片。
步骤二：利用焊带将第一电池片和第二电池片采用相互交替的方式排列直线串联得到电池串，第一电池片与第二电池片的间距为-0.5~0.5mm；
该步骤中，将第一电池片和第二电池片按照相互交错的方式；例如对于具有相同导电类型的硅片，采用第一电池片的正面和第二电池片的背面相互交替的方式进行排列，第一电池片和第二电池片的间距控制在-0.5mm~0.5mm，最好是控制在0mm，-0.5mm~0.5mm的偏差是为了防止电池片的斜度存在偏差。或者，对于具有不同导电类型的硅片，采用P型的正面和N型的正面相互交替的方式进行排列，第一电池片和第二电池片的间距控制在-0.5mm~0.5mm，最好是控制在0mm，由此使得相邻第一电池片与第二电池片之间几乎无缝。
其中，在一个具体的实施例中，第一电池片和第二电池片可以为双面电池片，尤其是HIT双面电池，双面电池片的正面的效率和背面的效率相当，可以减少电池片的正面和背面的主栅串联造成的效率差异，提高光伏组件的功率。
步骤三：通过汇流条连接电池串上的焊带，实现电池串之间的串联或并联；
该步骤中，通过汇流条与焊带之间的连接，使得电池串与电池串之间形成串联或者并联，从而实现光伏组件的正负极的导通。其具体的连接方式如前，在此就不在赘述。
步骤四：在电池组件正面设置EVA和玻璃；
步骤五：在电池组件背面设置EVA和背板；
步骤六：将EVA、玻璃、电池串、背板层压成一个整体；步骤七：在整体四周安装边框；在汇流条位置安装接线盒；得到光伏组件。
步骤四-七为光伏组件制备的常规操作，对于本发明中的光伏组件，由于焊带采用直线串联的方式，其层压过程中的表面会相对平整，因此其碎片率低，且相对美观。
本发明的光伏组件的制备方法的有益效果与本发明的光伏组件的有益效果相同，在此就不再赘述。
尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”（comprising）一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池片；
所述电池片包含正面和背面，所述正面和所述背面包含至少一条主栅，所述电池片的正面的主栅和背面的主栅错位设置；
所述电池片包括第一电池片和第二电池片，所述第一电池片和所述第二电池片为具有不同主栅图形或不同导电类型的电池片；
所述第一电池片和所述第二电池片采用相互交替的方式利用焊带直线串联形成电池串，每个所述电池串中相邻所述第一电池片与第二电池片的间距为-0.5~0.5mm。
2.如权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，
所述第一电池片和所述第二电池片具有相同的导电类型且具有不同的主栅图形，所述第一电池片的正面的主栅与第二电池片的背面的主栅图形一致，所述第一电池片的背面的主栅与第二电池片的正面的主栅图形一致；
或；
所述第一电池片和所述第二电池片具有不同的导电类型且具有相同的主栅图形，所述第一电池片的正面的主栅与所述第二电池片的正面的主栅图形一致，所述第一电池片的背面的主栅与所述第二电池片的背面的主栅图形一致。
3.如权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，所述电池片的所述正面主栅的间距和/或所述电池片的所述背面主栅的间距为16.8mm~25mm；和/或，所述电池片的所述正面的主栅位于所述背面的两个主栅的中间或所述电池片的所述背面的主栅位于所述正面的两个主栅的中间。
4.如权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，所述电池片为双面电池片。
5.如权利要求1所述的光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括至少两排电池组，每排所述电池组包括至少一串所述电池串，相邻所述两排电池组之间的间距为-0.5~0.5mm。
6.如权利要求5所述的光伏组件，其特征在于，所述电池串中包含的所述电池片的数量为奇数，所述电池串上的焊带与汇流条焊接，实现电池串与电池串之间的串联或并联。
7.一种制备光伏组件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备第一电池片和第二电池片；所述第一电池片和所述第二电池片具有不同主栅图形或不同导电类型；所述第一电池片和所述第二电池片的正面和背面包含至少一条主栅，所述正面的主栅和所述背面的主栅错位设置；
利用焊带将所述第一电池片和所述第二电池片采用相互交替的方式排列直线串联得到电池串，所述第一电池片与所述第二电池片的间距为-0.5~0.5mm；
通过汇流条连接所述电池串，实现所述电池串之间的串联或并联；
在电池组件正面设置EVA和玻璃；
在电池组件背面设置EVA和背板；
将EVA、玻璃、电池串、背板层压成一个整体；
在整体四周安装边框；在汇流条位置安装接线盒，得到所述光伏组件。
8.如权利要求7所述的制备光伏组件的方法，其特征在于，制备所述第一电池片和所述第二电池片的过程为：
选取相同导电类型的一批次硅片；
将所述批次硅片进行制绒，扩散，后清洗，PECVD；
将所述批次硅片分成第一组和第二组；
将所述第一组硅片在扩散面印刷第一类主栅线，在所述背面印刷第二类主栅线，完成所述第一电池片的制备；
将所述第二组硅片在扩散面印刷所述第二类主栅线，在所述背面印刷所述第一类主栅线，完成所述第二电池片的制备；
烘干所述第一组硅片和所述第二组硅片；
或；
选取P型硅片为第一组硅片；选取N型硅片为第二组硅片；
将所述第一组硅片和第二组硅片进行制绒，扩散，后清洗，PECVD，并在扩散面印刷第一类主栅线，在背面印刷第二类主栅线；
烘干所述第一组硅片和所述第二组硅片。
9.如权利要求8所述的制备光伏组件的方法，其特征在于，所述第一类主栅线和/或所述第二类主栅线的间距为16.8mm~25mm；和/或，任一所述第一类主栅线位于相邻两个所述第二类主栅线的中间或所述第二类主栅线位于两个所述第一类主栅线的中间。
10.如权利要求7所述的制备光伏组件的方法，所述光伏组件包含至少两排电池组，每排所述电池组包含至少一串所述电池串，相邻所述两排电池组之间的间距为-0.5~0.5mm。
CN202111594680.0A 2021-12-24 2021-12-24 光伏组件及制备方法 Active CN114373810B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111594680.0A CN114373810B (zh) 2021-12-24 2021-12-24 光伏组件及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111594680.0A CN114373810B (zh) 2021-12-24 2021-12-24 光伏组件及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114373810A true CN114373810A (zh) 2022-04-19
CN114373810B CN114373810B (zh) 2024-06-28

Family

ID=81141251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111594680.0A Active CN114373810B (zh) 2021-12-24 2021-12-24 光伏组件及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114373810B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987515A (zh) * 2018-08-03 2018-12-11 浙江爱旭太阳能科技有限公司 分片贯孔单面直连太阳能电池组件及制备方法
CN109148618A (zh) * 2018-09-30 2019-01-04 东方日升新能源股份有限公司 一种光伏组件的制作方法及光伏组件
CN110379867A (zh) * 2019-07-11 2019-10-25 江苏爱康科技股份有限公司 硅基异质结太阳电池叠瓦光伏组件及其制备方法
CN216624295U (zh) * 2021-12-24 2022-05-27 新余赛维电源科技有限公司 光伏组件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987515A (zh) * 2018-08-03 2018-12-11 浙江爱旭太阳能科技有限公司 分片贯孔单面直连太阳能电池组件及制备方法
CN109148618A (zh) * 2018-09-30 2019-01-04 东方日升新能源股份有限公司 一种光伏组件的制作方法及光伏组件
CN110379867A (zh) * 2019-07-11 2019-10-25 江苏爱康科技股份有限公司 硅基异质结太阳电池叠瓦光伏组件及其制备方法
CN216624295U (zh) * 2021-12-24 2022-05-27 新余赛维电源科技有限公司 光伏组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN114373810B (zh) 2024-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109786492B (zh) 光伏组件及其制造方法
JP3223120U (ja) 太陽電池モジュール
EP2278623A2 (en) Photovoltaic panel and cell with fine fingers and method of manufacturing the same
CN115810679B (zh) 一种背接触电池及其电极结构
CN217588948U (zh) 背接触太阳电池及电池组件、电极结构及其网版
CN116230795B (zh) 光伏电池片组及其制备方法、光伏组件
WO2024098968A1 (zh) 一种光伏电池结构及其制造方法、光伏组件
CN216624295U (zh) 光伏组件
WO2024012108A1 (zh) 一种太阳能电池和太阳能组件
CN111564522B (zh) 结合p型和n型太阳能电池片的光伏组件制备方法
CN210092105U (zh) 背接触太阳能电池组串及组件
CN114649435A (zh) 一种光伏组件及其制备工艺
CN215183994U (zh) 一种背接触太阳能电池及其电极、光伏组件
WO2024099014A1 (zh) 一种背接触电池、光伏电池结构和光伏组件
JP5953165B2 (ja) 補助バスバー電極を備える太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN210123747U (zh) 一种光伏组件
CN218677159U (zh) 背接触电池、背接触电池分片、光伏电池结构及光伏组件
CN218414593U (zh) 一种太阳电池
CN217655889U (zh) 一种太阳能电池及太阳能电池组件
CN114373810A (zh) 光伏组件及制备方法
CN109950334A (zh) Mwt太阳能电池组串及其制备方法、组件
CN213716910U (zh) 硅片、电池片、电池串以及光伏组件
CN212934626U (zh) 一种ibc电池主栅结构
CN209785947U (zh) Mwt太阳能电池片、电池串及电池组件
CN212874508U (zh) 一种叠片组件及光伏组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 338004 No. 1950, Saiwei Avenue, high tech Development Zone, Xinyu City, Jiangxi Province

Applicant after: Xinyu Haiyuan Power Technology Co.,Ltd.

Address before: 338004 No. 1950, Saiwei Avenue, high tech Development Zone, Xinyu City, Jiangxi Province

Applicant before: Xinyu Saiwei Power Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant