CN114342568A - 电路板 - Google Patents
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- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 39
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 47
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 26
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 claims description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 382
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 46
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 27
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical group C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M thiocyanate group Chemical group [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- -1 azo compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
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- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
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- H05K2201/09827—Tapered, e.g. tapered hole, via or groove
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Abstract
根据实施例的电路板包括:绝缘部,所述绝缘部包括多个绝缘层;电路图案,所述电路图案被设置在该多个绝缘层的表面上;以及通孔,所述通孔被设置在多个绝缘层中并且连接不同层上设置的电路图案,其中多个绝缘层中的每个包括树脂涂覆铜(RCC),并且具有2.03至2.7的介电常数。
Description
技术领域
本实施例涉及一种电路板,更具体地,涉及一种包括具有低介电常数和低热膨胀系数的绝缘层的电路板。
背景技术
印刷电路板(PCB)是通过在电绝缘基板上用导电材料(诸如铜)印刷电路线图案而形成的,并且是指紧接在安装电子部件之前的板。即,为了在平板上密集地安装多种电子设备,该平板指的是在其上确定每个零件的安装位置并将连接这些零件的电路图案印刷在平板表面上并固定的电路板。
通常,OSP(有机可焊性防腐剂)、电解镍/金、电解镍/金-钴合金、无电解镍/钯/金可以用作如上文描述的包括在印刷电路板中的电路图案的表面处理方法。
在这种情况下,所使用的表面处理方法根据其用途而有所不同,例如,用途包括焊接用途、电线接合用途、连接器用途等。
安装在印刷电路板上的部件可以通过连接到每个部件的电路图案传输从部件生成的信号。
另一方面,近来的便携式电子设备等的功能性越来越高,为了对大量信息进行高速处理,正在开发高频信号,并且因此,需要适用于高频应用的印刷电路板的电路图案。
为了能够在不降低高频信号的质量的情况下传输印刷电路板的这种电路图案,期望传输损耗的降低。
印刷电路板的电路图案的传输损耗主要由铜箔引起的导体损耗和绝缘体引起的介电损耗构成。
由于铜箔引起的导体损耗与电路图案的表面粗糙度有关。即,随着电路图案的表面粗糙度增加,传输损耗可能由于趋肤效应而增加。
因此,当电路图案的表面粗糙度减小时,具有防止传输损耗减小的效果,但存在电路图案与绝缘层之间的粘附性降低的问题。
此外,为了降低介电常数,可以使用介电常数小的材料作为电路板的绝缘层。
然而,在用于高频应用的电路板中,除了低介电常数之外,绝缘层还需要用于电路板中的化学和机械性质。
详细地,它应具有各向同性的电性质以便于电路图案设计和工艺、与金属布线材料的低反应性、低离子电导率、足以承受诸如化学机械抛光(CMP)等工艺的机械强度、低水分吸收(这可以防止分层或介电常数增加)、耐热性(可以克服加工温度)、低热膨胀系数以消除由于温度变化引起的开裂,并且此外,必须满足各种条件(诸如粘附性、抗裂性、低应力和低高温气体生成)以使与其他材料交接可能生成的各种应力和剥离最小化。
因此,需要一种用于高频应用的绝缘层,其具有低介电常数和具有小表面粗糙度的电路图案,同时提高绝缘层与电路图案之间的粘附性以及上述化学和机械性质。
发明内容
【技术问题】
在本实施例中,可以实现电路板的薄型化。
此外,在实施例中,可以提供一种电路板,该电路板包括具有低介电常数的绝缘层和具有低信号损耗的电路图案。
此外,在实施例中,可以提供一种电路板,该电路板具有仅由具有低热膨胀系数的树脂涂覆铜(RCC)形成的绝缘层。
此外,在实施例中,通过去除包括在绝缘层中的玻璃纤维,可以将电路板的厚度减小与该玻璃纤维相对应的厚度。
此外,在实施例中,可以提供一种电路板,其中电路图案的厚度大于绝缘层的厚度。
所提出的实施例中要解决的技术问题不限于上文提及技术问题,并且本领域的普通技术人员将从以下描述中提出的实施例清楚地理解实施例中未提及的其他技术问题。
【技术解决方案】
根据实施例的电路板包括:第一绝缘部,该第一绝缘部包括至少一个绝缘层;第二绝缘部,该第二绝缘部被设置在第一绝缘部上并且包括至少一个绝缘层;以及第三绝缘部,该第三绝缘部被设置在第一绝缘部下方并且包括至少一个绝缘层;其中,构成第一绝缘部的绝缘层包括含有玻璃纤维的预浸料(prepreg),以及其中,构成第二绝缘部和第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层由树脂涂覆铜(RCC)制成。
此外,构成第一绝缘部的绝缘层的厚度大于构成第二绝缘部和第三绝缘部的每个绝缘层的厚度。
此外,电路板还包括电路图案,该电路图案被设置在第一绝缘部至第三绝缘部中的每个绝缘层的表面上,其中构成第一绝缘部的绝缘层的厚度大于电路图案的厚度,以及其中构成第二绝缘部和第三绝缘部的绝缘层的厚度小于电路图案的厚度。
此外,电路板还包括通孔,该通孔被设置在构成第一绝缘部至第三绝缘部的绝缘层中的至少一个绝缘层中;其中,设置在构成第一绝缘部的绝缘层中的通孔的厚度大于电路图案的厚度;以及其中,设置在构成第二绝缘部和第三绝缘部的绝缘层中的通孔的厚度小于电路图案的厚度。
此外,构成第二绝缘部和第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层包括:第一化合物,该第一化合物包括聚苯醚(PPE);以及第二化合物,该第二化合物包括三环癸烷和连接到三环癸烷的端基,以及其中第一化合物与第二化合物的重量比为4:6至6:4。
此外,端基包括丙烯酸酯基、环氧基、羧基、羟基和异氰酸酯基中的至少一种。
此外,第一化合物和第二化合物未化学键合。
此外,构成第二绝缘部和第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层的热膨胀系数和介电常数小于构成第一绝缘部的绝缘层的热膨胀系数和介电常数。
此外,构成第二绝缘部和第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层的介电常数为2.03至2.7。
另一方面,根据实施例的电路板包括:绝缘部,该绝缘部包括多个绝缘层;电路图案,该电路图案被设置在该多个绝缘层的表面上;以及通孔,该通孔被设置在该多个绝缘层中并连接不同层上设置的电路图案,其中该多个绝缘层中的每个绝缘层由树脂涂覆铜(RCC)制成,以及其中该多个绝缘层中的每个绝缘层的介电常数为2.03至2.7。
此外,该多个绝缘层中的每个绝缘层的厚度小于电路图案的厚度。
此外,通孔的厚度小于电路图案的厚度。
此外,该多个绝缘层中的每个绝缘层包括第一材料和第二材料,其中第一材料包括彼此化学键合的第一化合物,其中第二材料包括彼此化学键合的第二化合物,其中第一化合物中的每个包括聚苯醚(PPE),其中第二化合物中的每个包括三环癸烷和连接到三环癸烷的端基;其中第二化合物通过端基彼此键合,其中端基包括丙烯酸酯基、环氧基、羧基、羟基和异氰酸酯基中的至少一种。
【有益效果】
根据实施例的电路板可以包括缓冲层,该缓冲层被设置在绝缘层与电路图案之间。
即,在根据实施例的电路板中,缓冲层可以被形成在电路图案的表面上,或者缓冲层可以被形成在绝缘层上。
缓冲层可以被设置在绝缘层与电路图案之间,以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
即,绝缘层和电路图案是分别包括树脂材料和金属的异质材料,并且当电路图案被形成在绝缘层上时,存在粘附性降低的问题。
因此,通过在绝缘层与电路图案之间设置化学键合到绝缘层和电路图案的缓冲层,可以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
即,缓冲层包括耦接到绝缘层和电路图案的多个官能团,这些官能团通过共价键或配位键化学键合到绝缘层和电路图案,从而可以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
因此,即使当绝缘层的表面粗糙度减小时,也可以确保绝缘层与电路图案之间的粘附可靠性。
因此,即使当根据实施例的电路板用于高频目的时,通过维持电路图案的表面粗糙度低,也可以降低高频信号的传输损耗,即使电路图案的表面粗糙度被保持得低,也可以通过缓冲层确保绝缘层与电路图案之间的粘附性,并且从而可以确保电路图案的整体可靠性。
此外,根据实施例的电路板可以包括具有改进强度的绝缘层,其具有低介电常数和低热膨胀系数。
详细地,绝缘层包括具有低介电常数和改进强度的第一材料和第二材料,并且由于第一材料形成在绝缘层中以设置在第二材料的网状结构内部,并且从而可以防止第一材料和第二材料的相分离。因此,绝缘层可以将第一材料和第二材料形成为单相,从而提高绝缘层的强度。
即,通过交联(cross-linking)增加具有网状结构的第二材料的自由体积(即,分子运动),可以将具有网状结构的聚合物链结构化,使得它们不紧密布置,并且由于第一材料被部分地设置在网状结构内部,所以第一材料和第二材料可以在绝缘层内部被形成为单相。
因此,当根据实施例的电路板用于高频应用时,可以通过降低绝缘层的介电常数来降低高频信号的传输损耗,并且通过提高绝缘层的热膨胀系数和机械强度,可以确保电路板的整体可靠性。
此外,由于根据实施例的电路板包括具有低介电常数和低热窗系数的绝缘层,所以它可以替代现有的包括玻璃纤维的绝缘层。具体地,根据实施例的电路板可以去除包括在绝缘层中的玻璃纤维。具体地,在根据实施例的电路板中,通过使用构成RCC(树脂涂覆铜)的树脂和填料,能够容易地调整绝缘层的介电常数和热膨胀系数,并且因此,通过将绝缘层配置为不包括玻璃纤维的传统RCC,可以减小印刷电路板的整体厚度。此外,由于根据实施例的电路板由具有低热膨胀系数的绝缘层构成,所以不仅可以去除芯层以确保强度,而且还可以减小绝缘层的厚度,并且因此,可以提供具有的厚度小于电路图案的厚度的绝缘层。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的电路板的横截面图的视图。
图2至图5是用于说明根据实施例的电路板的缓冲层的布置关系的视图。
图6是示出根据实施例的电路板的缓冲层的简化结构式的视图。
图7是示出根据实施例的包括在电路板的绝缘层中的第二材料的结构的视图。
图8是用于说明根据实施例的包括在电路板的绝缘层中的第一材料和第二材料的布置结构的视图。
图9是示出根据第二实施例的电路板的横截面图的视图。
图10是示出根据第三实施例的电路板的横截面图的视图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的实施例。然而,本发明的精神和范围不限于所描述的实施例的一部分,并且可以以各种其他形式实施,并且在本发明的精神和范围内,实施例的一个或多个元件可以选择性地组合和替代使用。
此外,除非另有明确定义和描述,否则本发明的实施例中使用的术语(包括技术术语和科学术语)可以解释为与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义,并且诸如那些在常用词典中定义的术语可以被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义。
此外,本发明的实施例中使用的术语用于描述实施例,并不旨在限制本发明。在本说明书中,除非在短语中特别说明,否则单数形式还可以包括复数形式,并且当描述为“A(和)、B和C中的至少一个(或多个)”时可以包括在A、B和C中组合的所有组合中的至少一个。
此外,在描述本发明的实施例的元件时,可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)等术语。这些术语仅用于将元件与其他元件区分开,并且这些术语不限于元件的本质、顺序或次序。
此外,当元件被描述为“连接”、“耦接”或“连接”到另一元件时,它不仅可以包括该元件直接“连接”到、“耦接”到或“连接”到其他元件,还可以包括该元件通过该元件与其他元件之间的另一个元件“连接”、“耦接”或“连接”。
此外,当描述为形成或设置在每个元件的“上(上方)”或“下(下方)”时,“上(上方)”或“下(下方)”不仅可以包括两个元件彼此直接连接,还可以包括一个或多个其他元件形成或设置在两个元件之间。
此外,当表述为“上(上方)”或“下(下方)”时,它不仅可以包括基于一个元件的上方向,还可以包括下方向。
在下文中,将参考附图描述根据实施例的电路板。
图1是示出了根据第一实施例的电路板的横截面图的视图。
参考图1,根据第一实施例的电路板1000可以包括绝缘基板100、第一焊盘160、第一上金属层170、第二焊盘180和第二上金属层190、第一保护层SR1、第二保护层SR2、焊膏200以及电子部件300(在本文中,在图9和图10示出了第一上金属层170、第二焊盘180和第二上金属层190)。
绝缘基板100可以具有平板结构。绝缘基板100可以是印刷电路板(PCB)。在此,绝缘基板100可以实现为单个基板,或者可替选地,可以实现为其中多个绝缘层按顺序堆叠的多层基板。
因此,绝缘基板100可以包括多个绝缘部110、120、130。如图1所示,该多个绝缘部包括第一绝缘部110、设置在第一绝缘部110上的第二绝缘部120以及设置在第一绝缘部110下方的第三绝缘部130。
在这种情况下,第一绝缘部110、第二绝缘部120和第三绝缘部130可以由不同的绝缘材料形成。优选地,第一绝缘部110可以包括玻璃纤维。此外,与第一绝缘部110不同,第二绝缘部120和第三绝缘部130可以不包括玻璃纤维。
因此,构成第一绝缘部110的每个绝缘层的厚度可以不同于构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的每个绝缘层的厚度。换言之,构成第一绝缘部110的每个绝缘层的厚度可以大于构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的每个绝缘层的厚度。
即,第一绝缘部110包括玻璃纤维。玻璃纤维通常具有约12μm(微米)的厚度。因此,构成第一绝缘部110的每个绝缘层的厚度可以具有21μm±2μm的厚度,包括玻璃纤维的厚度。具体地,包括在第一绝缘部110中的每个绝缘层的厚度可以在19μm至23μm的范围内。
与此不同的是,玻璃纤维未被包括在第二绝缘部120中。优选地,构成第二绝缘部120的每个绝缘层可以由RCC构成。因此,构成第二绝缘部120的每个绝缘层可以具有12μm±2μm的厚度。即,构成第二绝缘部120的每个绝缘层的厚度可以在10μm至14μm的范围内。
此外,玻璃纤维未被包括在第三绝缘部130中。优选地,构成第三绝缘部130的每个绝缘层可以由RCC构成。因此,构成第三绝缘部130的每个绝缘层可以具有12μm±2μm的厚度。即,构成第三绝缘部130的每个绝缘层的厚度可以在10μm至14μm的范围内。
即,构成比较示例中的电路板的绝缘部包括多个绝缘层,并且该多个绝缘层由包括玻璃纤维的预浸料(PPG)构成。在这种情况下,难以基于比较示例中的电路板的PPG来减小玻璃纤维的厚度。这是因为,当PPG的厚度减小时,包括在PPG中的玻璃纤维可以电连接到设置在PPG的表面上的电路图案,并由此引发裂纹风险。因此,在减小比较示例中的电路板的PPG的厚度的情况下,可能发生介电击穿和对电路图案的损坏。因此,比较示例中的电路板由于构成PPG的玻璃纤维的厚度而在减小整体厚度方面具有限制。
此外,由于比较示例中的电路板仅由含有玻璃纤维的PPG的绝缘层构成,所以其具有高介电常数。然而,在具有高介电常数的电介质的情况下,存在难以将其作为高频的替代物来访问的问题。即,在比较示例的电路板中,由于玻璃纤维的介电常数高,所以在高频带下的介电常数被破坏。
因此,在本实施例中,使用具有低介电常数的RCC形成绝缘层,从而减小电路板的厚度,并且提供即使在高频带下信号损耗也最小化的高可靠性电路板。这可以通过构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的每个绝缘层中的材料的性质来实现,这将在下面更详细地描述。
第一绝缘部110可以包括从底部开始的第一绝缘层111、第二绝缘层112、第三绝缘层113和第四绝缘层114。此外,第一绝缘层111、第二绝缘层112、第三绝缘层113和第四绝缘层114中的每个绝缘层可以由包括玻璃纤维的PPG制成。
此外,第二绝缘部120可以包括从底部开始的第五绝缘层121和第六绝缘层122。构成第二绝缘部120的第五绝缘层121和第六绝缘层122可以由具有低介电常数和低热膨胀系数的RCC形成。
此外,第三绝缘部130可以包括从顶部开始的第七绝缘层131和第八绝缘层132。构成第三绝缘部130的第七绝缘层131和第八绝缘层132可以由具有低介电常数和低热膨胀系数的RCC形成。
同时,尽管第一绝缘部110在上文已经被示出为具有四层绝缘层结构,但不限于此,并且构成第一绝缘部110的绝缘层的数量可以增加或减少。
此外,尽管第二绝缘部120和第三绝缘部130已经被示出为具有两层的绝缘层结构,但本发明不限于此,并且构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层的数量可以增加。
如上文描述的,根据第一实施例的电路板包括第一绝缘部110、第二绝缘部120和第三绝缘部130,并且第一绝缘部110可以由包括玻璃纤维的PPG制成,并且第二绝缘部120和第三绝缘部130可以由具有低介电常数的RCC形成,以用于应用于高频应用的电路板。此外,第二绝缘部120和第三绝缘部130可以具有低介电常数,并且同时确保机械/化学安全性,从而提高电路板的可靠性。
下面将详细描述构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层。
同时,电路图案140可以被设置在构成第一绝缘部110、第二绝缘部120和第三绝缘部130中的每个绝缘部的绝缘层的表面上。
优选地,电路图案140可以被设置在第一绝缘层111、第二绝缘层112、第三绝缘层113、第四绝缘层114、第五绝缘层121、第六绝缘层122、第七绝缘层131和第八绝缘层132中的每个绝缘层的至少一个表面上。
电路图案140是传输电信号的电线,并且可以由具有高导电性的金属材料形成。为此,电路图案140可以由选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钛(Ti)、锡(Sn)、铜(Cu)和锌(Zn)中的至少一种金属材料形成。
此外,电路图案140可以由包括选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钛(Ti)、锡(Sn)、铜(Cu)和锌(Zn)中的至少一种金属材料的膏或焊膏形成,这种膏或焊膏具有优异的结合强度。优选地,电路图案140可以由具有高导电性并且相对便宜的铜(Cu)形成。
此外,电路图案140可以具有12μm±2μm的厚度。即,电路图案的厚度可以在10μm至14μm的范围内。
电路图案140可以使用加成工艺(additive process)、减成工艺(subtractiveprocess)、MSAP(改型的半加成工艺)和SAP(半加成工艺(Semi Additive Process))方法形成,其是可能的典型印刷电路板制造工艺,并且本文将省略其详细描述。
同时,缓冲层400可以设置在构成第一绝缘部110、第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层中的每个绝缘层上和/或设置在电路图案140的表面上。详细地,缓冲层400可以设置在电路图案140的顶表面、底表面和侧表面中的至少一个的表面上或者设置在绝缘层的设置有电路图案的表面上。
下面将详细描述形成在绝缘层或电路图案上的缓冲层。
在构成第一绝缘部110、第二绝缘部120和第三绝缘部130的多个绝缘层中的至少一个绝缘层中形成有至少一个通孔150。通孔150被设置成穿过该多个绝缘层中的至少一个绝缘层。通孔150可以仅穿过该多个绝缘层中的一个绝缘层。可替选地,通孔150可以在共同穿过多个绝缘层之中的至少两个绝缘层时被形成。因此,通孔150将设置在不同绝缘层的表面上的电路图案彼此电连接。
通孔150可以通过用导电材料填充该穿过多个绝缘层中的至少一个绝缘层的通孔(未示出)的内部来形成。
当通过机械加工形成通孔时,可以使用诸如铣削、钻孔和布线(routing)等方法,并且当通过激光加工形成通孔时,可以使用UV或CO2激光法,并且当通过化学加工形成通孔时,可以使用含有氨基硅烷、酮类等的药物等,从而可以打开第一绝缘层110。
另一方面,激光加工是一种切割方法,其通过将光能集中在表面上来将材料的一部分熔化并蒸发以形成期望的形状,它可以通过计算机程序轻松地加工复杂的形状,并且可以加工通过其他方法难以切割的复合材料。
此外,激光加工可以具有至少0.005mm的切割直径,并且在可能的厚度范围内具有广泛的优势。
作为激光加工钻头,优选的使用YAG(钇铝石榴石)激光、CO2激光或紫外(UV)激光。YAG激光是可以加工铜箔层和绝缘层这两者的激光,而CO2激光是只能加工绝缘层的激光。
当形成通孔时,通过用导电材料填充通孔的内部来形成通孔150。形成通孔150的金属材料可以是选自铜(Cu)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)和钯(Pd)中的任一种材料,并且导电材料可以是使用化学镀、电解镀、丝网印刷、溅射、蒸发、喷墨和分配中的任一种或它们的组合来填充。
第一焊盘160设置在该多个绝缘层中的最上绝缘层(具体地,构成第二绝缘部120的第六绝缘层122)上,并且第二焊盘180设置在该多个绝缘层中的最下绝缘层(具体地,构成第三绝缘部130的第八绝缘层132)下。
换言之,第一焊盘160设置在该多个绝缘层中的设置有电子部件300的最上绝缘层上。多个第一焊盘160可以形成在最上绝缘层上。此外,第一焊盘160的一部分可以用作用于信号传输的图案,而另一部分可以用作通过电线等电连接到电子部件300的内部导线。换言之,第一焊盘160可以包括用于电线接合的电线接合焊盘。
此外,第二焊盘180设置在该多个绝缘层中的外部基板(未示出)待附接到的最下绝缘层下方。与第一焊盘160一样,第二焊盘180的一部分也用作用于信号传输的图案,而第二焊盘180的另一部分是外部导线,该外部导线上设置有粘附构件(未示出)以用于附接外部基板。换言之,第二焊盘180可以包括用于焊接用途的焊接盘。
此外,第一上金属层170设置在第一焊盘160上,并且第二上金属层190设置在第二焊盘180下方。第一上金属层170和第二上金属层190分别由相同的材料形成,在保护第一焊盘160和第二焊盘180的同时,增强了电线接合或焊接特性。
为此,第一上金属层170和第二上金属层190由包括金(Au)的金属形成。优选地,第一上金属层170和第二上金属层190可以仅包括纯金(纯度为99%或更高),并且可替选地,可以由含有金(Au)的合金形成。当第一上金属层170和第二上金属层190由含金的合金形成时,该合金可以由含钴的金合金形成。
焊膏200设置在该多个绝缘层中的最上绝缘层上。焊膏是用于固定附接到绝缘基板100的电子部件300的粘附剂。因此,焊膏200也可以称为粘附剂。粘附剂可以是导电粘附剂,可替选地可以是非导电粘附剂。即,电路板100可以是电子部件300通过电线接合方法所附接到的板,并且因此,电子部件300的端子(未示出)可以不设置在粘附剂上。此外,粘附剂可以不电连接到电子部件300。因此,粘附剂可以使用非导电粘附剂,或者可替选地,可以使用导电粘附剂。
导电粘附剂大致分为各向异性导电粘附剂和各向同性导电粘附剂,并且主要由导电颗粒(诸如Ni、Au/聚合物或Ag)和热固性、热塑性或混合了这两者特性的混合型绝缘树脂构成。
此外,非导电粘附剂可以是聚合物粘附剂,优选地是包括热固性树脂、热塑性树脂、填料、固化剂和固化促进剂的非导电聚合物粘附剂。
此外,暴露第一上金属层170的表面的至少一部分的第一保护层SR1设置在最上绝缘层上。第一保护层SR1被设置成保护最上绝缘层的表面,并且例如,它可以是阻焊剂。
此外,焊膏200设置在第一上金属层170上,并且因此,第一焊盘160和电子部件300可以彼此电连接。
在此,电子部件300可以包括设备和芯片这两者。设备可以分为有源设备和无源设备,并且有源设备是主动利用非线性部分的设备,并且无源设备是指即使存在线性和非线性特性这两者也不使用非线性特性的设备。此外,无源设备可以包括晶体管、IC半导体芯片等,并且无源设备可以包括电容器、电阻器、电感器等。无源设备安装在普通印刷电路板上以提高作为有源设备的半导体芯片的信号处理速度,或执行滤波功能。
因此,电子部件300可以包括所有的半导体芯片、发光二极管芯片和其他驱动芯片。
树脂模制部可以形成在最上绝缘层上,并且因此,电子部件300和第一上金属层170可以被树脂模制部保护。
同时,第二保护层SR2设置在该多个绝缘层中的最下绝缘层下方。第二保护层SR2具有暴露第二上金属层190的表面的开口。第二保护层SR2可以由阻焊剂形成。
如上文描述的,缓冲层可以设置在绝缘层或电路图案140的至少一个表面上。
详细地,缓冲层400可以在绝缘层和电路图案140重叠的区域中设置在绝缘层与电路图案140之间。
缓冲层400可以是在绝缘层的表面上处理的表面处理层。缓冲层400可以是在电路图案140的表面上处理的表面处理层。
缓冲层400可以是设置在绝缘层与电路图案之间的中间层。缓冲层400可以是设置在绝缘层与电路图案之间的涂层。缓冲层400可以是提高绝缘层与电路图案之间的粘附性的功能层,即,粘附性加强层。
图2至图5是用于说明缓冲层400的位置和布置关系的视图。在下文中,将描述设置在构成该多个绝缘部中的第一绝缘部110的绝缘层上的缓冲层400的位置和布置关系。然而,缓冲层400也可以设置在构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层上以对应于下文描述的位置和布置关系。
参考图2,缓冲层400可以设置在电路图案的表面上。例如,缓冲层400可以设置在电路图案的上表面和下表面上。即,缓冲层400可以设置在电路图案的表面中的接触或面对绝缘层的表面上。
可替选地,参考图3,缓冲层400可以设置在电路图案的表面上。例如,缓冲层400可以设置在电路图案的上表面、下表面和两侧上。即,缓冲层400可以设置成包围电路图案的整个表面。
可替选地,参考图4,缓冲层400可以设置在绝缘层的表面上。例如,缓冲层400可以设置在绝缘层的上表面和下表面上。即,缓冲层400可以设置在绝缘层的接触或面对电路图案140的表面上。即,缓冲层400可以设置在绝缘层的设置有电路图案140的整个表面上。
可替选地,参考图5,缓冲层400可以设置在绝缘层的表面上。例如,缓冲层400可以设置在绝缘层的上表面和下表面上。即,缓冲层400可以设置在绝缘层的接触或面对电路图案140的表面上。即,缓冲层400可以仅设置在电路图案140设置在设置有电路图案140的绝缘层的表面上的区域中。
即,缓冲层400可以设置在绝缘层与电路图案140之间。详细地,缓冲层400可以设置在绝缘层与电路图案140之间,并且缓冲层400可以耦接到绝缘层的一个表面和电路图案140的一个表面。即,缓冲层的端基与绝缘层的端基、以及缓冲层的端基与电路图案的端基可以化学键合。
缓冲层400可以形成为具有恒定的厚度。详细地,缓冲层400可以形成为薄膜。详细地,缓冲层400可以形成为500nm(纳米)或更小的厚度。更详细地,缓冲层400可以形成为5nm至500nm的厚度。
当缓冲层400的厚度被形成为5nm或更小时,缓冲层的厚度太薄而不能充分确保绝缘层与电路图案之间的粘附性,而当缓冲层的厚度形成为超过500nm时,根据厚度提高粘附性的效果微不足道,电路板的整体厚度可能增加,并且绝缘层的介电常数可能增加,使得在高频应用中电路板的传输损耗可能增加。
缓冲层400可以包括多种元素。包括在缓冲层400中的多种元素在缓冲层中彼此组合并以分子或离子形式包括,并且所述分子、分子和离子可以彼此化学键合以形成缓冲层。
缓冲层400可以包括碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素中的至少一种。详细地,缓冲层400可以包括所有的碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素。
碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素可以通过在缓冲层中彼此键合而以分子形式存在,或者可以单独以离子形式存在。
在所述多种元素中,氧元素、碳元素和氮元素可以与耦接到绝缘层的缓冲层的官能团有关。即,由包括氧元素、碳元素、氮原子等的分子形成的官能团可以化学键合到绝缘层。
此外,所述多种元素中的碳元素、氮元素、硅元素和硫元素可以与耦接到电路图案的缓冲层的官能团有关。即,由包括碳元素、氮元素、硅元素、硫元素等的分子形成的官能团可以化学键合到电路图案。
此外,金属元素可以将由碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素形成的分子彼此结合。即,由碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素形成的分子可以通过金属元素化学键合以形成缓冲层。即,金属元素可以被设置在分子之间以用作用于使分子化学键合的介质。
为此,可以以恒定的质量比包含碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素。详细地,在所述多种元素中的金属元素可以相比于其他元素是包含的最多的元素,并且碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素可以均以基于金属元素的恒定质量比被包含。
具体地,碳元素与金属元素的比例((碳元素/铜元素)*100)可以为5至7。
此外,氮元素与金属元素的比例((氮元素/铜元素)*100)可以为1.5至7。
此外,氧元素与金属元素的比例((氧元素/铜元素)*100)可以是1.1至1.9。
此外,硅元素与金属元素的比例((硅元素/铜元素)*100)可以为0.5至0.9。
此外,硫元素与金属元素的比例((硫元素/铜元素)*100)可以为0.5至1.5。
碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素与金属元素的比例可以与绝缘层或电路板的键合强度有关。
详细地,当碳元素与金属元素的比例((碳元素/铜元素)*100)超出5至7的范围时,缓冲层与电路板之间或者缓冲层与绝缘层之间的键合力可能减弱。
此外,当氮元素与金属元素的比例((氮元素/铜元素)*100)超出1.5至7的范围时,缓冲层与电路板之间或者缓冲层与绝缘层之间的键合力可能减弱。
此外,当氧元素与金属元素的比例((氧元素/铜元素)*100)超出1.1至1.9的范围时,缓冲层与绝缘层之间的键合力可能减弱。
此外,当硅元素与金属元素的比例((硅元素/铜元素)*100)超出0.5至0.9的范围时,缓冲层与电路板之间的键合力可能减弱。
此外,当硫元素与金属元素的比例((硫元素硫/铜元素)*100)超出0.5至1.5的范围时,缓冲层与电路板之间的键合力可能减弱。
同时,碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素以分子或离子的形式存在于缓冲层中,并且分子和离子可以通过键合彼此连接。
详细地,缓冲层400可以包括由碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素形成的分子和金属离子。包括在缓冲层400中的分子可以包括至少两种类型的分子,这取决于分子的大小或分子量(molecular weight)的大小。详细地,分子可以包括大分子和单分子。
大分子、单分子和金属离子可以形成为它们在缓冲层中彼此键合的结构。
详细地,大分子、单分子和金属离子可以通过缓冲层中的共价键和配位键化学键合,以形成它们彼此连接的结构。
金属离子可以连接大分子、单分子或将大分子和单分子彼此连接。详细地,大分子、单分子或大分子和单分子与金属离子配位键合,并且因此,大分子、单分子或大分子和单分子可以化学键合。
金属离子可以包括与电路图案相同的材料。可替选地,金属离子可以包括与电路图案不同的材料。例如,当电路图案包括铜时,金属离子可以包括铜或铜以外的金属。
详细地,金属离子可以由电路图案形成。详细地,金属离子可以通过使用单独的氧化剂来离子化包括金属的电路图案而形成。因此,离子化的金属离子可以通过对缓冲层中的大分子和单分子进行配位以使分子彼此连接来形成缓冲层。
可替选地,可以在形成缓冲层时单独添加金属离子,并且金属离子可以通过对缓冲层中的大分子和单分子进行配位以使分子彼此连接来形成缓冲层。在这种情况下,单独添加的金属离子可以与电路图案的金属相同或不同。
大分子和单分子可以包括碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素中的至少一种。
即,大分子和单分子可以是包括碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素中的至少一种的分子。
详细地,大分子可以包括包含碳元素和氮元素的分子。详细地,大分子可以包括包含碳元素和氮元素的唑基。
此外,大分子可以包括包含硅元素的分子。详细地,大分子可以包括包含硅元素的硅烷基。
此外,单分子可以包括碳元素、氮元素和硫元素。即,单分子可以是包括碳元素、氮元素和硫元素的分子。例如,单分子可以包括硫氰酸酯基(-SCN)所连接到的SCN基。
参考图3,缓冲层400可以包括多个官能团。详细地,缓冲层400可以包括化学键合到绝缘层的第一官能团和化学键合到电路图案140的第二官能团。
即,大分子和单分子可以包括化学键合到绝缘层和电路图案的多个端基,即,官能团。通过这些官能团,绝缘层和电路图案通过缓冲层化学紧密耦接,从而可以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
第一官能团和第二官能团可以定义为缓冲层的与大分子、单原子或金属原子中的一个连接的端基。
第一官能团可以通过共价键键合到绝缘层。第一官能团可以包括共价键合到绝缘层的官能团。详细地,第一官能团可以包括羟基(-OH)和唑基的N基。
此外,第二官能团可以通过配位键合耦接到电路图案140。第二官能团可以包括与电路图案140配位的官能团。详细地,第二官能团可以包括硅烷基的Si基和硫氰酸酯基(-SCN)。
包括在缓冲层中的第一官能团和第二官能团可以分别与绝缘层和电路图案化学键合。因此,通过设置在绝缘层与电路图案之间的缓冲层,可以提高作为异种材料的绝缘层与电路图案之间的粘附性。
同时,如上文描述的,构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层可以包括能够以低介电常数确保机械/化学可靠性的材料。
详细地,绝缘层121、122、131和132可以具有3.0或更小的介电常数Dk。更详细地,绝缘层121、122、131和132可以具有2.03至2.7的介电常数。因此,绝缘层可以具有低介电常数,并且当将绝缘层应用于高频使用的电路板时,可以降低根据绝缘层的介电常数的传输损耗。
此外,绝缘层121、122、131和132可以具有50ppm/℃或更低的热膨胀系数。详细地,绝缘层121、122、131和132可以具有15ppm/℃至50ppm/℃的热膨胀系数。
因此,绝缘层121、122、131和132可以具有低热膨胀系数,从而使绝缘层中的由于温度变化而引起的开裂最小化。
为此,绝缘层121、122、131和132可以由两种材料形成。详细地,绝缘层121、122、131和132可以包括混合有两种化合物的材料。详细地,绝缘层121、122、131和132可以包括第一化合物和第二化合物。
第一材料和第二材料可以包括在特定比例范围内。详细地,第一材料和第二材料可以包括在4:6至6:4的比例内。
此外,绝缘层121、122、131和132还可以包括无机颗粒。详细地,绝缘层121、122、131和132还可以包括无机颗粒,诸如二氧化硅(SiO2)。基于整个绝缘层121、122、131、132,无机颗粒的含量可以被包括在约55wt%至约70wt%。
当无机颗粒的比例超出上述范围时,热膨胀系数或介电常数可能通过无机颗粒而增加,并且因此绝缘层的性质可能劣化。
此外,第一材料和第二材料可以在绝缘层121、122、131和132中彼此化学非键合。然而,实施例不限于此,并且包括第一化合物的第一材料和包括第二化合物的第二材料可以直接化学键合或通过单独的联结基被化学键合。
第一材料可以包括具有绝缘性质的材料。此外,由于高冲击强度,所以第一材料可以具有改进的机械性质。详细地,第一材料可以包括树脂材料。例如,第一材料可以包括包含聚苯醚(PPE)的第一化合物。
第一材料可以包括多种第一化合物,并且第一化合物可以通过彼此化学键合而形成。详细地,第一化合物可以通过共价键(即,pi-pi键(π-π))彼此线性连接。
即,第一化合物可以通过彼此化学键合而形成,使得第一材料具有约300至500的分子量。
此外,第二材料可以包括第二化合物。详细地,第二材料可以通过将多种第二化合物彼此化学键合而形成。
第二化合物可以包括具有低介电常数和热膨胀系数的材料。此外,第二化合物可以包括具有改进的机械强度的材料。
第二化合物可以包括三环癸烷和连接到三环癸烷的端基。连接到三环癸烷的端基可以包括各种材料,其中第二化合物可以通过碳双键(C=C键)彼此连接。详细地,连接到三环癸烷的端基可以包括丙烯酸酯基、环氧基、羧基、羟基和异氰酸酯基。
第二化合物可以在连接到三环癸烷的端基之间彼此联结。具体地,第二化合物在端基之间通过碳双键(C=C键)交联以形成网状结构。
具体地,参考图7,第二化合物可以交联以形成网状结构。即,第二化合物可以是具有多个网状结构的键的集合体。
因此,由第二化合物形成的第二材料根据材料性质可以具有低介电常数和低热膨胀系数,并且由于网状结构而可以具有改进的机械强度。
图8是用于说明构成绝缘层的第一材料和第二材料的布置的视图。
第一材料和第二材料可以在绝缘层中形成为一个单相。参考图8,通过第一化合物的共价键连接的第一材料可以设置在由第二化合物彼此交联以形成网状结构而形成的第二材料内部。
详细地,第一化合物可以设置在通过化学键合第二化合物而形成的第二材料的网状结构内部,以防止第一材料与第二材料分离。
即,在绝缘层中,第一材料和第二材料未设置成在绝缘层中相分离,并且可以形成为一个单相结构。因此,由于第一材料和第二材料的材料性质,第一材料和第二材料具有低介电常数和低热膨胀系数,所以它们可以形成为单相,并且因此具有高机械强度.
另一方面,在第一实施例中,第一绝缘部110由包含玻璃纤维的PPG的绝缘层构成,并且第二绝缘部120和第三绝缘部130由如上文描述的具有低介电常数和低热膨胀系数的RCC制成。
可替选地,电路板可以仅由如上文描述的具有低介电常数和低热膨胀系数的RCC构成。
图9是示出了根据第二实施例的电路板的横截面图的视图。
参考图9,电路板1000A可以包括绝缘基板100A、第一焊盘160、第一上金属层170、第二焊盘180、第二上金属层190、第一保护层SR1、第二保护层SR2、焊膏200和电子部件300。
绝缘基板100A可以包括绝缘部110A,该绝缘部包括多个绝缘层。
即,绝缘部110A可以包括从底部开始的第一绝缘层至第八绝缘层111a、112a、113a、114a、115a、116a、117a、118a和119a。然而,在该实施例中,绝缘部110A被示出为具有8层结构,但本发明不限于此,并且绝缘层的数量可以增加或减少。
换言之,第一实施例中的绝缘部由PPG的第一绝缘部、RCC的第二绝缘部和第三绝缘部构成。
可替选地,第二实施例中的绝缘部可以仅由RCC构成。
此时,如上文描述的,第二实施例中的绝缘部110A具有低介电常数和低热膨胀系数,并且因此,与第一实施例一样,在没有PPG的情况下也可以确保刚性,并且,即使其仅由RCC构成,也不影响电路板的刚性的可靠性。
图10是示出了根据第三实施例的电路板的横截面图的视图。
参考图10,电路板1000B可以包括绝缘基板100B、第一焊盘160、第一上金属层170、第二焊盘180、第二上金属层190、第一保护层SR1、第二保护层SR2、焊膏200和电子部件300。
绝缘基板100B可以包括绝缘部110B,该绝缘部包括多个绝缘层。
即,绝缘部110B可以包括从底部开始的第一绝缘层至第八绝缘层111b、112b、113b、114b、115b、116b、117b、118b和119b。然而,在该实施例中,绝缘部110B被示出为具有8层结构,但本发明不限于此,并且绝缘层的数量可以增加或减少。
换言之,第一实施例中的绝缘部由PPG的第一绝缘部、RCC的第二绝缘部和第三绝缘部构成。
可替选地,第三实施例中的绝缘部可以仅由RCC构成。
此时,如上文描述的,第三实施例中的绝缘部110B具有低介电常数和低热膨胀系数,并且因此,与第一实施例一样,在没有PPG的情况下也可以确保刚性,并且因此即使其仅由RCC构成,也不影响电路板的刚性的可靠性。
在此,实施例中的电路图案具有低粗糙度,并且构成绝缘部110B的绝缘层具有低介电常数和低热膨胀系数。
因此,构成第三实施例中的绝缘部110B的第一绝缘层至第八绝缘层111b、112b、113b、114b、115b、116b、117b、118b和119b中的每个绝缘层的厚度H2可以小于电路图案140的厚度H1。
例如,电路图案140的厚度H2可以具有12μm±2μm的厚度。即,构成第三绝缘部130的每个绝缘层的厚度可以在10μm至14μm的范围内。
此外,构成绝缘部110B的第一绝缘层至第八绝缘层111b、112b、113b、114b、115b、116b、117b、118b和119b中的每个绝缘层的厚度H2为8μm±2μm。即,构成第三绝缘部130的每个绝缘层的厚度可以在6μm至10μm的范围内。
因此,设置在构成绝缘部110B的第一绝缘层至第八绝缘层111b、112b、113b、114b、115b、116b、117b、118b和119b中的通孔150的厚度可以小于电路图案140的厚度。
同时,构成第一实施例中的第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层也由与第三实施例中相同的绝缘层构成,并且因此,在第一实施例中,构成第二绝缘部120和第三绝缘部130的绝缘层中的每个绝缘层的厚度可以小于电路图案的厚度。
在下文中,将像第二实施例和第三实施例中一样通过测量根据可以构成绝缘部110A和110B的实施例和比较示例的介电常数来更详细地描述本发明。这些实施例仅作为示例呈现以便更详细地解释本发明。因此,本发明不限于这些示例。
实施例1
铜层形成在绝缘层上。此时,在与绝缘层接触的电路层的表面上涂敷含有碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素的涂层之后,铜层和绝缘层粘附在一起。
然后,将铜层图案化以形成电路图案,从而制造电路板。
在这种情况下,缓冲层包括包含羟基(-OH)和唑基的N基的第一官能团,以及包含硅烷基的Si基和硫氰酸酯基(-SCN)的第二官能团。
接下来,根据电路图案的粗糙度大小来评估粘附性和可靠性。
比较示例1
电路图案以与实施例中相同的方式形成,不同之处在于,通过在绝缘层上直接键合铜层而不在铜层上形成涂层来形成铜层,并且通过使铜层图案化来形成电路图案。并且,在形成电路图案之后,根据电路图案的粗糙度进行粘附性和可靠性的评估。
粘附性/可靠性测量方法
为了评估根据实施例和比较示例的电路图案的粘附性,使用UTM设备测量UTM 90°剥离值。
此外,当电路图案的剥离强度(kgf/cm)小于0.6时,通过MG来评估可靠性评估。
【表1】
【表2】
参考表1和表2,可以看出,根据实施例1的电路板与根据比较示例1的电路板相比具有改进的可靠性。详细地,根据实施例1的电路板形成电路图案,其中在绝缘层上涂敷有涂层。因此,由于涂层化学紧密键合到绝缘层和电路图案,所以电路图案的剥离强度可以增加,并且因此可以看出,电路图案的粘附性和电路板的可靠性可以改进。即,可以看出,根据实施例1的电路板即使在电路图案的粗糙度减小时也可以具有能够确保电路板的可靠性的粘附性。详细地,可以看出,根据实施例1的电路板即使在电路图案的表面粗糙度为0.5或更小或者在0.1至0.5的范围内时也可以具有能够确保电路板的可靠性的粘附力。
即,根据第一实施例的电路板在应用于高频应用时可以降低电路图案的照度(illuminance),并且因此,可以减少由于趋肤效应引起的传输损耗,并且即使在具有低表面粗糙度的情况下,也可以通过提高涂层对电路图案的粘附性来确保电路图案的可靠性。
另一方面,在根据比较示例1的电路板的情况下,电路图案直接形成在绝缘层上。因此,由于绝缘层和电路图案由不同的材料形成,所以可以看出,电路图案的粘附力(即,剥离强度)非常低。
即,可以看出,在根据比较示例1的电路板中,仅当电路图案的表面粗糙度增加时,才能确保可靠性,而当电路图案具有低表面粗糙度时,电路板的可靠性降低。
因此,当根据比较示例1的电路板应用于高频应用时,可以看出,由于电路图案的表面粗糙度,所以由趋肤效应引起的传输损耗增加。
实施例2
铜层被形成在绝缘层上。
然后,将铜层图案化以形成电路图案,从而制造电路板。
此时,通过将丙烯酸酯与聚苯醚(PPE)和三环癸烷联结的三环癸烷基二丙烯酸酯置于甲苯溶剂中、在约100℃的温度下混合、然后加入偶氮化合物引发剂和过氧化物引发剂,从而形成绝缘。
然后,通过改变频率大小,根据聚苯醚(A)和三环癸烷基二丙烯酸酯(B)的重量比来测量绝缘层的介电常数、可靠性和热膨胀系数。
【表3】
【表4】
A和B的重量比 | 热膨胀系数(ppm/℃) |
6:4 | 35 |
4:6 | 39 |
【表5】
A和B的重量比 | 可靠性评估 |
8:2 | NG(开裂) |
6:4 | OK |
4:6 | OK |
2:8 | NG(开裂) |
参考表3至表5,当聚苯醚(A)和三环癸烷基二丙烯酸酯(B)的比例满足4:6至6:4时,根据实施例的绝缘层具有低介电常数和热膨胀系数,并且可以看出,可靠性随着机械强度的改进而改进。另一方面,当绝缘层不满足聚苯醚(A)和三环癸烷基二丙烯酸酯(B)的比例时,机械强度可能降低,并且在绝缘层中可能会出现开裂,可以看出,介电常数增加,使其不适合用作高频电路板的绝缘层。
根据实施例的电路板可以包括在绝缘层与电路图案之间设置的缓冲层。
即,在根据实施例的电路板中,缓冲层可以被形成在电路图案的表面上,或者缓冲层可以被形成在绝缘层上。
缓冲层可以被设置在绝缘层与电路图案之间以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
即,绝缘层和电路图案是分别包括树脂材料和金属的异质材料,并且当电路图案被形成在绝缘层上时,存在粘附性降低的问题。
因此,通过在绝缘层与电路图案之间设置化学键合到绝缘层和电路图案的缓冲层,可以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
即,缓冲层包括耦接到绝缘层和电路图案的多个官能团,这些官能团通过共价键或配位键被化学键合到绝缘层和电路图案,从而可以提高绝缘层与电路图案之间的粘附性。
因此,即使当绝缘层的表面粗糙度减小时,也可以确保绝缘层与电路图案之间的粘附可靠性。
因此,即使当根据实施例的电路板用于高频用途时,通过维持电路图案的表面粗糙度低,可以降低高频信号的传输损耗,即使电路图案的表面粗糙度被保持得低,也可以通过缓冲层确保绝缘层与电路图案之间的粘附性,从而可以确保电路图案的整体可靠性。
此外,根据实施例的电路板可以包括具有改进强度的绝缘层,其具有低介电常数和低热膨胀系数。
详细地,绝缘层包括具有低介电常数和改进强度的第一材料和第二材料,并且由于第一材料形成在绝缘层中以设置在第二材料的网状结构内部,从而可以防止第一材料和第二材料的相分离。因此,绝缘层可以将第一材料和第二材料形成为单相,从而提高绝缘层的强度。
即,通过交联增加具有网状结构的第二材料的自由体积(即,分子运动),可以将具有网状结构的聚合物链结构化,使得它们不被紧密布置,并且由于第一材料部分地布置在网状结构内部,所以第一材料和第二材料可以在绝缘层内部被形成为单相。
因此,当根据实施例的电路板用于高频应用时,可以通过降低绝缘层的介电常数来降低高频信号的传输损耗,并且通过提高绝缘层的热膨胀系数和机械强度,可以确保电路板的整体可靠性。
此外,由于根据实施例的电路板包括具有低介电常数和低热窗系数的绝缘层,所以它可以替代现有的包括玻璃纤维的绝缘层。具体地,根据实施例的电路板可以去除包括在绝缘层中的玻璃纤维。具体地,在根据实施例的电路板中,通过使用构成RCC(树脂涂覆铜)的树脂和填料,能够容易地调整绝缘层的介电常数和热膨胀系数,并且因此,通过将绝缘层配置为不包括玻璃纤维的传统RCC,可以减小印刷电路板的整体厚度。此外,由于根据实施例的电路板由具有低热膨胀系数的绝缘层构成,所以不仅可以去除芯层以确保强度,而且可以减小绝缘层的厚度,并且因此,可以具有的提供厚度小于电路图案的厚度的绝缘层。
Claims (10)
1.一种电路板,包括:
第一绝缘部,所述第一绝缘部包括至少一个绝缘层;
第二绝缘部,所述第二绝缘部被设置在所述第一绝缘部上并且包括至少一个绝缘层;以及
第三绝缘部,所述第三绝缘部被设置在所述第一绝缘部下方并且包括至少一个绝缘层;
其中,构成所述第一绝缘部的绝缘层包括含有玻璃纤维的预浸料,以及
其中,构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层由树脂涂覆铜(RCC)制成。
2.根据权利要求1所述的电路板,其中,构成所述第一绝缘部的绝缘层的厚度大于构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的每个绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的电路板,还包括:
电路图案,所述电路图案被设置在所述第一绝缘部至所述第三绝缘部的每个绝缘层的表面上,
其中,构成所述第一绝缘部的绝缘层的厚度大于所述电路图案的厚度,以及
其中,构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的绝缘层的厚度小于所述电路图案的厚度。
4.根据权利要求3所述的电路板,还包括:
通孔,所述通孔被设置在构成所述第一绝缘部至所述第三绝缘部的绝缘层之中的至少一个绝缘层中;
其中,设置在构成所述第一绝缘部的绝缘层中的通孔的厚度大于所述电路图案的厚度;以及
其中,设置在构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的绝缘层中的通孔的厚度小于所述电路图案的厚度。
5.根据权利要求1所述的电路板,其中,构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层包括:第一化合物,所述第一化合物包括聚苯醚(PPE);以及第二化合物,所述第二化合物包括三环癸烷和连接到所述三环癸烷的端基,以及
其中,所述第一化合物与所述第二化合物的重量比为4:6至6:4。
6.根据权利要求5所述的电路板,其中,所述端基包括丙烯酸酯基、环氧基、羧基、羟基和异氰酸酯基中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的电路板,其中,所述第一化合物和所述第二化合物未化学键合。
8.根据权利要求7所述的电路板,其中,构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层的热膨胀系数和介电常数小于构成所述第一绝缘部的绝缘层的热膨胀系数和介电常数。
9.根据权利要求8所述的电路板,其中,构成所述第二绝缘部和所述第三绝缘部的绝缘层中的每个绝缘层的介电常数为2.03至2.7。
10.一种电路板,包括:
绝缘部,所述绝缘部包括多个绝缘层;
电路图案,所述电路图案被设置在所述多个绝缘层的表面上;以及
通孔,所述通孔被设置在所述多个绝缘层中并且连接不同层上设置的电路图案,
其中,所述多个绝缘层中的每个绝缘层由树脂涂覆铜(RCC)制成,
其中,所述多个绝缘层中的每个绝缘层的介电常数为2.03至2.7,
其中,所述多个绝缘层中的每个绝缘层的厚度小于所述电路图案的厚度,
其中,所述通孔的厚度小于所述电路图案的厚度;
其中,所述多个绝缘层中的每个绝缘层包括第一材料和第二材料,
其中,所述第一材料包括彼此化学键合的第一化合物,
其中,所述第二材料包括彼此化学键合的第二化合物,
其中,所述第一化合物中的每个化合物包括聚苯醚(PPE),
其中,所述第二化合物中的每个化合物包括三环癸烷和连接到所述三环癸烷的端基;
其中,所述第二化合物通过所述端基彼此键合,
其中,所述端基包括丙烯酸酯基、环氧基、羧基、羟基和异氰酸酯基中的至少一种。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0104273 | 2019-08-26 | ||
KR1020190104273A KR20210024749A (ko) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 회로기판 |
PCT/KR2020/011288 WO2021040364A1 (ko) | 2019-08-26 | 2020-08-25 | 회로기판 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114342568A true CN114342568A (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=74685667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080060580.7A Pending CN114342568A (zh) | 2019-08-26 | 2020-08-25 | 电路板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220287174A1 (zh) |
JP (1) | JP2022545734A (zh) |
KR (1) | KR20210024749A (zh) |
CN (1) | CN114342568A (zh) |
WO (1) | WO2021040364A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210115486A (ko) * | 2020-03-13 | 2021-09-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 회로기판 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2019
- 2019-08-26 KR KR1020190104273A patent/KR20210024749A/ko unknown
-
2020
- 2020-08-25 WO PCT/KR2020/011288 patent/WO2021040364A1/ko active Application Filing
- 2020-08-25 CN CN202080060580.7A patent/CN114342568A/zh active Pending
- 2020-08-25 US US17/636,063 patent/US20220287174A1/en active Pending
- 2020-08-25 JP JP2022513367A patent/JP2022545734A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220287174A1 (en) | 2022-09-08 |
JP2022545734A (ja) | 2022-10-28 |
WO2021040364A1 (ko) | 2021-03-04 |
KR20210024749A (ko) | 2021-03-08 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |