CN114335301A - 一种器件加工方法及器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种器件加工方法及器件，该器件加工方法包括：固晶、封装材料封装、一次划片、挡墙材料封装、研磨和二次划片；在研磨步骤中，将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的高度为基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度。该器件加工方法在器件的制作过程中，通过研磨工艺以降低器件的顶面出现白胶的概率，保证了器件的生产良率。

Description

一种器件加工方法及器件

技术领域

本发明涉及到器件加工领域，具体涉及到一种器件加工方法及器件。

背景技术

为了对发光器件的发光角度进行限制，发光器件通常会利用挡墙结构对大角度的出射光线进行阻挡，利用挡墙结构对器件的发光角度进行限制。该类发光器件在制作过程中，由于挡墙材料填充在流道中可能会出现胶体溢出流道的现象，导致白胶封装胶体的顶面出现白胶影响器件的正常出光，不能满足器件的质量要求。

发明内容

为了克服器件的顶面出现白胶的问题，本发明提供了一种器件加工方法及器件，在器件的制作过程中，通过研磨工艺以降低器件的顶面出现白胶的概率，保证器件的生产良率。

相应的，本发明提供了一种器件加工方法，包括：

固晶：将若干组芯片组阵列设置在总电路板上，每一组所述芯片组包括若干个芯片；

封装材料封装：采用封装材料整体封装所述若干组芯片组，所述封装材料固化后形成总封装层；

一次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为a的第一切割片于所述若干组芯片组的间隙中切割所述总封装层得到流道结构，所述流道结构将所述总封装层划分为若干个子封装层；

挡墙材料封装：采用挡墙材料填充所述流道结构，所述挡墙材料固化后形成总挡墙，所述总电路板、所述若干组芯片组、所述若干个子封装层和所述总挡墙组合形成半成品；

研磨：将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度；

二次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为b的第二切割片贯穿式切割经过所述研磨后的半成品，所述半成品被切割为若干个所述器件，其中，b<a。

可选的实施方式，所述研磨工作端为研磨面平行于所述研磨固定平台的砂轮。

可选的实施方式，所述砂轮为树脂砂轮。

可选的实施方式，所述砂轮的目数取值范围为[500，1000]。

可选的实施方式，所述砂轮在作业状态下的转速取值范围为[600rpm，800rpm]。

可选的实施方式，所述砂轮自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度的进刀速度取值范围为[0.1μm/s，0.3μm/s]。

可选的实施方式，所述研磨还包括：

所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度通过若干子步骤实现，在每一子步骤中，所述研磨工作端的研磨面运行至对应的理论高度，并在最后一次执行的子步骤中，所述研磨工作端的研磨面运行至所述预设高度；

每一所述子步骤包括：

修整设备调整：以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述修整设备的修整面的高度与所述子步骤对应的理论高度相同；

研磨设备打磨：驱动所述研磨设备运行至位于所述研磨固定平台外部的修整设备的上方后，驱使所述研磨设备工作并使所述研磨设备的研磨面运行至对应的理论高度，所述研磨面与所述修整面重合；

进给研磨：驱动所述研磨设备平移至研磨固定平台的上方。

可选的实施方式，所述研磨固定平台具有若干个真空吸盘，以所述真空芯片的顶面作为所述研磨固定平台的台面。

可选的实施方式，在所述研磨后，所述器件加工方法还包括：

粗糙度检测：对经过所述研磨后的半成品的顶面进行粗糙度检测；

在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度小于或等于0.5时，执行所述二次划片步骤；

在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度大于0.5时，再次执行所述研磨步骤。

可选的实施方式，所述研磨固定平台为吸盘。

相应的，本发明还提供了一种器件，基于以上任一项所述的器件加工方法加工。

综上，本发明提供了一种器件加工方法及器件，在半成品制成后，通过研磨工艺将半成品的顶部进行研磨，以将溢出至总封装层顶部的挡墙材料去除，降低了在半成品阶段中总封装层的顶面存在挡墙材料的概率，提高器件产品的生产良率；通过将研磨固定平台设计为吸盘，保证了高度基准的统一性，提高研磨精度；相应的，研磨设备的研磨面在作业前和作业过程中能通过修整设备进行及时修整，能够进一步保证研磨的精确性，对提高器件产品的成型质量具有有益效果。

附图说明

图1为本发明实施例的器件加工方法流程图。

图2示出了本发明实施的整板器件剖面结构局部示意图。

图3示出了本发明实施的一次划片后的流道结构剖面局部示意图。

图4示出了本发明实施的挡墙材料封装后的器件半成品剖面局部示意图。

图5示出了本发明实施的研磨设备俯视结构示意简图。

图6示出了本发明实施例经过研磨步骤后的半成品剖面结构局部示意图。

图7为本发明实施例的器件剖面结构示意图。

图8为本发明实施例的一次硫化作业结构示意图。

图9为本发明实施例的总顶防硫化膜的局部剖面结构示意图。

图10为本发明实施例中感测器件结构示意图。

图11为本发明实施例中基板正面结构示意图。

图12为本发明实施例中基板背面结构示意图。

图13为本发明实施例中感测器件侧面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例的器件加工方法流程图。

本发明实施例提供了一种器件加工方法，包括以下步骤：

S101：固晶；

将若干组芯片组阵列固定在总电路板上，每一组所述芯片组包括若干个芯片；具体的，芯片组是指组成一个器件所需的若干个芯片，可选的，在本发明实施例中，所述芯片组包括的若干个芯片分别为红光芯片、绿光芯片和红外光芯片，具体的，具有红光芯片、绿光芯片和红外光芯片的该类器件，能够应用于人体感测领域。

具体的，在固晶作业完成后，根据芯片类型的不同可能还需要执行焊线作业。具体的，若所述若干个组芯片组中的部分芯片具有顶面引脚，通过焊线工艺将每一个所述顶面引脚电性连接至所述总电路板上；

具体的，若芯片组中的部分芯片的类型为垂直芯片或正装芯片，则该部分芯片具有顶面引脚；顶面引脚需要通过打线焊线的工艺电性连接至总电路板的对应位置上，以实现相应的电导通功能。

若芯片组中的所有芯片均为倒装芯片，不需要执行焊线作业，可在固晶步骤中，同步实现芯片与总电路板的电性连接。

S102：封装材料封装；

采用封装材料整体封装所述若干组芯片组，所述封装材料固化后形成总封装层；具体的，封装材料通常通过模腔注塑的方式实现定型封装，封装材料在固化完成后，会形成包裹所述若干个组芯片组的总封装层。

图2示出了本发明实施的整板器件剖面结构局部示意图。具体的，在经过步骤S101和S102后，加工得到了整板器件，在整板器件中，若干芯片5键合在所述总电路板10上，总封装层11封装所有芯片5。

在本实施例中，封装材料的硬度为45至55度，封装材料可为硅树脂、硅胶或环氧树脂。

S103：一次划片；

图3示出了本发明实施的一次划片后的流道结构剖面局部示意图。

根据预设的一次划片轨迹，以宽度为a的第一切割片于所述若干组芯片组的间隙中切割所述总封装层得到流道结构12，所述流道结构将所述总封装层划分为若干个子封装层6；需要说明的是，一次划片的划片对象为总封装层，一次划片轨迹可理解为第一切割片的切割轨迹(不包括第一切割片的切割深度)，切割深度则需要根据总封装层的具体厚度设置。

可选的实施方式，流道结构12包括若干道子流道，在若干道子流道中的任一道子流道的径向截面中，子流道的底部宽度小于子流道的顶部宽度。可选的，在若干道子流道中的任一道子流道的径向截面中，子流道的宽度自子流道的底部至顶部逐渐增加，即子流道的侧壁为一坡面

S104：挡墙材料封装；

图4示出了本发明实施的挡墙材料封装后的器件半成品剖面局部示意图。

采用挡墙材料填充所述流道结构，所述挡墙材料固化后形成总挡墙17，所述总电路板、所述若干组芯片组、所述若干个子封装层和所述总挡墙组合形成半成品。

具体的，挡墙材料填充所述流道结构的填充方式一般同样选用模腔注塑的方式，为了避免注塑设备挤压总封装层，形成模腔的模具与总封装层的贴合压力较小或模具与总封装层不接触，这会导致挡墙材料在填充时，不可避免地从流道结构中溢出至总挡墙的顶面。

因此，在挡墙材料封装后得到的半成品，总封装层的结构、挡墙材料的结构、总封装层和挡墙材料之间的相互位置是不确定的，为了保证生产出来的产品结构的稳定性，后续通过研磨工艺对半成品进行处理。

需要说明的是，由于研磨工艺的实施，在总封装层的初始厚度设计应该预留一定的余量，即相较于常规工艺，总封装层的初始封装厚度较大。

S105：研磨；

将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的高度为基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度。

具体的，对于研磨设备而言，若无相关的反馈设置，研磨设备的运动驱动实质上与研磨的对象(即本发明实施例的半成品)是无关的。因此，在该步骤中，在将半成品置于研磨固定平台上后，驱动研磨设备按照设定的程序运行，以所述研磨固定平台的高度为基准，所述研磨工作端启动并运行至预设高度，通过该实施方式，理论上即能将半成品上的总封装层和总挡墙研磨至预设高度。

为了保证实际实施情况与理论情况一致，需要对研磨步骤中所涉及的多方面内容进行改进。

图5示出了本发明实施的研磨设备俯视结构示意简图。具体的，本发明实施例的研磨设备包括研磨固定平台20(真空吸盘)、研磨工作端21(砂轮)和修整设备22(打磨砂轮)。

具体的，研磨固定平台20的台面高度，即真空吸盘的顶面高度是固定不变的，在实际操作中，以所述真空吸盘的顶面作为高度基准。

具体的，在本发明实施例中，基于实施便利性考虑，所述研磨工作端21为研磨面平行于所述研磨固定平台20的砂轮。针对于打磨的对象(即总封装层和总挡墙)的制作材料，所述砂轮优选采用树脂砂轮。

相应的，在研磨工作端21选用为砂轮时，由于砂轮的表面为粗糙的，且在砂轮为树脂砂轮时，在作业过程中存在砂轮粘胶问题，导致研磨的效果不佳，粗糙度较大，因此，在每一次研磨作业前以及在研磨的过程中，需要及时对砂轮的打磨面进行修整，去除研磨作业中所带出的胶料，以使砂轮的实际打磨面与理论打磨面保持高度一致。

在实际实施中，当研磨工作端21，即砂轮的打磨面粘胶后，一方面会降低打磨效率，一方面会导致打磨面凹凸不平，影响打磨精度，因此，在研磨步骤中，所述研磨工作端21自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台20方向研磨并运行至预设高度通过若干子步骤实现，在每一子步骤中，所述研磨工作端21的研磨面运行至对应的理论高度，并在最后一次执行的子步骤中，所述研磨工作端21的研磨面运行至所述预设高度。即总的研磨过程，需要通过若干次独立的研磨作业实现，而对于每一次独立的研磨作业，为了保证研磨精度，可基于下述方式实施。

具体的，每一所述子步骤包括：

修整设备调整：以所述研磨固定平台20的台面为高度基准，所述修整设备22的修整面的高度与所述子步骤对应的理论高度相同；具体的，修整设备22的打磨面与该子步骤中的研磨设备需要对半成品的打磨高度一致，保证砂轮的研磨面的打磨高度和砂轮的研磨面在该子步骤中对应的研磨高度一致，以提供更为良好的研磨效果。

研磨设备打磨：驱动所述研磨设备运行至位于所述研磨固定平台20外部的修整设备22的上方后，驱使所述研磨设备工作并使所述研磨设备的研磨面运行至对应的理论高度，所述研磨面与所述修整面重合；该步骤使研磨面与修整面重合，即研磨面与对应的理论高度一致。

进给研磨：驱动所述研磨设备平移至研磨固定平台20的上方，以进行对半成品的打磨。

需要说明的是，在必要是，砂轮的研磨面打磨可贯穿整个器件加工流程，通过经验判断、统计计算、视觉观察等方式判断砂轮打磨的合理时机，以兼顾砂轮打磨的打磨精度和打磨速度，保证研磨作业的高效进行。

具体的，由于砂轮会随着使用而产生损耗，导致打磨面的变化，理论上，在打磨面上存在着至少一个打磨颗粒即可完成打磨作业，相应的，若打磨面上没有打磨颗粒，则表示该打磨面失效，需要进行打磨面的调节。

在本发明实施例中，可选的实施方式，基于视觉设备观察所述修整设备与所述砂轮之间的间隙的宽度是否大于预设值；若所述修整设备与所述砂轮之间的间隙的宽度大于预设值，控制所述砂轮向下方运动最小步进，并将所述砂轮向下方运动最小步进后的高度作为所述理论打磨高度。

具体的，间隙大于预设值即表面原打磨面失效，需要调整打磨面，以使实际打磨面与理论打磨面保持一致。

具体的，将所述砂轮向下方运动最小步进后的高度作为所述理论打磨高度中所指的最小步进是指外部设备对砂轮沿竖直方向驱动运动的最小步进。通过该实施手段后，能够对砂轮的打磨面进行实时调整，以避免打磨得到的半成品高度不准确。

具体的，针对于需要打磨的粗糙度要求，所述砂轮的目数取值范围为[500，1000]。

相应的，为了保证研磨效果，所述砂轮在作业状态下的转速取值范围为[600rpm，800rpm]。

相应的，在相应的转速下，为了兼顾研磨效率和研磨效果，所述砂轮自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度的进刀速度取值范围为[0.1μm/s，0.3μm/s]。

相应的，上述实施方式主要用于调节砂轮方面的实施结构；对于半成品方面，可选的实施方式，所述研磨固定平台为吸盘，吸盘能够保证对半成品上的总电路板的底面的吸附，使总电路板的底面紧贴所述吸盘，从而保证了半成品的底面高度与所述吸盘的顶面高度保持相同，所述吸盘的顶面高度即可表示为半成品的底面高度；所述砂轮以所述吸盘的顶面高度为高度基准，可保证研磨后的本成品的高度与理论值相同。

图6示出了本发明实施例经过研磨步骤后的半成品剖面结构局部示意图。

S106：粗糙度检测；

对经过所述研磨后的半成品的顶面进行粗糙度检测；在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度小于或等于0.5时，执行所述二次划片步骤：在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度大于0.5时，再次执行所述研磨步骤。

S107：二次划片；

根据预设的一次划片,轨迹，以宽度为b的第二切割片贯穿式切割经过所述研磨后的半成品，所述半成品被切割为若干个所述器件，其中，b<a。

具体的，二次划片的轨迹与一次划片的轨迹保持一致，二次划片的切割深度与一次划片不同，二次划片所采用的切割片的宽度与一次划片的切割片的宽度不同。二次划片的目的是将研磨后的半成品划分为器件，二次划片的切割对象为总挡墙和总电路板，总挡墙经过二次划片后被切割分离为若干个子挡墙，总电路板经过二次划片后被切割分离为若干个子电路板。

具体的，视觉设备还可以在二次划片作业后，对器件的四面挡墙尺寸进行观察的校验，判断挡墙的尺寸是否与预设值一致；此外，还可以利用视觉设备观察器件的表面是否具有气泡、毛刺等影响器件质量的问题。

图7示出了本发明实施例的器件剖面结构示意图。

结合附图图2至6所示结构，相应的，本发明还提供了一种器件，该器件通过以上所述的器件加工方法加工得到，该器件包括子电路板1(总电路板10经过切割后得到)、芯片组(包括若干个芯片5)、子封装层6(总封装层11经过切割后得到)、子挡墙2(总挡墙17经过切割后得到)；具体的，芯片组键合在电路板上，封装层封装所述芯片组，挡墙包围在所述封装层四周，由于器件的顶面经过了研磨，挡墙材料得以去除，该器件的顶出光不会收到挡墙材料的阻挡。

本发明实施例提供了一种器件加工方法及器件，在半成品制成后，通过研磨工艺将半成品的顶部进行研磨，以将溢出至总封装层顶部的挡墙材料去除，降低了在半成品阶段中总封装层的顶面存在挡墙材料的概率，提高器件产品的生产良率；通过将研磨固定平台设计为吸盘，保证了高度基准的统一性，提高研磨精度；相应的，研磨设备的研磨面在每次作业前和作业过程中进行修整和校正，能够进一步保证研磨的精确性，对提高器件产品的成型质量具有有益效果。

进一步的，在前述器件加工方法的基础上，由于涉及到一次划片和二次划片的操作，进一步的，在一次划片和挡墙材料封装步骤之间，可对相应的结构进行一次硫化加工。

具体的，在图3所示结构的基础上，参考图8所示出的本发明实施例的一次硫化作业结构示意图，在所述流道结构12中通过喷涂工艺对所述若干个子封装层中的任一个子封装层的外侧面及所述总电路板10对应于所述流道结构12位置的顶面喷涂防硫化材料，所述防硫化材料形成总侧防硫化膜13；

具体的，结合后续的二次划片加工步骤，由于二次划片加工步骤一般还需要通过较窄的划片刀具沿着相同的划片轨迹对整板器件进行切割，因此，相对应的，二次划片加工所得到的流道的截面宽度较窄，而在一次切割加工的步骤中，划片刀具所加工得到的流道的截面宽度是较宽的。

相应的，为了使硫化材料的喷涂实施更为便利，本发明实施例在一次划片加工得到的流道中进行硫化材料的喷涂，以保证硫化材料的成膜覆盖效果。

参照图示结构的喷嘴的喷涂方式，防硫化材料除了覆盖在子封装层的外侧面外，还会覆盖在流道的底面，即所述总电路板10对应于所述流道结构12位置的顶面上，因此，最终成型的总侧防硫化膜除了覆盖子封装层的侧面外，还会覆盖流道结构12所对应的底面。

需要说明的是，由于喷嘴的喷涂范围为区域性的，实际加工中，还会有部分防硫化材料成型在总封装层11的顶面上，图8所示出的总侧防硫化膜的成型结构为理想状态下的总侧防硫化膜结构。而在研磨步骤中，相应的，位于加工半成品顶面上的防硫化材料会被一并研磨去除，不影响后续的加工。

可选的实施方式，所述防硫化材料为硅树脂。防硫化材料选用硅树脂的目的在于与封装材料的材料保持一致，能够保证防硫化材料与封装材料的结合紧密性，此外，硅树脂的致密度紧密，防硫化效果更佳。

图9为本发明实施例的总顶防硫化膜18的局部剖面结构示意图。进一步的，在前述器件加工方法的基础上，在二次划片操作前，于所述喷涂顶面上喷涂防硫化材料，所述防硫化材料形成覆盖在所述喷涂顶面上的总顶防硫化膜18。具体的，喷涂顶面为一平整的平面，通过喷涂工艺在喷涂顶面上进行防硫化材料的喷涂，防硫化材料固化后在所述喷涂顶面上形成总顶防硫化膜18。总顶防硫化膜与总侧防硫化膜之间连接形成致密的保护膜，在经过二次划片后，器件的子封装层表面易硫化区域均成型有防硫化材料，该器件的表面具有良好的防硫化性能。

具体的，以上所述的器件加工方法可用于一种感测器件的加工，具体的，所述感测器件的结构如下：

图10示出了本发明实施例中感测器件结构示意图，图11示出了本发明实施例中基板正面结构示意图，所述感测器件包括基板1000、绿光芯片2000、红光芯片3000和红外光芯片4000，所述绿光芯片2000、红光芯片3000和红外光芯片4000呈品字型排布在所述基板1000上。所述基板1000上设置有第一正面焊盘111、第二正面焊盘112、第三正面焊盘113、第四正面焊盘114、第五正面焊盘115和第六正面焊盘116，所述第四正面焊盘114上设置有第一芯片槽位1141和第二芯片槽位1142，所述第二正面焊盘112上设置有第三芯片槽位1121，所述红光芯片3000键合在所述第一芯片槽位1141上，所述红外光芯片4000键合在所述第二芯片槽位1142上，所述绿光芯片2000键合在所述第三芯片槽位1121上。

进一步的，所述第四正面焊盘114上设置有凹槽部1143，所述凹槽部1143设置在所述第一芯片槽位1141和所述第二芯片槽位1142之间，便于固晶识别，在固晶操作时，能够准确识别所述第一芯片槽位1141和所述第二芯片槽位1142的位置，提高器件的可靠性。

进一步的，所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000为垂直结构芯片，所述垂直结构具有高亮度、低压降、低功耗等优点，所述绿光芯片2000可以为垂直结构芯片，所述绿光芯片2000也可以为水平结构芯片。

具体的，所述红光芯片3000固定在所述第一芯片槽位1141上，所述红外光芯片4000固定在所述第二芯片槽位1142上，即所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000布置在所述第四正面焊盘114上，所述绿光芯片2000固定在所述第三芯片槽位1121上，即所述绿光芯片2000布置在所述第二正面焊盘112上，进一步的，所述红光芯片3000通过第一金属导线31与所述第五正面焊盘115连接，所述红外光芯片4000通过第二金属导线41与所述第一正面焊盘111连接，所述绿光芯片2000通过第三金属导线2100与所述第三正面焊盘113连接。

具体的，所述绿光芯片2000发出绿光，与所述感测器件对应的接收器件接收从人体反射回来的反射绿光，可以用来测试心率；所述红光芯片3000发出红光，与所述感测器件对应的接收器件接收从人体反射回来的反射红光，用于测试血红蛋白浓度；所述红外光芯片4000发出红外光线，与所述感测器件对应的接收器件接收从人体反射回来的红外光线，用以检测血氧饱和度，所述感测器件通过所述绿光芯片2000、所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000，实现对人体的血氧和心率的监测。

进一步的，所述绿光芯片2000的尺寸大于所述红光芯片3000的尺寸或所述红外光芯片4000的尺寸，可以发出高亮度的绿光，满足接收器件对反射绿光的亮度要求，实现对人体心率的检测。

具体的，所述感测器件的发光角度为a，所述a的约束关系为：120°≤a≤130°，满足所述感测器件的人体检测需求，使接收器件能够接收足够的反射光，干扰光少，检测结果精确。

进一步的，所述感测器件通过二次封装工艺，通过封装材料封装所述感测器件，形成封装层6000(即子封装层6)，在所述基板正面1100的封装层6000的四周包围设置有白色挡墙5000，所述白色挡墙5000与所述基板1000的连接处设置为带弧度的过渡连接，所述白色挡墙5000减少所述绿光芯片2000、所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000发出光的吸收和折射，增大所述绿光芯片2000、所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000的出光强度。

进一步的，所述感测器件上的芯片高度为h，所述封装层6000的高度为H，所述H和h之间的约束关系为：1.5h<H<4h，所述H的取值范围为：200μm<H<600μm。

具体的，图12示出了本发明实施例中基板背面结构示意图，所述基板1000的基板背面1200上设置有六个反面焊盘，所述六个反面焊盘包括第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126，所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126与所述第一正面焊盘111、第二正面焊盘112、第三正面焊盘113、第四正面焊盘114、第五正面焊盘115和第六正面焊盘116相对应。

所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126分为两列设置在所述基板背面1200的两侧上，进一步的，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124设置在对角线位置上。

具体的，所述六个反面焊盘相互独立，在加工生产过程中，相邻的两个器件之间的反面焊盘互不相接，即所述六个反面焊盘位于所述基板1000的外边缘内，与所述基板1000的外边缘不相接，便于切割分离为单独的感测器件同时避免器件侧壁上出现毛刺现象。

需要注意的是，为了便于加工生产，任意两个相邻的器件之间，相接的两条边上对应的正面焊盘相接，在分割为单独的器件后，所述六个正面焊盘的铜箔外露在所述基板1000对应的侧壁上。

具体的，所述六个反面焊盘上设置有六个金属导柱，所述六个金属导柱包括第一金属导柱1211，第二金属导柱1221，第三金属导柱1231，第四金属导柱1241，第五金属导柱1251，第六金属导柱1261，所述第一金属导柱1211，第二金属导柱1221，第三金属导柱1231，第四金属导柱1241，第五金属导柱1251，第六金属导柱1261用以连接所述基板1000的基板正面1100的六个正面焊盘。

进一步的，所述六个金属导柱设置在所述六个背面焊盘投影的任意位置上。

可选的，所述六个反面焊盘可以基于油墨塞孔与所述六个正面焊盘对应连接，所述六个反面焊盘也可以基于树脂塞孔与所述六个正面焊盘对应连接。

具体的，图13示出了本发明实施例中感测器件侧面结构示意图，所述第一金属导柱1211贯穿所述基板1000，所述第一正面焊盘111和所述第一反面焊盘121基于所述第一金属导柱1211相接导通。

所述第二正面焊盘112和所述第二反面焊盘122、所述第三正面焊盘113和所述第三反面焊盘123、所述第四正面焊盘114和所述第四反面焊盘124、所述第五正面焊盘115和所述第五反面焊盘125、所述第六正面焊盘116和所述第六反面焊盘126具有与所述第一正面焊盘111和所述第一反面焊盘121相同的金属导柱结构，具体结构特征和功能作用可以参考所述第一正面焊盘111和所述第一反面焊盘121之间金属导柱的结构特征和功能作用，这里不再一一赘述。

进一步的，所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000基于所述第四正面焊盘114与所述第四反面焊盘124连接，所述红光芯片3000基于所述第五正面焊盘115与所述第五反面焊盘125连接，所述红外光芯片4000基于所述第一正面焊盘111与所述第一反面焊盘121连接，所述绿光芯片2000基于所述第二正面焊盘112与所述第二反面焊盘122连接，所述绿光芯片2000基于所述第三正面焊盘113与所述第三反面焊盘123连接。所述绿光芯片2000、所述红光芯片3000和所述红外光芯片4000能正常工作。

可选的，所述第一芯片槽位1141和所述第二芯片槽位1142可以设置在所述第三正面焊盘113上，所述第三芯片槽位1121可以设置在所述第四正面焊盘114上；或所述第一芯片槽位1141和所述第二芯片槽位1142可以设置在所述第四正面焊盘114上，所述第三芯片槽位1121可以设置在所述第三正面焊盘113上。

具体的，所述基板背面1200设置的所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124为共性反面焊盘，进一步的，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124为共阳性反面焊盘，所述第一反面焊盘121、所述第二反面焊盘122和所述第五反面焊盘125为阴性反面焊盘，所述第六反面焊盘126为闲置反面焊盘；

可选的，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124为共阴性反面焊盘，所述第一反面焊盘121、所述第二反面焊盘122和所述第五反面焊盘125为阳性反面焊盘，所述第六反面焊盘126为闲置反面焊盘。

进一步的，将所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126设置在所述基板背面1200上，方便散热。

优选的，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124为共阳性反面焊盘，所述感测器件驱动设计成本低。

进一步的，所述第六反面焊盘126为闲置反面焊盘，所述第六反面焊盘126不具备电性，设置所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126实现反面焊盘的对称性，所述第六反面焊盘126用以保持所述基板1000在器件焊接上锡时的稳定性，保持水平状态。

具体的，所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126对称分布在所述基板背面1200上，所述第一反面焊盘121、所述第二反面焊盘122和所述第三反面焊盘123呈一列布置在所基板背面1200的一侧，所述第四反面焊盘124、所述第五反面焊盘125和所述第六反面焊盘126呈一列布置在所述基板背面1200的另一侧，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124设置在所述基板背面1200的对角位置，所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124之间通过导电线路127连接。所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124设置在对角线上，可以减避免所述感测器件外部电路连接电线形成交错走线，降低整体电路的复杂程度。

所述基板背面1200上涂覆有绿油，通过绿油阻断所述第一反面焊盘121、所述第二反面焊盘122、所述第三反面焊盘123、所述第四反面焊盘124、所述第五反面焊盘125和所述第六反面焊盘126，避免所述感测器件在焊接时发生反面焊盘连通导致线路断界的问题。

进一步的，所述基板背面1200靠近中间位置留白形成电性标识128，所述电性标识128用以标识所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126的极性，所述导电线路127分为三段结构，所述三段结构基于第一直角转折部1271和第二直角转折部1272连接，所述三段结构的中间段结构靠近其中一列反面焊盘，所述第一直角转折部1271和所述第二直角转折部1272增大了所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124之间的连接距离，确保所述第三反面焊盘123和所述第四反面焊盘124能够安全连接，进一步的，所述导电线路127的中间段和所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126的另一列反面焊盘之间的距离，保证有足够的空间留白形成所述电性标识128。

具体的，所述导电线路127的厚度小于所述第一反面焊盘121、第二反面焊盘122、第三反面焊盘123、第四反面焊盘124、第五反面焊盘125和第六反面焊盘126的任一反面焊盘的厚度，防止在器件焊接过程中不稳定出现器件抬起，影响客户端使用等问题。以上对本发明实施例所提供的一种器件加工方法及器件进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种器件加工方法，其特征在于，包括：

固晶：将若干组芯片组阵列设置在总电路板上，每一组所述芯片组包括若干个芯片；

封装材料封装：采用封装材料整体封装所述若干组芯片组，所述封装材料固化后形成总封装层；

一次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为a的第一切割片于所述若干组芯片组的间隙中切割所述总封装层得到流道结构，所述流道结构将所述总封装层划分为若干个子封装层；

挡墙材料封装：采用挡墙材料填充所述流道结构，所述挡墙材料固化后形成总挡墙，所述总电路板、所述若干组芯片组、所述若干个子封装层和所述总挡墙组合形成半成品；

研磨：将所述半成品置于研磨固定平台的台面上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度；

二次划片：根据预设的一次划片轨迹，以宽度为b的第二切割片贯穿式切割经过所述研磨后的半成品，所述半成品被切割为若干个所述器件，其中，b<a。

2.如权利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，所述研磨工作端为研磨面平行于所述研磨固定平台的砂轮。

3.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮为树脂砂轮。

4.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮的目数取值范围为[500，1000]。

5.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮在作业状态下的转速取值范围为[600rpm，800rpm]。

6.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述砂轮自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度的进刀速度取值范围为[0.1μm/s，0.3μm/s]。

7.如权利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述研磨还包括：

所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台方向研磨并运行至预设高度通过若干子步骤实现，在每一子步骤中，所述研磨工作端的研磨面运行至对应的理论高度，并在最后一次执行的子步骤中，所述研磨工作端的研磨面运行至所述预设高度；

每一所述子步骤包括：

修整设备调整：以所述研磨固定平台的台面为高度基准，所述修整设备的修整面的高度与所述子步骤对应的理论高度相同；

研磨设备打磨：驱动所述研磨设备运行至位于所述研磨固定平台外部的修整设备的上方后，驱使所述研磨设备工作并使所述研磨设备的研磨面运行至对应的理论高度，所述研磨面与所述修整面重合；

进给研磨：驱动所述研磨设备平移至研磨固定平台的上方。

8.如权利要求7所述的器件加工方法，其特征在于，所述研磨固定平台具有若干个真空吸盘，以所述真空芯片的顶面作为所述研磨固定平台的台面。

9.如权利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，在所述研磨后，所述器件加工方法还包括：

粗糙度检测：对经过所述研磨后的半成品的顶面进行粗糙度检测；

在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度小于或等于0.5时，执行所述二次划片步骤；

在所述研磨后的半成品的顶面的粗糙度大于0.5时，再次执行所述研磨步骤。

10.如权利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，所述研磨固定平台为吸盘。

11.一种器件，其特征在于，基于权利要求1至10任一项所述的器件加工方法加工。

Images