CN114303183A - 显示系统 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于使显示装置不显眼。显示系统具备基部、以及安装于基部的显示装置(2)。显示装置(2)具备呈矩阵状排列的多个无机发光体(100)、以及表面层(5)，该表面层(5)包括：多个透射部(8)，其相对于无机发光体(100)设于由无机发光体(100)发出的光的行进方向一侧，以从光的行进方向侧观察与无机发光体(100)重叠的方式呈矩阵状设置，透射来自无机发光体(100)的光；以及阻挡来自无机发光体(100)的光的阻挡部(6)。多个无机发光体(100)分别与设于表面层(5)的多个透射部(8)的每一个重叠设置。

Description

显示系统
技术领域
本发明涉及显示系统。
背景技术
近年来，显示装置逐渐大型化，在将这种显示装置设置于家庭等时，有时因设置显示装置而导致居住空间变狭小，或者显示装置会很显眼。例如在专利文献1中记载了在墙壁配置显示装置的技术。若在墙壁配置显示装置，能够抑制居住空间变狭小。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2010-26070号公报
发明内容
然而，在专利文献1中，在使显示装置不显眼这一观点仍有改善的余地。
本发明是鉴于上述课题为提出的，其目的在于提供一种能够使显示装置不显眼的显示系统。
本发明的一个方面的显示系统具备基部、以及安装于所述基部的显示装置，所述显示装置具备呈矩阵状排列的多个无机发光体、以及表面层，该表面层包括：多个透射部，其相对于所述无机发光体设在由所述无机发光体发出的光的行进方向一侧，以从光的行进方向侧观察与所述无机发光体重叠的方式呈矩阵状设置，透射来自所述无机发光体的光；以及阻挡来自所述无机发光体的光的阻挡部，所述多个无机发光体分别与设于所述表面层的所述多个透射部的每一个重叠设置。
附图说明
图1是本实施方式的显示系统的示意图。
图2是本实施方式的显示装置的示意性的平面图。
图3是本实施方式的显示装置的示意性的一部分剖视图。
图4是示出本实施方式的显示装置的构成例的平面图。
图5是说明本实施方式的像素以及信号线的配置的例子的示意图。
图6是示出本实施方式的显示装置的另一构成例的平面图。
图7是说明本实施方式的像素以及信号线的配置的另一例的示意图。
图8是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。
图9是本实施方式的显示装置的示意性的剖视图。
图10是示出本实施方式的无机发光体的构成例的剖视图。
图11是示出本实施方式的显示装置的另一构成例的剖视图。
图12是说明本实施方式的显示系统的组装方法的图。
图13是示出了在将无机发光体熄灭的情况下的显示系统的外观的示意图。
图14是示出了在将无机发光体点亮的情况下的显示系统的外观的示意图。
图15是第1变形例的显示系统的示意图。
图16是示出第2变形例的像素的示意图。
图17是示出第2变形例的显示装置的构成例的剖视图。
图18是说明第2变形例的显示系统的组装方法的图。
图19是示出第2变形例的像素的另一例的示意图。
图20是示出第2变形例的显示装置的另一构成例的剖视图。
图21是示出第3变形例的显示装置的构成例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的各实施方式。此外，本公开只不过为一例，对于本领域技术人员容易想到的保持发明的主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更明确，与实际的形态相比，有时示意性示出附图的各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过为一例，不限于对本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对与已经出现的附图有关的要素同样的要素标注相同的附图标记，有时适当省略详细的说明。
(显示系统的整体构成)
图1是本实施方式的显示系统的示意图。如图1所示，本实施方式的显示系统1具备显示装置2以及基部4。基部4为墙壁或柱子等的构造物。显示装置2安装于基部4，显示图像。更详细来说，显示装置2埋入形成于基部4的表面的作为凹陷的凹部4B。此外，本实施方式中的基部4为墙壁或柱子等的构造物，但也可以为任意的物体，例如可以为笔记本的封面等的小型物体。显示装置2也为例如对角线的长度为85英寸左右的大型的显示装置，但尺寸没有限制，为任意的，也可以为小型。
显示装置2表面5A从外部露出，以使表面5A与基部4的表面4A成为平行的方式，进一步来说，以使表面5A与基部4的表面4A在后述的第3方向Dz上成为相同位置的方式安装于基部4。更详细来说，显示系统1以使显示装置2的表面5A与基部4的表面4A连续的方式、换言之以表面5A与表面4A成为连续的一个表面1A的方式安装于基部4。
以下，将与表面5A平行的一个方向设为第1方向Dx，将与表面5A平行的另一方向设为第2方向Dy。第1方向Dx与第2方向Dy正交，但也可以不与第2方向Dy正交而是交叉。另外，将与第1方向Dx以及第2方向Dy正交的方向、换言之，与表面5A正交的方向设为第3方向Dz。第3方向Dz例如与后述的基板10的法线方向对应。以下，俯视是指从第3方向Dz观察的情况下的位置关系。另外，将与第3方向Dz平行的方向中的一个方向设为方向Dz1，将与第3方向Dz平行的方向中的另一方向、即，将方向Dz1的相反方向设为方向Dz2。方向Dz1为从后述的阵列基板9朝向表面5A的方向。
(显示装置的构成)
图2是本实施方式的显示装置的示意性的平面图，图3是本实施方式的显示装置的示意性的一部分剖视图。如图2以及图3所示，显示装置2具备阵列基板9、多个无机发光体100、表面层5。阵列基板9为用于驱动显示装置2的各像素Pix的驱动电路基板，也被称为背板或者有源矩阵基板。其详细内容在后面进行说明，但阵列基板9具有多个晶体管、多个电容以及各种布线等。如图2以及图3所示，无机发光体100设于阵列基板9的方向Dz1侧，呈矩阵状排列。即，无机发光体100在阵列基板9的方向Dz1侧，在第1方向Dx以及第2方向Dy上排列。无机发光体100为无机发光二极管(LED:Light Emitting Diode)，向方向Dz1侧照射光L。此外，无机发光体100以广角照射光L，因此，并非仅沿方向Dz1照射光L。无机发光体100为在俯视下具有数μm以上、300μm以下左右的大小的无机发光二极管芯片，通常，将一个芯片尺寸为100μm以上称为迷你LED(miniLED)，将少于100μm～数μm的尺寸称为微LED(microLED)。在本发明中也能够使用任一尺寸的LED，只要根据显示装置的画面尺寸(一个像素的大小)区分使用即可。在各像素具备微LED(microLED)的显示装置也被称为微LED显示装置。此外，微LED的微型不限于无机发光体100的大小。
显示装置2作为无机发光体100而具备第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B。第1无机发光体100R发出作为第1色的原色的红色的光，构成显示第1色的像素49R。第2无机发光体100G发出作为第2色的原色的绿色的光，构成显示第2色的像素49G。第3无机发光体100B发出作为第3色的原色的蓝色的光，构成显示第3色的像素49B。一个第1无机发光体100R、一个第2无机发光体100G、以及一个第3无机发光体100B成为1组，换言之，像素49R、49G、49B成为1组，构成一个像素Pix。显示装置2在俯视下呈矩阵状地、即，在第1方向Dx以及第2方向Dy上排列该像素Pix。在一个像素Pix中，第1无机发光体100R(第1像素49R)与第3无机发光体100B(第3像素49B)在第1方向Dx上排列，使第2无机发光体100G(第2像素49G)位于第1无机发光体100R以及第3无机发光体100B的第2方向Dy侧。在本实施方式的例子中，例如在俯视下在正三角形的一个顶点的位置配置有第1无机发光体100R，在另一个顶点的位置配置有第2无机发光体100G，在另一个顶点的位置配置有第3无机发光体100B。但一个像素Pix中的第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B的排列顺序不限于此，为任意的。
此外，第1色、第2色、第3色分别不限于红色、绿色、蓝色，能够选择补色等的任意的颜色。另外，包含在像素Pix内的像素不限于三个，也可以包含四个以上的像素。例如，在像素Pix中也可以包含作为第4色而显示白色的像素49W。在该情况下，像素49W具备发出第4色的光的无机发光体100。
如图3所示，表面层5设于无机发光体100的方向Dz1侧(从无机发光体100发出的光L的行进方向侧)。表面层5包括阻挡部6和透射部8。阻挡部6为阻挡来自作为可视光的无机发光体100的光L的层，换言之，为不透射光L的层。透射部8被设为从表面层5的方向Dz2的表面贯穿方向Dz1侧的表面为止。透射部8不阻挡光L，透射光L。在本实施方式中，透射部8为从表面层5的方向Dz2的表面到方向Dz1侧的表面为止形成的开口(孔)。但透射部8不限于开口，即，不限于为空间，例如也可以为透射光L的固体构件。透射部8设有多个，呈矩阵状地排列，即，在第1方向Dz以及第2方向Dy上排列。表面层5可以说在俯视下呈矩阵状排列地设有多个透射部8，在没有设置透射部8的位置设有阻挡部6。
透射部8设于在俯视下与无机发光体100(第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B)重叠的位置，阻挡部6设于在俯视下不与无机发光体100(第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B)重叠的位置。在本实施方式中，透射部8针对每个像素Pix来设置。换言之，多个无机发光体100分别与设于表面层5的多个透射部8各自重叠设置。因此，在本实施方式中，透射部8针对每1组第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B而设置，与1组第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B重叠。但透射部8不限于针对每1组第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B而设置。例如，透射部8也可以针对每个无机发光体100来设置，也可以在俯视下与一个无机发光体100重叠。
在此，在俯视观察的情况下的透射部8的面积比在俯视观察的情况下的阻挡部6的面积小。若在俯视观察的情况下的透射部8的面积相对于在俯视观察的情况下的表面层5的面积、即，相对于包括阻挡部6和透射部8在内的整体的面积例如为10％以下，则利用遮光部6的表面的设计的独创性等使透射部8变得不易被识别，例如若为1％以下，则与遮光部6的表面的设计无关地使透射部8变得不易被识别，在此例如为3％左右。透射部8也可以说相对于阻挡部6的整体足够小。另外，将在俯视观察的情况下的透射部8的宽度称为长度D1。长度D1为在图2中在方向Dy上的透射部8的长度，但也可以为方向Dx上的透射部8的长度。而且，将在俯视观察的情况下的、相邻的透射部8彼此的间距设为长度D2。长度D2也可以说为将相邻的透射部8的中心点彼此连结的长度。在图2中，长度D2为将在方向Dy上相邻的透射部8的中心点彼此连结的长度，但也可以为将在方向Dx上相邻的透射部8的中心点彼此连结的长度。在图3中方向Dx上的长度D1与方向Dy上的长度D1大致相等，方向Dx上的长度D2与方向Dy上的长度D2也大致相等，因此，在考虑了上述面积比的情况下，若长度D1相对于长度D2例如为31％以下，则利用遮光部6的表面的设计的独创性等使透射部8变得不易被识别，例如若为1％以下，则与遮光部6的表面的设计无关地使透射部8变得不易被识别。图3为概略性的图，但长度D1为长度D2的17％左右，透射部8彼此的间距可以说相对于透射部8的大小足够大。像这样，透射部8的面积变小，透射部8彼此的间距很宽，因此，在人视觉确认了表面层5的表面的情况下，透射部8不易被视觉确认到，阻挡部6的表面6A被视觉确认为在平面上是连续的。
阻挡部6形成为表面6A的外观与基部4的表面4A的外观相关联。外观相关联是指外观相同或者类似，例如可以指在人视觉确认到阻挡部6的表面6A和基部4的表面4A时，从外观几乎区别不出彼此这种程度地类似。另外，在此的外观是指例如形状、图案以及色彩的至少一个。即，阻挡部6的表面6A与基部4的表面4A可以说形状、图案、以及色彩的至少一个彼此相关联。进一步说，在本实施方式中，阻挡部6的表面6A与基部4的表面4A优选形状、图案、以及色彩的至少一个相同。此外，基部4以及阻挡部6若表面6A的可视光的反射率例如为10％以下，则在周围明亮的情况下也易于得到很高的对比度，因此，在显示照片图像等是特别优选的。
在本实施方式中，表面层5为显示装置2的最靠方向Dz1侧的层。因此，表面层5的方向Dz1侧的表面也可以说为显示装置2的方向Dz1侧的表面5A。表面5A包括表面6A和透射面8A。表面6A为设有阻挡部6的区域，可以说为阻挡部6的表面。透射面8A为设有透射部8的区域。透射面8A可以说在俯视下为与无机发光体100(像素Pix)和透射部8重叠的区域。表面5A可以说在俯视下呈矩阵状设有透射面8A，在透射面8A以外的区域形成有表面6A。此外，显示装置2不限于表面层5为最靠方向Dz1侧的层，也可以与表面层5相比在方向Dz1侧设有层。在该情况下，与表面层5相比在方向Dz1侧的层成为透射可视光的层。因此，即使与表面层5相比在方向Dz1侧设有层，在俯视下表面层5的方向Dz1侧的表面被视觉确认为显示装置2的方向Dz1侧的表面5A。因此，在此，即使与表面层5相比在方向Dz1侧设有层，也可以将表面层5的方向Dz1侧的表面称为显示装置2的方向Dz1侧的表面5A。
如上所述，透射部8很小，因此，当从方向Dz1侧观察显示装置2时，透射面8A没有被视觉确认，作为表面6A连续的面而使表面5A被视觉确认。另一方面，在使无机发光体100点亮的情况下，来自无机发光体100的光L透射在该无机发光体100的方向Dz1侧相对置的透射部8，向显示装置2的外部射出。即，在使无机发光体100点亮的情况下，从透射面8A射出无机发光体100的光L。因此，在使无机发光体100点亮的情况下，在表面5A的方向Dz1侧，基于透射了透射面8A的无机发光体100的光L所形成的图像被视觉确认。
接下来，说明显示装置2的整体构成。图4是示出本实施方式的显示装置的构成例的平面图。如图4所示，显示装置2包括阵列基板9、像素Pix、驱动电路12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)210以及阴极布线60。
如图4所示，显示装置2具备显示区域AA以及周边区域GA。显示区域AA为配置有多个像素Pix的区域，为显示图像的区域。周边区域GA为与多个像素Pix不重叠的区域，配置于显示区域AA的外侧。多个像素Pix在基板10的显示区域AA中，沿第1方向Dx以及第2方向Dy排列。此外，表面层5在俯视下在包括显示区域AA以及周边区域GA在内的显示装置2的整个区域中设置。
驱动电路12设于阵列基板9所具有的基板10的周边区域GA。驱动电路12为基于来自驱动IC210的各种控制信号驱动多个栅极线(例如，发光控制扫描线BG、复位控制扫描线RG、初始化控制扫描线IG以及写入控制扫描线SG(参照图8))的电路。驱动电路12依次或者同时选择多个栅极线，向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。
驱动IC210为控制显示装置2的显示的电路。驱动IC210也可以作为COG(Chip OnGlass：玻璃上芯片)而安装于基板10的周边区域GA。但不限于此，驱动IC210也可以作为COF(Chip On Film：覆晶薄膜)而安装于与基板10的周边区域GA连接的布线基板之上。此外，与基板10连接的布线基板例如为柔性印刷基板或刚性基板。
阴极布线60设于基板10的周边区域GA。阴极布线60包围显示区域AA的多个像素Pix以及周边区域GA的驱动电路12来设置。多个无机发光体100的阴极(阴极电极114(参照图9))被供给与共用的阴极布线60连接的固定电位(例如，接地电位)。更具体来说，无机发光体100的阴极电极114经由阵列基板9上的对置阴极电极90e与阴极布线60连接。此外，阴极布线14的一部分具有狭缝，也可以在基板10上利用两个不同的布线来形成。
图5是说明本实施方式的像素以及信号线的配置的例子的示意图。如图5所示，显示装置2的阳极电源线(电源供给布线)L1与影像信号线(信号布线)L2成对地在第2方向Dy上延伸。设有多对阳极电源线L1与影像信号线L2的对，它们在第1方向Dx上排列。写入控制扫描线(信号扫描布线)SG在第1方向Dx上延伸。写入控制扫描线SG设有多个，在第2方向Dy上排列。在由在第1方向Dx上相邻的阳极电源线L1与影像信号线L2的对、以及在第2方向Dy上相邻的写入控制扫描线SG包围的区域(格子)内设有接触孔CH。接触孔CH设有多个，在第1方向Dx以及第2方向Dy上排列。第2像素49G(第2无机发光体100G)位于沿第1方向Dx排列的一行接触孔CH的第2方向Dy侧。第1像素49R(第1无机发光体100R)与第3像素49B(第3无机发光体100B)位于沿第1方向Dx排列的一行接触孔CH的第2方向Dy相反侧。
此外，图4以及图5是第1无机发光体100R(属于第1像素49R)、第2无机发光体100G(属于第2像素49G)、以及第3无机发光体100B(属于第3像素49B)以在一个像素Pix中位于三角形各自的顶点的方式排列的情况下的例子。在图6以及图7中，说明另一排列的例子。图6是示出本实施方式的显示装置的另一构成例的平面图。图7是说明本实施方式的像素以及信号线的配置的另一例的示意图。如图6所示，例如，第1无机发光体100R(属于第1像素49R)、第2无机发光体100G(属于第2像素49G)、以及第3无机发光体100B(属于第3像素49B)可以在第1方向Dx上按照这个顺序即呈条带状排列。第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B分别可以构成一个像素Pix。即，可以利用一个无机发光体100构成一个像素Pix。在该情况下，透射部8针对每个无机发光体100设置，在俯视下与一个无机发光体100重叠。另外，如图7所示，在呈条带状排列的情况下，第1无机发光体100R(属于第1像素49R)、第2无机发光体100G(属于第2像素49G)、以及第3无机发光体100B(属于第3像素49B)位于在第1方向Dx上排列的一行接触孔CH的第2方向Dy侧。此外，即使采用这种条带状的排列，也可以由1组第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B构成一个像素Pix，透射部8可以针对每1组第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、以及第3无机发光体100B来设置。另外，无机发光体100的排列不限于图4以及图6的例子，可以为任意的排列。
图8是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。图8示出的像素电路PICA针对第1像素49R、第2像素49G以及第3像素49B各自来设置。像素电路PICA为设于基板10而将驱动信号(电流)供给至无机发光体100的电路。此外，在图8中，针对像素电路PICA的说明能够应用于第1像素49R、第2像素49G以及第3像素49B各自所具有的像素电路PICA。
如图8所示，像素电路PICA包括无机发光体100、5个晶体管以及两个电容。具体来说，像素电路PICA包括发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST、复位晶体管RST以及驱动晶体管DRT。一部分晶体管可以由相邻的多个像素49共用。例如，发光控制晶体管BCT也可以经由共用布线由三个像素49共用。另外，复位晶体管RST设于周边区域GA，例如也可以针对像素49的各行设有一个。在该情况下，复位晶体管RST经由共用布线与多个驱动晶体管DRT的源极连接。
像素电路PICA所具有的多个晶体管分别由n型TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成。但不限于此，各晶体管分别可以由p型TFT构成。在使用p型TFT的情况下，也可以适当对电源电位或保持电容Cs1以及电容Cs2的连接进行调整。
发光控制扫描线BG与发光控制晶体管BCT的栅极连接。初始化控制扫描线IG与初始化晶体管IST的栅极连接。写入控制扫描线SG与写入晶体管SST的栅极连接。复位控制扫描线RG与复位晶体管RST的栅极连接。
发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG以及复位控制扫描线RG分别与驱动电路12(参照图4)连接。驱动电路12向发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG以及复位控制扫描线RG分别供给发光控制信号Vbg、初始化控制信号Vig、写入控制信号Vsg以及复位控制信号Vrg。
驱动IC210(参照图4)向第1像素49R、第2像素49G以及第3像素49B各自的像素电路PICA按时分地供给影像信号Vsig。在第1像素49R、第2像素49G以及第3像素49B的各列与驱动IC210之间设有多路复用器等的开关电路。经由影像信号线L2向写入晶体管SST供给影像信号Vsig。另外，驱动IC210经由复位信号线L3将复位电源电位Vrst供给至复位晶体管RST。驱动IC210经由初始化信号线L4将初始化电位Vini供给至初始化晶体管IST。
发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST、以及复位晶体管RST作为选择两个节点间的导通或截止的开关元件发挥作用。驱动晶体管DRT作为根据栅极与漏极之间的电压而对向无机发光体100流通的电流进行控制的电流控制元件发挥作用。
无机发光体100的阴极(阴极电极114)与阴极电源线L10连接。另外，无机发光体100的阳极(阳极电极110)经由驱动晶体管DRT以及发光控制晶体管BCT与阳极电源线L1(第1电源线)连接。向阳极电源线L1供给阳极电源电位PVDD(第1电位)。向阴极电源线L10供给阴极电源电位PVSS(第2电位)。阳极电源电位PVDD为比阴极电源电位PVSS高的电位。阴极电源线L10包括阴极布线60。
另外，像素电路PICA包括电容Cs1以及电容Cs2。电容Cs1为在驱动晶体管DRT的栅极与源极之间形成的保持电容。电容Cs2为在驱动晶体管DRT的源极以及无机发光体100的阳极与阴极电源线L10之间形成的附加电容。
显示装置2从第一行像素49到最后一行像素49为止进行驱动，在1帧期间内显示1帧的图像。
在复位期间内，利用从驱动电路12供给的各控制信号使发光控制扫描线BG的电位成为L(低)电平，复位控制扫描线RG的电位成为H(高)电平。由此，发光控制晶体管BCT成为关断(截止状态)，复位晶体管RST成为接通(导通状态)。
由此，残留在像素49内的电荷通过复位晶体管RST流向外部，驱动晶体管DRT的源极被固定为复位电源电位Vrst。复位电源电位Vrst被设定为相对于阴极电源电位PVSS具有规定的电位差。在该情况下，复位电源电位Vrst与阴极电源电位PVSS的电位差比无机发光体100开始发光的电位差小。
接下来，根据从驱动电路12供给的各控制信号使初始化控制扫描线IG的电位成为H电平。初始化晶体管IST接通。经由初始化晶体管IST将驱动晶体管DRT的栅极固定为初始化电位Vini。
另外，驱动电路12将发光控制晶体管BCT接通，将复位晶体管RST关断。驱动晶体管DRT当源极电位成为(Vini-Vth)时关断。由此，能够针对每个像素49获取驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，使针对每个像素49的阈值电压Vth的偏差被消除。
接下来，在影像信号写入动作期间内，根据从驱动电路12供给的各控制信号使发光控制晶体管BCT关断，使初始化晶体管IST关断，使写入晶体管SST接通。在属于1行的像素49中，影像信号Vsig被输入至驱动晶体管DRT的栅极。影像信号线L2在第2方向Dy上延伸，与属于同列的多行像素49连接。因此，影像信号写入动作期间针对每1行来实施。
接下来，在发光动作期间内，利用从驱动电路12供给的各控制信号，使发光控制晶体管BCT接通，使写入晶体管SST关断。从阳极电源线L1经由发光控制晶体管BCT向驱动晶体管DRT供给阳极电源电位PVDD。驱动晶体管DRT将与栅极源极间的电压对应的电流供给至无机发光体100。无机发光体100以与该电流对应的亮度发光。
此外，驱动电路12也可以按1行来驱动像素49，也可以同时驱动两行像素49，也可以同时驱动3行以上像素49。
此外，上述图8示出的像素电路PICA的构成只不过为一例，能够适当变更。例如一个像素49中的布线的数量以及晶体管的数量可以不同。另外，像素电路PICA能够采用电流镜电路等的构成。此外，驱动电路12与驱动IC210的至少一方可以说明控制无机发光体100的点亮和熄灭的驱动部。驱动部通过控制无机发光体100的点亮和熄灭，对显示装置2的图像的显示与显示停止进行切换。
接下来，说明显示装置2的层叠构造。图9是本实施方式的显示装置的示意性的剖视图。如图9所示，显示装置2的阵列基板9具备基板10和多个晶体管。基板10具备第1面10a和与第1面10a相反一侧的第2面10b。基板10为绝缘基板，例如为玻璃基板、石英基板、或者、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、或者聚对苯二甲酸(PET)树脂制的柔性基板。
此外，在本说明书中，在与基板10的表面垂直的方向上，将从基板10朝向无机发光体100的方向(方向Dz1)称为“上侧”或者仅称为“上”。另外，将从无机发光体100朝向基板10的方向(方向Dz2)称为“下侧”或者仅称为“下”。另外，在表现在某一构造体之上配置其它构造体的形态时仅标记为“在……上”的情况下，只要没有特别限定，包括以与某一构造体相接的方式在其正上方配置其它构造体的情况、和在某一构造体的上方还隔着其他构造体配置其它构造体的情况这两方。
底涂层20设在基板10的第1面10a上。此外，也可以在基板10的第1面10a上设有遮光层。在该情况下，底涂层20覆盖遮光层。遮光层只要阻挡光即可，可以为任意的材料，例如，也可以为钼钨合金膜。
多个晶体管设在底涂层20上。例如，在基板10的显示区域AA中，作为多个晶体管而分别设有包含在像素49内的驱动晶体管DRT以及写入晶体管SST。在基板10的周边区域GA，作为多个晶体管，设有包含在驱动电路12内的晶体管TrC。此外，示出了多个晶体管中的、驱动晶体管DRT、写入晶体管SST、以及晶体管TrC，但包含在像素电路PICA内的发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST以及复位晶体管RST也具有与驱动晶体管DRT同样的层叠构造。此外，在以下的说明中，在不需要区别说明多个晶体管的情况下，仅表达为晶体管Tr。
晶体管Tr例如为双面栅极构造的TFT。晶体管Tr分别具有第1栅极电极21、第2栅极电极31、半导体层25、源极电极41s以及漏极电极41d。第1栅极电极21设在底涂层20上。绝缘膜24设在底涂层20上，覆盖第1栅极电极21。半导体层25设在绝缘膜24上。半导体层25例如使用多晶硅。但半导体层25不限于此，可以为微结晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、低温多晶硅等。绝缘膜29设在半导体层25上。第2栅极电极31设在绝缘膜29上。
底涂层20、绝缘膜24、29、45为无机绝缘膜，例如由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)等构成。在第3方向Dz上，第1栅极电极21和第2栅极电极31隔着绝缘膜24、半导体层25以及绝缘膜29相对置。在绝缘膜24、29中，由第1栅极电极21和第2栅极电极31夹持的部分作为栅极绝缘膜发挥作用。另外，在半导体层25中，由第1栅极电极21和第2栅极电极31夹持的部分成为晶体管Tr的沟道区域27。在半导体层25中，与源极电极41s连接的部分为晶体管Tr的源极区域，与漏极电极41d连接的部分为晶体管Tr的漏极区域。在沟道区域27与源极区域之间以及沟道区域27与漏极区域之间分别设有低浓度杂质区域。此外，作为晶体管Tr仅示出n型TFT，但也可以同时形成p型TFT。
栅极线31a与驱动晶体管DRT的第2栅极电极31连接。在基板10与栅极线31a之间设有绝缘膜29，在栅极线31a与基板10之间形成有电容CS。第1栅极电极21、第2栅极电极31以及栅极线31a例如由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)或者这些合金膜或包括这些在内的层叠膜来构成。
在本实施方式中，晶体管Tr不限于双面栅极构造。晶体管Tr也可以为栅极电极仅由第1栅极电极21构成的底栅型。另外，晶体管Tr也可以为栅极电极仅由第2栅极电极31构成的顶栅型。另外，也可以不设置底涂层20。
显示装置2具有设在基板10的第1面10a上且覆盖多个晶体管Tr的绝缘膜35。源极电极41s设在绝缘膜35上，经由设在绝缘膜35的贯穿孔与多个晶体管Tr的各源极连接。漏极电极41d设在绝缘膜35上，经由设在绝缘膜35的贯穿孔与多个晶体管Tr的各漏极连接。在周边区域GA中，阴极布线60设在绝缘膜35上。绝缘膜42覆盖源极电极41s、漏极电极41d以及阴极布线60。绝缘膜35为无机绝缘膜，绝缘膜42为有机绝缘膜。源极电极41s以及漏极电极41d由作为钛与铝的层叠构造的TiAlTi或者TiAl的层叠膜构成。另外，绝缘膜42使用感光性丙烯酸等的有机材料。
源极电极41s的一部分形成在与栅极线31a重叠的区域。由隔着绝缘膜35相对置的栅极线31a与源极电极41s形成电容Cs1。另外，栅极线31a形成在与半导体层25的一部分重叠的区域。电容Cs1还包括由隔着绝缘膜24相对置的半导体层25与栅极线31a形成的电容。
显示装置2具备源极连接布线43s、漏极连接布线43d、绝缘膜45、对置阳极电极50e、绝缘膜66、连接层50f、无机发光体100、绝缘膜70、平坦化膜80、对置阴极电极90e、外涂层92、偏振片94、表面层5。源极连接布线43s设在绝缘膜42上，经由设于绝缘膜42的贯穿孔与源极电极41s连接。漏极连接布线43d设在绝缘膜42上，经由设于绝缘膜42的贯穿孔与漏极电极41d连接。绝缘膜45设在绝缘膜42上，覆盖源极连接布线43s和漏极连接布线43d。对置阳极电极50e设在绝缘膜45上，经由设在绝缘膜45的贯穿孔与驱动晶体管DRT的漏极连接布线43d连接。源极连接布线43s以及漏极连接布线43d例如由氧化铟锡(ITO、Indium TinOxide)等的透明性导电体形成。
绝缘膜66设在绝缘膜45上，覆盖对置阳极电极50e。连接层50f设在绝缘膜66上，经由设在绝缘膜66的贯穿孔与对置阳极电极50e连接。无机发光体100设在连接层50f之上。在此，例如可以为焊锡层，就对置阳极电极50e与连接层50f的连接而言，在图9中是经由设于绝缘膜66的贯穿孔来实现的，但也可以不设置绝缘膜66，而形成为连接层50f直接与对置阳极电极50e重叠。对置阳极电极50e经由连接层50f与无机发光体100的阳极电极110连接。在隔着绝缘膜45相对置的对置阳极电极50e与源极连接布线43s之间形成有电容Cs2。
绝缘膜70设在绝缘膜45上，覆盖连接层50f和无机发光体100的阳极电极110的侧面。绝缘膜70在与阳极电极110重叠的位置具有用于安装无机发光体100的开口。绝缘膜70的开口的面积在俯视下比无机发光体100的与对置阳极电极50e的接触面大。另外，对置阳极电极50e在俯视下比与无机发光体100与的对置阳极电极50e的接触面大。平坦化膜80设在绝缘膜70上，覆盖无机发光体100的侧面。对置阴极电极90e设在平坦化膜80上。绝缘膜70为无机绝缘膜，例如由氮化硅膜(SiN)构成。平坦化膜80为有机绝缘膜或者无机有机杂化绝缘膜(在Si-O主链例如键合了有机基团(甲基或苯基)的材料)。无机发光体100的上表面(阴极电极114)从平坦化膜80露出。对置阴极电极90e连接于无机发光体100的阴极电极114。
对置阴极电极90e经由设于显示区域AA的外侧的接触孔CH1与设于阵列基板9侧的阴极布线60连接。具体来说，接触孔CH1设于平坦化膜80以及绝缘膜42，在接触孔CH1的底面设有阴极布线14。阴极布线60设在绝缘膜35之上。也就是说，阴极布线60与源极电极41s、漏极电极41d设在同层，由相同材料形成。对置阴极电极90e从显示区域AA到周边区域GA连续设置，在接触孔CH1的底部与阴极布线60连接。
外涂层92设在对置阴极电极90e上。外涂层92为绝缘膜。外涂层92例如也可以为氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)等的无机绝缘膜与有机绝缘膜的层叠体。偏振片94设在外涂层92上。偏振片94透射入射来的光中的、事先在规定的方向上振动的成分的光，阻挡在该方向以外振动的成分的光。偏振片94在本实施方式中为圆偏振片。表面层5设在偏振片94上。表面层5构成为在俯视下透射部8与无机发光体100重叠，不为透射部8的部分的阻挡部6不与无机发光体100重叠。
接下来，说明无机发光体100的构成。图10是示出本实施方式的无机发光体的构成例的剖视图。如图10所示，无机发光体100具有无机发光元件102、阳极电极110、反射层112以及阴极电极114，但也可以将对置阳极电极50e、连接层50f、以及对置阴极电极90e包含在无机发光体100内。
无机发光元件102为发光的发光层。无机发光元件102具备n型包覆层104、p型包覆层106、以及设在p型包覆层106与n型包覆层104之间的发光层108。在本实施方式中，无机发光元件102朝向上侧按照p型包覆层106、发光层108、n型包覆层104的顺序层叠来构成。另外，也可以在p型包覆层106的下侧例如设置碳化硅、蓝宝石等的基板(发光元件基板)。该基板在使用基板形成了二极管构造之后，利用基板的背面研磨来减少其厚度，切割并分成各芯片，因此在进行背面研磨时除去大部分，但也有一部分残留在p型包覆之下的情况。作为无机发光元件102而使用氮化镓(GaN)、磷化铝铟镓(AlInGaP)或者砷化铝镓(AlGaAs)或者砷化镓磷(GaAsP)等的化合物半导体。进一步说在本实施方式中，p型包覆层106以及n型包覆层104使用氮化镓(GaN)等。另外，作为发光层108而使用氮化铟镓(InGaN)等。发光层108也可以为层叠有InGaN、GaN的多量子阱构造(MQW)。
例如，在第1无机发光体100R中，无机发光元件102的发光层108例如可以为铝、镓、铟的组成比为0.225：0.275：0.5的磷化铝镓铟，p型包覆层106与n型包覆层104可以为磷化铝铟，发光元件基板可以为砷化镓。另外，例如在第2无机发光体100G中，无机发光元件102的发光层108例如可以为铟与镓的组成比为0.45：0.55的氮化铟镓，p型包覆层106与n型包覆层104可以为氮化镓，发光元件基板可以为碳化硅。另外，例如在第3无机发光体100B中，无机发光元件102的发光层108例如可以为铟与镓的组成比为0.2：0.8的氮化铟镓，p型包覆层106与n型包覆层104可以为氮化镓，发光元件基板可以为碳化硅。
无机发光体100朝向上侧按照反射层112、阳极电极110、p型包覆层106、发光层108、n型包覆层104、阴极电极114的顺序层叠。在无机发光体100之下设有连接层50，在无机发光体100之上设有对置阴极电极90e。
对置阳极电极50e为导电性的构件，在此包括金属材料。在本实施方式中，对置阳极电极50e包括钛(Ti)和铝(Al)，例如钛的层与铝的层沿第3方向Dz层叠。连接层50f为导电性的构件，在此包括金属材料。连接层50f例如为银膏，即为银锡(AgSn)或金膏、即为金锡(AuSn)等，将对置阳极电极50e和阳极电极110连接。
反射层112设在连接层50f之上。反射层112为能够反射光的导电性的构件，在本实施方式中，为包括银(Ag)在内的合金。阳极电极110设在反射层112之上。阳极电极110为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。阳极电极110经由反射层112以及连接层50f与对置阳极电极50e电连接。在阳极电极110之上设有p型包覆层106。阳极电极110与p型包覆层106连接。
阴极电极114设在n型包覆层104之上。阴极电极114与n型包覆层104连接。阴极电极114为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。阴极电极114与对置阴极电极90e连接。对置阴极电极90e为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。
例如，在制造无机发光体100时，在构成无机发光元件102的各层成膜发光元件基板上，将发光元件基板薄膜化，在下表面形成了阳极电极110以及反射层112之后，将截断成方形的基板配置在连接层50f上。若在连接层50f使用银膏，则无机发光元件102根据临时的压力发生变形，与其紧贴而导通。或者，还可以在连接层50使用与阳极电极110以及反射层112相同的材料，在该情况下，只要在配置无机发光元件102之后进行加热，就能够使连接层50f与无机发光元件102一体化，实现导通。
显示装置2成为以上这种层叠构造。在以上的说明中，显示装置2为无机发光体100在下表面(阳极电极110)与对置阳极电极50e连接且在上表面(阴极电极114)与对置阴极电极90e连接的类型。然而，显示装置2不限于该类型，无机发光体100可以在上表面以及下表面的某一方与对置阳极电极50e以及对置阴极电极90e连接。图11是示出本实施方式的显示装置的另一构成例的剖视图。在图11中，在无机发光体100的上侧设有对置阳极电极50e以及对置阴极电极90e。在无机发光体100设有连接部116，在连接部116中，无机发光体100的上侧的对置阴极电极90e与连接层50f电连接。连接部116为导电性的构件，可以为钼钨合金、或者钼钨合金与铝的层叠膜等。另外，也可以与图11相反将对置阳极电极50e以及对置阴极电极90e设在无机发光体100的下侧。
(显示系统的组装方法)
接下来，说明显示系统1的组装方法。图12是说明本实施方式的显示系统的组装方法的图。如图12的步骤S10所示，在组装显示系统1时，在基部4安装显示装置2。具体来说，在基部4的凹部4B内收纳显示装置2。在步骤S10中，在显示装置2没有安装表面层5，在基部4也没有安装构成表面4A的基部表面层4S。
在基部4安装显示装置2之后，如步骤S12所示，在显示装置2和基部4安装表面部S。表面部S为覆盖没有安装表面层5的显示装置2的表面、以及没有安装基部表面层4S的基部4的表面的片状的构件。表面部S为使基部表面层4S和表面层5一体构成的构件。换言之，表面部S包括构成基部表面层4S的部分、以及构成表面层5的部分。构成表面部S的表面层5的部分包括阻挡部6和透射部8。表面部S的构成基部表面层4S的部分的表面4A与构成表面层5的部分的表面5A连续而构成表面1A。另外，构成表面层5的部分的表面5A包括阻挡部6的表面6A和透射部8的透射面8A，因此，表面部S可以说构成阻挡部6的部分的表面6A与构成基部表面层4S的部分的表面4A连续。此外，在本实施方式中，在基部表面层4S没有设置透射部8等的开口。
在步骤S12中，在俯视下，以在没有安装表面层5的显示装置2重叠有构成表面层5的部分、且在没有安装基部表面层4S的基部4重叠基部表面层4S的方式，在显示装置2和基部4安装表面部S。而且，在显示装置2和基部4固定(例如粘合)表面部S。进一步说在步骤S12中，以在俯视下透射部8不与显示装置2的无机发光体100(像素Pix)重叠的方式，安装表面部S。
通过在显示装置2和基部4安装表面部S，如步骤S14所示，显示系统1的组装结束。显示系统1在俯视下显示装置2与表面层5重叠，在俯视下设有显示装置2的部分的区域成为表面5A。然后，表面5A中的、在俯视下透射部8与无机发光体100(像素Pix)重叠的区域成为透射面8A，透射面8A以外的区域成为表面6A。另外，显示系统1在俯视下基部4与基部表面层4S重叠，设有基部4的部分的区域成为表面4A。
像这样，在本实施方式中，将基部表面层4S与表面层5成为一体的表面部S安装于显示装置2和基部4。但也可以将基部表面层4S和表面层5设为分体。在该情况下，以在俯视下使透射部8重叠于显示装置2的无机发光体100(像素Pix)的方式在显示装置2安装表面层5。而且，在安装了基部表面层4S的基部4安装安装有表面层5的显示装置2。但也可以在基部4安装显示装置2之后在显示装置2安装表面层5。另外，，也可以在显示装置2安装表面层5时，例如在透明基板粘贴表面层5，以表面层5的透射部8与显示装置2的无机发光体100(像素Pix)重叠的方式将粘贴了透明基板的表面层5粘贴于显示装置2。在此的透明基板只要为透射光L等的可视光的构件即可，可以为任意的构件，可以为玻璃制，可以为树脂制。另外，在基板粘贴没有形成透射部8的表面层5(即，仅阻挡部6的表面层5)，利用模具等一次性打穿基板和表面层5双方，形成透射部8。在该情况下，还能够应用没有透射光L等可视光的树脂等的构件来作为基板。
(显示系统的外观)
接下来，说明在视觉确认了显示系统1的情况下的外观。图13是示出了在将无机发光体熄灭的情况下的显示系统的外观的示意图，图14是示出了在将无机发光体点亮的情况下的显示系统的外观的示意图。如图13所示，在将显示装置2的无机发光体100熄灭时，更详细来说，在将显示装置2的所有无机发光体100熄灭时，无机发光体100不发出光L。因此，在将无机发光体100熄灭时俯视显示系统1的情况下，显示系统1的显示装置2的表面层5的表面5A被视觉确认，显示装置2的表面5A和基部4的表面4A的外观被视觉确认为作为表面1A而连续在一起。进一步说，表面层5的透射部8足够小便不易被视觉确认，因此，在将无机发光体100熄灭时，显示系统1被视觉确认为显示装置2的阻挡部6的表面6A的外观与基部4的表面4A的外观连续。像这样，在将无机发光体100熄灭时，表面5A与表面4A之间的边界没有被视觉确认，不易区别表面4A与表面5A，表面4A与表面5A被视觉确认为相同的一个表面1A。像这样，显示系统1在将显示装置2熄灭时，不易对显示装置2的表面5A与基部4的表面4A进行区别，视觉确认为显示装置2为基部4，显示装置2变得不显眼。此外，例如若靠近显示装置2，则能够经由透射部8视觉确认无机发光体100或其周围的布线，但来自无机发光体100或其周围的布线的可视光的反射能够利用偏振片94来抑制，能够不易被视觉确认。
另一方面，如图14所示，在使显示装置2的无机发光体100点亮的情况下，来自无机发光体100的光L透射在无机发光体100的方向Dz1侧相对置的透射部8，并朝向显示装置2的外部照射。即，在使无机发光体100点亮的情况下，从透射面8A射出无机发光体100的光L。因此，在使无机发光体100点亮时俯视显示系统1的情况下，显示系统1在表面层5的方向Dz1侧，基于将透射面8A透射的无机发光体100的光L所形成的的图像PI被视觉确认，表面5A被图像PI隐藏。而且，图像PI周围的基部4的表面4A也被视觉确认。即，在使无机发光体100点亮时俯视显示系统1的情况下，显示系统1视觉确认通过无机发光体100的光L而显示的图像PI以及基部4的表面4A。无机发光体100的尺寸很小、且光L的广角度也很大，因此，即使以在无机发光体100熄灭时透射部8没有被视觉确认的程度地减小透射部8，也能够利用从无机发光体100发出并从透射部8通过的光L而适当显示图像PI。
如以上说明的那样，本实施方式的显示系统1具备基部4、以及安装于基部4的显示装置2。显示装置2具备呈矩阵状排列的多个无机发光体100、以及包括透射部8以及阻挡部6在内的表面层5。表面层5相对于无机发光体100设于从无机发光体100发出的光L的行进方向一侧、即，设于方向Dz1侧。透射部8从方向Dz1侧观察以与无机发光体100重叠的方式呈矩阵状，透射来自无机发光体100的光L。阻挡部6阻挡来自无机发光体100的光L。多个无机发光体100分别与设于表面层5的多个透射部8各自重叠设置。
本实施方式的显示系统1在无机发光体100的方向Dz1侧设有透射部8和阻挡部6，各无机发光体100分别与透射部8重叠。因此，显示系统1在无机发光体100点亮时，能够使来自无机发光体100的光L从透射部8通过而向外部射出，因此，能够适当显示图像PI。另外，在将无机发光体100熄灭时，不射出来自无机发光体100的光L，因此，阻挡部6的表面6A能够视觉确认。因此，在无机发光体100熄灭时，变得不易区别表面层5的表面5A(阻挡部6的表面6A)与基部4的表面4A，视觉确认出显示装置2与基部4一体化，能够使显示装置2不显眼。特别在显示装置2很大的情况下，能够抑制在房间中等的显示装置2的压迫感。
另外，显示系统1在无机发光体100点亮时，利用从透射部8透射的来自无机发光体100的光L显示的图像PI以及基部4的表面4A被视觉确认。而且，显示系统1在无机发光体100熄灭时被视觉确认为表面层5的表面5A和基部4的表面4A连续。根据本实施方式的显示系统1，在显示装置2点亮时，适当显示图像PI，在显示装置2熄灭时被视觉确认为表面层5的表面5A的外观与基部4的表面4A的外观连续，因此，能够使显示装置2不显眼。
另外，表面层5以及构成基部4的表面4A的基部表面层4S优选为一体的构件。通过将表面层5和基部表面层4S设为一体的构件(表面部S)，使表面层5的表面5A与基部4的表面4A变得不易区别，能够使显示装置2不显眼。
另外，表面层5与构成基部4的表面4A的基部表面层4S可以为分体的构件。将表面层5与基部表面层4S设为分体的构件，在无机发光体100熄灭时阻挡部6的表面6A也能够被视觉确认，因此，能够视觉确认出显示装置2与基部4一体化，能够使显示装置2不显眼。
另外，阻挡部6的表面6A与基部4的表面4A的形状、图案、以及色彩的至少一个相同。通过使表面6A与表面4A的形状、图案、以及色彩的至少一个相同，不易区别表面6A与表面4A，能够使显示装置2不显眼。此外，阻挡部6的表面6A与基部4的表面4A的形状、图案、以及色彩也可以全部相同。
(变形例)
接下来，说明上述实施方式的变形例。图15是第1变形例的显示系统的示意图。如图15的第1变形例所示，显示系统1也可以具有向显示装置2的表面层5的表面5A照射光LI的照明部96。在该情况下，照明部96在未图示的照明控制部控制可视光的光LI的照射。如图15的(a)所示，照明部96在显示装置2的无机发光体100熄灭的情况下，即，在显示装置2不显示图像PI的情况下，向表面层5的表面5A照射光LI。此外，照明部96也可以向表面层5的表面5A以及表面5A的周边的基部4的表面4A照射光LI。另一方面，如图15的(b)所示，照明部96在显示装置2的无机发光体100点亮的情况下，即，在显示装置2显示图像PI的情况下，照明部96停止光LI的照射。像这样，照明部96在无机发光体100熄灭时向表面5A照射光，在无机发光体100点亮时停止向表面5A照射光。由此，在不显示图像PI时使基部4变亮地显示图像PI时，停止向表面4A、5A照射光，因此，能够抑制来自表面4A、5A的可视光的反射，能够减少图像PI的对比度。
另外，在上述的实施方式中，向形成有透射部8的表面层5安装显示装置2，因此，需要表面层5的透射部8与显示装置2的无机发光体100(像素Pix)的对位。然而，如在以下的第2变形例中说明的那样，在将没有形成透射部8的表面层5安装于显示装置2之后，也可以以与无机发光体100重叠的方式形成透射部8。以下，具体进行说明。
图16是示出第2变形例的像素的示意图。如图16所示，第2变形例的显示装置2a在一个像素Pix除了第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、第3无机发光体100B以外，还可以设置紫外线发光部100UV。紫外线发光部100UV为照射紫外线LUV的无机发光素体。在一个像素Pix中，紫外线发光部100UV优选以在俯视下位于像素Pix的中心的方式配置。即，紫外线发光部100UV优选配置于在俯视下以像素Pix的其它无机发光体100(第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、第3无机发光体100B)为顶点的多边形中的中心点的位置。
图17是示出第2变形例的显示装置的构成例的剖视图。如图17所示，第2变形例的显示装置2a具备对置阳极电极50ea、连接层50fa、以及紫外线发光部100UV。对置阳极电极50ea设于绝缘膜45上，经由设于绝缘膜45的贯穿孔与驱动晶体管DRT的漏极连接布线43d连接。对置阳极电极50ea例如以与对置阳极电极50ea相同的构件来形成。连接层50fa设于绝缘膜66上，经由设于绝缘膜66的贯穿孔与对置阳极电极50ea连接。连接层50fa例如以与连接层50f相同的构件来形成。紫外线发光部100UV设在连接层50fa上。紫外线发光部100UV的构成在用于发出紫外线LUV的组成以外与无机发光体100相同。紫外线发光部100UV的阳极电极110UV经由反射层112UV以及连接层50fa与对置阳极电极50ef电连接。紫外线发光部100UV的阴极电极114UV与对置阴极电极90e连接。在第2变形例中，表面层5由通过紫外线LUV的照射而分解的构件(例如有机膜)构成。表面层5能够使用干式的正性光刻胶。
图18是说明第2变形例的显示系统的组装方法的图。如图18所示，在第2变形例中，如步骤S12a所示，在没有安装表面层5的显示装置2的表面、以及没有安装基部表面层4S的基部4的表面安装表面部Sa。在此的表面部Sa除了在表面层5没有形成透射部8的以外为与上述的实施方式的表面部S相同的构成。如步骤S14a所示，在表面部Sa安装于显示装置2的状态下，显示装置2的无机发光体100(像素Pix)由表面部Sa的表面层5(阻挡部6)覆盖。此后，显示装置2利用控制部向紫外线发光部100UV照射紫外线LUV。表面层5的被照射了紫外线LUV的部分被光分解，利用紫外线LUV光分解的部分成为透射部8，没有利用紫外线LUV光分解的部分仍旧为阻挡部6。此外，也可以利用溶剂等清洗在照射了紫外线LUV之后的表面层5，除去通过紫外线LUV而光分解的部分来作为透射部8。紫外线发光部100UV设在像素Pix内，因此，利用来自紫外线发光部100UV的紫外线LUV形成的透射部8在俯视下与无机发光体100(像素Pix)重叠。像这样，显示装置2a通过设置发出用于在表面层5形成透射部8的紫外线LUV的紫外线发光部100UV，而无需进行透射部8与无机发光体100(像素Pix)的对位。此外，紫外线发光部100UV也可以在形成了透射部8之后不点亮。另外，在第2变形例中，也可以将基部表面层4S和表面层5设为分体。
另外，在图16的例子中，紫外线发光部100UV在俯视下位于像素Pix的中心，但紫外线发光部100UV的位置不限于中心，为任意的。图19是示出第2变形例的像素的另一例的示意图。例如图19所示，紫外线发光部100UV也可以以与第1无机发光体100R、第2无机发光体100G、第3无机发光体100B一并分别配置于矩形的四个顶点的位置的方式来设置。在该情况下，紫外线发光部100UV也可以以使紫外线LUV朝向像素Pix的中心线的方式倾斜地安装于显示装置2。
另外，在第2变形例中，透射部8为开口，但也可以为透射光L的固体的构件。图20是示出第2变形例的显示装置的另一构成例的剖视图。如图20所示，该情况下的显示装置2a在表面层5之上设有紫外线阻挡膜UVAF。在图20的构成中，表面层5成为有机膜(树脂膜)包括光反应性色素的构成。有机膜为透射可视光的透明的膜。光反应性色素为以吸收可视光的方式着色的色素，若照射紫外线LUV则引起反应而分解。光反应性色素例如能够使用偶氮类色素。表面层5在没有照射紫外线LUV的状态下，在整个区域中，作为母材的透明的有机膜被作为添加剂的光反应性色素着色，吸收并阻挡可视光。另一方面，表面层5当照射来自紫外线发光部100UV的紫外线LUV时，照射有紫外线LUV的部分的光反应性色素分解，光反应性色素分解的部分成为透明的透射部8，没有照射紫外线LUV的部分成为光反应性色素残留的阻挡部6。此外，透射部8不为开口，成为包括透明的有机膜在内的固体状的构件。
紫外线阻挡膜UVAF为吸收紫外线的膜。紫外线阻挡膜UVAF吸收来自外部的紫外线，阻挡其到达表面层5。紫外线阻挡膜UVAF通过阻挡来自外部的向表面层5的紫外线，能够抑制表面层5的阻挡部6的光反应性色素被外部的紫外线(例如包含在太阳光内的紫外线成分)分解。此外，紫外线阻挡膜UVAF只要抑制来自显示装置2的外部到达紫外线的表面层5即可，不限于吸收紫外线的构件，例如也可以为反射紫外线的构件。
另外，在第2变形例中，将紫外线发光部100UV设于显示装置2内，如在以下的第3变形例中说明的那样也可以将紫外线发光部100UVb设在显示装置2外。图21是示出第3变形例的显示装置的构成例的剖视图。如图21所示，第3变形例的显示装置2b与第2变形例不同，在内部没有设置对置阳极电极50ea、连接层50fa、以及紫外线发光部100UV。显示装置2b在照射紫外线LUV的区域AR没有配置晶体管Tr、无机发光体100、各种电极、各种布线、以及紫外线的透射率低的有机绝缘膜等。在图21的例子中，在区域AR设有基板10、底涂层20、绝缘膜24、29、35。另外，显示装置2b在基板10的第1面10a上设置阻挡光的遮光层22。遮光层22配置在区域AR以外的区域。遮光层22阻挡紫外线LUV，例如可以为钼钨合金膜等。
在这种构成中，在基板10的第2面10b侧配置紫外线发光部100UVb。紫外线发光部100UVb只要为能够照射紫外线LUV的装置即可，可以为任意的构成。紫外线发光部100UVb从基板10的第2面10b侧向在俯视下的显示装置2b的整个区域照射紫外线LUV。来自紫外线发光部100UVb的紫外线在区域AR以外，利用遮光层22遮挡紫外线LUV。另一方面，来自紫外线发光部100UVb的紫外线LUV在区域AR中，透射基板10、底涂层20、绝缘膜24、29、35，向表面层5照射。表面层5的照射了紫外线LUV的部分被分解，成为透射部8，没有照射紫外线LUV的部分成为阻挡部6。此外，在图21中，在附图的布局上，看起来像没有朝向无机发光体100的上侧的表面层5照射紫外线LUV，但实际上以向无机发光体100的上侧的表面层5照射紫外线LUV的方式调节区域AR的位置，将无机发光体100的上侧设为透射部8。此外，在第3变形例中，与第2变形例的图20同样地，也可以设置紫外线阻挡膜UVAF而将透射部8构成透明的构件。
另外，从本说明书记载明确得出由在本实施方式中说明的形态带来的其它作用效果、或者对于本领域技术人员来说可适当想到的作用效果当然应理解为由本发明带来的。
附图标记说明
1显示系统
2显示装置
4基部
4A表面
5表面层
5A表面
6阻挡部
8透射部
100无机发光体。

Claims (7)

1.一种显示系统，其具备基部、以及安装于所述基部的显示装置，
所述显示装置具备呈矩阵状排列的多个无机发光体、以及表面层，
所述表面层包括：多个透射部，其相对于所述无机发光体设于由所述无机发光体发出的光的行进方向一侧，以从光的行进方向侧观察与所述无机发光体重叠的方式呈矩阵状设置，透射来自所述无机发光体的光；以及阻挡来自所述无机发光体的光的阻挡部，
所述多个无机发光体分别与设于所述表面层的所述多个透射部的每一个重叠设置。
2.根据权利要求1所述的显示系统，其中，
在所述无机发光体点亮时，视觉确认到利用透射了所述透射部的来自所述无机发光体的光显示的图像、以及所述基部的表面，
在所述无机发光体熄灭时，视觉确认到所述表面层的表面与所述基部的表面连续。
3.根据权利要求1或者2所述的显示系统，其中，
所述表面层与构成所述基部的表面的基部表面层为一体的构件。
4.根据权利要求1或者2所述的显示系统，其中，
所述表面层与构成所述基部的表面的基部表面层为分体的构件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示系统，其中，
还具备照明部，该照明部在所述无机发光体熄灭时向所述表面层的表面照射光，在所述无机发光体点亮时停止向所述表面层的表面照射光。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的显示系统，其中，
所述显示装置还具备向所述表面层发出用于形成所述透射部的紫外线的紫外线发光部。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示系统，其中，
所述阻挡部的表面与所述基部的表面的形状、图案、以及色彩的至少一个相同。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115188752A (zh) * 2022-06-30 2022-10-14 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板、显示装置及控制方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001341158A (ja) * 2000-05-31 2001-12-11 Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd 木質化粧成形品の製造方法
JP2001341106A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd 木質化粧成形品
JP2012118513A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Disney Enterprises Inc 拡散反射を融合した発光性表示器
CN205881355U (zh) * 2016-05-31 2017-01-11 上海铭酿电子科技有限公司 一种可静态或动态显示图像的智能板材以及家具、房屋
CN106469747A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 株式会社日本显示器 显示装置
CN106571431A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 株式会社日本显示器 显示装置
CN107346777A (zh) * 2016-04-26 2017-11-14 株式会社日本有机雷特显示器 有源矩阵显示装置
JP6370519B1 (ja) * 2017-10-28 2018-08-08 ｍｕｉ Ｌａｂ株式会社 操作表示パネル組込物品

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010026070A (ja) 2008-07-16 2010-02-04 Toppan Forms Co Ltd 表示装置を備える建材
JP5461372B2 (ja) * 2010-11-26 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ 配向膜形成用溶媒、それを用いた配向膜材料および液晶表示装置の製造方法
US20160266695A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Crucialtec Co., Ltd. Display apparatus having image scanning function
CN106501987A (zh) * 2015-09-06 2017-03-15 群创光电股份有限公司 显示设备
US10430634B2 (en) * 2016-10-11 2019-10-01 Innolux Corporation Biometric sensing device and display device
JP6677666B2 (ja) 2017-03-01 2020-04-08 三井化学株式会社 表示装置
TWI685962B (zh) * 2017-03-20 2020-02-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 影像顯示模組及其製作方法、及顯示裝置
CN110596974B (zh) * 2018-06-12 2022-04-15 夏普株式会社 显示面板和显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001341106A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd 木質化粧成形品
JP2001341158A (ja) * 2000-05-31 2001-12-11 Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd 木質化粧成形品の製造方法
JP2012118513A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Disney Enterprises Inc 拡散反射を融合した発光性表示器
CN106469747A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 株式会社日本显示器 显示装置
CN106571431A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 株式会社日本显示器 显示装置
CN107346777A (zh) * 2016-04-26 2017-11-14 株式会社日本有机雷特显示器 有源矩阵显示装置
CN205881355U (zh) * 2016-05-31 2017-01-11 上海铭酿电子科技有限公司 一种可静态或动态显示图像的智能板材以及家具、房屋
JP6370519B1 (ja) * 2017-10-28 2018-08-08 ｍｕｉ Ｌａｂ株式会社 操作表示パネル組込物品

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