CN114295961B - 大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备 - Google Patents
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- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims abstract description 129
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备,涉及大功率芯片试验的技术领域,包括:获取第一温度传感器采集的第一环境温度,其中,第一环境温度用于表征试验炉的炉内温度;调节出风口的温度,以使第一环境温度符合目标环境温度,其中,目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;对在第一环境温度下的每个待试验大功率芯片的工作功率进行监测;根据功率监测结果和芯片周边环境温度每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制,确保所有实验的芯片都能模拟典型应用情况下的最恶劣情况,验证在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下芯片能否承受应用通电断电和正常工作,验证芯片的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及大功率芯片试验的技术领域,尤其是涉及一种大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备。
背景技术
随着技术发展,大功率芯片的应用越发广泛。在大功率芯片投入应用之前,尤其是车规芯片,需要对大功率芯片的可靠性进行验证,以保证芯片使用的可靠性。
当前一般通过对大功率芯片进行功率温度循环(Power Temperature Cycle,PTC)试验,但无法提供每一颗实验芯片精确的环境温度,进而导致大功率芯片的PTC试验结果不准确。
发明内容
本发明的目的在于提供一种大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备,通过对每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制,以缓解了PTC试验结果不准确的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种大功率芯片的功率温度循环试验方法,待试验大功率芯片放置于目标试验板;用于为所述待试验大功率芯片提供试验温度环境的试验炉包括外壳和所述外壳内部设置的框架,所述外壳包括出风口和回风口,所述出风口设置有第一温度传感器;所述框架用于放置所述目标试验板;
所述方法包括:
获取所述第一温度传感器采集的第一环境温度,其中,所述第一环境温度用于表征所述试验炉的炉内温度;
调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度,其中,所述目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;
对在所述第一环境温度下的每个所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测;
根据功率监测结果和芯片周边环境温度每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制,确保所有实验的芯片都能模拟典型应用情况下的最恶劣情况,验证在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下芯片能否承受应用通电断电和正常工作,验证芯片的可靠性。结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式,其中,所述目标试验板的两侧均设置有通气结构,所述通气结构包括气管上设置有多个调温结构,所述调温结构与所述待试验大功率芯片一一对应,每个所述调温结构包括吹风口和第二温度传感器,所述吹风口和所述第二温度传感器一一对应,所述第二温度传感器相邻设置于所述吹风口;
所述方法还包括:
获取所述第二温度传感器采集的每个所述待试验大功率芯片所处的第二环境温度;
调节所述吹风口的温度,以使所述第二环境温度符合所述目标环境温度。
结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式,其中,对在所述第一环境温度下的所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测的步骤,包括:
在所述第一环境温度下,按照预设频率触发所述待试验大功率芯片,并对所述待试验大功率芯片的工作功率进行实时监测,得到所述待试验大功率芯片的功率监测结果。
结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式,其中,调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度的步骤,包括:
判断所述第一环境温度是否符合所述目标环境温度;
若不符合,则基于闭环控制算法、所述第一环境温度和每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率总和,调节出风口处的温度。
结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式,其中,基于闭环控制算法、所述第一环境温度和每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率总和,调节出风口的温度的步骤,包括:
获取每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,得到工作功率总和;
在闭环控制算法作用下,基于所述第一环境温度与所述目标环境温度的温度偏差以及所述工作功率总和,确定所述出风口的进风量、出风量以及气流类型;
基于所述进风量、出风量以及气流类型调节所述出风口的温度。
结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式,其中,调节所述吹风口的温度,以使所述第二环境温度符合所述目标环境温度的步骤,包括:
判断所述第二环境温度是否符合所述目标环境温度;
若不符合,则基于闭环控制算法、所述第二环境温度和所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,调节吹风口的温度。
结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式,其中,基于闭环控制算法、所述第二环境温度和所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,调节出风口的温度的步骤,包括:
在闭环控制算法作用下,基于所述第二环境温度与所述目标环境温度的温度偏差以及每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,确定所述吹风口的出风量以及气流类型;
基于所述出风量以及气流类型调节所述吹风口的温度。
第二方面,本发明实施例还提供一种大功率芯片的功率温度循环试验装置,待试验大功率芯片放置于目标试验板;用于为所述待试验大功率芯片提供试验温度环境的试验炉包括外壳和所述外壳内部设置的框架,所述外壳包括出风口和回风口,所述出风口设置有第一温度传感器;所述框架用于放置所述目标试验板;
所述装置包括:
获取模块,获取所述第一温度传感器采集的第一环境温度,其中,所述第一环境温度用于表征所述试验炉的炉内温度;
调节模块,调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度,其中,所述目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;
监测模块,对在所述第一环境温度下的每个所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测;
试验模块,根据功率监测结果和芯片周边环境温度每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制,确保所有实验的芯片都能模拟典型应用情况下的最恶劣情况,验证在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下芯片能否承受应用通电断电和正常工作,验证芯片的可靠性。第三方面,实施例提供一种电子设备,包括存储器、处理器,所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施方式任一项所述的方法的步骤。
第四方面,实施例提供一种机器可读存储介质,所述机器可读存储介质存储有机器可执行指令,所述机器可执行指令在被处理器调用和执行时,机器可执行指令促使处理器实现前述实施方式任一项所述的方法的步骤。
本发明实施例带来了一种大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备,通过在试验炉的出风口处设置的第一温度传感器采集第一环境温度,并将之与目标环境温度进行差值比较,调节出风口的温度,使其符合目标环境温度要求,以保证在目标环境温度下对该大功率芯片的工作功率进行监测,得到该大功率芯片在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下芯片能否承受应用通电断电和正常工作的结果,检验该芯片的使用可靠性。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种大功率芯片的PTC试验参数示意图;
图2为本发明实施例提供的一种大功率芯片的功率温度循环试验方法流程图;
图3为本发明实施例提供的一种试验炉的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种试验炉中框架的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种试验炉的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种环境温度控制示意图;
图7为本发明实施例提供的另一种环境温度控制示意图;
图8为本发明实施例提供的一种闭环控制模型示意图;
图9为本发明实施例提供的另一种闭环控制模型示意图;
图10为本发明实施例提供的一种大功率芯片的功率温度循环试验装置的功能模块示意图;
图11为本发明实施例提供的电子设备的硬件架构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
目前,大功率芯片为考虑其使用安全性和可靠性,会对PTC试验,如图1所示,一般按照芯片行业标准要求的目标温度曲线下的芯片工作功率情况进行检测,来检测芯片在典型应用情况下的最恶劣情况,验证在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下芯片能否承受应用通电断电和正常工作,验证芯片的可靠性。其中,芯片会有周期性ON/OFF(一般10分钟一个周期,5分钟ON,5分钟OFF)。
在实际应用中,可采用专用炉对芯片提供试验所需的温度环境。但经发明人研究发现,芯片在进行开启的过程中会产生热量,进而影响芯片试验所需的环境温度,导致大功率芯片的PTC试验结果不准确。
基于此,本发明实施例提供的一种大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备,可以通过对每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制,以保证PTC试验结果的准确性。
为便于对本实施例进行理解,首先对本发明实施例所公开的一种大功率芯片的功率温度循环试验方法进行详细介绍,该试验方法应用于控制器,该试验方法的试验炉结构如图3所示。其中,待试验大功率芯片放置于目标试验板;用于为待试验大功率芯片提供试验温度环境的试验炉包括外壳和外壳内部设置的框架10,外壳包括出风口14和回风口15,出风口14设置有第一温度传感器16;框架10用于放置目标试验板。需要说明的是,回风口用于平衡炉内气压,其风量确保炉子内部的气压稳定,控制器的位置可设置在任意位置(图3中并未示出),其位置不影响该方案的实现。
图2为本发明实施例提供的一种大功率芯片的功率温度循环试验方法流程图。
参照图2,该试验方法,可包括以下步骤:
步骤S102,获取第一温度传感器采集的第一环境温度。
其中,第一环境温度用于表征试验炉的炉内温度。
步骤S104,调节出风口的温度,以使第一环境温度符合目标环境温度。
其中,目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;目标环境温度曲线可如图1中所示,按照行业标准进行设定。
需要说明的是,为了保证PTC试验结果的准确性,需要按照该目标环境温度曲线为该芯片试验提供炉内温度环境。
步骤S106,对在第一环境温度下的每个待试验大功率芯片的工作功率进行监测。
可以理解的是,大功率芯片的PCT试验除了保证目标环境温度之外,还需要对芯片的工作功率进行监测。
步骤S108,根据功率监测结果和第一环境温度对每个所述待试验大功率芯片的可靠性进行试验。在实际应用的优选实施例中,通过在试验炉的出风口处设置的第一温度传感器采集第一环境温度,并将之与目标环境温度进行差值比较,调节出风口的温度,使其符合目标环境温度要求,以保证在目标环境温度下对该大功率芯片的工作功率进行监测,得到该大功率芯片准确的生命耐久结果,提高该芯片的使用可靠性。
示例性地,根据功率监测结果和每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制,确保所有待试验芯片都能模拟典型应用情况下的最恶劣情况,验证在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下,芯片能否承受应用通电断电和正常工作,以实现验证芯片的可靠性的目的。
在一些实施例中,步骤S106还可包括:
步骤1.1),在第一环境温度下,按照预设频率触发待试验大功率芯片,并对待试验大功率芯片的工作功率进行实时监测,得到功率监测结果。其中,为了更加准确地获得芯片PTC试验结果,可如图1所示,按照预设频率触发待试验大功率芯片的工作状态。
在一些实施例中,步骤S104,还可通过以下步骤实现,具体包括:
步骤2.1),判断第一环境温度是否符合目标环境温度。
这里,将当前时刻的第一环境温度与目标环境温度曲线的当前时刻对应的目标环境温度进行比对,若两者的差值小于预设温度阈值,则认为第一环境温度符合目标环境温度。
步骤2.2),若不符合,则基于闭环控制算法、第一环境温度和每个待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率总和,调节出风口的温度。
示例性地,获取每个待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,得到工作功率总和;在闭环控制算法作用下,基于第一环境温度与目标环境温度的温度偏差以及工作功率总和,确定出风口的进风量、出风量以及气流类型;基于进风量、出风量以及气流类型调节出风口的温度。
其中,待试验大功率芯片的工作功率可根据预设的测试条件,提前测试每个待试验大功率芯片,当待试验大功率芯片开机时,记录供电电压、待试验大功率芯片消耗的电流,进而计算得到每个待试验大功率芯片的工作功率,再乘以待试验大功率芯片,得到开机时的总功率。也可以直接检测PCB电路板输入的供电电压、供电电流,在线检测得到待试验大功率芯片的工作功率。
需要说明的是,如图6所示,控制器可安装在试验炉外部,该控制器可包含闭环控制PID控制器;第一温度传感器检测得到的温度值T1可作为控制器的输入信号;功率监测模块实时监测PCB板中所有大功率芯片的工作功率总和,并将该功率数值也作为控制器的输入信号;该控制器根据上述输入信号,计算得到控制信号,来控制出风口、回风口的进风和出风的量,进而决定了炉子内部的温度变化速度。此外,为电路板供电的电源也可放置在炉子外。
例如,若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第一环境温度高于目标环境温度,则可通过控制减小出风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第一环境温度低于目标环境温度,则可通过控制增加出风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第一环境温度高于目标环境温度,则可通过控制增加出风口吹冷风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第一环境温度低于目标环境温度,则可通过控制减小出风口吹冷风的风量,进而使得当前环境温度满足目标环境温度要求。
在一些实施例中,如图4所示,目标试验板17的两侧均设置有通气结构,通气结构包括气管13上设置有多个调温结构,调温结构与待试验大功率芯片一一对应,每个调温结构包括吹风口12和第二温度传感器11,吹风口12和第二温度传感器11一一对应,第二温度传感器11相邻设置于吹风口12;需要说明的是,框架与炉子壁相连接,气管13与试验炉中的气路相连通。
前述方法还包括:
步骤3.1),获取第二温度传感器采集的每个待试验大功率芯片所处的第二环境温度。
其中,大功率芯片可理解为如电力换流、电机驱动、广播电视射频信号功率放大等设备里的功率电子器件;该处于大电流和大功率工况下工作的电子器件,通常情况下自身的功率消耗也很大,因此在正常工作时它会产生大量的热量。若在工作时不及时将器件所产生的热量导出,该大功率芯片的温度将会迅速升得很高,进而会影响环境温度,导致试验结果不准确。
因此,在前述实施例的基础上,通过试验炉中设置的框架放置目标试验板17,该目标试验板17可包括PCB电路板,待试验大功率芯片18可通过接口socket装PCB电路板上。每个待试验大功率芯片18的数目和位置均与调温结构相对应,每个调温结构的吹风口12可在其对应的待试验大功率芯片18的位置进行吹风,同时在每个吹风口12的相邻位置处放置第二温度传感器11,采集第二环境温度。由于待试验大功率芯片18与吹风口12以及第二温度传感器11的位置关系,可通过该第二环境温度来表征其对应的大功率芯片18所处的环境温度,可参照图5所示。
步骤3.2),调节吹风口的温度,以使第二环境温度符合目标环境温度。
示例性地,控制器可根据第二温度传感器的反馈和芯片的工作功率情况调节各处出风的风量风速和温度,达到控制炉子里面各个区域符合温度曲线的要求。
需要说明的是,如图7所示,控制器可安装在试验炉外部,该控制器可包含闭环控制PID控制器;第二温度传感器检测每个大功率芯片附近得到的温度值T2可作为控制器的输入信号;功率监测模块实时监测PCB板中每个大功率芯片的工作功率,并将对应的功率数值也作为控制器的输入信号;该控制器根据上述输入信号,计算得到控制信号,来对应控制每个大功率芯片的吹风口的出风量,进而决定了炉子内部的温度变化速度。此外,为电路板供电的电源也可放置在炉子外。
例如,若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第二环境温度高于目标环境温度,则可通过控制减小吹风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第二环境温度低于目标环境温度,则可通过控制增加吹风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第二环境温度高于目标环境温度,则可通过控制增加吹风口吹冷风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第二环境温度低于目标环境温度,则可通过控制减小吹风口吹冷风的风量,进而使得该大功率芯片所处的环境温度满足目标环境温度要求,解决每个芯片生成的热量对PTC试验造成的影响。
在一些实施例中,步骤3.2)还可通过以下步骤实现,包括:
步骤3.2.1),判断第二环境温度是否符合目标环境温度。
步骤3.2.2),若不符合,则基于闭环控制算法、第二环境温度和待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,调节吹风口的温度。
示例性地,在闭环控制算法作用下,基于第二环境温度与目标环境温度的温度偏差以及每个待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,确定吹风口的进风量、出风量以及气流类型;基于进风量、出风量以及气流类型调节吹风口的温度。
其中,为了改善PTC测试时,大量的待测芯片需要同时开机、同时关机,负载周期性剧烈变化,对于PID控制器形成了较大的阶跃输入,常规的PID控制器,很难实现温度控制的平稳。
本发明实施例提供了一种闭环控制模型,如图8所示,将每个芯片的工作功率作为辅助信号引入PID控制器,与比例、微分环节的参数关联,当输入的辅助信号增大时,提高比例、微分环节的系数,当输入信号减小时,降低微分环节的系数,既可以改善控制系统的性能,同时还能避免引起系统不稳定,产生振荡。或者,如图9所示,将每个芯片的工作功率作为辅助信号,乘以适合的系数之后,直接调节进风的风量,降低芯片工作功率对炉内温度的影响。
在一些实施例中,如图10所示,本发明实施例还提供一种大功率芯片的功率温度循环试验装置,待试验大功率芯片放置于目标试验板;用于为所述待试验大功率芯片提供试验温度环境的试验炉包括外壳和所述外壳内部设置的框架,所述外壳包括出风口和回风口,所述出风口设置有第一温度传感器;所述框架用于放置所述目标试验板;
所述装置包括:
获取模块,获取所述第一温度传感器采集的第一环境温度,其中,所述第一环境温度用于表征所述试验炉的炉内温度;
调节模块,调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度,其中,所述目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;
监测模块,对在所述第一环境温度下的每个所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测;
试验模块,根据功率监测结果和所述第一环境温度对每个所述待试验大功率芯片的可靠性进行试验。本发明实施例提供的大功率芯片的功率温度循环试验装置,与上述实施例提供的大功率芯片的功率温度循环试验方法具有相同的技术特征,所以也能解决相同的技术问题,达到相同的技术效果。
本发明实施例提供的用于实现一种电子设备,本实施例中,所述电子设备可以是,但不限于,个人电脑(Personal Computer,PC)、笔记本电脑、监控设备、服务器等具备分析及处理能力的计算机设备。
作为一种示范性实施例,可参见图11,电子设备110,包括通信接口111、处理器112、存储器113以及总线114,处理器112、通信接口111和存储器113通过总线114连接;上述存储器113用于存储支持处理器112执行上述方法的计算机程序,上述处理器112被配置为用于执行该存储器113中存储的程序。
本文中提到的机器可读存储介质可以是任何电子、磁性、光学或其它物理存储装置,可以包含或存储信息,如可执行指令、数据,等等。例如,机器可读存储介质可以是:RAM(Radom Access Memory,随机存取存储器)、易失存储器、非易失性存储器、闪存、存储驱动器(如硬盘驱动器)、任何类型的存储盘(如光盘、dvd等),或者类似的存储介质,或者它们的组合。
非易失性介质可以是非易失性存储器、闪存、存储驱动器(如硬盘驱动器)、任何类型的存储盘(如光盘、dvd等),或者类似的非易失性存储介质,或者它们的组合。
可以理解的是,本实施例中的各功能模块的具体操作方法可参照上述方法实施例中相应步骤的详细描述,在此不再重复赘述。
本发明实施例所提供计算机可读存储介质,所述可读存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序代码被执行时可实现上述任一实施例所述的方法,具体实现可参见方法实施例,在此不再赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统和装置的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
另外,在本发明实施例的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
最后应说明的是:以上所述实施例,仅为本发明的具体实施方式,用以说明本发明的技术方案,而非对其限制,本发明的保护范围并不局限于此,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改、变化或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种大功率芯片的功率温度循环试验方法,其特征在于,待试验大功率芯片放置于目标试验板;用于为所述待试验大功率芯片提供试验温度环境的试验炉包括外壳和所述外壳内部设置的框架,所述外壳包括出风口和回风口,所述出风口设置有第一温度传感器;所述框架用于放置所述目标试验板;
所述方法包括:
获取所述第一温度传感器采集的第一环境温度,其中,所述第一环境温度用于表征所述试验炉的炉内温度;
调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度,其中,所述目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;
对在所述第一环境温度下的每个所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测;
根据功率监测结果和所述第一环境温度对每个所述待试验大功率芯片的可靠性进行试验;
所述目标试验板的两侧均设置有通气结构,所述通气结构包括气管上设置有多个调温结构,所述调温结构与所述待试验大功率芯片一一对应,每个所述调温结构包括吹风口和第二温度传感器,所述吹风口和所述第二温度传感器一一对应,所述第二温度传感器相邻设置于所述吹风口;
所述方法还包括:
获取所述第二温度传感器采集的每个所述待试验大功率芯片所处的第二环境温度;
调节所述吹风口的温度,以使所述第二环境温度符合所述目标环境温度;
对在所述第一环境温度下的所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测的步骤,包括:
在所述第一环境温度下,按照预设频率触发所述待试验大功率芯片,并对所述待试验大功率芯片的工作功率进行实时监测,得到所述待试验大功率芯片的功率监测结果;
调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度的步骤,包括:
判断所述第一环境温度是否符合所述目标环境温度;
若不符合,则基于闭环控制算法、所述第一环境温度和每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率总和,调节出风口的温度;
基于闭环控制算法、所述第一环境温度和每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率总和,调节出风口的温度的步骤,包括:
获取每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,得到工作功率总和;
在闭环控制算法作用下,基于所述第一环境温度与所述目标环境温度的温度偏差以及所述工作功率总和,确定所述出风口的进风量、出风量以及气流类型;
基于所述进风量、出风量以及气流类型调节所述出风口的温度;
若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第一环境温度高于目标环境温度,则可通过控制减小出风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第一环境温度低于目标环境温度,则可通过控制增加出风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第一环境温度高于目标环境温度,则可通过控制增加出风口吹冷风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第一环境温度低于目标环境温度,则可通过控制减小出风口吹冷风的风量,进而使得当前环境温度满足目标环境温度要求。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调节所述吹风口的温度,以使所述第二环境温度符合所述目标环境温度的步骤,包括:
判断所述第二环境温度是否符合所述目标环境温度;
若不符合,则基于闭环控制算法、所述第二环境温度和所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,调节吹风口的温度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,基于闭环控制算法、所述第二环境温度和所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,调节出风口的温度的步骤,包括:
在闭环控制算法作用下,基于所述第二环境温度与所述目标环境温度的温度偏差以及每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,确定所述吹风口的出风量以及气流类型;
基于所述出风量以及气流类型调节所述吹风口的温度。
4.一种大功率芯片的功率温度循环试验装置,其特征在于,待试验大功率芯片放置于目标试验板;用于为所述待试验大功率芯片提供试验温度环境的试验炉包括外壳和所述外壳内部设置的框架,所述外壳包括出风口和回风口,所述出风口设置有第一温度传感器;所述框架用于放置所述目标试验板;
所述装置包括:
获取模块,获取所述第一温度传感器采集的第一环境温度,其中,所述第一环境温度用于表征所述试验炉的炉内温度;
调节模块,调节所述出风口的温度,以使所述第一环境温度符合目标环境温度,其中,所述目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度;
监测模块,对在所述第一环境温度下的每个所述待试验大功率芯片的工作功率进行监测;
试验模块,根据功率监测结果和所述第一环境温度对每个所述待试验大功率芯片的可靠性进行试验;
所述目标试验板的两侧均设置有通气结构,所述通气结构包括气管上设置有多个调温结构,所述调温结构与所述待试验大功率芯片一一对应,每个所述调温结构包括吹风口和第二温度传感器,所述吹风口和所述第二温度传感器一一对应,所述第二温度传感器相邻设置于所述吹风口;
所述装置还用于获取所述第二温度传感器采集的每个所述待试验大功率芯片所处的第二环境温度;调节所述吹风口的温度,以使所述第二环境温度符合所述目标环境温度;
监测模块还用于在所述第一环境温度下,按照预设频率触发所述待试验大功率芯片,并对所述待试验大功率芯片的工作功率进行实时监测,得到所述待试验大功率芯片的功率监测结果;
调节模块还用于判断所述第一环境温度是否符合所述目标环境温度;若不符合,则基于闭环控制算法、所述第一环境温度和每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率总和,调节出风口的温度;获取每个所述待试验大功率芯片在当前时刻的工作功率,得到工作功率总和;在闭环控制算法作用下,基于所述第一环境温度与所述目标环境温度的温度偏差以及所述工作功率总和,确定所述出风口的进风量、出风量以及气流类型;基于所述进风量、出风量以及气流类型调节所述出风口的温度;若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第一环境温度高于目标环境温度,则可通过控制减小出风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于上升阶段,且当前的第一环境温度低于目标环境温度,则可通过控制增加出风口吹热风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第一环境温度高于目标环境温度,则可通过控制增加出风口吹冷风的风量;若当前的目标环境温度曲线处于下降阶段,且当前的第一环境温度低于目标环境温度,则可通过控制减小出风口吹冷风的风量,进而使得当前环境温度满足目标环境温度要求。
5.一种电子设备,其特征在于,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并且能够在所述处理器上运行的程序,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至3中任一项所述的方法。
6.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序被执行时实现权利要求1-3中任意一项所述的方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111645898.4A CN114295961B (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111645898.4A CN114295961B (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114295961A CN114295961A (zh) | 2022-04-08 |
CN114295961B true CN114295961B (zh) | 2024-01-16 |
Family
ID=80971055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111645898.4A Active CN114295961B (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114295961B (zh) |
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GR01 | Patent grant | ||
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