CN220419465U - 晶振测试系统及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种晶振测试系统及电子设备,涉及晶振测试技术领域,包括:加热测试板、频率计和上位机;加热测试板、频率计和上位机依次连接,上位机和加热测试板连接;加热测试板用于为被测晶振的测试提供温度环境,将温度环境的当前温度发送至上位机;频率计用于确定被测晶振的频率波动数据,将频率波动数据发送至上位机;上位机用于向加热测试板发送第一测试命令,确定被测晶振的测试结果。该系统可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶振测试技术领域,尤其是涉及一种晶振测试系统及电子设备。
背景技术
晶振作为电路工作时钟频率源发生器件,可以应用于各种设备中,例如北斗导航设备,由于北斗导航设备需要瞬发短报文,所以会在一定时间内释放一定的热量,而晶振输出的频率要求稳定,且晶振输出的频率的稳定性与温度密切相关,所以这个热量就会导致晶振输出的频率发生较大波动,在该波动超出北斗导航设备工作系统的频率要求时,就会导致短报文接收失败,因此需要对晶振进行温度稳定性测试。
在相关技术中,通常会将被测晶振放入变温箱中,然后再利用频率计采集被测晶振的频率,但该方式无法准确测试输出北斗导航设备瞬发短报文时温度环境变化对被测晶振的影响。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种晶振测试系统及电子设备。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种晶振测试系统,包括:测试板、频率计和上位机;加热测试板、频率计和上位机依次连接,上位机和加热测试板连接;加热测试板用于为被测晶振的测试提供温度环境,将温度环境的当前温度发送至上位机;频率计用于确定被测晶振的频率波动数据,将频率波动数据发送至上位机;上位机用于向加热测试板发送第一测试命令,确定被测晶振的测试结果。
在本实用新型较佳的实施例中,加热测试板包括:测试控制区和温度调整区,上位机、测试控制区、温度调整区和频率计依次连接,频率计和上位机连接;测试控制区用于接收上位机发送的第一测试命令,基于第一测试命令控制温度调整区调整温度,温度调整区用于调整温度。
在本实用新型较佳的实施例中,测试控制区包括:控制器和测试开关,上位机、控制器、测试开关、温度调整区和频率计依次连接,频率计和上位机连接;控制器用于接收上位机发送的第一测试命令以及基于第一测试命令向测试开关发送驱动指令,测试开关用于基于控制器发送的驱动指令驱动温度调整区调整温度。
在本实用新型较佳的实施例中,温度调整区包括:发热功率MOS管和测试夹具,发热功率MOS管与测试开关连接,测试夹具与频率计连接;发热功率MOS管用于基于测试开关的驱动调整温度,测试夹具用于安装被测晶振,将被测晶振的频率波动数据发送至频率计。
在本实用新型较佳的实施例中,温度调整区还包括:温度传感器,温度传感器与控制器连接;控制器用于获取温度调整区的温度以供上位机读取温度。
在本实用新型较佳的实施例中,测试控制区还包括:本地控制按钮,本地控制按钮与控制器连接;本地控制按钮用于向控制器发送第二测试命令。
在本实用新型较佳的实施例中,温度调整区还包括:屏蔽罩,发热功率MOS管、测试夹具和温度传感器位于屏蔽罩中。
第二方面,本实用新型实施例还提供一种电子设备,包括上述第一方面的晶振测试系统。
本实用新型实施例带来了以下有益效果:
本实用新型实施例提供了一种晶振测试系统及电子设备,通过上位机向加热测试板发送第一测试命令,使得加热测试板基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,并将温度环境的当前温度发送至上位机,再通过频率计对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,并将该频率波动数据发送至上位机,最后由上位机确定被测晶振的测试结果,可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
本公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,或者,部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定,或者通过实施本公开的上述技术即可得知。
为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种晶振测试系统的结构图;
图2为本实用新型实施例提供的另一种晶振测试系统的结构图;
图3a为本实用新型实施例提供的一种晶振测试方法的流程图;
图3b为本实用新型实施例提供的频率-温度波动曲线的示意图;
图4为本实用新型实施例提供的一种晶振测试装置的结构示意图。
图示:
10-加热测试板;20-频率计;30-上位机;11-测试控制区;12-温度调整区;111-控制器;112-测试开关;113-本地控制按钮;121-发热功率MOS管;122-测试夹具;123-温度传感器;124-屏蔽罩;401-第一测试命令发送模块;402-第一测试命令接收模块;403-频率波动数据采集模块;404-测试波动曲线确定模块;405-晶振测试结果确定模块。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
晶振作为电路工作时钟频率源发生器件,可以应用于各种设备中,例如北斗导航设备,由于北斗导航设备需要瞬发短报文,所以会在一定时间内释放一定的热量,而晶振输出的频率要求稳定,且晶振输出的频率的稳定性与温度密切相关,所以这个热量就会导致晶振输出的频率发生较大波动,在该波动超出北斗导航设备工作系统的频率要求时,就会导致短报文接收失败,因此需要对晶振进行稳定性测试。
在相关技术中,通常会将被测晶振放入变温箱中,然后再利用频率计采集被测晶振的频率,但该方式无法准确测试输出北斗导航设备瞬发短报文时温度环境变化对被测晶振的影响。
基于此,本实用新型实施例提供的一种晶振测试系统及电子设备,可以通过上位机向加热测试板发送第一测试命令,使得加热测试板基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,并将温度环境的当前温度发送至上位机,再通过频率计对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,并将该频率波动数据发送至上位机,最后由上位机确定被测晶振的测试结果,可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
为便于对本实施例进行理解,首先对本实用新型实施例所公开的一种晶振测试系统进行详细介绍。
实施例1
本实用新型实施例提供一种晶振测试系统,图1为本实用新型实施例提供的一种晶振测试系统的结构图。
如图1所示,该晶振测试系统可以包括以下结构:
该晶振测试系统可以包括加热测试板10、频率计20和上位机30。
其中,加热测试板10、频率计20和上位机30依次连接,上位机30和加热测试板10连接。
具体地,加热测试板10用于为被测晶振的测试提供温度环境,将温度环境的当前温度发送至上位机30。频率计20用于确定被测晶振的频率波动数据,将频率波动数据发送至上位机30。上位机30用于向加热测试板10发送第一测试命令,确定被测晶振的测试结果。
其中,加热测试板10可以根据上位机30发送的第一测试命令进行温度的调整,第一测试命令可以包括加热功率、加热时间、加热次数以及加热时间次数间的时间间隔。
在实际应用中,第一测试命令可以为加热功率为5瓦,加热时间为5秒,加热次数为10次,加热次数间的时间间隔为25秒,那么加热测试板10就会以5瓦的加热功率加热5秒,加热5秒后为完成第一次加热,在25秒的时间间隔后继续以5瓦的加热功率加热5秒,直至完成10次加热,以此调整加热测试板10的温度,达到模拟瞬发短报文时发生的温度变化的目的。
其中,在加热测试板10调整温度的同时也会将当前温度发送至上位机30,频率计20也会将被测晶振的频率波动数据进行采集并发送至上位机30,上位机30通过当前温度和频率波动数据来确定被测晶振的测试结果。
本实用新型实施例提供的晶振测试系统,可以通过上位机30向加热测试板10发送第一测试命令,使得加热测试板10基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,并将温度环境的当前温度发送至上位机30,再通过频率计20对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,并将该频率波动数据发送至上位机30,最后由上位机30确定被测晶振的测试结果,可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
实施例2
本实用新型实施例还提供另一种晶振测试系统。图2为本实用新型实施例提供的另一种晶振测试系统的结构图。
如图2所示,加热测试板10可以包括:测试控制区11和温度调整区12。
其中,上位机30、测试控制区11、温度调整区12和频率计20依次连接,频率计20和上位机30连接。
测试控制区11用于接收上位机30发送的第一测试命令,基于第一测试命令控制温度调整区12调整温度,温度调整区12用于调整温度。
在实际应用中,测试控制区11在接收到上位机30发送的第一测试命令后,会根据第一测试命令对温度调整区12进行驱动,使得温度调整区12进行温度的调整,并将当前温度发送至上位机30,在温度调整后频率计20会采集被测晶振的频率波动数据并发送至上位机30,上位机30根据当前温度和频率波动数据确定被测晶振的测试结果。
具体地,测试控制区11可以包括:控制器111和测试开关112。
其中,上位机30、控制器111、测试开关112、温度调整区12和频率计20依次连接,频率计20和上位机30连接。
控制器111可以是单片机,控制器111用于接收上位机30发送的第一测试命令以及基于第一测试命令向测试开关112发送驱动指令,测试开关112用于基于控制器111发送的驱动指令驱动温度调整区12调整温度。
其中,驱动指令可以是驱动温度调整区12进行加热的加热功率、加热时间、加热次数以及加热时间次数间的时间间隔。
具体地,测试控制区11还可以包括:本地控制按钮113。
其中,本地控制按钮113与控制器111连接。
本地控制按钮113用于向控制器111发送第二测试命令。
其中,第二测试命令中可以包括检测加热功率和检测加热时间。
在实际应用中,本地测试按钮的设置可以检测晶振测试系统的工作是否处于正常状态。在进行晶振测试前,可以按下本地控制按钮113,本地控制按钮113会向控制器111发送第二测试命令,例如第二测试命令中包括的检测加热功率为5瓦,检测加热时间为5秒,控制器111接收到该第二测试命令后,会向测试开关112发送对应的检测驱动指令,例如检测驱动指令中包括驱动温度调整区12进行加热的加热功率为5瓦,加热时间为5秒,在测试开关112根据该检测驱动指令驱动温度调整区12调整温度后,可以观察频率计20采集的被测晶振的频率波动数据,将该频率波动数据与工作人员预先测试得到的在第二测试命令下得到的频率波动数据进行对比,若两者相同,则晶振测试系统的工作处于正常状态。
具体地,温度调整区12可以包括:发热功率MOS管121和测试夹具122。
其中,发热功率MOS管121与测试开关112连接,测试夹具122与频率计20连接。
发热功率MOS管121用于基于测试开关112的驱动调整温度,测试夹具122用于安装被测晶振,将被测晶振的频率波动数据发送至频率计20。
具体地,温度调整区12还可以包括:温度传感器123。
其中,温度传感器123与控制器111连接。
控制器111用于获取温度调整区12的温度以供上位机30读取温度。
具体地,温度调整区12还包括:屏蔽罩124。
其中,发热功率MOS管121、测试夹具122和温度传感器123位于屏蔽罩124中。
通过屏蔽罩124可以保证在晶振测试过程中避免受到外部扰动,以及更好的模拟被测晶振的工作环境。
本实用新型实施例提供的晶振测试系统,可以通过上位机30发送第一测试命令至控制器111,控制器111根据第一测试命令向测试开关112发送驱动指令,测试开关112根据驱动指令驱动发热功率MOS管121进行温度的调整,同时利用温度传感器123将当前温度发送至控制器111,以供上位机30读取温度,在温度调整后频率计20会对被测晶振输出的频率波动数据进行采集并发送至上位机30,上位机30根据当前温度和频率波动数据确定被测晶振的测试结果,准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
实施例3
本实用新型实施例还提供一种晶振测试方法。图3a为本实用新型实施例提供的一种晶振测试方法的流程图。如图3a所示,该晶振测试方法应用于上述晶振测试系统中,该晶振测试方法可以包括如下步骤:
步骤S301,基于上位机配置第一测试命令,将第一测试命令发送至加热测试板。
其中,第一测试命令可以包括加热功率、加热时间、加热次数以及加热时间次数间的时间间隔。
步骤S302,加热测试板接收第一测试命令,基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,得到温度环境的当前温度。
其中,加热测试板可以包括测试控制区和温度调整区,测试控制区可以包括控制器、测试开关和本地控制按钮,温度调整区可以包括发热功率MOS管、测试夹具、温度传感器和屏蔽罩。
其中,控制器用于接收上位机发送的第一测试命令以及基于第一测试命令向测试开关发送驱动指令,测试开关用于基于控制器发送的驱动指令驱动温度调整区调整温度。发热功率MOS管用于基于测试开关的驱动调整温度,测试夹具用于安装被测晶振,将被测晶振的频率波动数据发送至频率计。控制器用于获取温度调整区的温度以供上位机读取温度。本地控制按钮用于向控制器发送第二测试命令。屏蔽罩用于屏蔽外部对发热功率MOS管、测试夹具和温度传感器的干扰。
步骤S303,频率计对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,发送频率波动数据至上位机。
步骤S304,上位机基于频率波动数据和当前温度,确定测试波动曲线。
其中,测试波动曲线为频率-温度波动曲线,为了方便理解,图3b为本实用新型实施例提供的频率-温度波动曲线的示意图。
步骤S305,上位机基于测试波动曲线确定被测晶振的测试结果。
其中,在得到频率-温度波动曲线的同时,上位机可以计算出该频率-温度波动曲线的最大频率变化斜率,可以将预先设置的斜率阈值与该最大频率变化斜率进行对比,若该最大频率变化斜率大于预先设置的斜率阈值,则被测晶振的测试结果为不合格,若小于或等于预先设置的斜率阈值,则被测晶振的测试结果为合格。
本实用新型实施例提供的晶振测试方法,可以通过上位机向加热测试板发送第一测试命令,使得加热测试板基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,并将温度环境的当前温度发送至上位机,再通过频率计对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,并将该频率波动数据发送至上位机,最后由上位机确定被测晶振的测试结果,可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
实施例4
对应于上述方法实施例,本实用新型实施例提供了一种晶振测试装置,图4为本实用新型实施例提供的一种晶振测试装置的结构示意图,如图4所示,该晶振测试装置可以包括:
第一测试命令发送模块401,用于基于上位机配置第一测试命令,将第一测试命令发送至加热测试板。
第一测试命令接收模块402,用于加热测试板接收第一测试命令,基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,得到温度环境的当前温度。
频率波动数据采集模块403,用于频率计对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,发送频率波动数据至上位机。
测试波动曲线确定模块404,用于上位机基于频率波动数据和当前温度,确定测试波动曲线。
晶振测试结果确定模块405,用于基于测试波动曲线确定被测晶振的测试结果。
本实用新型实施例提供的晶振测试装置,可以通过上位机向加热测试板发送第一测试命令,使得加热测试板基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,并将温度环境的当前温度发送至上位机,再通过频率计对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,并将该频率波动数据发送至上位机,最后由上位机确定被测晶振的测试结果,可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
本实用新型实施例所提供的装置,其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同,为简要描述,装置实施例部分未提及之处,可参考前述方法实施例中相应内容。
实施例5
本实用新型实施例还提供了一种电子设备,用于运行上述晶振测试方法,采用本实用新型实施例提供的电子设备可以通过上位机30向加热测试板10发送第一测试命令,使得加热测试板10基于第一测试命令对被测晶振的温度环境进行调整,并将温度环境的当前温度发送至上位机30,再通过频率计20对被测晶振的温度环境调整后产生的频率波动数据进行采集,并将该频率波动数据发送至上位机30,最后由上位机30确定被测晶振的测试结果,可以准确测试温度变化对被测晶振造成的影响,解决了被测晶振温度稳定性测试中,无法精确测试被测晶振在瞬时温变下性能的问题。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本实用新型所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
最后应说明的是:以上实施例,仅为本实用新型的具体实施方式,用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制,本实用新型的保护范围并不局限于此,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改、变化或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的精神和范围,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种晶振测试系统,其特征在于,所述系统包括:加热测试板、频率计和上位机;所述加热测试板、所述频率计和所述上位机依次连接,所述上位机和所述加热测试板连接;
所述加热测试板用于为被测晶振的测试提供温度环境,将温度环境的当前温度发送至所述上位机;
所述频率计用于确定所述被测晶振的频率波动数据,将所述频率波动数据发送至所述上位机;
所述上位机用于向所述加热测试板发送第一测试命令,确定所述被测晶振的测试结果。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述加热测试板包括:测试控制区和温度调整区,所述上位机、所述测试控制区、所述温度调整区和所述频率计依次连接,所述频率计和所述上位机连接;
所述测试控制区用于接收所述上位机发送的第一测试命令,基于所述第一测试命令控制所述温度调整区调整温度,所述温度调整区用于调整温度。
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述测试控制区包括:控制器和测试开关,所述上位机、所述控制器、所述测试开关、所述温度调整区和所述频率计依次连接,所述频率计和所述上位机连接;
所述控制器用于接收所述上位机发送的第一测试命令以及基于所述第一测试命令向所述测试开关发送驱动指令,所述测试开关用于基于所述控制器发送的驱动指令驱动所述温度调整区调整温度。
4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述温度调整区包括:发热功率MOS管和测试夹具,所述发热功率MOS管与所述测试开关连接,所述测试夹具与所述频率计连接;
所述发热功率MOS管用于基于所述测试开关的驱动调整温度,所述测试夹具用于安装所述被测晶振,将所述被测晶振的频率波动数据发送至所述频率计。
5.根据权利要求4所述的系统,其特征在于,所述温度调整区还包括:温度传感器,所述温度传感器与所述控制器连接;
所述控制器用于获取所述温度调整区的温度以供所述上位机读取温度。
6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述测试控制区还包括:本地控制按钮,所述本地控制按钮与所述控制器连接;
所述本地控制按钮用于向所述控制器发送第二测试命令。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述温度调整区还包括:屏蔽罩,所述发热功率MOS管、所述测试夹具和所述温度传感器位于所述屏蔽罩中。
8.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的晶振测试系统。
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GR01 | Patent grant | ||
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