CN114292030A - 玻璃基板减薄方法、玻璃面板及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种玻璃基板减薄方法、玻璃面板及电子设备，涉及半导体技术领域。该玻璃基板减薄方法包括：对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板；在玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜；对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板；对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使防护膜脱离非减薄面。本发明先完成待减薄的玻璃基板的线路板制程，再进行薄化处理。由于玻璃面板的厚度比单独的玻璃基板的厚度更厚，防护膜的撕除难度较小；同时，也避免了基于薄化的玻璃基板进行后续制程时带来的各种问题，提高了玻璃基板的良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种玻璃基板减薄方法、玻璃面板及电子设备。
背景技术
目前，对玻璃基板的薄化处理，通常为直接在玻璃一侧进行薄一次性单面蚀刻，这种方法存在的缺陷是：1、玻璃减薄至超薄厚度时，撕除防酸膜的难度较大，易造成制损，同时玻璃有效区域易被残胶污染；2、玻璃薄化后的板厚均匀性较差影响后续mini LED制程良率；3、玻璃薄化后再执行mini LED制程将使得破片率大幅提升。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种玻璃基板减薄方法、玻璃面板及电子设备，旨在解决现有技术中薄化处理后的玻璃基板良率较低的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种玻璃基板减薄方法，该玻璃基板减薄方法包括：
对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板；
在玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜；
对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板；
对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使防护膜脱离非减薄面。
可选的，对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板，包括：
利用蚀刻处理液浸泡玻璃面板的减薄面，对减薄面侧的玻璃基板进行蚀刻。
可选的，蚀刻处理液包括氢氟酸、盐酸、硝酸和硫酸。
可选的，氢氟酸占蚀刻处理液的总质量2.2～2.8％，盐酸占蚀刻处理液的总质量2.0～4.0％，硝酸占蚀刻处理液的总质量7.0～7.7％，硫酸占蚀刻处理液的总质量40.0～50.0％。
可选的，蚀刻处理液中除氢氟酸、盐酸、硝酸和硫酸外的成分为水。
可选的，利用蚀刻处理液浸泡玻璃面板的减薄面，包括：
将玻璃面板的非减薄面固定于一平坦面；
将蚀刻处理液喷淋至玻璃面板的减薄面，并使减薄面朝向喷淋面旋转。
可选的，防护膜为光解离膜，对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，包括：
利用紫外光线对减薄后的玻璃面板上的光解离膜进行照射。
可选的，防护膜为热解离膜，对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，包括：
对减薄后的玻璃面板上的热解离膜进行加热处理。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种玻璃面板，玻璃面板采用如上述的玻璃基板减薄方法制得。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种电子设备，电子设备包括如上述的玻璃面板。
本发明通过对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板；然后在玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜；再对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板；最后对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使防护膜脱离非减薄面。本发明先完成待减薄的玻璃基板的线路板制程，再进行薄化处理。由于玻璃面板的厚度比单独的玻璃基板的厚度更厚，防护膜的撕除难度较小；同时，也避免了基于薄化的玻璃基板进行后续制程时带来的各种问题，提高了玻璃基板的良率。
附图说明
图1为本发明玻璃基板减薄方法第一实施例的流程示意图；
图2为本发明玻璃基板减薄方法第二实施例的流程示意图；
图3为本发明玻璃面板减薄前的一实施方式的结构示意图；
图4为本发明玻璃面板减薄处理过程的一实施方式的结构示意图；
图5为本发明玻璃面板减薄后的一实施方式的结构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 10 | 玻璃基板 | 50 | 吸真空平台 |
| 20 | 电子元件 | 60 | 旋转马达 |
| 30 | 保护层 | 70 | 液喷嘴 |
| 40 | 防护层 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参照图1，图1为本发明玻璃基板减薄方法第一实施例的流程示意图。本发明提出玻璃基板减薄方法第一实施例。
在第一实施例中，玻璃基板减薄方法包括以下步骤：
步骤S10：对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板。
需要说明的是，本实施方式的执行主体为玻璃基板加工设备，该玻璃基板加工设备具备执行玻璃基板加工中各类工艺的功能，如溅镀、电镀、原子沉积、化学沉积，曝光，蚀刻等功能。实现相关功能的组件已有成熟技术，本实施方式在此不再赘述。
线路板制程是指通过在玻璃基板上印制电路，再焊接电子元件，形成相应的玻璃面板。例如，玻璃基板可以用于制作mini LED显示屏的背光板，相应的线路板制程为miniLED制程，其可以包括印刷锡膏、固晶、检测、返修，上保护膜等。相比于现有技术中的玻璃基板的薄化工艺，本实施方式中的改进之一在于先完成玻璃基板的线路板制程，基于完成的玻璃面板在进行薄化工艺。线路板制程的具体工艺已有成熟的技术，本实施方式在此不再赘述。
可以理解的是，本实施方式在执行线路板制程时，玻璃基板为未薄化状态，其厚度较厚，可以降低线路板制程中的破片率。
步骤S20：在玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜。
玻璃面板的非减薄面是指玻璃基板上印制有有效电路的一侧，为了防止在薄化过程中对有效电路造成损坏，需要对该非减薄面进行保护，该防护膜需要覆盖整个非减薄面。
在本实施方式中，为使后续的撕膜过程更顺利，防护膜可以为光解离膜或者热解离膜。在需要剥离保护膜时，通过采用光照和加热处理使防护膜脱离，能够避免在剥离保护膜时对有效线路一侧造成损坏。
步骤S30：对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板。
可以理解的是，玻璃面板的减薄面是指玻璃基板上没有印制有效电路的一侧，玻璃面板的减薄面为玻璃基板的一面。减薄处理可以利用蚀刻或者抛光等工艺消除该减薄面的部分玻璃基板，以使玻璃基板的厚度减小。
通常，用于制作mini LED显示屏的背光板的玻璃基板的厚度为0.4～0.6mm，经过本实施方式的薄化处理后的玻璃基板的厚度可以达到0.1mm。由于本实施方式是在完成mini LED制程的面板上对玻璃基板进行薄化，因此相比于先对玻璃基板进行薄化在进行mini LED制程，玻璃基板薄化后的厚度可以更小。
在本实施方式中，对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板的过程可以为：利用蚀刻处理液浸泡玻璃面板的减薄面，对减薄面侧的玻璃基板进行蚀刻。
可以理解的是，为保证薄化效率，采用蚀刻处理液对减薄面侧的玻璃基板进行蚀刻。通过保证蚀刻处理液在减薄面上的均匀分布，也可以提高薄化后的减薄面具有更好的平整性。
在本实施方式中，为提高薄化效果，蚀刻处理液包括氢氟酸、盐酸、硝酸和硫酸。其中，氢氟酸主要用于蚀刻处理，盐酸、硝酸主要用于融化玻璃粉，硫酸可以改善表面凹陷不良，降低凹点、划伤等表面缺陷比例。当然，蚀刻处理液还可以采用成分，本实施方式对此不加以限制
为进一步保证薄化效果，氢氟酸占蚀刻处理液的总质量2.2～2.8％，盐酸占蚀刻处理液的总质量2.0～4.0％，硝酸占蚀刻处理液的总质量7.0～7.7％，硫酸占蚀刻处理液的总质量40.0～50.0％。同时，蚀刻处理液中除氢氟酸、盐酸、硝酸和硫酸外的成分为水。当然，各类成分的比例还可以根据需求进行调整，本实施方式对此不加以限制。
经过上述方法可将厚度为0.4～0.6mm的mini LED玻璃背光灯板薄化至0.1mm，整个过程所需要的时长为140min，mini LED玻璃背光灯板薄化后的表现良率可以达到99.9％，凹点、划伤等表面缺陷比例为0.5±0.2％，单片板厚差值≤10μm。
步骤S40：对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使防护膜脱离非减薄面。
防护膜进行分离处理根据防护膜的材质不同而不同。例如，防护膜为光解离膜时，分离处理可以为：利用紫外光线对减薄后的玻璃面板上的光解离膜进行照射。防护膜为热解离膜时，分离处理可以为：对减薄后的玻璃面板上的热解离膜进行加热处理。
需要说明的是，在防护膜分离前，需要对玻璃面板进行进行清洗、干燥等，避免蚀刻过程中的残留物质损坏有效电路。
在本实施例中，通过对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板；然后在玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜；再对玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化玻璃基板；最后对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使防护膜脱离非减薄面。本实施方式先完成待减薄的玻璃基板的线路板制程，再进行薄化处理。由于玻璃面板的厚度比单独的玻璃基板的厚度更厚，防护膜的撕除难度较小；同时，也避免了基于薄化的玻璃基板进行后续制程时带来的各种问题，提高了玻璃基板的良率。
参照图2，图2为本发明玻璃基板减薄方法第二实施例的流程示意图。基于上述第一实施例，本发明提出玻璃基板减薄方法第二实施例。
在本实施方式中，步骤S30可以包括：
步骤S301：将玻璃面板的非减薄面固定于一平坦面。
参照图3，图3为本发明玻璃面板减薄前的一实施方式的结构示意图。
如图3所示，玻璃面板包括玻璃基板10、电子元件20、保护层30和防护膜40。其中，电子元件20、保护层30可以通过线路板制程在玻璃基板10形成。以玻璃面板为mini LED玻璃背光灯板为了，电子元件20可以为LED光源，保护层30可以为硅胶，保护层30主要用于使玻璃基板10印制的金属线路与外界隔离，避免被损坏。玻璃基板10设置有电子元件20、保护层30的一侧为非减薄面，因此在进行减薄处理之前，需要在该侧设置防护膜40。
参照图4，图4为本发明玻璃面板减薄处理过程的一实施方式的结构示意图。
如图4所示，在对玻璃面板中的玻璃基板进行蚀刻时，可以先对玻璃面板进行固定。相应的蚀刻设备可以包括吸真空平台50、旋转马达60和液喷嘴70。为使固定效果更好，本实施方式可以采用吸真空的方式对玻璃面板进行固定。吸真空平台50与玻璃面板的非减薄面的接触面为一平坦面，能够保证玻璃面板水平固定。
步骤S302：将蚀刻处理液喷淋至玻璃面板的减薄面，并使减薄面朝向喷淋面旋转，对减薄面侧的玻璃基板进行蚀刻，以薄化玻璃基板。
本实施方式的薄化处理采用旋转喷涂的方式，即液喷嘴70持续向玻璃面板的减薄面喷射蚀刻处理液，形成喷淋面，该喷淋面与玻璃面板的减薄面平行。同时旋转马达60驱动吸真空平台50高速旋转。具体的，蚀刻设备可以具有顶喷式蚀刻槽结构，液喷嘴70设置于该内，使玻璃面板的减薄面能够持续浸泡蚀刻处理液，进行蚀刻。
参照图5，图5为本发明玻璃面板减薄后的一实施方式的结构示意图。
如图5所示，减薄后的玻璃基板10的厚度明显减小。而现有技术中的薄化方式，玻璃基板的厚度通常为0.2mm，低于该厚度的玻璃基板无法支持后续的制程。而通过本实施方式的减薄方法可以获得更薄的玻璃基板，其厚度可以达到0.1mm。同时，由于保护层30的支撑作用，也更容易撕除防护膜40。
在本实施方式中，通过将玻璃面板的非减薄面固定于一平坦面，再将蚀刻处理液喷淋至玻璃面板的减薄面，并使减薄面朝向喷淋面旋转，对减薄面侧的玻璃基板进行蚀刻，以薄化玻璃基板。本实施方式能够更好地实现对玻璃基板的薄化，使薄化后的玻璃基板的厚度更低，也提高了玻璃基板的良率。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种玻璃面板，玻璃面板采用如上述的玻璃基板减薄方法制得。该玻璃基板减薄方法的具体步骤可以参照前述，线路板的也可以参照前述的附图，由于本线路板可以采用上述所有实施例的技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的有益效果，在此不再一一赘述。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种电子设备，电子设备包括如上述的玻璃面板。该玻璃面板的具体结构可以参照前述，由于本电子设备可以采用上述所有实施例的技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的有益效果，在此不再一一赘述。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。词语第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序，可将这些词语解释为名称。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器镜像(Read Only Memory image，ROM)/随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述玻璃基板减薄方法包括：
对待减薄的玻璃基板执行线路板制程，获得玻璃面板；
在所述玻璃面板的非减薄面上贴附防护膜；
对所述玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化所述玻璃基板；
对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，使所述防护膜脱离所述非减薄面。
2.如权利要求1所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述对所述玻璃面板的减薄面进行减薄处理，以薄化所述玻璃基板，包括：
利用蚀刻处理液浸泡所述玻璃面板的减薄面，对所述减薄面侧的玻璃基板进行蚀刻。
3.如权利要求2所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述蚀刻处理液包括氢氟酸、盐酸、硝酸和硫酸。
4.如权利要求3所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述氢氟酸占所述蚀刻处理液的总质量2.2～2.8％，所述盐酸占所述蚀刻处理液的总质量2.0～4.0％，所述硝酸占所述蚀刻处理液的总质量7.0～7.7％，所述硫酸占所述蚀刻处理液的总质量40.0～50.0％。
5.如权利要求4所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述蚀刻处理液中除所述氢氟酸、所述盐酸、所述硝酸和所述硫酸外的成分为水。
6.如权利要求2所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述利用蚀刻处理液浸泡所述玻璃面板的减薄面，包括：
将所述玻璃面板的非减薄面固定于一平坦面；
将蚀刻处理液喷淋至所述玻璃面板的减薄面，并使所述减薄面朝向喷淋面旋转。
7.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述防护膜为光解离膜，所述对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，包括：
利用紫外光线对减薄后的玻璃面板上的所述光解离膜进行照射。
8.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃基板减薄方法，其特征在于，所述防护膜为热解离膜，所述对减薄后的玻璃面板上的防护膜进行分离处理，包括：
对减薄后的玻璃面板上的所述热解离膜进行加热处理。
9.一种玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板采用如权利要求1-8中任一项所述的玻璃基板减薄方法制得。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9所述的玻璃面板。
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