CN103880294A

CN103880294A - 一种超大超薄液晶显示面板化学蚀刻减薄方法

Info

Publication number: CN103880294A
Application number: CN201410052479.3A
Authority: CN
Inventors: 李高贵
Original assignee: SUZHOU CRANE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: SUZHOU CRANE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2014-02-17
Filing date: 2014-02-17
Publication date: 2014-06-25
Anticipated expiration: 2034-02-17
Also published as: CN103880294B

Abstract

本发明提供了一种超大超薄液晶显示面板化学蚀刻减薄方法，首先对显示面板四周用UV固化胶水进行封胶保护，并洗净其表面；然后依次向密闭容器中打入浓硫酸、浓硝酸、浓盐酸及氢氟酸，加热至25～30℃，并鼓泡搅拌均匀；将混合酸液打入温度为28～32℃的蚀刻设备中，鼓泡搅拌30～60分钟；将TFT基板浸泡在混合酸液中薄化；薄化至目标厚度后，取出TFT基板，放入KOH溶液中；最后取出TFT基板，将其烘干后检验表面良率。本发明的方法过程简单，易操作，适用于各种尺寸的液晶显示面板，尤其是超大超薄液晶显示面板，采用本发明的方法薄化后的显示面板玻璃表面效果良好，一次良率超过97.5%，无需进行抛光。

Description

一种超大超薄液晶显示面板化学蚀刻减薄方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板蚀刻减薄方法，尤其涉及一种超大超薄显示面板化学蚀刻减薄方法。

背景技术

液晶面板的减薄方法主要有物理减薄和化学蚀刻减薄两种方法，其中物理减薄平整度难以达到要求，化学蚀刻减薄具备效率高、配方简单、产量大、均匀性好等特点。随着显示面板行业的发展，液晶显示面板逐渐朝超薄方向发展，另一方面厂商从成本考虑逐渐朝超大尺寸方向发展；超大超薄产品在化学蚀刻薄化后表面存在矩阵点及凹点，按照点大小CF面0.15mm，TFT面0.25mm，抛光之前产品的良率是15-30%，因此几乎所有面板都需要进行表面抛光处理。另外，由于现有的抛光机尺寸受限，以及超大超薄产品搬运过程操作不便，因此超大超薄显示面板难以实现抛光。

发明内容

为了克服现有技术的不足，提升TFT玻璃薄化后的表面效果，抑制薄化后玻璃表面矩阵点及凹点出现，本发明提供一种化学蚀刻减薄方法，该方法通过特殊配方和工艺条件改变化学反应的机理，使薄化后显示面板表面效果良好，从而无需进行抛光。

为了达到上述目的，本发明采取的技术方案如下：

一种超大超薄液晶显示面板化学蚀刻减薄方法，该方法包含以下步骤：

1.对来料显示面板四周用UV固化胶水进行封胶保护，并洗净显示面板表面；

2.通过泵依次向密闭容器中打入浓硫酸、浓硝酸、浓盐酸及氢氟酸，在密闭容器中加热至25～30℃，同时鼓泡搅拌均匀；

3.将混合酸打入蚀刻设备中，蚀刻设备中的温度控制在28～32℃，持续鼓泡搅拌30～60分钟至混合均匀；

4.将需要薄化的TFT基板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度；

5.待TFT基板薄化至目标厚度后，将薄化后的TFT基板浸泡在KOH溶液中，中和玻璃表面的酸液。

6.取出KOH溶液中的TFT基板，对其表面进行烘干处理，按照点大小CF面0.15mm，TFT面0.25mm标准检验表面良率。

进一步地，步骤2中浓硫酸的浓度为70%，浓硝酸的浓度为69%，浓盐酸的浓度为30%，氢氟酸浓度为40%。

进一步地，步骤2中浓硫酸体积:浓硝酸体积:浓盐酸体积:氢氟酸体积为92-96%:1～3%:1-2%:2-3%。

更进一步地，步骤2中浓硫酸体积:浓硝酸体积:浓盐酸体积:氢氟酸体积为94%:2%:1.5%:2.5%。

进一步地，步骤2中密闭容器中混合酸液的温度控制在27℃。

进一步地，步骤3中蚀刻设备中的温度控制在30℃，鼓泡搅拌时间为45分钟。

进一步地，步骤5中KOH的浓度为3%。

进一步地，步骤5中薄化后的TFT基板在KOH溶液中的浸泡时间为150s～200s。

更进一步地，步骤5中薄化后的TFT基板在KOH溶液中的浸泡时间为180s。

采用本发明提供的超大超薄液晶显示面板化学蚀刻减薄方法，能够有效抑制减薄后显示面板玻璃表面矩阵点以及凹点，按照点大小CF面0.15mm，TFT面0.25mm的检验规格进行检验，结果显示表面效果良好，一次良率超过97.5%。本发明的方法过程简单，易操作，无需进行抛光，适用于各种尺寸的液晶显示面板，尤其是超大超薄液晶显示面板。

附图说明

图1是本发明的工艺流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

取10片原材料为康宁玻璃相同厂家同一批次的显示面板，厚度为1.000mm，尺寸为1100×1300mm，依次编号为A、B、C、D、E、F、G、H、I、J。

先在四周CF面和TFT面间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化，用清洗溶剂洗净玻璃表面；通过泵依次向密闭容器中打入70%的浓硫酸1860Ｌ，69%的浓硝酸40Ｌ，30%的浓盐酸40Ｌ，40%的氢氟酸60Ｌ，在密闭容器中将混合酸液加热至26℃，同时鼓泡搅拌均匀；然后将混合酸液打入蚀刻机中，蚀刻机内的温度控制在28℃，持续鼓泡搅拌60分钟至混合均匀；将需要薄化的显示面板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度0.5mm；从混合酸液中取出薄化后的显示面板，放在3%的KOH溶液中浸泡170s，从KOH溶液中取出显示面板，对其表面进行烘干处理。

按照点大小CF面0.15mm，TFT面0.25mm标准检验薄化后显示面板的表面良率，结果如表1所示。

实施例2

取10片原材料为板硝子AN100玻璃相同厂家同一批次的显示面板，厚度为1.000mm，尺寸为1100×1300mm，依次编号为A、B、C、D、E、F、G、H、I、J。

先在四周CF面和TFT面间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化，用清洗溶剂洗净玻璃表面；通过泵依次向密闭容器中打入70%的浓硫酸1900Ｌ，69%的浓硝酸20Ｌ，30%的浓盐酸30Ｌ，40%的氢氟酸50Ｌ，在密闭容器中将混合酸液加热至28℃，同时鼓泡搅拌均匀；然后将混合酸液打入蚀刻机中，蚀刻机内的温度控制在29℃，持续鼓泡搅拌50分钟至混合均匀；将需要薄化的显示面板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度0.5mm；从混合酸液中取出薄化后的显示面板，放在3%的KOH溶液中浸泡150s，从KOH溶液中取出显示面板，对其表面进行烘干处理。

实施例3

先在四周CF面和TFT面间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化，用清洗溶剂洗净玻璃表面；通过泵依次向密闭容器中打入70%的浓硫酸1880Ｌ，69%的浓硝酸50Ｌ，30%的浓盐酸30Ｌ，40%的氢氟酸40Ｌ，在密闭容器中将混合酸液加热至29℃，同时鼓泡搅拌均匀；然后将混合酸液打入蚀刻机中，蚀刻机内的温度控制在30℃，持续鼓泡搅拌40分钟至混合均匀；将需要薄化的显示面板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度0.5mm；从混合酸液中取出薄化后的显示面板，放在3%的KOH溶液中浸泡190s，从KOH溶液中取出显示面板，对其表面进行烘干处理。

实施例4

先在四周CF面和TFT面间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化，用清洗溶剂洗净玻璃表面；通过泵依次向密闭容器中打入70%的浓硫酸1920Ｌ，69%的浓硝酸20Ｌ，30%的浓盐酸20Ｌ，40%的氢氟酸40Ｌ，在密闭容器中将混合酸液加热至30℃，同时鼓泡搅拌均匀；然后将混合酸液打入蚀刻机中，蚀刻机内的温度控制在32℃，持续鼓泡搅拌55分钟至混合均匀；将需要薄化的显示面板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度0.5mm；从混合酸液中取出薄化后的显示面板，放在3%的KOH溶液中浸泡200s，从KOH溶液中取出显示面板，对其表面进行烘干处理。

实施例5

先在四周CF面和TFT面间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化，用清洗溶剂洗净玻璃表面；通过泵依次向密闭容器中打入70%的浓硫酸1840Ｌ，69%的浓硝酸60Ｌ，30%的浓盐酸40Ｌ，40%的氢氟酸60Ｌ，在密闭容器中将混合酸液加热至25℃，同时鼓泡搅拌均匀；然后将混合酸液打入蚀刻机中，蚀刻机内的温度控制在31℃，持续鼓泡搅拌30分钟至混合均匀；将需要薄化的显示面板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度0.5mm；从混合酸液中取出薄化后的显示面板，放在3%的KOH溶液中浸泡160s，从KOH溶液中取出显示面板，对其表面进行烘干处理。

实施例6

先在四周CF面和TFT面间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化，用清洗溶剂洗净玻璃表面；通过泵依次向密闭容器中打入70%的浓硫酸1880Ｌ，69%的浓硝酸40Ｌ，30%的浓盐酸30Ｌ，40%的氢氟酸50Ｌ，在密闭容器中将混合酸液加热至27℃，同时鼓泡搅拌均匀；然后将混合酸液打入蚀刻机中，蚀刻机内的温度控制在30℃，持续鼓泡搅拌45分钟至混合均匀；将需要薄化的显示面板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度0.5mm；从混合酸液中取出薄化后的显示面板，放在3%的KOH溶液中浸泡180s，从KOH溶液中取出显示面板，对其表面进行烘干处理。

表1 采用本发明的方法薄化后的显示面板玻璃表面良率

	A	B	C	D	E	F	G	H	I	J
											实施例1	98.5%	98%	98%	97%	98.5%	98.5%	99%	97%	97%	98.5%
实施例2	97%	97.5%	98%	97%	99%	98.5%	98%	98%	97.5%	97%
											实施例3	97.5%	97%	97%	97.5%	98%	98%	99%	98.5%	99%	98%
实施例4	99%	99%	97.5%	98.5%	96%	97.5%	97.5%	98.5%	99%	97.5%
											实施例5	97%	97%	97.5%	99%	98%	98.5%	96.5%	96%	98.5%	98%
实施例6	98%	99%	99%	97%	98%	98.5%	99%	97.5%	97%	99%

以上详细说明了本发明的优选实施例，但本发明并不限于这些实施例，在本发明的申请范围内可以进行各种改变。上文只是详细阐述了本发明的优选实施例，但是，所属领域的技术人员很清楚在实质上不脱离本发明的新颖性和优点的范围内，可以对示例性实施例进行各种修改。

Claims

1.一种超大超薄液晶显示面板化学蚀刻减薄方法，其特征在于，包含以下步骤：

1）对来料显示面板四周用UV固化胶水进行封胶保护，并洗净显示面板表面；

2）通过泵依次向密闭容器中打入浓硫酸、浓硝酸、浓盐酸及氢氟酸，在密闭容器中将混合酸液加热至25～30℃，同时鼓泡搅拌均匀；

3）将混合酸液打入蚀刻设备中，蚀刻设备中的温度控制在28～32℃，持续鼓泡搅拌30～60分钟至混合均匀；

4）将需要薄化的TFT基板浸泡在混合酸液中持续薄化，直至达到目标厚度；

5）待TFT基板薄化至目标厚度后，将薄化后的TFT基板取出，放入KOH溶液中浸泡，中和玻璃表面的酸液。

6）从KOH溶液中取出TFT基板，对其表面进行烘干处理，按照点大小CF面0.15mm，TFT面0.25mm标准检验表面良率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中浓硫酸的浓度为70%，浓硝酸的浓度为69%，浓盐酸的浓度为30%，氢氟酸浓度为40%。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中浓硫酸体积:浓硝酸体积:浓盐酸体积:氢氟酸体积为92-96%:1～3%:1-2%:2-3%。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，浓硫酸体积:浓硝酸体积:浓盐酸体积:氢氟酸体积为94%:2%:1.5%:2.5%。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中密闭容器中混合酸液的温度控制在27℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）中蚀刻设备中的温度控制在30℃，鼓泡搅拌时间为45分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）中KOH的浓度为3%。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）中薄化后的TFT基板在KOH溶液中的浸泡时间为150s～200s。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，薄化后的TFT基板在KOH溶液中的浸泡时间为180s。