CN114270475A - 基板清洗方法及基板清洗装置 - Google Patents

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CN114270475A CN202080057950.1A CN202080057950A CN114270475A CN 114270475 A CN114270475 A CN 114270475A CN 202080057950 A CN202080057950 A CN 202080057950A CN 114270475 A CN114270475 A CN 114270475A
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小寺健治
内山圭介
山本晓
山野边北斗
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Abstract

本发明关于一种清洗晶片等的基板的基板清洗方法及基板清洗装置。在基板清洗方法中，由多个保持辊(6)保持基板(W)的周缘部，通过使多个保持辊(6)以各自轴心为中心旋转，从而使基板(W)以其轴心为中心旋转，一边使双流体喷流喷嘴(2)在基板(W)的半径方向移动，一边将由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流从双流体喷流喷嘴(2)导入基板(W)的表面，在将双流体喷流导入基板(W)的表面时，将由第二液体构成的扇状喷流从喷雾喷嘴(3)导入基板(W)的表面，在基板(W)的表面上形成第二液体的液流。扇状喷流从双流体喷流离开。

Description

基板清洗方法及基板清洗装置
技术领域
本发明关于一种清洗晶片等的基板的基板清洗方法及基板清洗装置。
背景技术
近年来，存储电路、逻辑电路、影像传感器(例如CMOS传感器)等元件不断更高集成化。在形成这些元件的工序中，微粒子、尘埃等异物会附着元件。附着元件的异物会引起配线间的短路或电路故障。因此，为了使元件的可靠性提高，需要清洗形成有元件的晶片，来除去晶片上的异物。在晶片的背面(非元件面)也会附着如上述的微粒子、粉尘等异物。这种异物附着于晶片背面时，会造成晶片从曝光装置的载台基准面偏离，或是晶片表面相对于载台基准面倾斜，结果，产生图案形成偏差及焦点距离偏差。
因此，有一种方法是在晶片表面(表侧或背侧)导入由液体与气体的混合流体构成的双流体喷流，来清洗该晶片的表面。进行该双流体喷流清洗时，以夹爪握持晶片的周缘部，与晶片一起使夹盘以晶片的轴心为中心旋转，而且从喷嘴喷洒双流体喷流至晶片表面。再者，通过使喷嘴沿着晶片的半径方向摆动(扫描)，可将双流体喷流导入旋转的晶片的整个表面。
但是，当喷嘴位于晶片的周缘部上方时，双流体喷流会撞击夹盘的爪，导致大量液体飞溅。因此，为了防止这种液体的飞溅，而提出一种取代夹盘，由多个辊保持晶片的周缘部，通过使这些辊旋转，而使晶片旋转的类型的清洗装置。采用该类型的清洗装置时，由于辊本身位置固定，因此，即使喷嘴在晶片的周缘部位于上方时，双流体喷流仍不会与辊撞击。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-147334号公报
发明要解决的问题
但是，与夹盘型比较，辊型的清洗装置无法使晶片高速旋转(通常，最大为150min-1)。因而，为了清洗晶片的整个表面，必然需要减缓喷嘴的移动速度。结果，喷嘴一次往返(一次扫描)的时间变长，晶片未接触液体的部分成为半干状态。此外，因为晶片的旋转速度低，不会有强大的离心力作用于晶片上的液体，通过双流体喷流而浮起的微粒子会残留于晶片上。
发明内容
因此，本发明提供一种防止晶片等的基板处于半干，且可从基板的表面可靠第除去通过双流体喷流而浮起的微粒子的基板清洗方法及基板清洗装置。
(解决问题的手段)
一个方式提供一种基板清洗方法，由多个保持辊保持基板的周缘部，通过使所述多个保持辊以各自轴心为中心旋转，从而使所述基板以其轴心为中心旋转，一边使双流体喷流喷嘴在所述基板的半径方向移动，一边将由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流从所述双流体喷流喷嘴导入所述基板的表面，在将所述双流体喷流导入所述基板的表面时，将由第二液体构成的扇状喷流从喷雾喷嘴导入所述基板表面，在所述基板的表面上形成所述第二液体的液流，所述扇状喷流从所述双流体喷流离开。
一个方式为所述喷雾喷嘴相对于所述基板的表面的角度在15°至45°的范围内。
一个方式为所述扇状喷流的宽度是所述基板的半径的四分之三以上。
一个方式为所述扇状喷流的方向朝向所述基板的外侧。
一个方式为所述喷雾喷嘴位于所述基板的上方。
一个方式为一边使所述喷雾喷嘴移动，一边将所述扇状喷流从所述喷雾喷嘴导入所述基板的表面，而在所述基板的表面上形成所述第二液体的液流。
一个方式为所述双流体喷流喷嘴与所述喷雾喷嘴固定于共用的臂部。
一个方式提供一种基板清洗装置，具备：多个保持辊，该多个保持辊具有用于保持基板的周缘部的多个基板保持面，并能够以自身的轴心为中心而旋转；双流体喷流喷嘴，该双流体喷流喷嘴以形成由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流的方式构成；扇喷雾喷嘴，该扇喷雾喷嘴以形成由第二液体构成的扇状喷流的方式构成；及喷嘴移动装置，该喷嘴移动装置以使所述双流体喷流喷嘴平行移动的方式构成，所述双流体喷流喷嘴及所述扇喷雾喷嘴朝向被所述多个基板保持面包围的区域，所述扇喷雾喷嘴朝向所述扇状喷流不会撞击所述双流体喷流的方向。
一个方式为所述扇喷雾喷嘴相对于通过所述多个基板保持面的平面的角度在15°至45°的范围内。
一个方式为所述扇喷雾喷嘴以形成具有所述基板的半径的四分之三以上的宽度的所述扇状喷流的方式构成。
一个方式为所述喷嘴移动装置具备臂部，该臂部保持所述双流体喷流喷嘴及所述扇喷雾喷嘴。
(发明的效果)
采用本发明时，扇状喷流在基板的表面的宽广区域形成均匀的第二液体的液流，该第二液体的液流可冲走通过双流体喷流而浮起的微粒子，且可防止基板的半干。
附图说明
图1是表示基板清洗装置的一种实施方式的立体图。
图2是图1所示的基板清洗装置的俯视图。
图3是保持辊的放大侧视图。
图4A是表示将晶片放置于保持辊上，不过并未被保持辊而保持的状态图。
图4B是表示晶片的周缘部通过保持辊的基板保持面而保持的状态图。
图5是表示从与晶片的上面平行的方向观看的扇喷雾喷嘴的侧视图。
图6系说明晶片的清洗动作的一种实施方式的流程图。
图7是表示基板清洗装置的其他实施方式的侧视图。
图8是从臂部的轴方向观看图7所示的双流体喷流喷嘴及扇喷雾喷嘴的图。
图9是图7所示的基板清洗装置的俯视图。
图10是说明晶片的清洗动作的一种实施方式的流程图。
具体实施方式
以下，参照图说明本发明的实施方式。
图1是表示基板清洗装置的一种实施方式的立体图，图2是图1所示的基板清洗装置的俯视图。本实施方式的基板清洗装置是用于清洗基板的一例的晶片W的表面(上面)的装置。以下，详述基板清洗装置。
基板清洗装置具备：保持晶片W，且以晶片W的轴线为中心而使其在箭头A所示的方向旋转的晶片保持部(基板保持部)1；将双流体喷流导入保持于晶片保持部1的晶片W表面(上面)的双流体喷流喷嘴2；及将扇状喷流导入保持于晶片保持部1的晶片W表面(上面)的扇喷雾喷嘴3。
晶片保持部(基板保持部)1具备：保持晶片W的周缘部的多个保持辊6；及使这些保持辊6旋转的辊马达8。这些保持辊6排列于规定的基准轴心O的周围。本实施方式设有四个保持辊6。保持着晶片W时的保持辊6位于距基准轴心O相同距离。因此，被保持辊6保持时的晶片W的中心与基准轴心O一致。一种实施方式是亦可仅设置三个保持辊6，亦可设置五个以上的保持辊6。清洗的晶片W通过无图示的搬送装置放置于保持辊6上，并通过保持辊6在图2的箭头A指示的方向旋转。
图3是保持辊6的放大侧视图。保持辊6具有：圆筒状的基板保持面(晶片保持面)6a、及朝向径方向外侧而向下方倾斜的锥形部6b。锥形部6b连接于基板保持面6a的下端，并从基板保持面6a向径方向外侧扩大。锥形部6b是圆形，且与基板保持面6a同心状。锥形部6b的中心与基板保持面6a的中心在保持辊6的轴心CP上。保持辊6构成为能够以其轴心CP为中心而旋转。
图4A是表示将晶片W放置于保持辊6上，不过并未被保持辊6保持的状态图。如图4A所示，晶片W的周缘部通过无图示的搬送装置而放置于保持辊6的锥形部6b上。然后，如图4B所示，整个保持辊6在箭头指示的方向移动时，保持辊6的基板保持面6a接触晶片W的周缘部，由此，晶片W的周缘部通过基板保持面6a保持。在晶片W的周缘部接触基板保持面6a的状态下，保持辊6以其轴心CP为中心而旋转时，晶片W亦旋转。保持辊6以各轴心CP为中心而旋转，不过保持辊6本身的位置是固定的。
返回图1，四个保持辊6中的两个通过转矩传递机构10而彼此连结，另外两个保持辊6亦通过另外的转矩传递机构10而彼此连结。转矩传递机构10例如由滑轮及皮带的组合构成。本实施方式设有两个辊马达8。两个辊马达8中的一方与通过转矩传递机构10而彼此连结的两个保持辊6连结，另一方辊马达8与通过另外转矩传递机构10而彼此连结的另外两个保持辊6连结。
一种实施方式亦可一个辊马达经由转矩传递机构而与全部保持辊6连结。本实施方式是全部保持辊6连结于辊马达8，不过，亦可多个保持辊6中的几个连结于辊马达8。并宜多个保持辊6中的至少两个连结于辊马达8。
本实施方式是四个保持辊6中的两个可通过无图示的移动机构而在与其他两个保持辊6的接近方向及离开方向移动。晶片W通过搬送装置(无图示)放置在四个保持辊6的锥形部6b上后，通过两个保持辊6朝向其他两个保持辊6移动，四个保持辊6的基板保持面6a保持晶片W的周缘部。
清洗晶片W后，通过两个保持辊6在从其他两个保持辊6离开的方向移动，四个保持辊6的基板保持面6a释放晶片W的周缘部，晶片W的周缘部放置在四个保持辊6的锥形部6b上。晶片W通过无图示的搬送装置而从保持辊6取出，一种实施方式亦可构成全部保持辊6可通过无图示的移动机构而移动。
双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3以分别形成用于清洗被保持辊6保持的晶片W表面(上表面)的双流体喷流及扇状喷流的方式构成。如图1所示，双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3朝向被保持辊6的基板保持面6a包围的区域而配置。被基板保持面6a包围的区域是晶片W通过保持辊6而保持的区域。因此，双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3朝向由保持辊6的基板保持面6a保持的晶片W的表面(上表面)来配置。
基板清洗装置进一步具备使双流体喷流喷嘴2平行移动的喷嘴移动装置15。该喷嘴移动装置15具备：保持双流体喷流喷嘴2的臂部17；支承臂部17的支承轴18；及连结于支承轴18的回转马达20。双流体喷流喷嘴2、扇喷雾喷嘴3、及臂部17配置于比保持辊6高的位置。双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3位于被保持辊6保持的晶片W的上方。
双流体喷流喷嘴2固定于臂部17的顶端，支承轴18固定于臂部17的另一端。双流体喷流喷嘴2从臂部17的顶端垂直延伸至下方。回转马达20构成可使支承轴18顺时针方向及逆时针方向旋转规定角度。回转马达20使支承轴18旋转时，臂部17及双流体喷流喷嘴2以支承轴18的回转轴线P为中心，在顺时针方向及逆时针方向以规定角度回转。
如图2所示，随着臂部17的回转运动，双流体喷流喷嘴2在通过被保持辊6保持的晶片W的中心(与基准轴心O一致)的圆弧状轨道上移动。更具体而言，清洗晶片W中，双流体喷流喷嘴2在晶片W的中心与晶片W的周缘部之间摆动(往返移动)。双流体喷流喷嘴2的移动方向实质上是晶片W的半径方向。
双流体喷流喷嘴2相对于保持于保持辊6时的晶片W的表面(上表面)垂直。本实施方式中，保持辊6的轴心及双流体喷流喷嘴2在铅直方向延伸，晶片W通过保持辊6而水平地保持。一种实施方式亦可将保持辊6的轴心相对于铅直方向倾斜，并在倾斜状态下通过保持辊6保持晶片W。
双流体喷流喷嘴2连接于：供给空气或非活性气体(例如氮气)等的气体的气体供给管线24；及供给纯水或碳酸水等的第一液体的液体供给管线25。气体供给管线24连接于无图示的气体供给源，液体供给管线25连接于无图示的液体供给源。双流体喷流喷嘴2以形成由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流的方式构成。双流体喷流从双流体喷流喷嘴2对晶片W的表面(上表面)垂直喷出。
如图2所示，随着双流体喷流喷嘴2的摆动，双流体喷流导入晶片W表面的第一区域R1。该第一区域R1是在晶片W的半径方向延伸的细长区域，且是包含晶片W的中心的区域。双流体喷流相对于晶片W表面垂直地撞击，可从晶片W表面除去微粒子。清洗晶片W中，保持辊6以各轴心CP(参照图3)为中心而旋转，不过保持辊6本身的位置是固定的。因此，双流体喷流不会撞击保持辊6，且构成双流体喷流的液体亦不会飞溅。
扇喷雾喷嘴3固定于无图示的托架等的保持构件。因此，与双流体喷流喷嘴2不同，清洗晶片W中的扇喷雾喷嘴3的位置固定。扇喷雾喷嘴3连接于供给纯水、或碱性液体、或包含界面活性剂的液体等的第二液体的液体供给管线27。扇喷雾喷嘴3以形成由通过液体供给管线27而输送的第二液体构成的扇状喷流的方式构成。
扇喷雾喷嘴3位于双流体喷流喷嘴2的轨道的外侧，并以与臂部17一起移动的双流体喷流喷嘴2不会碰撞扇喷雾喷嘴3的方式配置。扇状喷流的喷出在开始喷出双流体喷流的同时或是之后开始。此外，扇状喷流的喷出在双流体喷流停止喷出的同时或是之后停止。
扇喷雾喷嘴3朝向斜下方配置。如图2所示，扇状喷流是在横方向扩大的宽广的喷流，且具有从其一端至另一端大致恒定的流速分布。本实施方式的扇状喷流的宽度方向沿着晶片W的半径方向。扇状喷流的外侧端位于晶片W的外侧。扇状喷流的宽度为晶片W的半径的四分之三以上。一种实施方式中扇状喷流的宽度比晶片W的半径大。
扇状喷流倾斜地入射于晶片W表面，而在晶片W的表面(上表面)上形成第二液体的液流。该第二液体的液流形成于包含晶片W的周缘部的第二区域R2。第二区域R2与上述第一区域R1分离。扇喷雾喷嘴3的优点为与将圆锥状的液体喷流进行喷雾的圆锥喷雾喷嘴比较，第二液体可接触比晶片W宽的区域，且可在晶片W上形成具有均匀流速的第二液体的液流。
如图2所示，扇喷雾喷嘴3以从上方观看时，朝向沿着箭头A指示的晶片W的旋转方向的方向，并形成朝向晶片W外侧的扇状喷流的方式配置。扇喷雾喷嘴3朝向扇状喷流不会撞击双流体喷流的方向。亦即，从扇喷雾喷嘴3喷出的扇状喷流形成于从双流体喷流喷嘴2喷出的双流体喷流离开的位置。由于在这种位置配置扇喷雾喷嘴3，因此双流体喷流不会受到扇状喷流阻碍，可撞击晶片W的表面，而从晶片W表面除去微粒子。
特别是，采用本实施方式时，扇喷雾喷嘴3朝向从扇喷雾喷嘴3喷出的扇状喷流、及形成于晶片W表面(上表面)的第二液体的液流不会撞击从双流体喷流喷嘴2喷出的双流体喷流的方向。双流体喷流不会受到扇状喷流及晶片W上的第二液体的液流阻碍，可撞击晶片W的表面，而从晶片W表面除去微粒子。
图5是表示从与晶片W的上表面平行的方向观看的扇喷雾喷嘴3的侧视图。扇喷雾喷嘴3相对于晶片W的表面(上表面)倾斜。扇喷雾喷嘴3的角度过大时，由堵塞微粒子的作用占支配地位，而非冲洗微粒子的作用，无法从晶片W有效排出微粒子。从该观点而言，一种实施方式的扇喷雾喷嘴3相对于晶片W表面(上表面)的角度α在15°至45°的范围内。一种实施方式的扇喷雾喷嘴3的角度α是30°。晶片W被四个保持辊6的基板保持面6a(图5仅显示两个保持辊6)所保持，晶片W的表面(上面)与通过这些基板保持面6a的平面(假设面)S平行。因此，扇喷雾喷嘴3相对于通过基板保持面6a的平面(假设面)S的角度α在15°至45°的范围内。
从如此倾斜的扇喷雾喷嘴3喷出的扇状喷流，亦实质地以与扇喷雾喷嘴3相同角度入射于晶片W的表面(上表面)。扇状喷流在晶片W表面的宽广的第二区域R2形成第二液体的液流。该第二液体的液流朝向晶片W的外侧前进，可冲走通过双流体喷流而浮起的微粒子，且可防止晶片W半干。
如图2所示，基板清洗装置进一步具备在被保持辊6保持的晶片W的表面(上表面)供给冲洗液的冲洗喷嘴30。该冲洗喷嘴30朝向晶片W的表面中心，亦即朝向基准轴心O而配置。冲洗喷嘴30连接于供给纯水等的冲洗液的冲洗液供给管线31。晶片W通过双流体喷流清洗、与通过扇状喷流清洗结束后，从冲洗喷嘴30供给冲洗液至旋转的晶片W，来冲洗整个晶片W表面。
其次，参照图6所示的流程图说明晶片W的清洗动作的一种实施方式。
步骤1中，由多个保持辊6保持晶片W的周缘部。如图4B所示，晶片W的周缘部通过各保持辊6的基板保持面6a而保持。
步骤2中，使图1所示的辊马达8工作，而使保持辊6以各自轴心CP为中心旋转。晶片W通过旋转的保持辊6以晶片W的轴心为中心而旋转。
步骤3中，使双流体喷流喷嘴2在晶片W的半径方向移动，而且从双流体喷流喷嘴2将由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流导入晶片W的表面(上表面)的第一区域R1。双流体喷流喷嘴2在旋转的晶片W中心与晶片W的周缘部之间往返移动规定次数。
步骤4中，将双流体喷流导入第一区域R1时，从扇喷雾喷嘴3将由第二液体构成的扇状喷流导入晶片W表面，而在晶片W表面的第二区域R2上形成第二液体的液流。扇状喷流的喷出在开始喷出双流体喷流的同时，或是之后开始。因此，步骤3与步骤4实质地同时进行。
步骤5中，停止喷出双流体喷流，与此同时或是之后停止喷出扇状喷流。
步骤6中，在维持晶片W旋转的状态下，从冲洗喷嘴30供给冲洗液至晶片W的表面(上表面)，由此，冲洗晶片W的表面。
步骤7中，停止辊马达8，由此停止晶片W的旋转。
其次，参照图7至图9说明基板清洗装置的其他实施方式。不特别说明的本实施方式的构成及动作与上述实施方式相同，因此省略其重复的说明。图7是表示基板清洗装置的其他实施方式的侧视图，图8是从臂部17的轴方向观看图7所示的双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3的图，图9是图7所示的基板清洗装置的俯视图。图7至图9中，省略了一些元件的图示，只要没有特别提及，本实施方式的构成与所述的实施方式相同。
本实施方式的喷嘴移动装置15以使双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3一体地平行移动的方式构成。双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3两者保持于臂部17。扇喷雾喷嘴3安装在固定于臂部17的托架35上。一种实施方式的扇喷雾喷嘴3亦可直接固定于臂部17。因此，由于扇喷雾喷嘴3连结于臂部17，因此双流体喷流喷嘴2与扇喷雾喷嘴3随着臂部17的回转动作而一体地移动。扇喷雾喷嘴3位于双流体喷流喷嘴2与支承轴18之间。因此，扇喷雾喷嘴3在与双流体喷流喷嘴2不同的轨道上移动。
臂部17回转的同时，双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3将双流体喷流及扇状喷流导入晶片W的表面(上表面)。从上方观看时，扇喷雾喷嘴3朝向相对于臂部17的延伸方向垂直的方向。因此，从上方观看时，扇喷雾喷嘴3在扇喷雾喷嘴3的移动方向喷出扇状喷流。扇喷雾喷嘴3以扇状喷流不会撞击双流体喷流的距离而从双流体喷流喷嘴2分离配置。亦即，扇喷雾喷嘴3在从双流体喷流喷嘴2及双流体喷流离开的方向喷出扇状喷流，扇状喷流不会撞击双流体喷流。扇喷雾喷嘴3的倾斜角度与参照图5所说明的角度相同。
本实施方式的扇喷雾喷嘴3可移动，而且将由第二液体构成的扇状喷流导入晶片W的表面(上表面)。因此，可在包含晶片W的表面(上表面)上的宽广区域形成第二液体的液流。该第二液体的液流可冲洗通过双流体喷流而浮起的微粒子，且可防止晶片W半干。
其次，参照图10所示的流程图，说明晶片W的清洗动作的一种实施方式。
步骤1中，由多个保持辊6保持晶片W的周缘部。如图4B所示，晶片W的周缘部通过各保持辊6的基板保持面6a而保持。
步骤2中，使图1所示的辊马达8工作，而使保持辊6以各自轴心CP为中心而旋转。晶片W通过旋转的保持辊6以晶片W的轴心为中心而旋转。
步骤3中，通过使臂部17以支承轴18为中心回转，而使双流体喷流喷嘴2及扇喷雾喷嘴3一体地移动，而且将由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流从双流体喷流喷嘴2导入晶片W的表面(上表面)，且从扇喷雾喷嘴3将由第二液体构成的扇状喷流导入晶片W的表面(上表面)。双流体喷流喷嘴2的移动方向是晶片W的半径方向。扇状喷流的喷出在开始喷出双流体喷流的同时或是之后开始。双流体喷流喷嘴2在旋转的晶片W的中心与晶片W的周缘部之间往返移动规定次数。
步骤4中，停止喷出双流体喷流，与此同时或之后停止喷出扇状喷流。
步骤5中，在维持晶片W旋转的状态下，从冲洗喷嘴30供给冲洗液至晶片W表面(上表面)，由此，冲洗晶片W的表面。
步骤6中，使辊马达8停止，由此使晶片W的旋转停止。
上述实施方式以具有本发明所属的技术领域的技术人员可实施本发明为目的而记载。熟悉本技术的技术人员当然可形成上述实施方式的各种修改例，本发明的技术性思想亦可适用于其他实施方式。因此，本发明不限定于所记载的实施方式，应按照通过权利要求所定义的技术性思想作最广范围的解释。
(产业上的可利用性)
本发明可利用于清洗晶片等的基板的基板清洗方法及基板清洗装置。
符号说明
1:晶片保持部(基板保持部)
2:双流体喷流喷嘴
3:扇喷雾喷嘴
6:保持辊
6a:基板保持面(晶片保持面)
6b:锥形部
8:辊马达
10:转矩传递机构
15:喷嘴移动装置
17:臂部
18:支承轴
20:回转马达
24:气体供给管线
25:液体供给管线
27:液体供给管线
30:冲洗喷嘴
31:冲洗液供给管线
35:托架

Claims (11)

1.一种基板清洗方法，其特征在于，
由多个保持辊保持基板的周缘部，
通过使所述多个保持辊以各自轴心为中心旋转，从而使所述基板以该基板的轴心为中心旋转，
一边使双流体喷流喷嘴在所述基板的半径方向移动，一边将由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流从所述双流体喷流喷嘴导入所述基板的表面，
在将所述双流体喷流导入所述基板的表面时，将由第二液体构成的扇状喷流从喷雾喷嘴导入所述基板表面，在所述基板的表面上形成所述第二液体的液流，
所述扇状喷流从所述双流体喷流离开。
2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，
所述喷雾喷嘴相对于所述基板的表面的角度在15°至45°的范围内。
3.如权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，
所述扇状喷流的宽度是所述基板的半径的四分之三以上。
4.如权利要求1-3中任一项所述的基板清洗方法，其特征在于，
所述扇状喷流的方向朝向所述基板的外侧。
5.如权利要求1-4中任一项所述的基板清洗方法，其特征在于，
所述喷雾喷嘴位于所述基板的上方。
6.如权利要求1-5中任一项所述的基板清洗方法，其特征在于，
一边使所述喷雾喷嘴移动，一边将所述扇状喷流从所述喷雾喷嘴导入所述基板的表面，而在所述基板的表面上形成所述第二液体的液流。
7.如权利要求6所述的基板清洗方法，其特征在于，
所述双流体喷流喷嘴与所述喷雾喷嘴固定于共用的臂部。
8.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：
多个保持辊，该多个保持辊具有用于保持基板的周缘部的多个基板保持面，并能够以自身的轴心为中心而旋转；
双流体喷流喷嘴，该双流体喷流喷嘴以形成由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流的方式构成；
扇喷雾喷嘴，该扇喷雾喷嘴以形成由第二液体构成的扇状喷流的方式构成；及
喷嘴移动装置，该喷嘴移动装置以使所述双流体喷流喷嘴平行移动的方式构成，
所述双流体喷流喷嘴及所述扇喷雾喷嘴朝向被所述多个基板保持面包围的区域，所述扇喷雾喷嘴朝向所述扇状喷流不会撞击所述双流体喷流的方向。
9.如权利要求8所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述扇喷雾喷嘴相对于通过所述多个基板保持面的平面的角度在15°至45°的范围内。
10.如权利要求8或9所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述扇喷雾喷嘴以形成具有所述基板的半径的四分之三以上的宽度的所述扇状喷流的方式构成。
11.如权利要求8-10中任一项的基板清洗装置，其特征在于，
所述喷嘴移动装置具备臂部，该臂部保持所述双流体喷流喷嘴及所述扇喷雾喷嘴。
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