CN114256311A - 显示面板和电子设备 - Google Patents

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CN114256311A
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pixel
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light emitting
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赵成民
崔凡洛
安致旭
任忠烈
崔洛初
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示面板和电子设备。该显示面板包括:在基板上的第一像素电路和第二像素电路;分别电连接到第一像素电路和第二像素电路的第一像素电极和第二像素电极;具有分别与第一像素电极和第二像素电极重叠的开口的像素限定层;在第一像素电极上的第一发射层;在第二像素电极上的第二发射层;在第一发射层和第二发射层上的对电极;以及在对电极上的抗反射层。抗反射层包括:与像素限定层的开口之间的区域相对应的挡光部分;与第一发射层重叠的第一滤色器;与第二发射层重叠的第二滤色器;以及保护层,包括位于第一滤色器和第二滤色器中的至少一个与挡光部分之间的分隔空间中的部分。

Description

显示面板和电子设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年9月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0123994号的优先权和权益,该专利申请的全部公开通过引用合并于此。
技术领域
本公开的一个或多个实施例的方面涉及显示面板和包括该显示面板的电子设备。
背景技术
显示面板已经用于各种合适的目的。而且,因为显示面板的厚度和重量已经减小,所以显示面板的使用范围已经增加。
在显示面板中,虽然显示区域所占的面积已经增加,但是各种功能已经被添加或链接到显示面板。作为在增加面积的同时添加各种功能的方法,已经进行了对具有用于提供除了显示区域中的图像显示之外的各种合适功能的区域的显示面板的研究。
在本背景技术部分中公开的上述信息用于增强对本公开的背景的理解,并且因此它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
例如诸如照相机或传感器的各种合适的部件可以布置在显示面板中以添加各种合适的功能。这样的部件可以被布置为与显示区域重叠以确保大的显示区域。作为布置部件的方法,显示面板可以包括光或声音可以穿过的透射区域。本公开的一个或多个实施例涉及具有上述结构的显示面板和包括该显示面板的电子设备。
本公开的附加的方面和特征部分地将在下面的描述中被阐述,并且部分地从该描述将显而易见,或者可以通过实践本公开所呈现的实施例中的一个或多个而获悉。
根据本公开的一个或多个实施例,一种显示面板包括:在基板上的第一像素电路和第二像素电路,第一像素电路和第二像素电路中的每一个包括晶体管、存储电容器和导线;电连接到第一像素电路的第一像素电极;与第一像素电极相邻并且电连接到第二像素电路的第二像素电极;像素限定层,覆盖第一像素电极的边缘和第二像素电极的边缘,并且具有分别与第一像素电极和第二像素电极重叠的开口;在第一像素电极上的第一发射层;在第二像素电极上的第二发射层;在第一发射层和第二发射层上的对电极;以及在对电极上的抗反射层。抗反射层包括:挡光部分,与像素限定层的与第一像素电极重叠的开口和像素限定层的与第二像素电极重叠的开口之间的区域相对应;与第一发射层重叠的第一滤色器;与第二发射层重叠的第二滤色器;以及保护层,包括位于第一滤色器和第二滤色器中的至少一个与挡光部分之间的分隔空间中的部分。
在实施例中,保护层的该部分可以与像素限定层重叠,并且保护层和像素限定层中的每一个可以包括透明有机绝缘材料。
在实施例中,显示面板可以进一步包括在对电极和抗反射层之间的输入感测层,并且保护层的该部分可以与输入感测层的上表面直接接触。
在实施例中,输入感测层可以包括触摸电极,触摸电极包括与挡光部分重叠的金属线。
在实施例中,输入感测层可以进一步包括在金属线和挡光部分之间的触摸绝缘层,触摸绝缘层包括无机绝缘材料。
在实施例中,金属线的宽度可以小于挡光部分的宽度。
在实施例中,显示面板可以进一步包括在基板和像素限定层之间的多个绝缘层。在基板的顶表面和像素限定层的顶表面之间的堆叠部可以与保护层的该部分重叠,并且堆叠部可以仅包括多个绝缘层和像素限定层。
在实施例中,显示面板可以进一步包括第一发光二极管,第一发光二极管包括第一像素电极、第一发射层和对电极,并且在平面图中,分隔空间可以至少部分地围绕第一发光二极管的发射区域。
根据本公开的一个或多个示例实施例,一种电子设备包括:包括第一显示区域和第二显示区域的显示面板;和与显示面板的第二显示区域重叠的部件。显示面板的第二显示区域包括:基板;在基板上彼此相邻的第一发光二极管和第二发光二极管;像素限定层,覆盖第一发光二极管中的第一像素电极的边缘和第二发光二极管中的第二像素电极的边缘,像素限定层具有分别与第一像素电极和第二像素电极重叠的开口;在第一发光二极管和第二发光二极管上的封装层;以及在封装层上的抗反射层。抗反射层包括:在平面图中在像素限定层的与第一像素电极重叠的开口和像素限定层的与第二像素电极重叠的开口之间的挡光部分;与第一发光二极管重叠的第一滤色器;与第二发光二极管重叠的第二滤色器;以及保护层,包括在第一滤色器和第二滤色器中的至少一个与挡光部分之间的分隔空间中的部分。
在实施例中,保护层的该部分可以与像素限定层重叠,并且保护层和像素限定层中的每一个可以包括透明有机绝缘材料。
在实施例中,电子设备可以进一步包括在封装层和抗反射层之间的输入感测层,输入感测层包括触摸电极。
在实施例中,保护层的该部分可以与输入感测层的上表面直接接触。
在实施例中,触摸电极中的每一个可以包括具有网状结构的金属线,并且挡光部分可以覆盖金属线。
在实施例中,输入感测层可以进一步包括在金属线和挡光部分之间的触摸绝缘层,触摸绝缘层包括无机绝缘材料。
在实施例中,电子设备可以进一步包括在基板和像素限定层之间的多个绝缘层。在基板的顶表面和像素限定层的顶表面之间的堆叠部可以与保护层的该部分重叠,并且堆叠部可以仅包括多个绝缘层和像素限定层。
在实施例中,对于相同尺寸的单位面积,第一显示区域处的发光二极管的数量可以等于第二显示区域处的发光二极管的数量。
根据本公开的一个或多个实施例,一种电子设备包括:包括第一显示区域和第二显示区域的显示面板;和与显示面板的第二显示区域重叠的部件。显示面板的第二显示区域包括:基板;在基板上彼此相邻的第一发光二极管和第二发光二极管;像素限定层,覆盖第一发光二极管中的第一像素电极的边缘和第二发光二极管中的第二像素电极的边缘,并且具有分别与第一像素电极和第二像素电极重叠的开口;在第一发光二极管和第二发光二极管上的封装层;以及在封装层上的抗反射层。抗反射层包括:在平面图中在像素限定层的与第一像素电极重叠的开口和像素限定层的与第二像素电极重叠的开口之间的挡光部分;与第一发光二极管重叠的第一滤色器;与第二发光二极管重叠的第二滤色器;以及在第一滤色器和第二滤色器上的保护层。该部件被配置为发射或接收穿过第一滤色器的光。
在实施例中,第一发光二极管的发射区域与挡光部分之间的第一距离可以大于第二发光二极管的发射区域与挡光部分之间的第二距离。
在实施例中,电子设备可以进一步包括在封装层和抗反射层之间的输入感测层,输入感测层包括触摸电极。
在实施例中,触摸电极中的每一个可以包括具有网状结构的金属线,并且挡光部分可以覆盖金属线。
在实施例中,输入感测层可以进一步包括在金属线和挡光部分之间的触摸绝缘层,触摸绝缘层包括无机绝缘材料。
在实施例中,对于相同尺寸的单位面积,第一显示区域处的发光二极管的数量可以等于第二显示区域处的发光二极管的数量。
通过附图、详细描述和权利要求及其等同物,将更好地理解本公开的以上及其他方面和特征。
附图说明
从以下参考附图对示例实施例的详细描述中,本公开的上述和其他方面以及特征对于本领域技术人员将变得更加显而易见,附图中:
图1是根据实施例的包括显示面板的电子设备的透视图;
图2A至图2B是根据一个或多个实施例的局部地示出电子设备的截面图;
图3A至图3H是根据一个或多个实施例的显示面板的平面图;
图4是根据实施例的示出与显示面板中的一个像素相对应的发光二极管和电连接到发光二极管的像素电路的电路图;
图5A是根据实施例的显示面板中的一个像素电路的平面图;
图5B是图5A的像素电路和连接到像素电路的发光二极管的截面图;
图6是根据实施例的布置在显示面板的第一显示区域和第二显示区域中的像素的平面图;
图7是根据实施例的显示面板的输入感测层中的触摸电极的平面图;
图8是沿着图7的线VIII-VIII'截取的输入感测层的截面图;
图9A是示出图7中的部分IXa的放大图的平面图;
图9B是示出图7中的部分IXb的放大图的平面图;
图10A是根据实施例的根据制造显示面板的工艺而局部地示出第二显示区域的平面图;
图10B是沿着图10A的线X-X'截取的显示面板的截面图;
图11A是根据实施例的根据制造显示面板的工艺而局部地示出第二显示区域的平面图;
图11B是沿着图11A的线XI-XI'截取的显示面板的截面图;
图12是根据实施例的显示面板中的第一显示区域的平面图;
图13是根据实施例的显示面板中的第二显示区域的平面图;
图14是沿着图13的线XIV-XIV'截取的显示面板的截面图;
图15是根据实施例的显示面板中的第二显示区域的平面图;并且
图16是沿着图15的线XVI-XVI'截取的显示面板的截面图。
具体实施方式
下文中,将参照附图更详细地描述示例实施例,在附图中,相同的附图标记始终指代相同的元件。然而,本公开可以以各种不同的形式体现,并且不应该被解释为仅限于本文中所示的实施例。相反,提供这些实施例作为示例,使得本公开将是彻底和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。所以,对于本领域普通技术人员完整理解本公开的方面和特征来说不必要的工艺、元件和技术可以不描述。除非另有说明,否则在整个附图和书面描述中相同的附图标记表示相同的元件,并且因此,可以不重复其冗余描述。
当某个实施例可以不同地实现时,特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序进行。例如,两个连续地描述的工艺可以同时或基本上同时进行,或者以与所描述的顺序相反的顺序进行。
在附图中,为了清楚起见,元件、层和区域的相对尺寸可以被夸大和/或简化。为了易于说明,诸如在“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……底下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语可以在本文中使用以描述如图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解,除了图中所描绘的取向之外,空间相对术语旨在包括使用或操作中的设备的不同取向。例如,如果图中的设备被翻转,则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“底下”的元件将随之被定向为在其他元件或特征“上方”。因此,示例术语“下方”和“底下”可以包含上方和下方两种取向。设备可以以其他方式定向(例如,旋转90度或以其他取向),并且本文中使用的空间相对描述词语应被相应地解释。
将理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段,但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语所限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开。因此,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,下面描述的第一元件、部件、区域、层或区段可以称为第二元件、部件、区域、层或区段。
将理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层,或者可以存在一个或多个居间元件或层。类似地,当层、区域和元件等被称为“电连接到”另一层、区域和元件等时,它们可以彼此直接电连接,或者可以存在一个或多个居间层、区域和元件等。此外,还将理解,当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时,它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层,或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
本文中使用的术语用于描述特定实施例的目的,而不是旨在限制本公开。如本文中使用的,单数形式“一”旨在也包括复数形式,除非上下文另外清楚地指出。将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包含”和“具有”及其变体指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。如本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。例如,表达“A和/或B”表示A、B或A和B。诸如“……中的至少一个”的表达,当在元件列表之后时,修饰整个元件列表而不修饰该列表中的个别元件。例如,表达“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或其变体。
如本文中所使用的,术语“基本上”、“大约”以及类似术语被用作近似的术语而不是程度的术语,并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外,当描述本公开的实施例时,“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所使用的,术语“使用”、“正使用”和“被使用”可以被认为分别与术语“利用”、“正利用”和“被利用”同义。而且,术语“示例性”旨在是指示例或例示。
除非另有定义,本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义,并且不应该在理想化或过度正式的意义上解释,除非在本文中明确如此定义。
图1是根据实施例的包括显示面板的电子设备1的透视图。
根据实施例的电子设备1是用于显示视频和/或静止图像的设备,并且可以用作例如诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航终端和/或超移动PC(UMPC)等的便携式电子设备,并且还可以用作例如诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和/或物联网(IoT)设备等的各种合适产品中的显示屏。而且,电子设备1可以用在例如诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和/或头戴式显示器(HMD)等的可穿戴设备中。而且,电子设备1可以用在车辆的仪表板、车辆的中央控制面板或仪表板中的中心信息显示器、代替车辆的侧后视镜的后视镜显示器和/或作为车辆后排座椅的娱乐装置的在前排座椅后侧的显示器等中。为了便于描述和说明,图1示出了电子设备1被用作智能电话,但是本公开不限于此。
参见图1,电子设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA的外部处(例如,在显示区域DA的外部中或上)的非显示区域NDA。电子设备1可以经由二维地布置在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或上)的多个像素的阵列来提供图像。
非显示区域NDA不提供图像,并且可以(例如,绕着显示区域DA的外围)完全地围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供给在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或上)的像素的驱动器等可以位于非显示区域NDA处(例如,在非显示区域NDA中或上)。非显示区域NDA可以包括焊盘,电子设备和/或印刷电路板等可以电连接到焊盘。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第二显示区域DA2是在其处(例如,在其中或上)布置有用于向电子设备1添加各种合适的功能的部件的区域,并且可以与部件区域相对应。
图2A和图2B是根据一个或多个实施例的局部地示出电子设备1的截面图。
参见图2A和图2B,电子设备1可以包括显示面板10以及与显示面板10重叠的部件20。部件20可以在第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)。
显示面板10可以包括基板100、在基板100上的显示层200、在显示层200上的封装构件(例如,300A或300B)、输入感测层400、抗反射层600和窗口700。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。例如,基板100可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。基板100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
显示层200在基板100的前表面上,并且下保护膜175可以在基板100的后表面上。下保护膜175可以附接到基板100的后表面。粘合层可以在下保护膜175和基板100之间。作为另一示例,下保护膜175可以直接在基板100的后表面上,并且在这种情况下,粘合层可以不提供在下保护膜175和基板100之间。
下保护膜175可以支撑和保护基板100。下保护膜175可以包括与第二显示区域DA2相对应的开口175OP。下保护膜175可以包括例如诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。
显示层200可以包括多个像素。像素中的每一个可以包括显示元件,并且可以发射红色光、绿色光或蓝色光。显示元件可以包括发光二极管LED。在实施例中,发光二极管LED可以包括包含有机发射层的有机发光二极管。在另一实施例中,发光二极管LED可以包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含一种或多种基于无机半导体的材料的PN结二极管。当电压在正向方向上被施加给PN结二极管时,空穴和电子被注入,并且通过空穴和电子的复合产生的能量被转换成光能以发射具有期望颜色(例如,预定或特定颜色)的光。无机发光二极管可以具有在几微米到几百微米的范围内的宽度,并且在一些实施例中,无机发光二极管可以被称为微型LED。在一些实施例中,无机发光二极管可以具有在几纳米到几百纳米的范围内的宽度。在一些实施例中,发光二极管LED可以包括量子点发光二极管。发光二极管LED中的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
发光二极管LED可以电连接到布置在其底下的晶体管TFT。在这方面,图2A和图2B示出了缓冲层111在基板100上,晶体管TFT在缓冲层111上,并且发光二极管LED经由覆盖晶体管TFT的绝缘层IL中的接触孔电连接到晶体管TFT。
在一些实施例中,晶体管TFT和电连接到晶体管TFT的发光二极管LED可以分别位于第一显示区域DA1和第二显示区域DA2处(例如,在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中或上)。
第二显示区域DA2可以包括透射区域TA。透射区域TA可以是从部件20发射和/或朝向部件20发射的光穿过(例如,透过)的区域。在显示面板10中,透射区域TA的透射率可以为大约30%或更大、大约40%或更大、大约50%或更大、大约60%或更大、大约70%或更大、大约75%或更大、大约80%或更大、大约85%或更大或者大约90%或更大。
显示层200可以被封装构件封装。在一些实施例中,如图2A中所示,封装构件可以包括封装层300A。封装层300A可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中,封装层300A可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
在一些实施例中,如图2B中所示,封装构件可以包括封装基板300B。封装基板300B可以面对基板100,显示层200在基板100与封装基板300B之间。封装基板300B可以包括玻璃。密封剂在基板100和封装基板300B之间,并且密封剂可以在上面参见图1描述的非显示区域NDA处(例如,在非显示区域NDA中或上)。非显示区域NDA处(例如,在非显示区域NDA中或上)的密封剂可以(例如,绕着显示区域DA的外围)围绕显示区域DA,以防止或基本上防止湿气通过显示区域DA的侧表面渗透。
输入感测层400可以在封装层300A或封装基板300B上。输入感测层400可以根据外部输入(例如,手指或诸如手写笔的物体的触摸事件)获得坐标信息。输入感测层400可以包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入感测层400可以通过互电容方法或自电容方法来感测外部输入。
抗反射层600可以如图2A中所示在封装层300A上,或者可以如图2B中所示在封装基板300B底下。抗反射层600可以减小从外部入射到显示面板10中的光的(例如,外部光的)反射率。抗反射层600可以包括包含挡光部分和滤色器的过滤板。过滤板可以包括在像素中的每一个处(例如,在像素中的每一个中或上)的滤色器、挡光部分和保护层。
窗口700在抗反射层600上,并且可以经由例如诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层连接到抗反射层600。窗口700可以包括玻璃材料或塑料材料。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素等。
部件20可以与显示区域DA的第二显示区域DA2重叠。部件20可以包括接近传感器、照度传感器、虹膜传感器、面部识别传感器和/或照相机(例如,图像传感器)。部件20可以利用光。例如,部件20可以发射和/或接收红外线带、紫外线带或可见光带中的光。使用红外线的接近传感器可以检测与电子设备1的上表面相邻的物体,并且照度传感器可以感测入射到电子设备1的上表面中的光的亮度。另外,虹膜传感器可以捕获电子设备1的上表面上的人的虹膜的图像,并且照相机可以接收来自电子设备1的上表面上的物体的光。与显示面板10的第二显示区域DA2重叠的部件20不限于接近传感器、照度传感器、虹膜传感器、面部识别传感器和/或图像传感器,或者换句话说,可以提供各种合适的传感器作为部件20。
图3A至图3H是根据一个或多个实施例的显示面板10的平面图。
图3A至图3H示出了第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的各种合适的示例布置。显示区域DA可以被非显示区域NDA完全地围绕(例如,绕其外围)。焊盘部分位于非显示区域NDA处(例如,在非显示区域NDA中或上),并且如图3A中所示,显示电路板30可以经由非显示区域NDA的柔性膜34或连接到非显示区域NDA的柔性膜34电连接到非显示区域NDA的焊盘部分。显示电路板30可以包括可弯曲的柔性印刷电路板(FPCB)、刚性且难于弯曲的刚性印刷电路板(PCB)或包括刚性PCB和FPCB两者的复合印刷电路板。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。如上所述,第二显示区域DA2可以是在其处(例如,在其中或上)提供部件20的一种部件区域。
参见图3A至图3E,第二显示区域DA2可以位于第一显示区域DA1内(例如,在第一显示区域DA1内部),并且可以被第一显示区域DA1完全地围绕(例如,绕其外围)。第二显示区域DA2可以在平面图(例如,从垂直于或基本垂直于相关元件或层的顶表面的方向观察的视图)中具有圆形形状。作为另一示例,第二显示区域DA2可以在平面图中具有例如诸如四边形形状的多边形形状,或者可以在平面图中具有椭圆形状。
第二显示区域DA2可以位于各种合适的位置处。如图3A中所示,在平面图中,第二显示区域DA2可以位于显示区域DA的上中央部分处(例如,在显示区域DA的上中央部分中或上)。如图3B中所示,在平面图中,第二显示区域DA2可以位于显示区域DA的右上部分处(例如,在显示区域DA的右上部分中或上)。作为另一示例,如图3C中所示,在平面图中,第二显示区域DA2可以位于显示区域DA的中央部分处(例如,在显示区域DA的中央部分中或上),并且在这种情况下,当与第二显示区域DA2相对应地布置的部件20包括照相机时,正在拍照或进行视频通话的用户的眼睛可以自然地聚焦在照相机上。
如本文的说明书中所使用的,在平面图中,当从垂直于或基本垂直于显示面板10的表面(例如,前表面或顶表面)的方向观察电子设备1时,左、右、上和下方向表示对应的方向。例如,左方向表示-x方向,右方向表示+x方向,上方向表示+y方向,并且下方向表示-y方向。图3A示出了一个第二显示区域DA2,但是在其他实施例中,可以有多个第二显示区域DA2。
如图3D和图3E中所示,第二显示区域DA2可以包括彼此相邻的两个或更多个子显示区域,并且在实施例中,图3D和图3E示出第二显示区域DA2包括第一子显示区域DA2-1和第二子显示区域DA2-2。第一子显示区域DA2-1和第二子显示区域DA2-2可以如图3D和图3E中所示被布置为在x方向上彼此相邻,或者可以被布置为在y方向上彼此相邻。第一子显示区域DA2-1和第二子显示区域DA2-2可以如图3D中所示具有彼此相同或基本相同的尺寸(例如,可以具有同等尺寸),或者可以如图3E中所示具有彼此不同的尺寸。
如图3F至图3H中所示,第二显示区域DA2位于第一显示区域DA1的一侧(例如,在第一显示区域DA1的一端),并且可以被第一显示区域DA1部分地围绕(例如,绕其外围),使得第二显示区域DA2的一侧(例如,边缘)可以与非显示区域NDA相邻。
如图3F和图3G中所示,第二显示区域DA2可以具有从显示区域DA的一侧朝向显示区域DA的中心凹入的凹口型形状。凹口在平面图中可以具有各种合适的形状(例如,四边形形状、半圆形形状和/或半椭圆形形状等)。作为另一示例,如图3H中所示,第二显示区域DA2可以具有在x方向上延伸的条型形状。
图4是根据实施例的示出与显示面板中的一个像素相对应的发光二极管LED和电连接到发光二极管LED的像素电路PC的电路图。
参见图4,像素电路PC电连接到发光二极管LED。像素电路PC可以包括多个晶体管和存储电容器。晶体管和存储电容器可以电连接到各种导线。导线可以包括信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VIL以及驱动电压线PL。
图4示出了每个像素电路PC连接到信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VIL以及驱动电压线PL,但是本公开不限于此。在另一实施例中,信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VIL和驱动电压线PL中的至少一条可以由邻近的像素电路PC(例如,由相邻的像素电路PC)共享。
在实施例中,图4示出像素电路PC包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。
信号线包括用于传输扫描信号GW的第一扫描线SWL、用于将前一扫描信号GI传输到第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7的第二扫描线SIL、用于将发射控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6的发射控制线EL以及与第一扫描线SWL交叉并且用于传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1,并且初始化电压线VIL传输用于初始化驱动晶体管T1和发光二极管LED的像素电极的初始化电压Vint。
存储电容器Cst包括第一电极CE1和第二电极CE2,并且可以连接到驱动晶体管T1的栅电极G1。第二电极CE2连接到驱动电压线PL,并且发光二极管LED的对电极连接到用于传输公共电压ELVSS的线。于是,发光二极管LED通过从驱动晶体管T1接收驱动电流ILED而发光。
在图4中,补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4各自被示出为具有双栅电极,但是本公开不限于此,并且在一些实施例中,补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4中的至少一个可以具有单栅(例如,一个栅)电极。
图4示出了像素电路PC包括七个晶体管和一个存储电容器,但是本公开不限于此。晶体管的数量和存储电容器的数量可以取决于像素电路PC的设计而不同地改变,例如,使得其晶体管的数量可以为6个以下或8个以上。
图4示出了第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7连接到同一第二扫描线SIL的情况,但是本公开不限于此。在另一实施例中,第一初始化晶体管T4可以连接到第二扫描线SIL以根据前一扫描信号GI而操作,并且第二初始化晶体管T7可以连接到在相对于与第二初始化晶体管T7相对应的像素电路PC的前一行或下一行中的像素电路PC的第一扫描线SWL或第二扫描线SIL。
图5A是根据实施例的显示面板中的一个像素电路的平面图。
参见图5A,驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7沿着半导体层1130布置。
半导体层1130的一些区域与驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7的半导体层相对应。换句话说,驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7的半导体层彼此连接,并且被弯曲(或折弯)成各种合适的形状。
图5A示出了驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7沿着半导体层1130形成,但是本公开不限于此。在另一实施例中,上述晶体管中的一些晶体管可以沿着半导体层1130形成,并且上述晶体管中的其他晶体管可以沿着与半导体层1130在空间上和电气上分离(例如,间隔开)的另一半导体层形成。例如,补偿晶体管T3和/或第一初始化晶体管T4可以沿着包括与图5A中所示的半导体层1130的材料不同的材料的半导体层形成。在一些实施例中,当半导体层1130包括硅类半导体材料时,在其处(例如,在其中或上)形成补偿晶体管T3和/或第一初始化晶体管T4的半导体层可以包括氧化物类半导体材料。
半导体层1130包括沟道区以及在沟道区的相对侧处的源区和漏区。源区和漏区可以分别被理解为对应晶体管的源电极和漏电极。在下文中,为了便于描述,源区和漏区可以分别称为源电极和漏电极。
驱动晶体管T1包括与驱动沟道区重叠的驱动栅电极G1以及在驱动沟道区的相对侧处的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区具有弯曲形状(例如,欧米茄形状),以在狭窄的空间内建立更长的沟道长度。当驱动沟道区具有更长的沟道长度时,栅电压的驱动范围增大,并且因此,可以精细地控制从有机发光二极管(OLED)发射的光的灰度级。于是,可以改善图像显示的质量。
开关晶体管T2包括与开关沟道区重叠的开关栅电极G2以及在开关沟道区的相对侧处的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以电连接到驱动源电极S1。
补偿晶体管T3可以是包括分别与两个补偿沟道区重叠的补偿栅电极G3以及在两个补偿沟道区的相对侧处的补偿源电极S3和补偿漏电极D3的双晶体管。补偿晶体管T3可以经由将在下面更详细地描述的节点连接线1174连接到驱动晶体管T1的驱动栅电极G1。
第一初始化晶体管T4可以是包括分别与两个第一初始化沟道区重叠的第一初始化栅电极G4以及在两个第一初始化沟道区的相对侧处的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4的双晶体管。
操作控制晶体管T5可以包括与操作控制沟道区重叠的操作控制栅电极G5以及在操作控制沟道区的相对侧处的操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以连接到驱动源电极S1。
发射控制晶体管T6可以包括与发射控制沟道区重叠的发射控制栅电极G6以及在发射控制沟道区的相对侧处的发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6。发射控制源电极S6可以连接到驱动漏电极D1。
第二初始化晶体管T7可以包括与第二初始化沟道区重叠的第二初始化栅电极G7以及在第二初始化沟道区的相对侧处的第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。
第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和驱动栅电极G1可以布置在半导体层1130上,在其之间提供一个或多个绝缘层。
第一扫描线SWL、第二扫描线SIL和发射控制线EL可以各自在第一方向(例如,x方向)上延伸。第一扫描线SWL的一些部分可以与开关栅电极G2和补偿栅电极G3相对应。第二扫描线SIL的一些部分可以与第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7相对应。发射控制线EL的一些部分可以与操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6相对应。
驱动栅电极G1是被隔离的电极,并且可以经由节点连接线1174连接到补偿晶体管T3。电极电压线HL可以布置在第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和驱动栅电极G1上,在其之间提供一个或多个绝缘层。
电极电压线HL可以在第一方向(例如,x方向)上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分覆盖驱动栅电极G1的至少一部分,并且可以与驱动栅电极G1一起配置存储电容器Cst。例如,驱动栅电极G1可以与存储电容器Cst的第一电极CE1相对应(例如,可以是存储电容器Cst的第一电极CE1),并且电极电压线HL的一部分可以与存储电容器Cst的第二电极CE2相对应(例如,可以是存储电容器Cst的第二电极CE2)。
存储电容器Cst的第二电极CE2电连接到驱动电压线PL,这将在下面更详细地描述。电极电压线HL可以经由接触孔CNT连接到电极电压线HL上的驱动电压线PL。因此,电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL的电压电平相同的电压电平(例如,恒定或基本恒定的电压)。电极电压线HL可以被认为是在横向方向上延伸的驱动电压线PL(例如,驱动电压线PL的一部分或连接至驱动电压线PL)。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以布置在电极电压线HL上,在其之间提供一个或多个绝缘层。
数据线DL和驱动电压线PL可以在第二方向(例如,y方向)上延伸。数据线DL可以经由接触孔1154连接到开关晶体管T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以是开关源电极。
初始化连接线1173的一端经由接触孔1152连接到第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7,并且初始化连接线1173的另一端可以经由接触孔1151连接到将在下面更详细地描述的初始化电压线VIL。
节点连接线1174的一端可以经由接触孔1156连接到补偿漏电极D3,并且节点连接线1174的另一端可以经由接触孔1157连接到驱动栅电极G1。
初始化电压线VIL可以布置在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上,在其之间提供一个或多个绝缘层。
初始化电压线VIL在第一方向(例如,x方向)上延伸。初始化电压线VIL可以经由初始化连接线1173连接到第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7。初始化电压线VIL在与电极电压线HL的层相同的层处,并且可以包括与电极电压线HL的材料相同的材料。
图5B是图5A的像素电路PC和连接到像素电路PC的发光二极管LED的截面图。图5B示出了发光二极管LED包括根据实施例的有机发光二极管OLED。
参见图5B,像素电路PC在基板100上,并且有机发光二极管OLED可以在像素电路PC上。
如上所述,基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。缓冲层111在基板100上,以减少或阻止杂质、湿气和/或外部空气从基板100的下部渗透,并且在基板100上提供平坦或基本平坦的表面。缓冲层111可以包括例如诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料或无机-有机复合材料,并且可以具有包括无机材料和有机材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
半导体层1130可以在缓冲层111上。如以上参见图5A所述,半导体层1130可以包括每个晶体管的源区(或源电极)、漏区(或漏电极)以及源区和漏区之间的沟道区。在实施例中,图5B示出了:驱动晶体管T1的驱动沟道区C1以及在驱动沟道区C1的相对侧处的驱动源电极S1和驱动漏电极D1;以及发射控制晶体管T6的发射控制沟道区C6以及在发射控制沟道区C6的相对侧处的发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6。半导体层1130可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。
第一绝缘层112可以在半导体层1130上。第一绝缘层112是栅绝缘层,并且可以将其上的栅电极(例如,驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6)与其下的半导体层1130电绝缘。第一绝缘层112可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以与驱动晶体管T1的驱动栅电极G1被提供为一体。例如,驱动晶体管T1的驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
第二电极CE2可以与第一电极CE1重叠,第二绝缘层113在其之间。在实施例中,电极电压线HL的一部分可以是存储电容器Cst的第二电极CE2。第二电极CE2可以被第三绝缘层115覆盖。第二绝缘层113和第三绝缘层115可以各自包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。
数据线DL、驱动电压线PL和接触金属1175可以在第三绝缘层115上,并且接触金属1175可以经由接触金属1175和像素电极210之间的第四绝缘层117中的接触孔1163电连接到像素电极210。
第四绝缘层117可以包括例如诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括一般通用聚合物(例如诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或其混合物。
像素电极210可以是反射电极。在一些实施例中,像素电极210可以具有多层结构,该多层结构包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物的反射层以及在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中的至少一种电极材料。在一些实施例中,像素电极210可以包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119具有暴露像素电极210的中心部分的开口119OP,以限定有机发光二极管OLED的发射区域。例如,开口119OP的尺寸和宽度可以与发射区域(例如,像素)的尺寸和宽度相对应。
像素限定层119增加像素电极210的边缘与像素电极210上的对电极230之间的距离,以防止或基本上防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层119可以包括透明材料(例如,透明有机绝缘材料)。像素限定层119可以包括聚酰亚胺(例如,光敏聚酰亚胺)(PI)。作为另一示例,像素限定层119可以包括有机绝缘材料,例如诸如聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和/或酚树脂等。
发射层220可以包括包含用于发射红色、绿色或蓝色光的荧光或磷光体材料的有机材料。在一些实施例中,功能层可以进一步位于发射层220底下和/或上(例如,上方)。功能层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和/或电子传输层。
对电极230可以是透射电极。对电极230可以被提供为具有小的功函数的、包括Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg和/或其化合物或者双层结构的LiF/Ca或LiF/Al的金属薄膜。另外,可以在金属薄膜上方进一步提供透明导电氧化物(TCO)层,例如诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3。对电极230可以形成为完全覆盖显示区域DA。
参见图5A和图5B,晶体管的半导体层、晶体管的电极、存储电容器的电极和导线可以位于基板100和像素限定层119之间。从半导体层、电极、导线和像素电极210中选择的至少两个可以彼此重叠,并且其重叠区域是光可以不穿过的区域。另一方面,如图5A和图5B中所示,当从垂直于或基本垂直于基板100的方向(例如,在平面图中)观察基板100时,在其处(例如,在其中或上)半导体层、电极、导线和像素电极210彼此不重叠的区域可以与光穿过的区域(在下文中,称为间隙区域RT)相对应。
间隙区域RT可以包括包含(例如,仅包含)像素限定层119、基板100以及像素限定层119和基板100之间的绝缘层的堆叠结构。堆叠结构(例如,其堆叠部)位于基板100的顶表面与像素限定层119的顶表面之间,并且包括(例如,仅包括)绝缘层(例如,缓冲层111、第一绝缘层112、第二绝缘层113、第三绝缘层115、第四绝缘层117和像素限定层119)。例如,在间隙区域RT处(例如,在间隙区域RT中或上),缓冲层111、第一至第四绝缘层112、113、115和117以及像素限定层119可以被堆叠(例如,可以仅被堆叠)。换句话说,间隙区域RT(或堆叠结构)不包括在基板100的顶表面和像素限定层119的顶表面之间的、包括用于反射或阻挡光的材料的层(例如诸如半导体层、电极、导线和像素电极210)。
图6是根据实施例的布置在显示面板的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2处(例如,在显示面板的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中或上)的像素的平面图。
参见图6,第一至第三像素Pa、Pb和Pc可以位于第一显示区域DA1和第二显示区域DA2处(例如,在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中或上)。第一至第三像素Pa、Pb和Pc可以通过发光二极管发射彼此不同颜色的光,并且第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个的尺寸可以与以上参见图5B描述的像素限定层119的开口119OP相对应。在下文中,为了便于描述,将描述第一像素Pa与红色像素相对应,第二像素Pb与绿色像素相对应,并且第三像素Pc与蓝色像素相对应,但是本公开不限于此。
第一显示区域DA1的第一至第三像素Pa、Pb和Pc的布置、开口率(例如,每单位面积的发光区域的比率)和/或数量可以等同于或基本上等同于第二显示区域DA2的第一至第三像素Pa、Pb和Pc的布置、开口率和/或数量。例如,对于相同尺寸的单位面积,第一显示区域DA1处(例如,在第一显示区域DA1中或上)的像素的布置和/或数量可以与第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)的像素的布置和/或数量相同或基本相同。像素中的每一个(例如,第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个)包括发光二极管,并且因此,像素的相同或基本相同的布置和/或数量可以表示第一显示区域DA1处的发光二极管的布置和/或数量可以与第二显示区域DA2处的发光二极管的布置和/或数量相同或基本相同。例如,对于相同尺寸的单位面积,第一显示区域DA1处(例如,在第一显示区域DA1中或上)的发光二极管的布置和/或数量可以等同于或基本等同于第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)的发光二极管的布置和/或数量。
第一至第三像素Pa、Pb和Pc可以以RGBG矩阵类型布置(例如,诸如
Figure BDA0003277363960000171
布置,
Figure BDA0003277363960000172
是三星显示有限公司的正式注册商标)来布置。在第一行1N中,多个第三像素Pc和多个第一像素Pa交替地布置,并且在相邻的第二行2N中,多个第二像素Pb被布置为彼此间隔开合适的距离(例如,预定的或特定的距离)。在第三行3N中,第一像素Pa和第三像素Pc交替地布置,并且在第四行4N中,多个第二像素Pb被布置为彼此间隔开合适的距离(例如,预定的或特定的距离)。重复像素的上述布置到第N行,N是自然数。在这里,第三像素Pc和第一像素Pa的尺寸(例如,宽度)可以大于第二像素Pb的尺寸(例如,宽度)。
第一行1N中的多个第一像素Pa和多个第三像素Pc以及第二行2N中的多个第二像素Pb逐行交替地布置。因此,第三像素Pc和第一像素Pa交替地布置在第一列1M中,多个第二像素Pb布置在相邻的第二列2M中以彼此间隔开合适的距离(例如,预定的或特定的距离),第一像素Pa和第三像素Pc交替地布置在第三列3M中,并且多个第二像素Pb布置在第四列4M中以彼此间隔开合适的距离(例如,预定的或特定的距离)。另外,重复像素的上述布置到第M列,M是自然数。
换句话说,在具有中心(以第二像素Pb为其中心)的虚拟四边形VS的顶点中,第三像素Pc布置在彼此相对的第一顶点和第三顶点处,并且第一像素Pa可以布置在其余顶点(即,第二顶点和第四顶点)处。在这里,可以对虚拟四边形VS进行各种修改,例如,修改为矩形、菱形和/或正方形等。
该像素布置结构可以被称为RGBG矩阵结构或RGBG结构(例如,
Figure BDA0003277363960000181
矩阵结构或
Figure BDA0003277363960000183
结构,
Figure BDA0003277363960000182
是三星显示有限公司的正式注册商标)。通过应用其中通过共享像素的相邻像素的颜色来表示像素的颜色的渲染,可以通过较少数量的像素来获得高分辨率。
图6示出第一至第三像素Pa、Pb和Pc以RGBG矩阵结构布置在第一显示区域DA1处(例如,在第一显示区域DA1中或上),但是本公开不限于此。例如,第一至第三像素Pa、Pb和Pc可以以各种合适的结构布置,例如,诸如条纹结构、镶嵌(mosaic)布置结构和/或三角形布置结构等。
如图6中所示,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2处的第一至第三像素Pa、Pb和Pc可以具有相同或基本相同的布置。第一显示区域DA1中的像素的密度和第二显示区域DA2中的像素的密度可以彼此相同或基本相同。换句话说,每单位面积的第一显示区域DA1处(例如,在第一显示区域DA1中或上)的像素的数量(或面积)和第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)的像素的数量(或面积)可以彼此相等或基本相等。
图7是根据实施例的示出显示面板中的输入感测层400中的触摸电极的平面图,图8是沿着图7的线VIII-VIII'截取的输入感测层400的截面图,图9A是示出图7中的部分IXa的放大图的平面图,并且图9B是示出图7中的部分IXb的放大图的平面图。
参见图7,输入感测层400可以包括第一触摸电极410和第二触摸电极420。第一触摸电极410和第二触摸电极420可以被布置为在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或上)彼此交叉。
第一触摸电极410可以沿着y方向布置,并且第二触摸电极420可以沿着与y方向交叉(例如,与y方向相交)的x方向布置。沿着y方向布置的第一触摸电极410可以经由在邻近的第一触摸电极410(例如,第一触摸电极410中相邻的第一触摸电极410)之间的第一连接电极411彼此连接。沿着x方向布置的第二触摸电极420可以经由在邻近的第二触摸电极420(例如,第二触摸电极420中相邻的第二触摸电极420)之间的第二连接电极421彼此连接。
第一触摸电极410和第二触摸电极420可以各自具有如图7中所示的网状结构。例如,第一触摸电极410和第二触摸电极420中的每一个可以包括延伸以彼此交叉的第一金属线m1和第二金属线m2。第一金属线m1和第二金属线m2可以彼此一体地连接以形成网状(例如,网)结构。第一金属线m1和第二金属线m2可以各自包括钼(Mo)、钔(Mb)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和/或其合金。
因为第一触摸电极410和第二触摸电极420中的每一个具有网状结构,所以第一触摸电极410和第二触摸电极420中的每一个可以包括孔410H或420H。如图9A和图9B中所示,孔410H和420H可以与像素P重叠。
类似于第一触摸电极410和第二触摸电极420,第一连接电极411和第二连接电极412可以各自包括具有网状结构的金属线。第一连接电极411和第二连接电极412还包括像图9A和图9B中所示的那些孔一样的孔,并且其孔可以与像素P重叠。
如图8中所示,输入感测层400可以包括第一触摸绝缘层401、第一导电层CML1、第二触摸绝缘层403、第二导电层CML2和第三触摸绝缘层405。第一导电层CML1可以包括第一连接电极411。第二导电层CML2可以包括第一触摸电极410和第二触摸电极420以及第二连接电极421。在另一实施例中,第一触摸电极410和第二触摸电极420中的一个可以被包括在第一导电层CML1中,并且其中的另一个可以被包括在第二导电层CML2中。第一至第三触摸绝缘层401、403和405可以各自包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施例中,第一至第三触摸绝缘层401、403和405可以各自包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
图10A是根据制造工艺的显示面板10的平面图并且示出了第二显示区域DA2的一部分,并且图10B是沿着图10A的线X-X'截取的显示面板10的截面图。
参见图10A和图10B,像素电路PC形成在基板100上。像素电路PC可以布置为行和列,并且像素电路PC中的每一个可以具有以上参见图5A和图5B描述的结构。
例如,如图10B中所示,缓冲层111被提供在基板100上,并且半导体层1130可以被提供在缓冲层111上。第一绝缘层112被提供在半导体层1130上,栅层1140被提供在第一绝缘层112上,第二绝缘层113被提供在栅层1140上,并且电极层1150可以被提供在第二绝缘层113上。第三绝缘层115被提供在电极层1150上,源/漏层1160被提供在第三绝缘层115上,并且第四绝缘层117可以被提供在源/漏层1160上。
半导体层1130包括以上参见图5A和图5B描述的晶体管的半导体层。栅层1140包括晶体管的栅电极、扫描线、发射控制线和存储电容器的第一电极。电极层1150包括存储电容器的第二电极。源/漏层1160可以包括连接到半导体层1130的源区或漏区的线(例如,图5A和图5B中所示的数据线DL和驱动电压线PL)和/或连接器(例如,图5B的接触金属1175)。
在形成像素电路PC之后,可以形成发光二极管。在这方面,图10A示出了第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3。第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3中的每一个可以具有其中像素电极210、发射层220和对电极230堆叠在彼此上的堆叠结构。第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3中的发射层220可以发射彼此不同颜色的光。
如图10B中所示,像素电极210在第四绝缘层117上,并且如图10A中所示,像素电极210可以经由接触孔1163电连接到像素电路PC中的一个。像素电极210彼此间隔开,并且每个像素电极210的边缘被像素限定层119覆盖。像素限定层119可以包括与像素电极210中的每一个相对应的开口119OP,并且开口119OP与发射区域或像素相对应。与第一有机发光二极管OLED1中的像素电极210重叠的开口119OP可以限定第一像素Pa,并且与第二有机发光二极管OLED2的像素电极210重叠的开口119OP可以限定第二像素Pb。类似地,与第三有机发光二极管OLED3的像素电极210重叠的开口119OP可以限定第三像素Pc。
不同于分别与其他的像素电极210和发射层220间隔开的像素电极210和发射层220,对电极230可以一体地提供(例如,一体地形成)以与第一至第三像素Pa、Pb和PC相对应,如图10B中所示。对电极230可以由第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3共享。
多个间隙区域RT在基板100处(例如,在基板100中或上)。间隙区域RT是基板100与对电极230之间的多层中的具有透光性的元件(例如,诸如半导体层1130、栅层1140、电极层1150、源/漏层1160和像素电极210)彼此不重叠的区域。在实施例中,如图10B中所示,间隙区域RT可以是在其处(例如,在其中或上)缓冲层111、第一至第四绝缘层112、113、115和117以及像素限定层119彼此重叠的区域。
在形成对电极230之后,可以提供封装层300A。封装层300A可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层,并且在实施例中,图10B示出了第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括例如诸如聚甲基丙烯酸酯和/或聚丙烯酸的丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。在实施例中,有机封装层320可以包括丙烯酸酯聚合物。
图11A是根据实施例的根据制造工艺的显示面板10的平面图,并且示出了第二显示区域DA2的一部分。图11B是沿着图11A的线XI-XI'截取的显示面板10的截面图。图11A和图11B示出了在已经进行了参见图10A和图10B示出的工艺之后的制造工艺。
参见图11A和图11B,输入感测层400被提供在封装层300A上。输入感测层400可以具有上面参见图7至图9B描述的结构,并且图11B示出了具有网状结构(例如,彼此交叉的第一金属线m1和第二金属线m2)的触摸电极被包括在输入感测层400中。第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个可以被彼此交叉的第一金属线m1和第二金属线m2完全地围绕(例如,绕其外围),并且在这方面,图11B示出了第二金属线m2在发光二极管中的相邻的发光二极管之间,例如诸如在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2之间。
如图11B中所示,输入感测层400可以包括第一至第三触摸绝缘层401、403和405,并且第一金属线m1和第二金属线m2可以在第二触摸绝缘层403与第三触摸绝缘层405之间。在另一实施例中,第一金属线m1和第二金属线m2可以在第一触摸绝缘层401和第二触摸绝缘层403之间。
在形成输入感测层400之后,形成包括挡光部分(例如,挡光图案)610以及第一至第三滤色器621、622和623的抗反射层600。
挡光部分610可以与例如诸如第一金属线m1和第二金属线m2的金属线重叠。例如,第一金属线m1和第二金属线m2可以被挡光部分610覆盖。第一金属线m1和第二金属线m2中的每一条的宽度W2可以小于或者等于或基本上等于挡光部分610的宽度W1。
挡光部分610可以具有与第一金属线m1和第二金属线m2的形状相同或基本相同的形状,例如诸如网状结构。在平面图中,挡光部分610可以(例如,绕着第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个的外围)围绕第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个。换句话说,第一像素Pa可以位于由在平面图中(例如,绕着第一像素Pa的外围)围绕第一像素Pa的挡光部分610限定的内部孔610H中。类似地,第二像素Pb和第三像素Pc中的每一个可以在平面图中位于由挡光部分610限定的内部孔610H中。因此,挡光部分610可以在邻近的(例如,相邻的)像素(或相邻的发光二极管)之间。在这方面,图11B示出了挡光部分610在第一像素Pa和第二像素Pb之间和/或在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2之间。例如,当挡光部分610在第一像素Pa和第二像素Pb之间时,这可以表示在平面图中,挡光部分610在像素限定层119的限定第一像素Pa的开口119OP和像素限定层119的限定第二像素Pb的开口119OP之间。
第一至第三滤色器621、622和623可以彼此间隔开。第一至第三滤色器621、622和623可以位于由挡光部分610限定的内部孔610H中,同时与第一至第三像素Pa、Pb和Pc重叠。第一至第三滤色器621、622和623可以根据从第一至第三像素Pa、Pb和Pc发射的光的颜色来布置。例如,第一滤色器621可以是与第一像素Pa重叠的红色滤色器,第二滤色器622可以是与第二像素Pb重叠的绿色滤色器,并且第三滤色器623可以是与第三像素Pc重叠的蓝色滤色器。在这方面,图11B示出了第一滤色器621与对应于第一像素Pa的第一有机发光二极管OLED1中的像素电极210和发射层220重叠,并且第二滤色器622与对应于第二像素Pb的第二有机发光二极管OLED2中的像素电极210和发射层220重叠。
第一至第三滤色器621、622和623可以分开形成。例如,包括绿色颜料或染料的光敏材料被完全地涂覆在基板100上,并且然后可以进行曝光和显影工艺以获得与第二像素Pb重叠的第二滤色器622。类似地,包括红色颜料或染料的光敏材料被完全地涂覆在基板100上,并且然后可以进行曝光和显影工艺以获得与第一像素Pa重叠的第一滤色器621。同样,包括蓝色颜料或染料的光敏材料被完全地涂覆到基板100上,并且然后可以进行曝光和显影工艺以获得与第三像素Pc重叠的第三滤色器623。
第一至第三滤色器621、622和623可以与挡光部分610间隔开。如图11A中所示,挡光部分610与第一至第三滤色器621、622和623中的每一个之间的分隔空间SS在平面图中可以具有框架形状。因此,在平面图中,第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个可以被分隔空间SS完全地围绕(例如,绕其外围)。在这方面,图11B示出了两个相邻的滤色器(例如,第一滤色器621和第二滤色器622)通过分隔空间SS与挡光部分610间隔开。例如,第一滤色器621和挡光部分610彼此间隔开(例如,彼此分离),使得分隔空间SS可以在第一滤色器621和挡光部分610之间,并且第二滤色器622和挡光部分610彼此间隔开(例如,彼此分离),使得分隔空间SS可以在第二滤色器622和挡光部分610之间。同样地,第三滤色器623和挡光部分610彼此间隔开(例如,彼此分离),使得分隔空间SS可以在第三滤色器623和挡光部分610之间。
在分隔空间SS中,如图11B中所示,可以形成第一至第三滤色器621、622和623上的保护层630的一部分631(在下文中,称为第一部分)。保护层630的第一部分631与像素限定层119重叠。保护层630的第一部分631可以与抗反射层600下面(例如,底下)的层(例如诸如与输入感测层400的上表面相对应的第三触摸绝缘层405)直接接触。
保护层630可以包括第一部分631以及与第一部分631一体地提供的第二部分632。第二部分632可以与第一至第三滤色器621、622和623的上表面重叠。在保护层630中,与第二部分632相对应的厚度可以小于与第一部分631相对应的厚度。
保护层630包括透明材料。例如,保护层630可以包括有机绝缘材料,诸如硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂和/或聚乙烯等。如本说明书中所使用的,当将某物描述为透明时,这表示其具有透光性,而且不具有与可见光波长带相对应的颜色。例如,第一至第三滤色器621、622和623具有透光性,但是具有合适的(例如,预定或特定的)颜色(例如,红色、绿色和蓝色),并且因此,第一至第三滤色器621、622和623可以透射合适的(例如,预定或特定的)波长带的光。因此,第一至第三滤色器621、622和623不被认为是透明的,如同该术语在本说明书中使用的那样。另一方面,保护层630具有透光性,而且不具有与可见光波长带相对应的颜色,并且因此是透明的,如同该术语在本说明书中使用的那样。因此,保护层630可以透射各种合适的波长带的光,而不仅仅是特定波长带的光。
分隔空间SS和/或保护层630的第一部分631可以与间隙区域RT重叠。例如,包括缓冲层111、第一至第四绝缘层112、113、115和117以及像素限定层119的堆叠区域可以与保护层630的第一部分631重叠。
如图11B中所示,当部件20位于第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)时,从部件20发射或朝向部件20行进的光沿着垂直于或基本垂直于基板100的方向移动,并且光可以穿过分隔空间SS和间隙区域RT彼此重叠的区域。分隔空间SS和间隙区域RT之间的重叠区域可以与部件20所使用的光可以穿过的透射区域TA相对应。
图12是根据实施例的显示面板中的第一显示区域DA1的平面图。
参见图12,多个像素(例如,第一至第三像素Pa、Pb和Pc)在显示面板的第一显示区域DA1处(例如,在显示面板的第一显示区域DA1中或上),并且上面参见图10A至图11B描述了第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)的第一至第三像素Pa、Pb和Pc的详细制造工艺。然而,如图12中所示,第一显示区域DA1与第二显示区域DA2的不同之处可以在于分隔空间SS(例如,参见图11B)可以不提供在第一显示区域DA1处(例如,在第一显示区域DA1中或上)。
参见图12,触摸电极可以包括彼此交叉的第一金属线m1和第二金属线m2,并且可以被挡光部分610覆盖。第一至第三滤色器621、622和623分别在第一至第三像素Pa、Pb和Pc上,并且第一至第三像素Pa、Pb和Pc被挡光部分610围绕(例如,绕其外围)。挡光部分610可以不与第一至第三滤色器621、622和623中的每一个间隔开(例如,可以不与第一至第三滤色器621、622和623中的每一个分离)。例如,第一滤色器621的边缘可以与挡光部分610重叠,第二滤色器622的边缘可以与挡光部分610重叠,并且第三滤色器623的边缘可以与挡光部分610重叠。
图13是根据实施例的显示面板中的第二显示区域DA2的平面图,并且图14是沿着图13的线XIV-XIV′截取的显示面板10的截面图。
分隔空间SS可以(例如,绕着第一至第三滤色器621、622和623中的每一个的外围)至少部分地围绕第一至第三滤色器621、622和623中的每一个。例如,在实施例中,上述的图11A和图11B示出了分隔空间SS被形成为(例如,绕着第一至第三滤色器621、622和623中的每一个的外围)完全地围绕第一至第三滤色器621、622和623中的每一个的框架。
在另一实施例中,图13示出了分隔空间SS可以(例如,绕着第一至第三滤色器621、622和623中的每一个的外围)部分地围绕第一至第三滤色器621、622和623中的每一个。例如,分隔空间SS在平面图中可以具有L形。第一至第三滤色器621、622和623中的每一个可以与在平面上(例如,在平面图中)具有四边形形状的挡光部分610的两边相邻,并且因此,分隔空间SS可以具有L形。在另一实施例中,第一至第三滤色器621、622和623中的每一个可以与在平面上(例如,在平面图中)具有四边形形状的挡光部分610的一边相邻,并且在这种情况下,分隔空间SS可以具有U形。
挡光部分610可以包括从与第一金属线m1和第二金属线m2重叠的主体611延伸的分支612。如以上参见图11A和图11B所述,图13中所示的触摸电极也可以包括形成网状结构的第一金属线m1和第二金属线m2,并且第一金属线m1和第二金属线m2可以被挡光部分610的主体611覆盖。因此,如上所述,挡光部分610的主体611也可以具有网状结构。
分支612可以一体地连接到主体611,但是可以沿着第一至第三像素Pa、Pb和Pc的边缘延伸,而不与第一金属线m1和第二金属线m2重叠。主体611和分支612可以形成(例如,绕着第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个的外围)围绕第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个的闭环形状,并且因此,挡光部分610可以包括与第一至第三像素Pa、Pb和Pc重叠的内部孔610H。
在这方面,图14示出了挡光部分610的主体611和分支612与像素限定层119重叠,并且分隔空间SS在分支612和主体611之间形成。因为保护层630的第一部分631在分隔空间SS中,所以保护层630的第一部分631也可以与像素限定层119重叠。一体地连接到保护层630的第一部分631的第二部分632可以与第一至第三滤色器621、622和623重叠,并且上面已经描述了保护层630中包括的材料。
分隔空间SS和/或保护层630的第一部分631可以与间隙区域RT重叠。例如,包括缓冲层111、第一至第四绝缘层112、113、115和117以及像素限定层119的堆叠区域可以与保护层630的第一部分631重叠。如上所述,部件20可以位于第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)。在这种情况下,从部件20发射或朝向部件20行进的光沿着垂直于或基本垂直于基板100的方向移动,并且光可以穿过分隔空间SS和间隙区域RT之间的重叠区域。分隔空间SS和间隙区域RT之间的重叠区域可以与部件20所使用的光可以穿过的透射区域TA相对应。
图15是根据实施例的显示面板中的第二显示区域DA2的平面图,并且图16是沿着图15的线XVI-XVI′截取的显示面板10的截面图。
根据以上参见图10B和图11B以及图13和图14描述的实施例,保护层630的第一部分631在分隔空间SS中,并且因此,保护层630的第一部分631与输入感测层400的上表面(例如,第三触摸绝缘层405的上表面)直接接触。在另一实施例中,抗反射层600可以不包括分隔空间SS。
在一些实施例中,当位于第二显示区域DA2处(例如,在第二显示区域DA2中或上)的部件20使用穿过第一至第三滤色器621、622和623中的至少一个的波长带的光时,显示面板可以不包括分隔空间SS。
在一些实施例中,当部件20使用具有大约550nm的峰值波长的光时,光可以穿过第一至第三滤色器621、622和623中的具有绿色的第二滤色器622。可以充分确保透射区域TA以便提高部件20的光学效率,并且因此,第二滤色器622的尺寸(或宽度)可以大于第一滤色器621和第三滤色器623的尺寸(或宽度)。
参见图15,如上所述,包括在触摸电极中的第一金属线m1和第二金属线m2延伸以彼此交叉,并且第一金属线m1和第二金属线m2可以与具有网状结构的挡光部分610重叠。
第一至第三像素Pa、Pb和Pc中的每一个在由(例如,绕着对应像素的外围)围绕对应像素的挡光部分610限定的内部孔610H中,并且其中第二像素Pb所位于的内部孔610H的宽度W610b可以大于其中第一像素Pa和第三像素Pc所位于的内部孔610H的宽度W610a和W610c。
第二滤色器622与第二像素Pb重叠,并且可以完全地覆盖其中第二像素Pb所位于的内部孔610H。另外,第二滤色器622的边缘可以与挡光部分610重叠。第二滤色器622的宽度可以大于(例如,绕着第二像素Pb的外围)围绕第二像素Pb的挡光部分610的边缘之间的距离,或者换句话说,第二滤色器622的宽度可以大于内部孔610H的宽度W610b。
从(例如,绕着第二像素Pb的外围)围绕第二像素Pb的挡光部分610的一个边缘到第二像素Pb的一个边缘的区域,或者换句话说第一距离d1,可以被第二滤色器622覆盖。
从(例如,绕着第一像素Pa的外围)围绕第一像素Pa的挡光部分610的一个边缘到第一像素Pa的一个边缘的第二距离d2可以小于第一距离d1,并且具有第二距离d2的区域可以被第一滤色器621覆盖。
类似地,从(例如,绕着第三像素Pc的外围)围绕第三像素Pc的挡光部分610的一个边缘到第三像素Pc的一个边缘的第三距离d3可以小于第一距离d1,并且具有第三距离d3的区域可以被第三滤色器623覆盖。
根据本公开的一个或多个实施例,可以获得从部件发射或朝向部件行进的光的足够的透射率,而不降低在部件所位于的区域处(例如,在部件所位于的区域中或上)的每个像素的开口率。
尽管已经描述了一些示例实施例,但是本领域技术人员将容易理解,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,可以对示例实施例进行各种修改。将理解,除非另外描述,否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此,对于本领域的普通技术人员将显而易见的是,除非另外特别指出,否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用,或者与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此,应当理解,前述内容是对各种示例实施例的说明,并且不被解释为限于本文中公开的特定示例实施例,并且对所公开的示例实施例以及其他示例实施例的各种修改旨在被包括在如所附权利要求及其等同物中所限定的本公开的精神和范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板,包括:
在基板上的第一像素电路和第二像素电路,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的每一个包括晶体管、存储电容器和导线;
电耦接到所述第一像素电路的第一像素电极;
与所述第一像素电极相邻并且电耦接到所述第二像素电路的第二像素电极;
像素限定层,覆盖所述第一像素电极的边缘和所述第二像素电极的边缘,并且具有分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极重叠的开口;
在所述第一像素电极上的第一发射层;
在所述第二像素电极上的第二发射层;
在所述第一发射层和所述第二发射层上的对电极;以及
在所述对电极上的抗反射层,
其中所述抗反射层包括:
挡光部分,与所述像素限定层的与所述第一像素电极重叠的所述开口和所述像素限定层的与所述第二像素电极重叠的所述开口之间的区域相对应;
与所述第一发射层重叠的第一滤色器;
与所述第二发射层重叠的第二滤色器;和
保护层,包括位于所述第一滤色器和所述第二滤色器中的至少一个与所述挡光部分之间的分隔空间中的部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述保护层的所述部分与所述像素限定层重叠,并且所述保护层和所述像素限定层中的每一个包括透明有机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括:
在所述对电极和所述抗反射层之间的输入感测层,
其中所述保护层的所述部分与所述输入感测层的上表面直接接触,
其中所述输入感测层包括触摸电极,所述触摸电极包括与所述挡光部分重叠的金属线,
其中所述输入感测层进一步包括在所述金属线和所述挡光部分之间的触摸绝缘层,所述触摸绝缘层包括无机绝缘材料,并且
其中所述金属线的宽度小于所述挡光部分的宽度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括:
在所述基板和所述像素限定层之间的多个绝缘层,
其中在所述基板的顶表面和所述像素限定层的顶表面之间的堆叠部与所述保护层的所述部分重叠,所述堆叠部包括所述多个绝缘层和所述像素限定层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板,进一步包括:
第一发光二极管,包括所述第一像素电极、所述第一发射层和所述对电极,
其中在平面图中,所述分隔空间至少部分地围绕所述第一发光二极管的发射区域。
6.一种电子设备,包括:
包括第一显示区域和第二显示区域的显示面板;和
与所述显示面板的所述第二显示区域重叠的部件,
其中所述显示面板的所述第二显示区域包括:
基板;
在所述基板上彼此相邻的第一发光二极管和第二发光二极管;
像素限定层,覆盖所述第一发光二极管中的第一像素电极的边缘和所述第二发光二极管中的第二像素电极的边缘,所述像素限定层具有分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极重叠的开口;
在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管上的封装层;和
在所述封装层上的抗反射层,
其中所述抗反射层包括:
挡光部分,在平面图中在所述像素限定层的与所述第一像素电极重叠的所述开口和所述像素限定层的与所述第二像素电极重叠的所述开口之间;
与所述第一发光二极管重叠的第一滤色器;
与所述第二发光二极管重叠的第二滤色器;以及
保护层,包括在所述第一滤色器和所述第二滤色器中的至少一个与所述挡光部分之间的分隔空间中的部分。
7.根据权利要求6所述的电子设备,其中所述保护层的所述部分与所述像素限定层重叠,并且所述保护层和所述像素限定层中的每一个包括透明有机绝缘材料。
8.根据权利要求6所述的电子设备,进一步包括:
在所述封装层和所述抗反射层之间的输入感测层,所述输入感测层包括触摸电极,
其中所述保护层的所述部分与所述输入感测层的上表面直接接触,
其中所述触摸电极中的每一个包括具有网状结构的金属线,并且所述挡光部分覆盖所述金属线,
其中所述输入感测层进一步包括在所述金属线和所述挡光部分之间的触摸绝缘层,所述触摸绝缘层包括无机绝缘材料。
9.根据权利要求6所述的电子设备,进一步包括:
在所述基板和所述像素限定层之间的多个绝缘层,
其中在所述基板的顶表面和所述像素限定层的顶表面之间的堆叠部与所述保护层的所述部分重叠,所述堆叠部包括所述多个绝缘层和所述像素限定层。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的电子设备,其中,对于相同尺寸的单位面积,所述第一显示区域处的发光二极管的数量等于所述第二显示区域处的发光二极管的数量。
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