CN115802836A - 显示面板和电子装置 - Google Patents

Abstract

提供了显示面板和电子装置。显示面板具有：第一显示区域，其中定位有第一发光二极管；第二显示区域，被第一显示区域至少部分地围绕，且在第二显示区域中定位有包括第二发光二极管的显示元件组和透射区域。显示面板包括：上绝缘层，限定第一发光二极管和第二发光二极管中的每个的发射区域，并且包括与透射区域相邻的锥形部分；电极，位于上绝缘层上并且包括开口以与透射区域对应；以及阻挡金属层，位于上绝缘层下面。在平面上，阻挡金属层的边缘与电极的弯曲点之间的距离大于由等式Y＝H×tanθ限定的设定距离，Y指设定距离，H指从阻挡金属层的下表面到电极的在上绝缘层的锥形边缘处弯曲的下表面的高度，θ指45度或更小的角度中的一者。

Description

显示面板和电子装置

本申请基于并要求于2021年9月9日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0120544号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种设备，更具体地，涉及一种显示面板和包括该显示面板的电子装置。

背景技术

移动电子装置被广泛使用。作为移动电子装置，除诸如移动电话的小型电子装置之外，平板PC近年来也已经被广泛使用。

这种移动电子装置包括显示设备，以向用户提供诸如图像或视频的视觉信息以支持各种功能。近来，随着用于驱动显示设备的其它组件已经小型化，显示设备在电子装置中所占的比例逐渐增大。此外，还已经开发了可以从平坦状态弯曲为具有特定角度的结构。

发明内容

诸如相机或传感器的组件可以布置为添加各种功能。为了在确保显示区域的较大面积的同时布置组件，组件可以布置为与显示区域叠置。作为布置组件的一种方法，显示面板可以包括诸如光或声音的波长可以透射通过其的透射区域。根据实施例，呈现了一种具有上述结构的显示面板和包括该显示面板的电子装置。

另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的呈现的实施例来获知。

根据实施例，显示面板具有第一显示区域和第二显示区域，其中，显示面板包括：上绝缘层、电极和阻挡金属层。第一发光二极管位于第一显示区域中。第二显示区域被第一显示区域至少部分地围绕。包括第二发光二极管的显示元件组和透射区域位于第二显示区域中。上绝缘层限定第一发光二极管和第二发光二极管中的每个的发射区域，并且包括与透射区域相邻的锥形部分。电极位于上绝缘层上并且包括开口以与透射区域对应。阻挡金属层位于上绝缘层下面。在平面上，阻挡金属层的边缘与电极的在上绝缘层的锥形边缘处弯曲的点之间的距离大于由等式1限定的设定距离。等式1可以是Y＝H×tanθ。这里，Y指设定距离，H指从阻挡金属层的下表面到电极的在上绝缘层的锥形边缘处弯曲的下表面的高度，并且θ指45度或更小的角度中的一者。

在实施例中，上绝缘层可以包括与第一发光二极管对应的第一开口、与第二发光二极管对应的第二开口以及位于第一发光二极管与第二发光二极管之间的第三开口。

在实施例中，电极的开口可以与第三开口叠置。

在实施例中，显示面板还包括分别电连接到第一发光二极管和第二发光二极管的薄膜晶体管。薄膜晶体管中的每个可以包括：半导体层；栅电极，与半导体层的一部分叠置；选自源电极和漏电极的一个电极；以及绝缘层，位于选自半导体层、栅电极和所述一个电极中的至少两个之间。

在实施例中，绝缘层可以包括与上绝缘层的第三开口叠置的绝缘层开口。

在实施例中，显示面板还可以包括位于绝缘层上的有机绝缘层，有机绝缘层的一部分可以位于绝缘层开口中。

在实施例中，显示面板还可以包括位于上绝缘层上并且包括光阻挡层和滤色器的抗反射层。

在实施例中，上绝缘层可以是不透明的。

在实施例中，透射区域可以由上绝缘层、阻挡金属层或者上绝缘层和阻挡金属层限定。

根据实施例，电子装置包括显示面板和组件，所述显示面板具有第一显示区域和第二显示区域，其中，所述显示面板包括上绝缘层、电极和阻挡金属层。第一发光二极管位于第一显示区域中。第二发光二极管和透射区域位于第二显示区域中。组件位于所述显示面板的下表面上并且与所述第二显示区域叠置。上绝缘层限定第一发光二极管和第二发光二极管中的每个的发射区域。上绝缘层包括与透射区域相邻的锥形部分。电极位于上绝缘层上并且包括开口以与透射区域对应。阻挡金属层位于上绝缘层下面。在平面上，阻挡金属层的边缘与电极的在上绝缘层的锥形边缘处弯曲的点之间的距离大于由等式1限定的设定距离。等式1可以是Y＝H×tanθ。这里，Y指设定距离，H指从阻挡金属层的下表面到电极的在上绝缘层的锥形边缘处弯曲的下表面的高度，并且θ指45度或更小的角度中的一者。

在实施例中，上绝缘层可以包括与第一发光二极管对应的第一开口、与第二发光二极管对应的第二开口以及位于显示元件组之间的第三开口。

在实施例中，电极的开口可以与第三开口叠置。

在实施例中，电子装置还包括分别电连接到第一发光二极管和第二发光二极管的薄膜晶体管。薄膜晶体管中的每个可以包括：半导体层；栅电极，与半导体层的一部分叠置；选自源电极和漏电极的一个电极；以及绝缘层，位于选自半导体层、栅电极和所述一个电极中的至少两个之间。

在实施例中，绝缘层可以包括与上绝缘层的第三开口叠置的绝缘层开口。

在实施例中，电子装置还可以包括位于绝缘层上的有机绝缘层，有机绝缘层的一部分可以位于绝缘层开口中。

在实施例中，电子装置还可以包括布置在上绝缘层上并且包括光阻挡层和滤色器的抗反射层。

在实施例中，上绝缘层可以是不透明的。

在实施例中，透射区域可以由上绝缘层、阻挡金属层或者上绝缘层和阻挡金属层限定。

在实施例中，组件可以包括传感器和相机中的至少一个。

根据公开的附图、权利要求和详细描述，其它方面、特征和优点将是明显的。

附图说明

根据以下结合附图的描述，公开的特定实施例的以上和其它方面和特征将更加明显。

图1是根据实施例的电子装置的透视图。

图2A是根据实施例的处于折叠状态的可折叠电子装置的透视图。

图2B示出了根据实施例的处于展开状态的可折叠电子装置。

图3是根据实施例的电子装置的示意性平面图。

图4A和图4B均是根据实施例的电子装置的一部分的剖视图。

图5是根据实施例的电连接到显示面板的发光二极管的像素电路的示意性等效电路图。

图6是根据实施例的显示面板的第一显示区域的一部分的平面图。

图7A和图7B是根据实施例的显示面板的第二显示区域的一部分的平面图。

图8是根据实施例的显示面板的第二显示区域和第二显示区域周围的第一显示区域的平面图。

图9是图8的一部分的平面图。

图10是沿着图9的线A-A'截取的剖视图。

图11A、图11B和图11C均是沿着图9的线B-B'截取的剖视图。

图12A是摘选出根据实施例的显示面板中的上绝缘层的平面图。

图12B是摘选出根据实施例的显示面板中的光阻挡层的平面图。

图13是根据实施例的透射区域、第二电极的弯曲点、第六开口与第九开口之间的关系的平面图。

图14A是根据实施例的透射区域、第二电极的弯曲点、第六开口与第九开口之间的关系的平面图。

图14B是沿着图14A的线C-C'截取的剖视图。

图15是根据实施例的显示面板的第二显示区域和第二显示区域周围的第一显示区域的剖视图。

具体实施方式

现在将详细参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照图来描述实施例，以解释本描述的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关的所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变体。

因为公开允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并且在书面描述中详细描述具体实施例。当参考参照附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现它们的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。

在下文中，现在将参照附图详细描述公开的实施例。当参照附图进行描述时，相同或对应的组件将被赋予相同的附图标记，并且将省略这些组件的冗余描述。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

如这里所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。

还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所述特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件上时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或组件。

为了便于解释，附图中的组件的尺寸可以被夸大。例如，因为为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。

在下文的实施例中，x轴、y轴和z轴是直角坐标系的三个轴，但是可以以更宽泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

当可以不同地实现特定实施例时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者可以以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

图1是根据实施例的电子装置1的透视图。

根据实施例的电子装置1是被构造为显示视频或静止图像的设备，并且可以用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT)装置的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器或超移动PC(UMPC)的移动电子装置的显示屏。此外，根据实施例的电子装置1可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。此外，根据实施例的电子装置1可以用作车辆的仪表板、位于车辆的中央仪表盘或仪表板处的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器或作为用于车辆的后座中的乘客的娱乐的位于前座椅后面的显示器。为了便于描述，图1示出了电子装置1用作智能电话。

参照图1，电子装置1可以包括显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域NDA。电子装置1可以通过二维布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来提供图像。

非显示区域NDA是不提供图像并且可以完全围绕显示区域DA的区域。用于向布置在显示区域DA中的显示元件提供电信号或电源的驱动器可以布置在非显示区域NDA中。电子元件、印刷电路板等可以电连接到其的垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)可以布置在非显示区域NDA中。

显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第二显示区域DA2是其中布置有用于向电子装置1添加各种功能的组件的区域，并且第二显示区域DA2可以与组件区域对应。

图2A和图2B是根据实施例的可折叠电子装置1的透视图，其中，图2A示出了处于折叠状态的可折叠电子装置1，图2B示出了处于展开状态的可折叠电子装置1。

根据实施例的图1的电子装置1可以是图2A和图2B的可折叠电子装置。现在参照图2A和图2B，可折叠电子装置1(有时也称为电子装置1)可以相对于折叠轴FAX折叠。显示区域DA可以位于电子装置1的外侧和/或内侧上。在实施例中，图2A和图2B示出了显示区域DA位于电子装置1的外侧和内侧中的每个上。

参照图2A，显示区域DA可以布置在电子装置1的外侧上。折叠的电子装置1的外表面可以包括显示区域DA。显示区域DA可以包括占据显示区域DA的大部分的第一显示区域DA1，以及具有比第一显示区域DA1的面积相对小的面积的第二显示区域DA2。

参照图2B，显示区域DA可以布置在电子装置1的内侧上。展开的电子装置1的内表面可以包括显示区域DA。显示区域DA可以包括占据显示区域DA的大部分的第一显示区域DA1，以及比第一显示区域DA1占据相对小的显示区域DA的面积的第二显示区域DA2。

图2B示出了第一显示区域DA1包括相对于折叠轴FAX分别布置在两侧的左显示区域DA1L和右显示区域DA1R。第二显示区域DA2位于右显示区域DA1R内部。然而，在实施例中，第二显示区域DA2可以布置在左显示区域DA1L内部。

图1、图2A和图2B示出了第二显示区域DA2完全被第一显示区域DA1围绕。图3是根据实施例的电子装置1的示意性平面图。如图3中所示，第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1部分地围绕。

图4A是根据实施例的电子装置1的一部分的剖视图。

参照图4A，电子装置1可以包括显示面板10和布置为与显示面板10叠置并且布置在显示面板10的下表面上的组件20。组件20可以位于第二显示区域DA2中。

显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上方的薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件(例如，发光二极管LED)、覆盖显示元件的封装层300、输入感测层400、抗反射层OFL(有时称为光学功能层OFL)和窗700。

基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。包括聚合物树脂的基底100可以具有柔性、可折叠、可卷曲或可弯曲的特性。基底100可以是包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。

下保护膜PB可以布置在基底100的下表面上。下保护膜PB可以附着到基底100的下表面。粘合层可以位于下保护膜PB与基底100之间。可选地，下保护膜PB可以直接形成在基底100的后表面上，在这种情况下，粘合层可以不位于下保护膜PB与基底100之间。

下保护膜PB可以用于支撑和保护基底100。下保护膜PB可以包括与第二显示区域DA2对应的开口PB-OP。下保护膜PB可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。

薄膜晶体管TFT和作为电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件的发光二极管LED可以布置在基底100的下表面上方。发光二极管LED可以是包括有机材料的有机发光二极管。有机发光二极管可以发射红光、绿光或蓝光。

发光二极管LED可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含无机半导体基材料的PN结二极管。当电压在正方向上被施加到PN结二极管时，注入空穴和电子，并且通过空穴和电子的复合产生的能量被转换为光能，使得可以发射特定颜色的光。无机发光二极管可以具有几百微米或几百纳米的宽度。在一些实施例中，发光二极管LED可以包括量子点发光二极管。发光二极管LED的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。

发光二极管LED可以电连接到布置在发光二极管LED下面的薄膜晶体管TFT。在这方面，图4A和图4B示出了缓冲层111布置在基底100上，并且薄膜晶体管TFT布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的发光二极管LED可以分别布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。

透射区域TA可以位于第二显示区域DA2中。透射区域TA是从组件20发射的光和/或被引导到组件20的光可以通过其透射的区域。在显示面板10中，透射区域TA的透射率可以大于或等于约30％、大于或等于约40％、大于或等于约50％、大于或等于约60％、大于或等于约70％、大于或等于约75％、大于或等于约80％、大于或等于约85％或者大于或等于约90％。

组件20可以包括传感器(诸如接近传感器、照度传感器、虹膜传感器或面部识别传感器)和相机(例如，图像传感器)。组件20可以使用光。例如，组件20可以发射和/或接收红外、紫外和可见波段的光。使用红外线的接近传感器可以检测布置为与电子装置1的下表面相邻的对象。照度传感器可以感测入射在电子装置1的下表面上的光的亮度。此外，虹膜传感器可以捕获定位为与电子装置1的下表面相邻的人的虹膜的图像。相机可以接收布置为与电子装置1的下表面相邻的对象上的光。

为了防止布置在第二显示区域DA2中的薄膜晶体管TFT的功能由于穿过透射区域TA的光而劣化，阻挡金属层BML可以布置在基底100与缓冲层111之间。阻挡金属层BML可以不位于第一显示区域DA1中。阻挡金属层BML可以位于第二显示区域DA2中，并且可以包括与透射区域TA叠置的开口。在这种情况下，阻挡金属层BML可以布置在第二显示区域DA2中的薄膜晶体管TFT下面。

封装层300可以覆盖发光二极管LED。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层、第二无机封装层以及在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。

输入感测层400可以形成在封装层300上。输入感测层400可以根据外部输入(例如，诸如手指或手写笔的对象的触摸事件)获得坐标信息。输入感测层400可以包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入感测层400可以通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入。

光学功能层OFL可以布置在输入感测层400上。光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部入射到显示面板10的光(例如，外部光)的反射率。

在一些实施例中，光学功能层OFL可以是偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL-OP。因此，可以显著改善透射区域TA的透光率。开口OFL-OP可以填充有诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料。

窗700布置在光学功能层OFL上。窗700可以通过诸如光学透明粘合剂的粘合层结合到光学功能层OFL。窗700可以包括玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄玻璃。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。

图4B是根据实施例的电子装置1的一部分的剖视图。

参照图4B，电子装置1可以包括显示面板10和布置为与显示面板10叠置并且布置在显示面板10的下表面上的组件20。组件20可以位于第二显示区域DA2中。

显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上方的薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件(例如，发光二极管LED)、覆盖发光二极管LED的封装层300、输入感测层400、抗反射层600和窗700。在这种情况下，基底100、薄膜晶体管TFT、发光二极管LED、封装层300和输入感测层400分别与参照图4A描述的那些相同或相似。

抗反射层600可以减少从外部入射到显示面板10的光(例如，外部光)的反射率。抗反射层600可以包括光阻挡层610、滤色器620和外涂层630。光阻挡层610可以包括与第一显示区域DA1中的发光二极管LED叠置的开口610OP1以及与第二显示区域DA2中的发光二极管LED叠置的开口610OP2。滤色器620可以分别布置在开口610OP1和610OP2中。光阻挡层610可以包括不与发光二极管LED叠置的开口610OP3。开口610OP3是与透射区域TA对应的区域。外涂层630的一部分可以位于开口610OP3中。

窗700布置在抗反射层600上。在这种情况下，窗700与参照图4A描述的窗700相同或相似。

另外，图4A中所示的显示面板10和图4B中所示的显示面板10彼此相似，因此，在下文中，为了便于描述，主要详细描述图4B中所示的显示面板10。

图5是根据实施例的电连接到显示面板的发光二极管的像素电路PC的示意性等效电路图。

参照图5，像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。

第二薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL作为开关薄膜晶体管，并且可以基于从扫描线SL输入的开关电压Sn(例如，开关信号)将从数据线DL输入的数据电压Dm(例如，数据信号)传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。

第一薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst作为驱动薄膜晶体管，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到发光二极管LED(例如，有机发光二极管(OLED))的驱动电流。发光二极管LED可以通过驱动电流发射具有特定亮度的光。发光二极管LED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。

图5示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而进行各种改变。例如，像素电路PC可以包括三个薄膜晶体管、四个薄膜晶体管、五个薄膜晶体管或多于五个的薄膜晶体管。

图6是根据实施例的显示面板的第一显示区域DA1的一部分的平面图。

参照图6，像素布置在第一显示区域DA1中，并且像素可以包括发射不同颜色的光的第一像素至第三像素。在下文中，为了便于描述，描述了第一像素是红色像素Pr，第二像素是绿色像素Pg，第三像素是蓝色像素Pb。

红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以根据特定规则布置在第一显示区域DA1中。在一些实施例中，如图6中所示，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以布置为菱形

型。

例如，多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb交替地布置在第一行1N中。多个绿色像素Pg在邻近的第二行2N中彼此间隔开特定距离。多个蓝色像素Pb和多个红色像素Pr交替地布置在邻近的第三行3N中。多个绿色像素Pg在邻近的第四行4N中彼此间隔开特定距离。重复像素的这种结构直至第N行。在这种情况下，蓝色像素Pb和红色像素Pr的尺寸(例如，宽度)可以大于绿色像素Pg的尺寸(例如，宽度)。

布置在第一行1N中的多个红色像素Pr和布置在第二行2N中的多个绿色像素Pg交替地布置。因此，多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb交替地布置在第一列1M中。多个绿色像素Pg在邻近的第二列2M中彼此间隔开特定距离。多个蓝色像素Pb和多个红色像素Pr交替地布置在邻近的第三列3M中。多个绿色像素Pg在邻近的第四列4M中彼此间隔开特定距离。重复像素的这种结构直至第M列。

当这种像素结构被不同地表示时，可以表示为红色像素Pr布置在虚拟四边形VS的顶点之中彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且蓝色像素Pb布置在剩余的顶点处，即，第二顶点和第四顶点处，虚拟四边形VS具有绿色像素Pg的中心点作为四边形的中心点。在这种情况下，虚拟四边形VS可以被不同地修改为矩形、菱形、正方形等。

这种像素结构被称为菱形

型，并且通过应用通过共享邻近的像素来表示颜色的渲染驱动，可以用少量像素来实现高分辨率。

图6中所示的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过使用布置在对应的像素中的发光二极管分别发射红光、绿光和蓝光。因此，像素的结构化可以与作为显示元件的发光二极管的结构化对应。例如，图6中所示的红色像素Pr的位置可以表示发射红光的发光二极管的位置。同样地，绿色像素Pg的位置可以表示发射绿光的发光二极管的位置，蓝色像素Pb的位置可以表示发射蓝光的发光二极管的位置。

图7A和图7B是根据实施例的显示面板的第二显示区域DA2的一部分的平面图。

参照图7A和图7B，像素组PG可以在第二显示区域DA2中彼此间隔开。像素组PG中的每个可以被透射区域TA围绕，并且可以包括发射不同颜色的光的像素，例如，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb。在实施例中，像素组PG中的每个可以包括两个红色像素Pr、四个绿色像素Pg和两个蓝色像素Pb。

如上面参照图6描述的，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过使用布置在对应的像素中的发光二极管分别发射红光、绿光和蓝光，因此，像素的结构化可以与作为显示元件的发光二极管的结构化对应。因此，参照图7A和图7B描述的像素组PG可以与包括发射红光的发光二极管、发射绿光的发光二极管和发射蓝光的发光二极管的显示元件组对应。例如，均包括红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的像素组PG彼此间隔开可以表示均包括发射红光、绿光和蓝光的发光二极管的显示元件组彼此间隔开。

像素组PG可以相对于像素组PG的中心PGC对称地布置。例如，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以布置在第一列1M'中，并且四个绿色像素Pg可以在第二列2M'中彼此间隔开特定距离。此外，蓝色像素Pb和红色像素Pr可以布置在第三列3M'中。在这种情况下，布置在第一列1M'中的红色像素Pr和布置在第三列3M'中的红色像素Pr可以相对于像素组PG的中心PGC对称地布置。布置在第一列1M'中的蓝色像素Pb和布置在第三列3M'中的蓝色像素Pb可以相对于像素组PG的中心PGC对称地布置。布置在第二列2M'中的绿色像素Pg可以相对于像素组PG的中心PGC对称地布置。

在实施例中，蓝色像素Pb的y方向长度可以大于红色像素Pr的y方向长度。蓝色像素Pb的y方向长度可以大于或等于两个绿色像素Pg的y方向长度的总和。

参照图7A，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以在平面上均是基本上四边形。例如，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以均具有四边形形状，四边形形状具有沿x方向的短边和沿y方向的长边。绿色像素Pg可以具有四边形形状，四边形形状具有沿x方向的长边和沿y方向的短边。

在实施例中，参照图7B，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb中的至少一个可以是n边形，其中n是5或更大的自然数。例如，尽管绿色像素Pg可以具有如图7A中所示的四边形形状，但是如图7B中所示，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以均具有弯曲至少一次的边缘，该边缘与透射区域TA相邻，因此可以在平面上具有n边形形状，其中n是5或更大的自然数。

图8是根据实施例的显示面板的第二显示区域DA2和第二显示区域DA2周围的第一显示区域DA1的平面图，并且图9是图8的一部分的平面图。

参照图8和图9，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。布置在第一显示区域DA1中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的结构化可以与布置在第二显示区域DA2中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的结构化相同或不同。在实施例中，图8和图9示出了第一显示区域DA1中的像素的结构化与第二显示区域DA2中的像素的结构化彼此不同，并且详细结构与参照图6、图7A和图7B描述的详细结构相同。在实施例中，布置在第二显示区域DA2的每个像素组PG中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以具有如上面参照图6描述的菱形

结构。

如图8中所示，第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL1可以在平面上具有多边形形状。在实施例中，图8示出了边界线BL1是具有12条边的多边形(例如，近似十字形)，并且多边形的拐角部分可以具有台阶构造。在实施例中，边界线BL1的边的数量可以小于或大于12。例如，第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL1可以具有诸如四边形的四条边，或者边界线BL1可以是具有多于12条边的多边形。

参照图9，第一显示区域DA1的像素和第二显示区域DA2的像素彼此间隔开特定距离，并且该距离可以大于布置在第一显示区域DA1中的邻近像素之间的距离，并且可以大于布置在第二显示区域DA2中的一个像素组PG中的邻近像素之间的距离。参照图10、图11A、图11B和图11C描述了布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素的剖面结构。

透射区域TA可以位于第二显示区域DA2中。在这种情况下，透射区域TA可以具有各种形状。例如，透射区域TA可以在平面上具有多边形形状。在实施例中，尽管未在附图中示出，但是透射区域TA可以是圆形的或椭圆形的。

透射区域TA可以由包括光阻挡材料的层的边缘限定。如下面例如参照图10所描述的，显示面板可以包括光阻挡层610和阻挡金属层BML，光阻挡层610包括在抗反射层600中作为包括光阻挡材料的层，阻挡金属层BML布置在像素电路PC下面。

如上面参照图4所描述的，透射区域TA是光和/或声音可以通过其透射的区域。如图8中的虚线所示，组件CM可以布置为与透射区域TA叠置。

第二显示区域DA2中的邻近像素组PG之间的一些区域可以与上绝缘层123和光阻挡层610叠置，并且其它区域可以不与上绝缘层123和光阻挡层610中的任一者叠置。在实施例中，尽管附图中未示出，但是上绝缘层123和光阻挡层610可以在布置在第二显示区域DA2中的像素组PG之间的区域中不叠置。也就是说，相对于边界线BL1布置在与第二显示区域DA2对应的部分中的像素组PG之间的所有空间可以是透射区域TA。然而，为了便于说明，主要详细描述其中第二显示区域DA2中的邻近像素组PG之间的一些区域与上绝缘层123和光阻挡层610叠置的情况。

透射区域TA可以布置在第二显示区域DA2中。参照图9，透射区域TA可以布置在在ob方向上布置的第一像素组PG1的像素(例如，红色像素Pr)与第二像素组PG2的像素(例如，红色像素Pr)之间。因为发光二极管位于像素中，所以可以看出透射区域TA位于一个显示元件组的发光二极管与另一显示元件组的发光二极管之间。图9的ob方向可以是与x方向和y方向交叉的方向。

图10是沿着图9的线A-A'截取的剖视图。图10示出了显示面板的发光二极管包括有机发光二极管的情况。有机发光二极管可以布置为第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每个中的发光二极管。为了便于描述，布置在第一显示区域DA1中的有机发光二极管被称为第一有机发光二极管OLED1，布置在第二显示区域DA2中的有机发光二极管被称为第二有机发光二极管OLED2。

参照图10，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2形成在基底100上方。

基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂，并且第一阻挡层102和第二阻挡层104可以均包括无机绝缘材料。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素。

缓冲层111布置在基底100上。缓冲层111可以减少或阻挡外来物质、湿气或外部空气从基底100的下部渗透。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有均包括该材料的单层结构或多层结构。

阻挡金属层BML可以布置在基底100与缓冲层111之间，并且可以位于第二显示区域DA2中。阻挡金属层BML可以防止朝向布置在第二显示区域DA2中的组件CM(图8中所示)行进或从组件CM(图8中所示)发射的光影响诸如像素电路PC的薄膜晶体管TFT的电子元件。阻挡金属层BML可以包括具有导电性的金属，诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。

第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可以分别电连接到像素电路PC。第一有机发光二极管OLED1可以电连接到基底100与第一有机发光二极管OLED1之间的像素电路PC，第二有机发光二极管OLED2可以电连接到基底100与第二有机发光二极管OLED2之间的像素电路PC。

像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、与半导体层Act的沟道区叠置的栅电极GE以及分别连接到半导体层Act的源区和漏区的源电极SE和漏电极DE。栅极绝缘层113布置在半导体层Act与栅电极GE之间，并且第一绝缘中间层115和第二绝缘中间层117可以布置在栅电极GE与源电极SE之间或栅电极GE与漏电极DE之间。

存储电容器Cst可以布置为与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2。在一些实施例中，薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以包括存储电容器Cst的下电极CE1。第一绝缘中间层115可以布置在下电极CE1与上电极CE2之间。

半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种材料的氧化物半导体。半导体层Act可以包括沟道区、掺杂杂质的源区和漏区。

栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以是均包括上述材料的单层结构或多层结构。

栅电极GE或下电极CE1可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料，并且可以是均包括上述材料的单层结构或多层结构。

第一绝缘中间层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以是均包括上述材料的单层结构或多层结构。

上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是均包括上述材料的单层结构或多层结构。

第二绝缘中间层117可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以是均包括上述材料的单层结构或多层结构。

源电极SE和/或漏电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是均包括上述材料的单层结构或多层结构。例如，源电极SE和/或漏电极DE可以是钛层/铝层/钛层的三层结构。

第一有机绝缘层119位于薄膜晶体管TFT上方，并且薄膜晶体管TFT可以通过布置在第一有机绝缘层119上的连接电极层CML电连接到对应的有机发光二极管的第一电极210。连接电极层CML可以通过第一有机绝缘层119的接触孔连接到薄膜晶体管TFT，并且第一电极210可以通过第二有机绝缘层121的接触孔连接到连接电极层CML。

第一有机绝缘层119和/或第二有机绝缘层121可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。在一些实施例中，可以省略连接电极层CML和第二有机绝缘层121，在这种情况下，第一电极210可以通过第一有机绝缘层119的接触孔直接连接到薄膜晶体管TFT。

第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可以均包括第一电极210、发射层222和第二电极230的叠置结构。叠置结构可以包括位于第一电极210与发射层222之间的第一功能层221和/或位于发射层222与第二电极230之间的第二功能层223。

第一电极210可以位于第二有机绝缘层121上。第一电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者其化合物或其混合物的反射膜。第一电极210可以包括包含上述材料的反射膜和布置在反射膜上方或/和下面的透明导电膜。透明导电膜可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在实施例中，第一电极210可以具有ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。

上绝缘层123可以包括覆盖第一电极210的边缘并且与第一电极210叠置的开口。在这方面，图10示出了与第一有机发光二极管OLED1的第一电极210叠置的开口123OP1(有时称为第一开口)和与第二有机发光二极管OLED2的第一电极210叠置的开口123OP2(有时称为第二开口)。

上绝缘层123的第一开口123OP1和第二开口123OP2可以分别限定第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的发射区域。例如，上绝缘层123的第一开口123OP1的宽度可以与第一有机发光二极管OLED1的发射区域的宽度对应，并且上绝缘层123的第二开口123OP2的宽度可以与第二有机发光二极管OLED2的发射区域的宽度对应。

上绝缘层123可以是透明绝缘层。例如，上绝缘层123可以包括透明有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。

在实施例中，上绝缘层123是有色绝缘层，并且可以具有例如黑色。例如，上绝缘层123可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂和其中混合有红色、绿色和蓝色的颜料。可选地，上绝缘层123可以包括卡多(cardo)类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可选地，上绝缘层123可以包括炭黑。上绝缘层123可以连同下面描述的抗反射层600防止外部光的反射，并且可以改善显示面板的对比度。在下文中，为了便于描述，主要详细描述上绝缘层123是有色绝缘层的情况。

间隔件127可以布置在上绝缘层123上。间隔件127可以包括与上绝缘层123的材料不同的材料。例如，上绝缘层123可以包括负光敏材料，而间隔件127可以包括不同材料，诸如正光敏材料，并且上绝缘层123和间隔件127中的每个可以通过单独的掩模工艺形成。

发射层222定位为与上绝缘层123的第一开口123OP1和第二开口123OP2中的每个对应，并且可以与第一电极210叠置。发射层222可以包括发射特定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。第一功能层221和第二功能层223可以形成在发射层222下面和上面。

第一功能层221可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。与发射层222不同，第一功能层221和/或第二功能层223可以完全形成在基底100上方。换言之，第一功能层221和/或第二功能层223可以覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。

封装层300可以覆盖第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。在实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括例如丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸的丙烯酸树脂。有机封装层320可以通过硬化单体或施用聚合物来形成。

输入感测层400可以包括触摸电极，并且触摸电极可以包括金属线ML。触摸电极可以包括围绕第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的发射区域的网状结构的金属线ML。如图10中所示，金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的连接结构。在实施例中，金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的任一个。金属线ML可以包括钼(Mo)、钕(Nd)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及其合金。输入感测层400的电极(例如，金属线ML)可以被光阻挡层610覆盖。

输入感测层400可以包括封装层300上的第一触摸绝缘层401、第一触摸绝缘层401上的第二触摸绝缘层403和第二触摸绝缘层403上的第三触摸绝缘层405。第一金属层ML1可以布置在第二触摸绝缘层403与第三触摸绝缘层405之间，并且第二金属层ML2可以布置在第一触摸绝缘层401与第二触摸绝缘层403之间。

第一触摸绝缘层至第三触摸绝缘层401、403和405可以均包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施例中，第一触摸绝缘层401和第二触摸绝缘层403可以均包括无机绝缘材料，第三触摸绝缘层405可以包括有机绝缘材料。

抗反射层600的光阻挡层610可以包括与第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2中的每个的发射区域叠置的开口。在这方面，图10示出了与第一有机发光二极管OLED1的发射区域和/或上绝缘层123的第一开口123OP1叠置的开口610OP1(有时称作第四开口)以及与第二有机发光二极管OLED2的发射区域和/或上绝缘层123的第二开口123OP2叠置的开口610OP2(有时称作第五开口)。

光阻挡层610的第四开口610OP1的宽度可以大于或等于第一有机发光二极管OLED1的发射区域和/或上绝缘层123的第一开口123OP1的宽度。在这方面，图10示出了光阻挡层610的第四开口610OP1的宽度大于第一有机发光二极管OLED1的发射区域和/或上绝缘层123的第一开口123OP1的宽度。在这种情况下，可以充分地确保与抗反射层600的下表面形成锐角的到达用户的裸眼的光L，因此可以增大显示面板的侧面可视性。

同样地，光阻挡层610的第五开口610OP2的宽度可以大于或等于第二有机发光二极管OLED2的发射区域和/或上绝缘层123的第二开口123OP2的宽度。在这方面，图10示出了光阻挡层610的第五开口610OP2的宽度大于第二有机发光二极管OLED2的发射区域和/或上绝缘层123的第二开口123OP2的宽度。

滤色器620可以分别位于光阻挡层610的第四开口610OP1和第五开口610OP2中。滤色器620中的每个可以具有与从布置在对应的滤色器620下面的发光二极管发射的光的颜色相同的颜色。例如，如图10中所示，当第一显示区域DA1的任何一个第一有机发光二极管OLED1发射绿光时，布置在第四开口610OP1中以与第一有机发光二极管OLED1叠置的滤色器620可以包括绿色滤色器。同样地，如图10中所示，当第二显示区域DA2的任何一个第二有机发光二极管OLED2发射蓝光时，布置在第五开口610OP2中以与第二有机发光二极管OLED2叠置的滤色器620可以包括蓝色滤色器。

外涂层630可以布置在光阻挡层610和滤色器620上。外涂层630是在可见光波段中不具有颜色的透光层，并且可以使光阻挡层610的下表面和滤色器620的下表面平坦化。外涂层630可以包括诸如丙烯酸树脂的透光有机材料。

图11A是沿着图9的线B-B'截取的剖视图，如图9中所示，示出了多个透射区域TA之中的位于外侧的透射区域TA和透射区域TA的周围的剖面结构。

参照图11A，透射区域TA可以布置在布置在第二显示区域DA2中的多个第二有机发光二极管OLED2之中的两个邻近的第二有机发光二极管OLED2之间。第二有机发光二极管OLED2中的每个可以电连接到像素电路PC。基底100上的像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst，并且第二有机发光二极管OLED2可以具有第一电极210、发射层222和第二电极230的叠置结构，并且可以被封装层300覆盖。如上所述，输入感测层400和抗反射层600可以布置在封装层300上。

上绝缘层123可以包括与透射区域TA对应的开口123OP3(有时称为第三开口)，光阻挡层610可以包括与透射区域TA对应的开口610OP3(有时称为第六开口)。外涂层630的一部分可以位于第六开口610OP3中。例如，外涂层630的第一部分631可以至少部分地填充第六开口610OP3，并且与第一部分631一体地形成的第二部分632可以完全覆盖光阻挡层610和滤色器620。

第六开口610OP3与第三开口123OP3叠置，并且在平面上，第六开口610OP3的尺寸(例如，宽度)可以小于第三开口123OP3的尺寸(例如，宽度)。第一功能层221和第二功能层223也可以存在于与透射区域TA对应的部分中。相反，包括金属元素的第二电极230可以包括与透射区域TA对应的开口230OP(在下文中，称为第七开口)。可以通过第七开口230OP来改善透射区域TA的透射率。第二电极230的第七开口230OP的尺寸(例如，宽度)可以小于第三开口123OP3的尺寸(例如，宽度)。

布置在第一电极210下面的绝缘层之中的一些绝缘层(例如，无机绝缘层)可以均包括与透射区域TA对应的开口。例如，第二阻挡层104、缓冲层111、栅极绝缘层113、第一绝缘中间层115和第二绝缘中间层117的堆叠件可以包括无机绝缘材料，并且堆叠件可以包括与透射区域TA对应的开口IL-OP(有时称为第八开口)。布置在堆叠件上的第一有机绝缘层119的一部分可以存在于第八开口IL-OP中。图11A示出了第八开口IL-OP包括穿透缓冲层111、栅极绝缘层113、第一绝缘中间层115和第二绝缘中间层117的通孔与第二阻挡层104的盲孔的叠置结构。在实施例中，第八开口IL-OP可以不包括第二阻挡层104的盲孔。

布置在基底100与像素电路PC之间的阻挡金属层BML包括与透射区域TA叠置的开口BML-OP(有时称为第九开口)，并且第九开口BML-OP的尺寸(例如，宽度)可以大于绝缘层的堆叠件的第八开口IL-OP的尺寸(例如，宽度)。第九开口BML-OP的尺寸(例如，宽度)可以小于第三开口123OP3的尺寸(例如，宽度)。

阻挡金属层BML的限定第九开口BML-OP的边缘可以布置为比上绝缘层123的限定第三开口123OP3的边缘靠近透射区域TA的中心。无机绝缘层的限定第八开口IL-OP的边缘可以布置为比阻挡金属层BML的限定第九开口BML-OP的边缘靠近透射区域TA的中心。第二电极230的边缘可以布置在上绝缘层123上方。在这种情况下，第二电极230的边缘可以布置在在平面上布置有阻挡金属层BML的区域中。在这种情况下，第二电极230可以在上绝缘层123上方弯曲。例如，如上所述，上绝缘层123包括第一开口123OP1、第二开口123OP2和第三开口123OP3，并且每个开口的内表面可以具有锥形形状。在这种情况下，第二电极230布置在上绝缘层123上方，因此，还可以布置在第一开口123OP1、第二开口123OP2和第三开口123OP3中。在这种情况下，形成第一开口123OP1、第二开口123OP2和第三开口123OP3的内表面的上绝缘层123可以倾斜，使得第二电极230可以弯曲。

在这种情况下，在平面上，从布置在上绝缘层123与第二有机绝缘层121之间的边界处的第二电极230的点到阻挡金属层BML的边缘BML-EG的距离X可以具有特定范围。例如，距离X可以大于由下面的等式1限定的设定距离。

[等式1]

Y＝H×tanθ

这里，Y指设定距离，H指从阻挡金属层BML的下表面到弯曲的第二电极230的下表面的高度，并且θ指45度或更小的角度中的一者。此外，θ指从与阻挡金属层BML的下表面垂直的直线(例如，与图11A的z轴平行的直线)到锥形的上绝缘层123测量的角度。

在这方面，可以不同地设置H。例如，尽管图11A中未示出，但是当第二电极230布置为与上绝缘层123直接接触时，第二电极230可以在上绝缘层123的边缘123-EG处弯曲。在这种情况下，H可以是从阻挡金属层BML的下表面到锥形的上绝缘层123的边缘123-EG的高度，或者是从阻挡金属层BML的下表面到第二电极230的在锥形的上绝缘层123的边缘123-EG处弯曲的弯曲点230-BA的下表面的高度。在实施例中，如图11A中所示，当第一功能层221和/或第二功能层223布置在上绝缘层123与第二电极230之间时，H可以指从阻挡金属层BML的下表面到第二电极230的在锥形的上绝缘层123的边缘123-EG处弯曲的弯曲点230-BA的下表面的高度，或者从锥形的上绝缘层123的边缘123-EG到阻挡金属层BML的平坦下表面的距离。

在这种情况下，H的值可以通过形成每层的传感器等测量，或者可以是预设值。在下文中，为了便于描述，H的值可以是预设值。此外，θ的值也可以通过传感器等测量，或者可以是预设值。当通过传感器测量θ时，可以基于当激光照射到基底100上时通过传感器入射到基底100的上表面上的激光束的范围和阻挡金属层BML的边缘BML-EG的位置来计算θ。在这种情况下，如上所述，θ可以具有45度或更小的值。

在这种情况下，阻挡金属层BML的边缘BML-EG可以是锥形的或非锥形的，并且可以是直线的形式。此外，第二电极230的边缘可以布置在第二电极230的布置在上绝缘层123与第二有机绝缘层121之间的边界处的弯曲点(即，上绝缘层123的边缘123-EG)与阻挡金属层BML的边缘BML-EG之间。

在如上所述的显示面板10中，第二电极230的下表面可以不膨胀或变形，因此，当形成堆叠在第二电极230上的每层时，可以不发生变形或损坏。

图11B是根据实施例的沿着图9的线B-B'截取的剖视图，如图9中所示，示出了多个透射区域TA之中的位于外侧的透射区域TA和透射区域TA的周围的剖面结构。

参照图11B，透射区域TA可以布置在布置在第二显示区域DA2中的多个第二有机发光二极管OLED2之中的两个邻近的第二有机发光二极管OLED2之间。第二有机发光二极管OLED2中的每个可以电连接到像素电路PC。基底100上的像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst，并且第二有机发光二极管OLED2可以具有第一电极210、发射层222和第二电极230的叠置结构，并且可以被封装层300覆盖。在这种情况下，第二有机发光二极管OLED2、像素电路PC和封装层300可以分别与参照图11A描述的那些相同或相似。在下文中，主要详细描述与图11A的不同之处。

第一功能层221、第二功能层223和第二电极230可以不布置在第三开口123OP3中。在这种情况下，第一无机封装层310布置在上绝缘层123上方，并且可以布置为围绕第一功能层221、第二功能层223和第二电极230的边缘。

在这种情况下，从第二电极230的布置在上绝缘层123与第二有机绝缘层121之间的边界处的弯曲点230-BA到阻挡金属层BML的边缘BML-EG的距离X可以具有根据上述等式1的范围。

图11C是根据实施例的沿着图9的线B-B'截取的剖视图，如图9中所示，示出了多个透射区域TA之中的位于外侧的透射区域TA和透射区域TA的周围的剖面结构。

参照图11C，在基底100上从阻挡金属层BML到上绝缘层123顺序地形成显示面板10，随后，在上绝缘层123上顺序地形成第一功能层221、发射层222、第二功能层223和第二电极230，以制造显示基底D。

然后，将显示基底D装入腔室(未示出)中，随后通过使用激光照射设备LA照射激光束LS，以去除第二电极230的一部分。具体地，激光照射设备LA的激光束LS可以照射到第二显示区域DA2，并且可以通过从与透射区域TA对应的部分去除第二电极230来改善透射区域TA的透光率。

具体地，可以通过激光照射设备LA从基底100的下表面照射激光束LS。在这种情况下，激光照射设备LA可以在与第二显示区域DA2对应的区域中在第一方向和第二方向中的至少一个上线性移动。在实施例中，激光照射设备LA可以在与第二显示区域DA2对应的区域中执行旋转运动或往复运动。在这种情况下，与激光束LS的照射方向垂直的激光束LS的剖面可以小于第二显示区域DA2的尺寸。

当激光束LS照射到第二显示区域DA2时，阻挡金属层BML阻挡激光束LS，从而防止第二有机发光二极管OLED2被激光束LS损坏。

已经穿过未布置有阻挡金属层BML的部分的激光束LS可以到达布置在与第三开口123OP3对应的部分中的第二电极230，以部分地去除第二电极230。在这种情况下，激光束LS可以仅去除第二电极230，或者可以去除第一功能层221、第二功能层223和第二电极230中的全部。

当如上所述照射激光束LS时，激光束LS可以在阻挡金属层BML的边缘BML-EG处衍射。在这种情况下，衍射的激光束LS的路径可以布置在距阻挡金属层BML的边缘BML-EG的特定角度范围内。例如，衍射的激光束LS的路径可以布置在与阻挡金属层BML的下表面垂直的直线(例如，与图11C的z轴方向平行的直线)和从该直线在一个方向上测量的角度在θ内的范围内。具体地，基于图11C，可以从与阻挡金属层BML的下表面垂直的直线在左方向和逆时针方向上测量衍射的激光束LS的路径的θ。在这种情况下，在阻挡金属层BML的边缘BML-EG处衍射的激光束LS可以布置在45度内的θ的范围内。

激光束LS可以行进到第二电极230的布置在上绝缘层123的锥形边缘123-EG处的弯曲点230-BA。在这种情况下，由于衍射的激光束LS，能量集中在上绝缘层123的锥形边缘123-EG上，因此，第二电极230的布置在上绝缘层123的锥形边缘123-EG处的弯曲点230-BA可能与上绝缘层123间隔开，或者可能出现毛刺。在这种情况下，由于第二电极230与上绝缘层123间隔开或由于第二电极230的毛刺，布置在第二电极230上的其它层可能不会粘附到第二电极230或者可能不会形成在第二电极230上，因此缩短了显示面板10的寿命。

然而，当在平面上观看时，在第二电极230的布置在上绝缘层123的锥形边缘123-EG处的弯曲点230-BA布置在超过等式1中计算的设定距离的位置的情况下，不会发生上述问题。也就是说，激光束LS不照射到第二电极230的布置在上绝缘层123的锥形边缘123-EG处的弯曲点230-BA，因此，可以减少由于激光束LS的照射而导致的第二电极230的变形。

在这种情况下，当第二电极230由于激光束LS的照射而被部分地去除时，可以防止第二电极230在上绝缘层123的锥形边缘123-EG处的变形。

图12A是根据实施例的显示面板的上绝缘层的平面图，图12B是根据实施例的显示面板的光阻挡层的平面图。

参照图12A和图12B，上绝缘层123可以包括与像素(例如，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb)对应的第一开口123OP1和第二开口123OP2。第一开口123OP1的结构化可以与参照图6描述的像素的结构化基本上相同。第二开口123OP2的结构化可以与参照图7A和图7B描述的像素的结构化基本上相同。

上绝缘层123可以包括位于第二显示区域DA2中的第三开口123OP3。第三开口123OP3布置在第二显示区域DA2的第二内部显示区域中，但是可以不存在于第二外部显示区域中。例如，第三开口123OP3可以不布置在第一显示区域DA1的像素与布置为最靠近第一显示区域DA1的第二显示区域DA2的像素之间。第三开口123OP3可以在第二内部显示区域中布置在x方向、y方向和ob方向(见图9)上。

第三开口123OP3可以彼此间隔开。上绝缘层123可以包括在x方向和y方向上布置在邻近的第三开口123OP3之间的部分，并且对应的部分可以覆盖在x方向上延伸的第一布线HL(例如，横向布线)和在y方向上延伸的第二布线VL(例如，纵向布线)。第一布线HL可以包括参照图5描述的扫描线，第二布线VL可以包括数据线和/或驱动电压线。

参照图12B，光阻挡层610可以包括与像素(例如，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb)对应的第四开口610OP1和第五开口610OP2。第四开口610OP1的结构化可以与第一开口123OP1的结构化基本上相同。例如，第四开口610OP1的结构化可以与参照图6描述的像素的结构化基本上相同。第五开口610OP2的结构化可以与第二开口123OP2的结构化基本上相同。例如，第五开口610OP2的结构化可以与参照图7A和图7B描述的像素基本上相同。

光阻挡层610可以包括位于第二显示区域DA2中的第六开口610OP3。在实施例中，第六开口610OP3布置在第二显示区域DA2的一部分中，并且可以不存在于第二显示区域DA2的另一部分中。第六开口610OP3可以在第二显示区域DA2中布置在x方向、y方向和ob方向(见图9)上。在实施例中，尽管未示出，但是第六开口610OP3可以布置在整个第二显示区域DA2中。

第六开口610OP3可以彼此间隔开。光阻挡层610可以包括在x方向和y方向上布置在邻近的第六开口610OP3之间的部分，并且对应的部分可以覆盖在x方向上延伸的第一布线HL和在y方向上延伸的第二布线VL。均覆盖第一布线HL和第二布线VL的光阻挡层610的部分与上绝缘层123的部分彼此叠置，但是宽度可以彼此相同或不同。在这方面，图12A示出了上绝缘层123的部分的第一宽度w1小于如图12B中所示的光阻挡层610的部分的第二宽度w2，但是第一宽度w1可以大于或等于第二宽度w2。

图13是根据实施例的透射区域TA、第二电极的弯曲点230-BA、第六开口610OP3与第九开口BML-OP之间的关系的平面图。

参照图13，透射区域TA在平面图中可以具有基本上十字形形状。上面参照图12A和图12B描述的光阻挡层610和阻挡金属层BML可以分别包括均与透射区域TA对应的第六开口610OP3和第九开口BML-OP，并且第六开口610OP3和第九开口BML-OP中的至少一个可以包括直边缘。

在实施例中，第六开口610OP3的边缘和/或第九开口BML-OP的边缘可以包括直边缘。换言之，光阻挡层610的限定第六开口610OP3的边缘和/或阻挡金属层BML的限定第九开口BML-OP的边缘可以具有如图13中所示的直结构。在这种情况下，透射区域TA可以包括平面上的直边缘。

在实施例中，尽管未示出，但是透射区域TA可以包括重复凹凸结构的边缘。在这种情况下，均限定透射区域TA的第六开口610OP3的边缘和/或第九开口BML-OP的边缘可以具有凹凸结构。具有如上所述的凹凸结构的透射区域TA可以防止穿过透射区域TA的光的衍射或使穿过透射区域TA的光的衍射最小化。

图13示出了透射区域TA的边缘具有直线，但是在实施例中，边缘具有除直线之外的形状。

如上所述，透射区域TA可以由光阻挡层610限定。在这种情况下，阻挡金属层BML的边缘可以布置在光阻挡层610的边缘内侧。也就是说，在平面上，第六开口610OP3可以布置在第九开口BML-OP内侧。第六开口610OP3可以限定透射区域TA的边界。在这种情况下，第二电极230的弯曲点230-BA可以布置在第九开口BML-OP内侧。在这种情况下，从第九开口BML-OP的边界到第二电极230的弯曲点230-BA的距离X可以大于上述等式1中限定的设定距离。

图14A是根据实施例的透射区域TA的上绝缘层、第六开口610OP3与第九开口BML-OP之间的关系的平面图，图14B是沿着图14A的线C-C'截取的剖视图。

参照图14A和图14B，透射区域TA可以类似于图13中所示的透射区域。在这种情况下，透射区域TA可以由阻挡金属层BML的形成第九开口BML-OP的边缘限定。在这种情况下，第六开口610OP3和第二电极230的弯曲点230-BA可以布置在第九开口BML-OP内侧。

在这种情况下，如图14B中所示，在平面上，阻挡金属层BML的边缘BML-EG可以布置为比光阻挡层610的边缘靠近透射区域TA的中心。

在这种情况下，在平面上，从阻挡金属层BML的边缘到第二电极230的弯曲点230-BA的距离X可以大于通过上述等式1计算的设定距离。

图15是根据实施例的显示面板10的第二显示区域DA2和第二显示区域DA2周围的第一显示区域DA1的剖视图。

参照图15，显示面板10可以类似于图10中所示的显示面板10，并且与图10中所示的附图标记相同的附图标记可以表示相同的构件。在下文中，主要详细描述与图10的不同之处。

在平面上，阻挡金属层BML可以在第二显示区域DA2的除与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的透射区域TA对应的部分之外的部分区域中布置在缓冲层111与基底100之间。也就是说，阻挡金属层BML可以布置在第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2下面。在这种情况下，其中阻挡金属层BML布置在第二显示区域DA2中的形状可以是图11A或图11B中所示的形状。

根据实施例的显示面板和电子装置可以能够实现清晰的图像。在根据实施例的显示设备和电子装置中，层之间可以不存在间隙。

应当理解的是，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板具有：

第一显示区域，其中定位有第一发光二极管；以及

第二显示区域，被所述第一显示区域至少部分地围绕，并且在所述第二显示区域中定位有包括第二发光二极管的显示元件组和透射区域，

其中，所述显示面板包括：

上绝缘层，限定所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每个的发射区域，并且包括与所述透射区域相邻的锥形部分；

电极，位于所述上绝缘层上并且包括开口以与所述透射区域对应；以及

阻挡金属层，位于所述上绝缘层下面，

其中，在平面上，所述阻挡金属层的边缘与所述电极的在所述上绝缘层的锥形边缘处弯曲的点之间的距离大于由等式1限定的设定距离：

Y＝H×tanθ

其中，Y指设定距离，H指从所述阻挡金属层的下表面到所述电极的在所述上绝缘层的所述锥形边缘处弯曲的下表面的高度，并且θ指45度或更小的角度中的一者。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述上绝缘层包括与所述第一发光二极管对应的第一开口、与所述第二发光二极管对应的第二开口以及位于所述显示元件组之间的第三开口。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述电极的所述开口与所述第三开口叠置。

4.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括分别电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管中的每个包括：

半导体层；

栅电极，与所述半导体层的一部分叠置；

选自源电极和漏电极中的一个电极；以及

绝缘层，位于选自所述半导体层、所述栅电极和所述一个电极中的至少两个之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述绝缘层包括与所述上绝缘层的所述第三开口叠置的绝缘层开口。

6.根据权利要求5所述的显示面板，所述显示面板还包括位于所述绝缘层上的有机绝缘层，

其中，所述有机绝缘层的一部分位于所述绝缘层开口中。

7.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括位于所述上绝缘层上并且包括光阻挡层和滤色器的抗反射层。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述上绝缘层是不透明的。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述透射区域由所述上绝缘层、所述阻挡金属层或者所述上绝缘层和所述阻挡金属层限定。

10.一种电子装置，所述电子装置包括：

显示面板，具有其中定位有第一发光二极管的第一显示区域和其中定位有第二发光二极管和透射区域的第二显示区域；以及

组件，位于所述显示面板的下表面上并且与所述第二显示区域叠置，

其中，所述显示面板包括：

上绝缘层，限定所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每个的发射区域，并且包括与所述透射区域相邻的锥形部分；

电极，位于所述上绝缘层上并且包括开口以与所述透射区域对应；以及

阻挡金属层，位于所述上绝缘层下面，并且

其中，在平面上，所述阻挡金属层的边缘与所述电极的在所述上绝缘层的锥形边缘处弯曲的点之间的距离大于由等式1限定的设定距离：

Y＝H×tanθ

其中，Y指设定距离，H指从所述阻挡金属层的下表面到所述电极的在所述上绝缘层的所述锥形边缘处弯曲的下表面的高度，并且θ指45度或更小的角度中的一者。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述上绝缘层包括与所述第一发光二极管对应的第一开口、与所述第二发光二极管对应的第二开口以及位于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的第三开口。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中，所述电极的所述开口与所述第三开口叠置。

13.根据权利要求11所述的电子装置，所述电子装置还包括分别电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管中的每个包括：

半导体层；

栅电极，与所述半导体层的一部分叠置；

选自源电极和漏电极的一个电极；以及

绝缘层，位于选自所述半导体层、所述栅电极和所述一个电极中的至少两个之间。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述绝缘层包括与所述上绝缘层的所述第三开口叠置的绝缘层开口。

15.根据权利要求14所述的电子装置，所述电子装置还包括位于所述绝缘层上的有机绝缘层，

其中，所述有机绝缘层的一部分位于所述绝缘层开口中。

16.根据权利要求11所述的电子装置，所述电子装置还包括位于所述上绝缘层上并且包括光阻挡层和滤色器的抗反射层。

17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，所述滤色器被构造为与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管对应。

18.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述上绝缘层是不透明的。

19.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述透射区域由所述上绝缘层、所述阻挡金属层或者所述上绝缘层和所述阻挡金属层限定。

20.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述组件包括传感器和相机中的至少一个。

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