CN218417160U - 显示面板和包括该显示面板的电子装置 - Google Patents

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Abstract

提供了显示面板和包括该显示面板的电子装置。显示面板包括：基板，包括聚合物树脂；第一像素电路和第二像素电路，各自包括薄膜晶体管；第一发光二极管，连接到第一像素电路并且位于第一显示区域中；第二发光二极管，连接到第二像素电路并且位于第二显示区域的子显示区域中；底部金属层，在第二显示区域中并且在基板与第二像素电路之间；以及保护层，在基板与底部金属层之间并且与第一显示区域和第二显示区域相对应，其中，底部金属层包括在透射区域中的第一开口，并且保护层包括在透射区域中并且与底部金属层的第一开口重叠的第二开口。

Description

显示面板和包括该显示面板的电子装置
相关申请的交叉引用
本申请基于2021年6月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0074974号并且要求其优先权，该专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示面板和包括该显示面板的电子装置。更具体地，本公开涉及显示面板和包括在显示面板中的用于在该显示面板下方提供部件(例如，摄像头、传感器等)的部件区域的电子装置。
背景技术
近来，显示面板的用途已经多样化。另外，随着显示面板已变得越来越薄并且越来越轻，其使用范围已逐渐扩展。
随着显示面板中由显示区域占据的面积扩大，已增加与显示面板结合或链接到显示面板的各种功能。作为在增加面积的同时增加各种功能的方式，已经进行了对具有用于提供除了显示区域中的图像显示之外的其它各种功能的区域的显示面板的研究。
实用新型内容
诸如摄像头或传感器的部件可以布置在显示面板下方以提供各种功能。为了在确保大的显示区域的同时布置部件，部件可以被布置为与显示区域重叠。作为布置部件的方法，显示面板可以包括诸如光或声音的波长可以穿过的透射区域。本公开包括具有上述结构的显示面板和包括该显示面板的电子装置。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过实践本公开所呈现的实施例而获知。
根据实施例，一种显示面板包括：基板，包括聚合物树脂；第一像素电路和第二像素电路，布置在基板上并且各自包括薄膜晶体管；第一发光二极管，电连接到第一像素电路并且位于第一显示区域中；第二发光二极管，电连接到第二像素电路并且位于第二显示区域的子显示区域中；底部金属层，位于第二显示区域中并且设置在基板与第二像素电路之间；以及保护层，与第一显示区域和第二显示区域相对应，保护层设置在基板与底部金属层之间，其中，底部金属层包括在与第二显示区域的子显示区域相邻的透射区域中的第一开口，并且保护层包括位于透射区域中并且与底部金属层的第一开口重叠的第二开口。
保护层的第二开口的宽度可以小于底部金属层的第一开口的宽度。
保护层可以包括氧化硅和氮化硅的多层结构、非晶硅或者富硅(Si)的氮氧化硅。
第一像素电路和第二像素电路中的每一个的薄膜晶体管可以包括包含多晶硅的半导体层。
第二像素电路可以包括多个薄膜晶体管，并且底部金属层可以与多个薄膜晶体管重叠。
显示面板可以进一步包括在基板与第一像素电路之间的附加金属层，并且附加金属层可以与第一像素电路的多个薄膜晶体管中的一个或一些重叠。
附加金属层的厚度可以小于底部金属层的厚度。
显示面板可以进一步包括在附加金属层与底部金属层之间的层间绝缘层。
显示面板可以进一步包括布置在基板上并且布置在第一发光二极管和第二发光二极管下方的无机绝缘层的堆叠体，其中，堆叠体包括位于透射区域中并且与底部金属层的第一开口和保护层的第二开口重叠的第三开口。
显示面板可以进一步包括布置在堆叠体上并且布置在第一发光二极管和第二发光二极管下方的有机绝缘层，并且有机绝缘层的一部分可以在堆叠体的第三开口中。
有机绝缘层的该部分可以进一步在保护层的第二开口中。
有机绝缘层的该部分可以通过保护层的第二开口和堆叠体的第三开口与基板接触。
基板可以包括：第一基底层，包括聚合物树脂；第一阻挡层，布置在第一基底层上并且包括无机绝缘材料；第二基底层，布置在第一阻挡层上并且包括聚合物树脂；以及第二阻挡层，布置在第二基底层上并且包括无机绝缘材料，并且有机绝缘层的该部分可以与第二阻挡层接触。
根据实施例，一种电子装置包括：显示面板，包括第一显示区域和被第一显示区域至少部分地围绕的第二显示区域，第二显示区域包括子显示区域和透射区域；以及部件，布置在显示面板下方以位于第二显示区域中，其中，显示面板包括：基板；第一发光二极管，布置在第一显示区域中并且电连接到布置在基板上的第一像素电路，第一像素电路包括薄膜晶体管；第二发光二极管，布置在第二显示区域的子显示区域中并且电连接到布置在基板上的第二像素电路，第二像素电路包括薄膜晶体管；底部金属层，设置在第二显示区域中、基板与第二像素电路之间，并且包括位于透射区域中的第一开口；以及保护层，设置在基板与底部金属层之间并且包括与底部金属层的第一开口重叠的第二开口。
显示面板可以进一步包括布置在底部金属层上的无机绝缘层的堆叠体，并且堆叠体可以包括与底部金属层的第一开口和保护层的第二开口重叠的第三开口。
显示面板可以进一步包括布置在堆叠体上并且布置在第一发光二极管和第二发光二极管下方的有机绝缘层，并且有机绝缘层的一部分可以在堆叠体的第三开口和保护层的第二开口中。
有机绝缘层的该部分可以通过堆叠体的第三开口和保护层的第二开口与基板直接接触。
基板可以包括：第一基底层，包括聚合物树脂；第一阻挡层，布置在第一基底层上并且包括无机绝缘材料；第二基底层，布置在第一阻挡层上并且包括聚合物树脂；以及第二阻挡层，布置在第二基底层上并且包括无机绝缘材料，并且有机绝缘层的该部分可以与第二阻挡层接触。
保护层的第二开口的宽度可以小于底部金属层的第一开口的宽度。
保护层可以包括在大约250nm至大约350nm的波段中具有大约10％或更小的透射率的材料。
保护层可以包括氧化硅和氮化硅的多层结构、非晶硅或者富硅(Si)的氮氧化硅。
第一像素电路和第二像素电路中的每一个的薄膜晶体管可以包括包含多晶硅的半导体层。
第二像素电路可以包括多个薄膜晶体管，并且底部金属层可以与多个薄膜晶体管重叠。
显示面板可以进一步包括在基板与第一像素电路之间的附加金属层。
附加金属层的厚度可以小于底部金属层的厚度。
附加金属层可以与第一像素电路的多个薄膜晶体管中的一个或一些重叠。
显示面板可以进一步包括在附加金属层与底部金属层之间的层间绝缘层。
该部件可以包括传感器或摄像头。
从实施例的以下详细描述、附图和权利要求书中，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
从结合附图进行的以下描述中，某些实施例的上述和其它方面、特征以及优点将更加显而易见，附图中：
图1是示出根据实施例的电子装置的透视图；
图2A和图2B是根据实施例的可折叠电子装置的透视图，其中，图2A示出可折叠电子装置的折叠状态，并且图2B示出可折叠电子装置的展开状态；
图3是示意性地示出根据实施例的电子装置的平面图；
图4是示出根据实施例的电子装置的一部分的截面图；
图5是示意性地示出根据实施例的电连接到显示面板的发光二极管的像素电路的等效电路图；
图6是示出根据实施例的显示面板的第一显示区域的一部分的平面图；
图7A和图7B是示出根据实施例的显示面板的第二显示区域的一部分的平面图；
图8是示出根据实施例的显示面板的第二显示区域及其周围的第一显示区域的平面图；
图9是示出图8的一部分的平面图；
图10是根据实施例的沿图9中的线A-A'和B-B'截取的图9中的显示面板的截面图；并且
图11是根据另一实施例的沿图9中的线A-A'和B-B'截取的图9中的显示面板的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考其示例在附图中示出的实施例，其中相同的附图标记在整个本公开中指代相同的元件。在这点上，当前实施例可以具有不同的形式和配置，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面通过参考附图仅描述实施例以说明本公开的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
因为本公开可以具有多样化的修改实施例，所以实施例在附图中被示出并且关于附图被描述。通过参考参照附图描述的实施例，本公开的效果和特性以及实现它们的方法将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式和配置来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。
下面将参考附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。相同或彼此对应的部件被赋予相同的附图标记而不管图号如何，并且省略冗余的说明。
在下面的实施例中，诸如“第一”和“第二”的术语在本文中仅用于描述各种构成元件，但是构成元件不受这些术语限制。这样的术语仅用于将一个构成元件与另一构成元件区分开的目的。
除非上下文另外明确地指示，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
将理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将进一步理解，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，它可以直接或间接地形成在该另一层、区域或元件上。即，例如，可以在其之间存在一个或多个居间层、区域或元件。
在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其任何变体。
在附图中，为了便于说明，附图中的部件的尺寸可能被夸大或缩小。换句话说，因为为了便于说明而任意地示出了附图中部件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实现实施例时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解，当层、区或部件被称为连接到另一层、区或部件时，它可以直接或间接连接到另一层、区或部件。即，例如，可以存在居间层、区或部件。例如，当层、区域或元件等被称为“电连接”时，它们可以直接电连接，或者层、区域或元件可以间接电连接，并且在其之间可以存在居间层、区域或元件等。
图1是示出根据实施例的电子装置1的透视图。
根据实施例的电子装置1是用于显示运动图像或静止图像的装置，并且可以用作包括电视机(TV)、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)产品的各种产品以及包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备和超便携PC(UMPC)的便携式电子装置的显示屏。另外，根据实施例的电子装置1可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备中。另外，根据实施例的电子装置1可以用作汽车的仪表面板、布置在中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的室内镜显示器以及布置在汽车的前排座椅的后侧作为后排座椅的娱乐设施的显示器。为了便于描述，图1示出了电子装置1被用作智能电话。
参考图1，电子装置1可以包括显示区域DA和在显示区域DA的外部的非显示区域NDA。电子装置1可以通过以二维方式布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来提供图像。
非显示区域NDA是其中不提供图像的区域，并且可以完全围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供给布置在显示区域DA中的显示元件的驱动器等可以布置在非显示区域NDA中。作为电子元件或印刷电路板可以电连接到其的区域的焊盘可以布置在非显示区域NDA中。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第二显示区域DA2是其中布置用于向电子装置1提供各种功能的部件的区域，并且第二显示区域DA2可以与部件区域相对应。
图2A和图2B是根据实施例的可折叠电子装置的透视图。图2A示出可折叠电子装置的折叠状态，并且图2B示出可折叠电子装置的展开状态。
根据实施例的电子装置1可以包括可折叠电子装置。电子装置1可以相对于折叠轴FAX折叠。显示区域DA可以位于电子装置1的外部和/或内部。在实施例中，图2A和图2B分别示出了位于电子装置1的外部和内部的显示区域DA。
参考图2A，显示区域DA可以布置在电子装置1的外部。被折叠的电子装置1的外表面可以包括显示区域DA，并且显示区域DA可以包括占据显示区域DA的大部分的第一显示区域DA1和具有比第一显示区域DA1的面积相对小的面积的第二显示区域DA2。
参考图2B，显示区域DA可以布置在电子装置1的内部。被展开的电子装置1的内表面可以包括显示区域DA，并且显示区域DA可以包括占据显示区域DA的大部分的第一显示区域DA1和具有比第一显示区域DA1的面积相对小的面积的第二显示区域DA2。
图2B示出第一显示区域DA1包括分别布置在折叠轴FAX的相对侧的左显示区域DA1L和右显示区域DA1R，并且第二显示区域DA2位于右显示区域DA1R的内部。然而，本公开不限于此。在另一实施例中，第二显示区域DA2可以布置在左显示区域DA1L的内部。在另一实施例中，第二显示区域DA2可以布置在左显示区域DA1L和右显示区域DA1R的内部。
图3是示意性地示出根据实施例的电子装置1的平面图。
在图1、图2A和图2B中，电子装置1的第二显示区域DA2被第一显示区域DA1完全围绕，但是本公开不限于此。如图3中所示，第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1部分围绕。
在图1、图2A、图2B和图3中，第二显示区域DA2布置在显示区域DA上方，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第二显示区域DA2可以在被第一显示区域DA1至少部分围绕的同时，布置在显示区域DA的各个位置处。
图4是示出根据实施例的电子装置1的一部分的截面图。
参考图4，电子装置1可以包括显示面板10和布置在显示面板10的下表面上以与显示面板10重叠的部件20。部件20可以布置在显示面板10下方，并且可以布置在第二显示区域DA2中。
显示面板10可以包括基板100、布置在基板100上的薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件(例如，发光二极管LED)、覆盖显示元件的封装层300、输入检测层400、抗反射层600和窗口700。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可折叠的、可卷曲的或可弯曲的。基板100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
下保护膜PB可以布置在基板100的下表面上。下保护膜PB可以附接到基板100的下表面。粘合层可以在下保护膜PB和基板100之间。在一些实施例中，下保护膜PB可以直接提供在基板100的下表面上，并且在这种情况下，粘合层可以不在下保护膜PB与基板100之间。
下保护膜PB可以支撑和保护基板100。下保护膜PB可以具有与第二显示区域DA2相对应的开口PB-OP。下保护膜PB可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。
薄膜晶体管TFT和作为电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件的发光二极管LED可以布置在基板100的上表面上。发光二极管LED可以包括包含有机材料的有机发光二极管。有机发光二极管可以发射红光、绿光或蓝光。
发光二极管LED可以包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机半导体的材料的p-n结二极管。当电压在正向方向上被施加到p-n结二极管时，空穴和电子被注入，并且由空穴和电子的复合产生的能量被转换为光能以发射某种颜色的光。上述无机发光二极管可以具有几至几百微米或几至几百纳米的宽度。在一些实施例中，发光二极管LED可以包括量子点发光二极管。发光二极管LED的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
发光二极管LED可以电连接到布置在其下方的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的发光二极管LED可以布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的每一个中。
透射区域TA可以位于第二显示区域DA2中。透射区域TA包括从部件20发射的光和/或朝向部件20行进的光可以穿过的区域。在显示面板10中，透射区域TA的透射率可以是大约30％或更大、大约40％或更大、大约50％或更大、大约60％或更大、大约70％或更大、大约75％或更大、大约80％或更大、大约85％或更大或者大约90％或更大。
部件20可以包括诸如接近传感器、照度传感器、虹膜传感器和面部识别传感器的传感器以及摄像头(或图像传感器)。部件20可以使用光。例如，部件20可以发射和/或接收红外线、紫外线和可见光波段中的光。使用红外光的接近传感器可以检测靠近电子装置1的上表面布置的物体，并且照度传感器可以检测入射到电子装置1的上表面的光的亮度。另外，虹膜传感器可以拍摄电子装置1的上表面上方的人的虹膜，并且摄像头可以接收布置在电子装置1的上表面上的物体的光。
为了防止布置在第二显示区域DA2中的薄膜晶体管TFT的功能被穿过透射区域TA的光劣化，金属层(在下文中，称为底部金属层BML)可以布置在第二显示区域DA2中的薄膜晶体管TFT下方。例如，底部金属层BML可以在基板100与薄膜晶体管TFT之间。底部金属层BML布置在第二显示区域DA2中，并且可以包括与透射区域TA重叠的开口BML-OP(在下文中，称为第一开口)。
保护层110可以布置在基板100与薄膜晶体管TFT之间。保护层110可以防止基板100被在薄膜晶体管TFT的形成工艺中使用的激光损坏。保护层110可以包括非晶硅(a-Si)、富Si的氮氧化硅、或者氧化硅和氮化硅的交替堆叠结构。
保护层110可以覆盖基板100的整个上表面以保护基板100。保护层110在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中被一体地提供为单体，但是可以包括与透射区域TA重叠的开口110OP(在下文中，称为第二开口)。
封装层300可以覆盖发光二极管LED中的每一个。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。封装层300可以覆盖整个第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
输入检测层400可以提供在封装层300上。输入检测层400可以根据外部输入(例如，诸如手指或触控笔的物体的触摸事件)获得坐标信息。输入检测层400可以包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入检测层400可以通过使用互电容方法或自电容方法来检测外部输入。
抗反射层600可以降低从外部朝向显示面板10入射的(外部)光的反射率。抗反射层600可以包括偏振器。当抗反射层600包括偏振器时，偏振器可以包括与透射区域TA相对应的开口。
在另一实施例中，抗反射层600可以包括遮光层、滤色器和外涂层。滤色器被布置为分别与发光二极管LED重叠，并且可以透射由发光二极管LED发射的光，并且遮光层可以具有围绕滤色器中的每一个的网格形状。滤色器和遮光层不布置在透射区域TA中，但是外涂层可以布置在透射区域TA中。
窗口700布置在抗反射层600上。窗口700可以通过诸如光学透明粘合剂的粘合层AL耦接到抗反射层600。窗口700可以包括玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄玻璃。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、PET、聚苯硫醚、聚芳酯、PI、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
图5是示意性地示出根据实施例的电连接到显示面板的发光二极管LED的像素电路PC的等效电路图。
参考图5，像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7和存储电容器Cst。
第一薄膜晶体管T1可以根据第二薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm并且将驱动电流供应给发光二极管LED，并且第二薄膜晶体管T2根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn导通并且执行将经由数据线DL接收的数据信号Dm传输到第一薄膜晶体管T1的开关操作。
第三薄膜晶体管T3是补偿薄膜晶体管，并且第三薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。第三薄膜晶体管T3的源电极(或漏电极)可以通过第六薄膜晶体管T6连接到发光二极管LED的第一电极(例如，阳极)，并且连接到第一薄膜晶体管T1的漏电极(或源电极)。第三薄膜晶体管T3的漏电极(或源电极)可以连接到存储电容器Cst的任一电极，并且可以连接到第四薄膜晶体管T4的源电极(或漏电极)和第一薄膜晶体管T1的栅电极。第三薄膜晶体管T3根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，并且将第一薄膜晶体管T1的栅电极和第一薄膜晶体管T1的漏电极彼此连接，以二极管连接第一薄膜晶体管T1。
第四薄膜晶体管T4是初始化薄膜晶体管，并且第四薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第四薄膜晶体管T4的漏电极(或源电极)可以连接到初始化电压线VL。第四薄膜晶体管T4的源电极(或漏电极)可以连接到存储电容器Cst的任一电极、第三薄膜晶体管T3的漏电极(或源电极)和第一薄膜晶体管T1的栅电极。第四薄膜晶体管T4根据经由前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1导通，并且将初始化电压Vint传送到第一薄膜晶体管T1的栅电极以执行初始化第一薄膜晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
第五薄膜晶体管T5是操作控制薄膜晶体管，并且第五薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。第五薄膜晶体管T5的源电极(或漏电极)可以连接到驱动电压线PL。第五薄膜晶体管T5的漏电极(或源电极)连接到第一薄膜晶体管T1的源电极(或漏电极)和第二薄膜晶体管T2的漏电极(或源电极)。
第六薄膜晶体管T6是发射控制薄膜晶体管，并且第六薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。第六薄膜晶体管T6的源电极(或漏电极)可以连接到第一薄膜晶体管T1的漏电极(或源电极)和第三薄膜晶体管T3的源电极(或漏电极)。第六薄膜晶体管T6的漏电极(或源电极)可以电连接到发光二极管LED的第一电极(例如，阳极)。第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6根据经由发射控制线EL接收的发射控制信号En同时导通，并且因此驱动电压ELVDD被施加到发光二极管LED并且驱动电流在发光二极管LED中流动。
第七薄膜晶体管T7可以包括初始化发光二极管LED的第一电极(例如，阳极)的初始化薄膜晶体管。第七薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第七薄膜晶体管T7的源电极(或漏电极)可以连接到发光二极管LED的第一电极(例如，阳极)。第七薄膜晶体管T7的漏电极(或源电极)可以连接到初始化电压线VL。第七薄膜晶体管T7根据经由下一扫描线SL+1接收的下一扫描信号Sn+1导通，并且可以初始化发光二极管LED的第一电极(例如，阳极)。
尽管图5示出了第四薄膜晶体管T4和第七薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1的情况，但是第四薄膜晶体管T4和第七薄膜晶体管T7都可以连接到前一扫描线SL-1并且根据前一扫描信号Sn-1被驱动。
存储电容器Cst的一个电极可以一起连接到第一薄膜晶体管T1的栅电极、第三薄膜晶体管T3的漏电极(或源电极)和第四薄膜晶体管T4的源电极(或漏电极)。存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。
发光二极管LED的对电极(例如，阴极)接收公共电压ELVSS。发光二极管LED从第一薄膜晶体管T1接收驱动电流以发光。
在图5中，像素电路PC包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而不同地改变。例如，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
图6是示出根据实施例的显示面板的第一显示区域DA1的一部分的平面图。
参考图6，多个像素布置在第一显示区域DA1中，并且像素可以包括发射彼此不同的颜色的光的第一像素至第三像素。在下文中，为了便于描述，描述了第一像素为红色像素Pr、第二像素为绿色像素Pg并且第三像素为蓝色像素Pb。
红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以以一定规则布置在第一显示区域DA1中。在一些实施例中，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以布置成如图6中所示的钻石
Figure BDA0003676072930000111
类型。
例如，多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb交替布置在第一行1N中，多个绿色像素Pg彼此隔开一定距离布置在与第一行1N相邻的第二行2N中，多个蓝色像素Pb和多个红色像素Pr交替布置在与第二行2N相邻的第三行3N中，多个绿色像素Pg可以彼此隔开一定距离布置在与第三行3N相邻的第四行4N中，并且重复相同的像素布置直到第N行。在这种情况下，蓝色像素Pb和红色像素Pr的尺寸(或面积、宽度)可以大于绿色像素Pg的尺寸(或面积、宽度)。蓝色像素Pb的尺寸(或面积、宽度)和红色像素Pr的尺寸(或面积、宽度)可以彼此相同或不同。在实施例中，蓝色像素Pb的尺寸(或面积、宽度)可以小于或大于红色像素Pr的尺寸(或面积、宽度)。宽度可以被定义为沿一方向(例如，x方向或y方向等)的长度。
布置在第一行1N中的红色像素Pr和蓝色像素Pb以及布置在第二行2N中的绿色像素Pg以交错方式布置。因此，多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb交替布置在第一列1M中，多个绿色像素Pg彼此隔开一定距离布置在与第一列1M相邻的第二列2M中，多个蓝色像素Pb和多个红色像素Pr交替布置在与第二列2M相邻的第三列3M中，多个绿色像素Pg彼此隔开一定距离布置在与第三列3M相邻的第四列4M中，并且重复此像素布置直到第M列。
将这种像素布置结构换种说法，可以这样表达：红色像素Pr布置在以绿色像素Pg的中心点作为虚拟四边形VS的中心点的虚拟四边形VS的顶点当中彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且蓝色像素Pb布置在剩余的顶点(即，第二顶点和第四顶点)处。在这种情况下，虚拟四边形VS可以被形成为各种形状，例如矩形形状、菱形形状和正方形形状。
这种像素布置结构被称为钻石型
Figure BDA0003676072930000112
并且可以通过应用共享相邻像素来表达颜色的渲染驱动，而通过使用少量像素来实现高分辨率。
图6中示出的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过使用布置在对应像素中的发光二极管来分别发射红光、绿光和蓝光。因此，像素的布置可以与为显示元件的发光二极管的布置相对应。例如，红色像素Pr的位置可以指示发射红光的发光二极管的位置。同样，绿色像素Pg的位置可以指示发射绿光的发光二极管的位置，并且蓝色像素Pb的位置可以指示发射蓝光的发光二极管的位置。
图7A和图7B是示出根据实施例的显示面板的第二显示区域DA2的平面图。
参考图7A和图7B，像素组PG可以在第二显示区域DA2中彼此隔开。像素组PG中的每一个可以被透射区域TA围绕，并且可以包括发射不同颜色的光的像素，例如，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb。在实施例中，像素组PG中的每一个可以包括两个红色像素Pr、四个绿色像素Pg和两个蓝色像素Pb。
第二显示区域DA2的其中像素组PG所位于的部分可以被称为子显示区域。换句话说，第二显示区域DA2可以具有子显示区域以及与子显示区域相邻的透射区域TA，并且像素组PG可以位于子显示区域中。
红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过使用布置在对应像素中的发光二极管来分别发射红光、绿光和蓝光，并且因此，像素的布置可以与为显示元件的发光二极管的布置相对应。因此，参考图7A和图7B描述的像素组PG可以与包括发射红光的发光二极管、发射绿光的发光二极管和发射蓝光的发光二极管的显示元件组相对应。例如，像素组PG中的每一个包括彼此间隔开的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb。即，这些像素组PG可以指示包括发射红光、绿光和蓝光的发光二极管的显示元件组彼此隔开布置。
像素组PG可以关于像素组PG的中心PGC对称地布置。例如，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以布置在第一列1M'中，并且四个绿色像素Pg可以彼此隔开一定距离布置在第二列2M'中。另外，蓝色像素Pb和红色像素Pr可以布置在第三列3M'中。在这种情况下，布置在第一列1M'中的红色像素Pr和布置在第三列3M'中的红色像素Pr可以关于像素组PG的中心PGC彼此对称地布置。类似地，布置在第一列1M'中的蓝色像素Pb和布置在第三列3M'中的蓝色像素Pb可以关于像素组PG的中心PGC彼此对称地布置。沿y方向布置在第二列2M'中的绿色像素Pg可以关于像素组PG的中心PGC彼此对称地布置。
在实施例中，蓝色像素Pb在y方向上的长度可以大于红色像素Pr在y方向上的长度。蓝色像素Pb在y方向上的长度可以大于或等于两个绿色像素Pg在y方向上的长度之和。
参考图7A，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb中的每一个在平面图中可以是近似四边形的。例如，红色像素Pr和蓝色像素Pb中的每一个可以具有在x方向上具有短边并且在y方向上具有长边的四边形形状。绿色像素Pg可以具有在x方向上具有长边并且在y方向上具有短边的四边形形状。
在另一实施例中，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb中的至少一个可以具有n边多边形形状(n是大于或等于5的自然数)。例如，如图7B中所示，绿色像素Pg可以具有四边形形状，但是红色像素Pr和蓝色像素Pb中的每一个可以具有与透射区域TA相邻的被至少弯曲一次的边缘，并且因此可以在平面图中具有n边多边形(n是大于或等于5的自然数)的形状。
图8是示出根据实施例的显示面板的第二显示区域DA2及其周围的第一显示区域DA1的平面图，并且图9是示出图8的一部分的平面图。
参考图8和图9，红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。第一显示区域DA1中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的布置可以与第二显示区域DA2中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的布置相同或不同。在实施例中，在图8和图9中，第一显示区域DA1中的像素的布置和第二显示区域DA2中的像素的布置彼此不同，并且其详细结构如上面参考图6、图7A和图7B所述。在另一实施例中，布置在第二显示区域DA2中的像素组PG中的每一个中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以具有上面参考图6描述的钻石
Figure BDA0003676072930000131
结构。
如图8中所示，布置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线(例如，虚拟边界线)BL可以在平面图中具有多边形形状。在实施例中，在图8中，边界线BL是具有12条边的多边形(例如，近似十字形的多边形)，并且上述多边形的角可以具有台阶配置。在另一实施例中，边界线BL的边的数量可以小于或大于12。布置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL可以像四边形那样具有四条边，或者可以是具有多于12条边的多边形。
第一显示区域DA1的像素可以彼此间隔开，并且第二显示区域DA2的像素也可以彼此间隔开。第一显示区域DA1的像素当中最靠近第二显示区域DA2的像素与第二显示区域DA2的像素当中最靠近第一显示区域DA1的像素之间的距离可以大于第一显示区域DA1中的彼此相邻的像素之间的距离，并且可以大于布置在第二显示区域DA2中的单个像素组PG中的相邻像素之间的距离。
透射区域TA可以位于第二显示区域DA2中。透射区域TA可以布置在彼此相邻的两个像素组PG之间。四个像素组PG可以关于透射区域TA彼此相邻。因为发光二极管位于像素中，所以可以理解，透射区域TA在一个像素组PG的发光二极管与另一像素组PG的发光二极管之间。
底部金属层BML可以不位于第一显示区域DA1中，但是可以位于第二显示区域DA2中。底部金属层BML可以包括在透射区域TA中的多个第一开口BML-OP。底部金属层BML的限定第一开口BML-OP中的每个第一开口BML-OP的边缘可以与该第一开口BML-OP的外轮廓相对应。当从垂直于基板100的方向观察时，底部金属层BML的第一开口BML-OP可以与透射区域TA重叠。
如图8和图9中所示，在平面图中，底部金属层BML可以具有其中与像素组PG重叠的第一部分和将第一部分彼此连接的第二部分被一体地提供为单体的网状结构。底部金属层BML的第一开口BML-OP彼此间隔开，但是可以被布置为形成行和列。底部金属层BML的外边缘可以布置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间，例如，可以与边界线BL相邻布置。
如上面参考图4所描述的，保护层110可以布置在基板100与底部金属层BML之间。保护层110可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中被一体地提供为单体，并且可以包括在透射区域TA中的第二开口110OP。当从垂直于基板100的方向观察时，保护层110的第二开口110OP可以与透射区域TA重叠，并且可以彼此间隔开并且布置成行和列。
保护层110的第二开口110OP和底部金属层BML的第一开口BML-OP可以彼此重叠并限定透射区域TA。透射区域TA中的每一个的外轮廓可以由保护层110的第二开口110OP和/或底部金属层BML的第一开口BML-OP限定。在实施例中，如图8和图9中所示，保护层110的第二开口110OP可以具有小于底部金属层BML的第一开口BML-OP的尺寸(或面积、宽度)的尺寸(或面积、宽度)，并且在这种情况下，透射区域TA的尺寸(或面积、宽度)可以由保护层110的第二开口110OP限定。即，在平面图中，底部金属层BML的第一开口BML-OP的外线围绕保护层110的第二开口110OP的外线。
如上面参考图4所述，透射区域TA包括光和/或声音可以穿过的区域，并且部件20(参见图4)可以被布置为与透射区域TA重叠。并非部件20的所有部分都与透射区域TA相对应，并且如图4中所示，部件20的一部分可以与透射区域TA相对应，而其它部分可以与第二显示区域DA2中的像素相对应。
布置在第一显示区域DA1与位于第二显示区域DA2的最外部分处的像素组PG之间的空间可以不是透射区域。例如，布置在第一显示区域DA1与位于第二显示区域DA2的最外部分处的像素组PG之间的空间可以包括其中不存在底部金属层BML的部分，但是对应的部分可以不是透射区域。
图10是根据实施例的沿图9中的线A-A'和B-B'截取的图9中的显示面板10的截面图。如上参考图4所述，图10中的显示面板10可以包括封装层300上方的输入检测层400(参见图4)、抗反射层600(参见图4)和窗口700(参见图4)。然而，在图10中，为了便于描述，省略了输入检测层400(参见图4)、抗反射层600(参见图4)和窗口700(参见图4)。有机发光二极管可以布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。
在图10中，显示面板10的发光二极管包括有机发光二极管。为了便于描述，布置在第一显示区域DA1中的有机发光二极管将被称为第一有机发光二极管OLED1，并且布置在第二显示区域DA2中的有机发光二极管将被称为第二有机发光二极管OLED2。
参考图10，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2被提供在基板100上。
基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚合物树脂，并且第一阻挡层102和第二阻挡层104可以各自包括无机绝缘材料。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、PET、聚苯硫醚、聚芳酯、PI、聚碳酸酯和/或醋酸丙酸纤维素。聚合物树脂可以包括透明材料。在实施例中，聚合物树脂可以具有大于大约70％的、具有诸如400nm至大约500nm的相对短波段的光的透射率。例如，聚合物树脂可以在大约400nm至大约550nm的波段中具有大约75％或更大的透射率。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每一个可以包括氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅。第一阻挡层102和第二阻挡层104中的至少一个可以具有多层结构。例如，第二阻挡层104可以具有氮氧化硅和氧化硅的双层结构。
保护层110可以布置在基板100上。保护层110可以保护基板100免受显示面板10的形成工艺的影响。在实施例中，分别电连接到第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的第一像素电路PC1和第二像素电路PC2可以各自包括包含多晶硅的半导体层。包括多晶硅的半导体层可以通过形成非晶硅并且然后通过将激光束(例如，大约308nm的激光束)照射到非晶硅来使非晶硅结晶而被提供。在这种情况下，当激光束到达基板100时，可能会在基板100中引起缺陷，使得第一阻挡层102和/或基板100因激光束而局部膨胀。然而，根据实施例，保护层110在基板100与上述半导体层之间，并且因此，可以防止上述激光束朝向基板100行进。
保护层110可以包括能够吸收激光束的材料。例如，保护层110可以包括在大约250nm至大约350nm的波段中具有大约10％或更小的透射率的材料。在一些实施例中，保护层110可以包括在大约280nm至大约310nm的波段中具有大约10％或更小的透射率的材料。保护层110可以包括a-Si层、富Si的氮氧化硅(SiON)层、或者氧化硅层和氮化硅层的交替堆叠结构(例如，其中氧化硅层和氮化硅层交替堆叠大约10次或更多的结构)。
保护层110可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中被提供为单体，并且可以包括位于第二显示区域DA2中的透射区域TA中的第二开口110OP。
可以在保护层110上提供第一像素电路PC1和第二像素电路PC2的半导体层，例如硅基半导体层。关于上述，图10示出了第一像素电路PC1和第二像素电路PC2中的每一个的第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1布置在保护层110上。
第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1可以通过形成完全覆盖基板100的上表面的多晶硅层并且然后图案化多晶硅层来提供。在这种情况下，如上所述，完全覆盖基板100的上表面的多晶硅层可以通过形成完全覆盖基板100的上表面的a-Si层并且然后将激光束照射到a-Si层来提供。
在提供包括多晶硅的半导体层(例如，第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1)之前，可以在第二显示区域DA2中提供底部金属层BML。在实施例中，在提供包括多晶硅的半导体层之前，可以在第一显示区域DA1中提供附加金属层ABML，并且图10示出了在第二显示区域DA2中提供底部金属层BML并且在第一显示区域DA1中提供附加金属层ABML的情况。
附加金属层ABML位于第一显示区域DA1中，并且可以与第一像素电路PC1的一部分重叠。例如，附加金属层ABML可以与包括在第一像素电路PC1中的多个薄膜晶体管中的一些薄膜晶体管重叠。关于上述，图10示出了附加金属层ABML与为第一像素电路PC1的驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1重叠。
附加金属层ABML可以通过连接电极CME电连接到第一像素电路PC1的驱动电压线PL，并且可以具有与第一像素电路PC1的驱动电压线PL相同的电压电平(例如，恒定的电压电平)。附加金属层ABML可以防止在第一像素电路PC1的操作期间，在第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1上积累不必要的电荷。结果，可以稳定地保持第一薄膜晶体管T1的特性。
底部金属层BML可以位于第二显示区域DA2中，并且可以与第二像素电路PC2重叠。底部金属层BML可以与包括在第二像素电路PC2中的所有晶体管重叠。例如，第二像素电路PC2可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器，并且底部金属层BML可以与第二像素电路PC2的这七个薄膜晶体管和这个存储电容器重叠。
底部金属层BML可以通过连接线CL具有电压。在实施例中，底部金属层BML可以具有恒定的电压电平，就好像底部金属层BML电连接到存储电容器Cst的上电极和/或第二像素电路PC2的驱动电压线一样。在一些实施例中，底部金属层BML可以具有恒定的电压电平，就好像底部金属层BML电连接到初始化电压线一样。
与第二有机发光二极管OLED2一样多的第二像素电路PC2可以布置在第二显示区域DA2中，并且底部金属层BML可以与第二像素电路PC2的所有晶体管重叠。
与第一有机发光二极管OLED1一样多的第一像素电路PC1可以布置在第一显示区域DA1中。随着附加金属层ABML的厚度t2增大，围绕附加金属层ABML的边缘的台阶增加。与底部金属层BML不同，附加金属层ABML与第一像素电路PC1的一些薄膜晶体管重叠，并且因此，当台阶围绕附加金属层ABML的边缘增加时，直接在附加金属层ABML上方的薄膜晶体管和不直接在附加金属层ABML上方的另一薄膜晶体管可能彼此断开。
例如，布置在附加金属层ABML上方的第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1可以与第一像素电路PC1的第二薄膜晶体管的半导体层被一体地提供为单体。在这种情况下，当附加金属层ABML的厚度t2足够大时，第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1和第二薄膜晶体管的半导体层可能因附加金属层ABML的边缘周围的台阶而彼此物理地且电地断开。
另一方面，底部金属层BML可以具有足以防止布置在第二显示区域DA2中的薄膜晶体管的功能被穿过透射区域TA的光劣化的厚度t1。因此，底部金属层BML的厚度t1可以大于附加金属层ABML的厚度t2。与附加金属层ABML不同，底部金属层BML与第二显示区域DA2中的所有薄膜晶体管重叠，并且因此，不会出现由于附加金属层ABML的边缘周围的台阶而导致的薄膜晶体管的电断开问题。
底部金属层BML和附加金属层ABML中的每一个可以包括具有导电性的金属，例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML和附加金属层ABML可以包括彼此相同的材料。在一些实施例中，底部金属层BML和附加金属层ABML可以包括彼此不同的材料。
第一层间绝缘层120可以在第一显示区域DA1中布置在附加金属层ABML上方，并且在第二显示区域DA2中布置在底部金属层BML下方。即，第一层间绝缘层120可以布置在底部金属层BML与附加金属层ABML之间。第一层间绝缘层120可以位于第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中，以便完全覆盖基板100的上表面。第一层间绝缘层120可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第二下层UL2可以布置在底部金属层BML下方以防止底部金属层BML的反射。第二下层UL2可以包括与保护层110的材料相同的材料。第二下层UL2可以包括a-Si层、富Si的SiON层、或者氧化硅层和氮化硅层的交替堆叠结构(例如，其中氧化硅层和氮化硅层交替堆叠大约10次或更多的结构)。在另一实施例中，第二下层UL2包括上述材料，并且可以包括与保护层110的材料不同的材料。
为了提高第二下层UL2与底部金属层BML之间的粘合力，第一下层UL1可以布置在第二下层UL2与底部金属层BML之间。第一下层UL1可以包括例如诸如氧化硅的无机绝缘材料。第一下层UL1和第二下层UL2中的每一个可以具有与底部金属层BML的平面形状相同的平面形状。换句话说，第一下层UL1和第二下层UL2仅位于底部金属层BML下方，并且可以不存在于其中底部金属层BML所不位于的区域中。
第三阻挡层131和缓冲层132可以被提供在底部金属层BML和附加金属层ABML上。第三阻挡层131和缓冲层132中的每一个可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第一像素电路PC1和第二像素电路PC2被提供在缓冲层132上。关于上述，图10示出了被提供在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每一个中的第一薄膜晶体管T1、存储电容器Cst和第三薄膜晶体管T3。
第一薄膜晶体管T1可以包括第一半导体层A1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一半导体层A1可以包括多晶硅，并且包括与第一栅电极GE1重叠的第一沟道区以及分别布置在第一沟道区的相对侧的第一源区和第一漏区。
第一栅电极GE1可以位于第一半导体层A1上，第一栅绝缘层140在第一栅电极GE1与第一半导体层A1之间。第一栅电极GE1可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且可以具有上述材料的单层或多层结构。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以布置在第二层间绝缘层151和第三层间绝缘层152上。第二层间绝缘层151和第三层间绝缘层152中的每一个可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以通过穿过第一栅绝缘层140、第二层间绝缘层151和第三层间绝缘层152的接触孔分别连接到第一半导体层A1的第一源区和第一漏区。第一源电极SE1和第一漏电极DE1中的每一个可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的三层结构。
存储电容器Cst可以包括第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst可以与为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1重叠。
在实施例中，第一电极CE1可以与为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1被一体地提供为单体。换句话说，第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1可以包括第一电极CE1。第二电极CE2可以与第一电极CE1重叠，第二层间绝缘层151在第二电极CE2与第一电极CE1之间。第二电极CE2可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且可以具有上述材料的单层或多层结构。
第四层间绝缘层160可以布置在包括硅基半导体层的薄膜晶体管(例如，第一薄膜晶体管T1)上。第四层间绝缘层160可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
包括氧化物基半导体层的薄膜晶体管(例如，第三薄膜晶体管T3)可以布置在第四层间绝缘层160上。第三薄膜晶体管T3可以包括第三半导体层A3、第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。第三半导体层A3可以包括氧化物基半导体。例如，第三半导体层A3可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、Cr、Ti和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物半导体。第三半导体层A3可以包括与第三栅电极GE3重叠的第三沟道区以及分别布置在第三沟道区的相对侧的第三源区和第三漏区。
第三栅电极GE3可以位于第三半导体层A3上，第二栅绝缘层171在第三栅电极GE3与第三半导体层A3之间。第三栅电极GE3可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且可以具有上述材料的单层或多层结构。第二栅绝缘层171可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以布置在第五层间绝缘层172上。第五层间绝缘层172可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以通过穿过第二栅绝缘层171和第五层间绝缘层172的接触孔分别连接到第三半导体层A3的第三源区和第三漏区。第三源电极SE3和第三漏电极DE3中的每一个可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的三层结构。
第一有机绝缘层180可以布置在第一像素电路PC1和第二像素电路PC2的薄膜晶体管上。第一有机绝缘层180可以包括硅氧烷基有机材料或酰亚胺基有机材料。第一有机绝缘层180可以包括诸如六甲基二硅氧烷(HMDSO)、丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)和PI的有机绝缘材料。
布置在基板100与第一有机绝缘层180之间的无机绝缘层的堆叠体IL(在下文中，称为堆叠体)(例如，第一层间绝缘层120、第三阻挡层131、缓冲层132、第一栅绝缘层140、第二层间绝缘层151、第三层间绝缘层152、第四层间绝缘层160、第二栅绝缘层171和第五层间绝缘层172)，可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中被一体地提供为单体。为了提高透射区域TA中的透射率，堆叠体IL可以包括在透射区域TA中的开口IL-OP(在下文中，称为第三开口)。布置在堆叠体IL上的第一有机绝缘层180的一部分可以存在于第三开口IL-OP中(位于第三开口IL-OP中或在第三开口IL-OP中存在)。换句话说，第一有机绝缘层180的该部分可以至少部分地填充第三开口IL-OP。
堆叠体IL的第三开口IL-OP可以与保护层110的第二开口110OP重叠。堆叠体IL的第三开口IL-OP和保护层110的第二开口110OP可以在同一工艺中一起提供。
第一有机绝缘层180的一部分可以存在于保护层110的第二开口110OP中。例如，第一有机绝缘层180的一部分可以穿过堆叠体IL的第三开口IL-OP并且存在于保护层110的第二开口110OP中。第一有机绝缘层180的该部分可以通过堆叠体IL的第三开口IL-OP和保护层110的第二开口110OP与基板100接触。第一有机绝缘层180的该部分可以与为基板100的最上层的第二阻挡层104直接接触。例如，如图10中所示，第一有机绝缘层180的该部分可以与第二阻挡层104的上表面直接接触。
当从垂直于基板100的上表面的方向(即，在平面图中)观察时，保护层110的整个第二开口110OP与底部金属层BML的第一开口BML-OP重叠，并且保护层110的第二开口110OP的尺寸(或宽度、直径)可以小于底部金属层BML的第一开口BML-OP的尺寸(或宽度、直径)，并且透射区域TA可以由保护层110的第二开口110OP限定。
在一些实施例中，在堆叠体IL的第三开口IL-OP和保护层110的第二开口110OP的形成工艺中，可以一起去除基板100的第二阻挡层104的一部分。例如，第二阻挡层104的该部分(与堆叠体IL的第三开口IL-OP和/或保护层110的第二开口110OP重叠的部分)的厚度可以小于其它部分的厚度。即使在这种情况下，第一有机绝缘层180的该部分也可以与为基板100的最上层的第二阻挡层104直接接触。
数据线DL和驱动电压线PL可以布置在第一有机绝缘层180上并且被第二有机绝缘层190覆盖。第二有机绝缘层190可以包括硅氧烷基有机材料。第二有机绝缘层190可以包括诸如HMDSO、丙烯酸、BCB和PI的有机绝缘材料。
图10示出了第二有机绝缘层190布置在第一有机绝缘层180上，但是在另一实施例中，可以省略第二有机绝缘层190。在这种情况下，数据线DL和驱动电压线PL可以布置在第一有机绝缘层180下方。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的第一电极210可以布置在有机绝缘层(例如，第二有机绝缘层190)上。第一电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何化合物的反射层。第一电极210可以包括包含上述材料的反射层以及在该反射层上方和/或下方的透明导电层。透明导电层可以包括导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。例如，第一电极210可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的三层结构。
堤层195覆盖第一电极210的边缘并且包括分别与第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的第一电极210重叠的开口195OP1，并且堤层195可以包括透射有机绝缘层。例如，堤层195可以包括HMDSO、丙烯酸、BCB和PI等。
在另一实施例中，堤层195可以包括遮光材料。堤层195可以包括黑色染料或颜料。例如，堤层195可以包括cardo基粘合剂树脂和颜料。在这种情况下，可以使用内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物作为染料。在一些实施例中，堤层195可以包括炭黑。
为了确保透射区域TA的透射率，堤层195可以包括在透射区域TA中的开口195OP2。
发射层221可以与第一电极210重叠。发射层221可以至少部分地存在于位于第一电极210上的堤层195的开口195OP1中，并且可以包括发射某种颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。功能层可以布置在发射层221下方和上方。功能层可以包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层当中的至少一种。
第二电极230可以包括具有低的功函数的导电材料。第二电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其任何合金的(半)透明层。在一些实施例中，第二电极230可以进一步包括在包括上述材料的(半)透明层上方的、包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。第二电极230可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中被一体地提供为单体，并且第二电极230的开口230OP可以限定在透射区域TA中。
封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括一种或多种无机绝缘材料，例如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅。有机封装层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、PI和聚乙烯等。第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以完全覆盖显示区域。
图10将第一薄膜晶体管T1示出为包括硅基半导体层的薄膜晶体管，并且将第三薄膜晶体管T3示出为包括氧化物基半导体层的薄膜晶体管。然而，本公开不限于此。例如，如上面参考图5所述，当第一像素电路PC1和第二像素电路PC2中的每一个包括七个薄膜晶体管时，各自包括氧化物基半导体层的薄膜晶体管可以包括第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4，而其余薄膜晶体管可以包括硅基半导体层。
图10示出了第一像素电路PC1和第二像素电路PC2中的每一个包括包含硅基半导体层的薄膜晶体管和包含氧化物基半导体层的薄膜晶体管，但是本公开不限于此。在另一实施例中，包括在第一像素电路PC1和第二像素电路PC2中的每一个中的所有薄膜晶体管可以包括硅基半导体层。
图10示出了第一像素电路PC1和第二像素电路PC2包括相同数量的薄膜晶体管和相同数量的存储电容器，但是本公开不限于此。例如，第二像素电路PC2的存储电容器的数量可以大于第一像素电路PC1的存储电容器的数量。因此，第二像素电路PC2的存储电容器的电极之间的重叠面积可以大于第一像素电路PC1的存储电容器的电极之间的重叠面积。第二像素电路PC2的存储电容器的电容可以大于第一像素电路PC1的存储电容器的电容。
图10示出了底部金属层BML和附加金属层ABML布置在彼此不同的层上，第一层间绝缘层120在底部金属层BML与附加金属层ABML之间，底部金属层BML在第一层间绝缘层120上方，并且附加金属层ABML在第一层间绝缘层120下方。然而，本公开不限于此。例如，参考与根据另一实施例的沿图9中的线A-A'和B-B'截取的图9中的显示面板的截面相对应的图11，底部金属层BML可以布置在第一层间绝缘层120下方，而附加金属层ABML可以布置在第一层间绝缘层120上。
上面参考图10描述的底部金属层BML下方的第二下层UL2(参见图10)可以包括与保护层110(参见图10)的材料相同的材料，并且因此，为了减少工艺的数量以简化工艺，保护层110可以具有图10的第二下层UL2的功能。
参考图11，布置在第二显示区域DA2中的底部金属层BML可以布置在保护层110上方，第一下层UL1在底部金属层BML与保护层110之间。例如，第一下层UL1的上表面可以与底部金属层BML直接接触，而第一下层UL1的下表面可以与保护层110直接接触。
保护层110可以包括a-Si层、富Si的SiON层、或者氧化硅层和氮化硅层的交替堆叠结构(例如，其中氧化硅层和氮化硅层交替堆叠大约10次或更多的结构)。当进入位于第二显示区域DA2中的部件20(参见图4)的光和/或从该部件20(参见图4)发射的光在底部金属层BML上反射并且再次进入该部件20时，可能会引起噪声。保护层110的材料可以防止或最小化从该部件20(参见图4)发射的光到底部金属层BML的引入(尽管根据波长存在差异)，并且即使当对应的光在底部金属层BML上反射时，也可以防止或最小化穿过底部金属层BML的光朝向该部件20(参见图4)的透射。
除了与底部金属层BML、第一下层UL1和附加金属层ABML的位置有关的特征之外的其它特征如上面参考图10所描述，并且将省略其冗余描述。
根据一个或多个实施例，可以防止基板被在显示面板的制造工艺中使用的激光束损坏，并且能够确保其中布置部件的透射区域的足够的透射率。然而，这些目的是示例并且不限制本公开的范围。
应当理解，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求书所限定的精神和范围的情况下，可以在本文中在形式和细节上做出各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
基板；
第一像素电路和第二像素电路，布置在所述基板上并且各自包括薄膜晶体管；
第一发光二极管，电连接到所述第一像素电路并且位于第一显示区域中；
第二发光二极管，电连接到所述第二像素电路并且位于第二显示区域的子显示区域中；以及
保护层，设置在所述第一显示区域和所述第二显示区域中，所述保护层设置在所述基板与所述第一像素电路之间以及所述基板与所述第二像素电路之间，
其中，所述保护层的第一开口限定在与所述第二显示区域的所述子显示区域相邻的透射区域中。
2.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
底部金属层，位于所述第二显示区域中，并且设置在所述基板与所述第二像素电路之间，
其中，所述保护层的与所述第二显示区域相对应的部分设置在所述基板与所述底部金属层之间，
其中，所述底部金属层的第二开口限定在所述透射区域中，并且
其中，所述保护层的所述第一开口与所述底部金属层的所述第二开口重叠，并且所述保护层的所述第一开口的宽度小于所述底部金属层的所述第二开口的宽度。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第二像素电路包括包含所述薄膜晶体管的多个薄膜晶体管，并且
所述底部金属层与所述多个薄膜晶体管重叠。
4.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
附加金属层，设置在所述基板与所述第一像素电路之间，
其中，所述附加金属层与所述第一像素电路的包括所述薄膜晶体管的多个薄膜晶体管中的一个或一些重叠，并且
其中，所述附加金属层的厚度小于所述底部金属层的厚度。
5.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括：
层间绝缘层，设置在所述附加金属层与所述底部金属层之间。
6.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
无机绝缘层的堆叠体，布置在所述基板上并且布置在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管下方，
其中，第三开口被限定在所述堆叠体中，所述第三开口位于所述透射区域中并且与所述底部金属层的所述第二开口和所述保护层的所述第一开口重叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板，进一步包括：
有机绝缘层，布置在所述堆叠体上并且布置在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管下方，
其中，所述有机绝缘层的一部分设置在所述堆叠体的所述第三开口和所述保护层的所述第一开口中。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述有机绝缘层的所述一部分通过所述保护层的所述第一开口和所述堆叠体的所述第三开口与所述基板直接接触。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述基板包括：
第一基底层；
第一阻挡层，布置在所述第一基底层上；
第二基底层，布置在所述第一阻挡层上；和
第二阻挡层，布置在所述第二基底层上，并且
其中，所述有机绝缘层的所述一部分与所述第二阻挡层直接接触。
10.一种电子装置，包括：
根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板；和
部件，布置在所述显示面板下方以位于所述第二显示区域中。
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