CN114242601A - 一种用于igbt模块的密封方法 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims description 44
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 41
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 36
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 19
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 8
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 8
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于IGBT模块的密封方法，涉及IGBT模块封装结构技术领域。本发明包括以下步骤：S1、围框下部与底板气体密封地固定连接；S2、在围框与底板形成的腔体灌封底部密封层；S3、在所述腔体内，在所述底部密封层上灌封稳定层；S4、在所述腔体内，在所述稳定层上灌封顶部加固层；S5、将所述围框上部与所述盖板固定连接。通过用于IGBT模块的密封技术，在低压环境应用IGBT模块时，虽然密封结构内外存在气压差，也不会出现微气泡在高压电场作用下的局部放电现象，不会造成有机绝缘的灌封体的老化分解，有效地提高了IGBT模块的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及IGBT模块封装结构技术领域，尤其涉及一种用于IGBT模块的密封方法。
背景技术
IGBT模块拥有耐高压、耐大电流冲击、高开关频率等特性，已经在铁路交通行业得到广泛的应用。由于其优良的性能，越来越受到火箭、导弹等航天领域的青睐。IGBT模块通过在模块内部灌封硅凝胶提高器件的绝缘性能，防止产品发生局部放电，同时保护芯片组件、铝键合丝。
现有技术中，IGBT模块为非气密性封装，由于模块内部电极与围框、围框与底板，芯片组件与基板等交界处都不是完全密封的状态，存在微小缝隙，灌封胶无法完全浸润到这些微小缝隙内，造成灌封体内部存有微小密闭空间。在地面应用时，IGBT模块内的微小密闭空间的存在不会造成使用问题，但在低压环境应用时，微小密闭空间内外会形成气压差，造成微小密闭空间内部逐渐对外释放气体，从而导致灌封体变形，形成微气泡。微气泡在高压电场作用下将产生局部放电，长期持续的局部放电会造成有机绝缘的灌封体逐渐老化分解，使得相邻微气泡壁损坏形成更大的气隙，进而造成更大的局部放电量，随着局部放电能量的不断增大，灌封体的绝缘性能最终丧失导致IGBT模块失效。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，提供一种能够实现低压环境下灌封体内无气泡产生，使IGBT模块具有在低气压环境下使用可靠性的用于IGBT模块的密封方法。
本发明提供的用于IGBT模块的密封方法，包括以下步骤：
S1、围框下部与底板气体密封地固定粘接；
S2、在围框与底板形成的腔体灌封底部密封层；
S3、在所述腔体内，在所述底部密封层上灌封稳定层；
S4、在所述腔体内，在所述稳定层上灌封顶部加固层；
S5、将所述围框上部与所述盖板固定连接。
在本发明中涉及的IGBT模块包括：
围框，所述围框下部与底板的周边固定连接，所述围框和所述底板形成腔体；
盖板，与所述围框的上部盖合地固定连接；
相互分离的覆铜基板，焊接于所述底板上表面；
芯片组件和端子，所述芯片组件和所述端子的固定端分别焊接于所述覆铜基板，其中，所述端子的自由端由盖板开口伸出；
所述相互分离的覆铜基板上表面之间焊接金属键合丝，所述芯片组件之间焊接金属键合丝；
所述围框与所述底板之间气体密封地连接形成腔体，在腔体内灌注的灌注体分为三层，通过将IGBT模块全部容置于灌注体中，使IGBT模块处于整体具有气密性的密封结构中，因为密封结构中不存在气体，使得IGBT模块内部能够不受外界低压环境影响。在低压环境下，在IGBT模块内部端子与围框的焊接处、围框与底板的焊接处，芯片组件与基板的焊接处的微小缝隙形成的微小密闭空间中的气体不会逸出至灌封体内。
根据本发明的一个方面，所述底部密封层与所述稳定层与所述顶部加固层的硬度之比为(2-3)：1：(2-3)；
底部密封层包含住全部的芯片组件，稳定层设置在底部密封层上，包含住全部的金属键合丝，顶部加固层设置在稳定层上，三者之间的硬度不同。具体地，稳定层的硬度小于底部密封层和顶部加固层，较软的稳定层对金属键合丝不会产生压应力且能够保护键合金属丝。因为IGBT模块在低压环境下，工作时会产生热量，底部密封层和顶部加固层且具有一定的硬度，能够有效防止稳定层受到气压和温度的影响而引起的体积膨胀。
根据本发明的一个方面，所述底部密封层是固化的硅橡胶；所述稳定层是固化的硅凝胶；所述顶部加固层是固化的硅橡胶或环氧胶。
硅橡胶弹性大，能够更好的解决底板、围框、以及底板和围框之间的粘接胶之间的热失配问题。
根据本发明的一个方面，在步骤S1之前实施如下步骤：
S1a、在真空环境下,将所述硅橡胶、所述硅凝胶和所述环氧胶脱泡处理。
形成灌封体的硅橡胶、所述硅凝胶和所述环氧胶经过真空脱泡处理，消除了微气泡，在低压环境应用IGBT模块时，虽然密封结构内外存在气压差，也不会出现微气泡在高压电场作用下的局部放电现象，不会造成有机绝缘的灌封体的老化分解，提高了IGBT模块的可靠性。
根据本发明的一个方面，在步骤S1中,使用环氧胶固定粘接围框下部与底板；
所述围框的热膨胀系数与所述环氧胶的热膨胀系数比例为(0.8-1.2)：1。
在本发明的构思中，采用的环氧胶粘接围框下部与底板，环氧胶粘接强度大于10N/mm2，使底板及围框形成良好的粘接强度，有效阻止气体流通。在此步骤中，可使用未经过真空脱泡处理的环氧胶。
优选地，制成所述围框的材料的热膨胀系数应接近环氧胶的热膨胀系数。当IGBT模块受热时，围框与作为粘接剂的环氧胶基本保持相同的膨胀倍率，使环氧胶和围框之间不会产生间隙，进而保证了环氧胶和围框连接的气密性。
根据本发明的一个方面，所述步骤S2中，在所述腔体的下部灌封所述硅橡胶直至所述底部密封层高于芯片组件，静置1min,将所述硅橡胶固化，其中,所述灌封过程在0.1mbar真空环境中进行。
根据本发明的一个方面，在所述步骤S3中，所述硅凝胶混合方式为活塞式静态混合管混合，灌封过程在0.1mbar真空环境中进行，灌封所述稳定层的步骤如下:
S31、向所述腔体内灌封占所述腔体高度的1/4高度的所述硅凝胶，且覆盖所有金属键合丝，静置2min-5min；
S32、继续灌封所述硅凝胶,直至所述硅凝胶的上表面距离所述围框的上表面距离范围为1.5mm-5mm，静置1.5min；
S33、将所述腔体内的所述硅凝胶固化。
在本发明中，硅凝胶为透明硅凝胶，硅凝胶包含金属键合丝且与芯片组件接触。硅凝胶具有一定的硬度，同时硅凝胶具有耐高压性能，能够满足防止气泡产生的同时，不会对金属键合丝产生较大应力。
根据本发明的一个方面，所述步骤S4中，在所述稳定层上灌封所述环氧胶或硅橡胶直至顶部加固层厚度达到1.5mm-2.5mm，静置1min，将所述环氧胶或所述硅橡胶固化，其中，所述灌封过程在0.1mbar真空环境中进行。
环氧胶的热膨胀系数与环氧树脂围框接近，同时具有较强的粘接强度，优选地，使用环氧树脂制成围框，使用环氧胶制成顶部加固层。当IGBT模块受热时，围框与作为顶部加固层的环氧胶基本保持相同的膨胀倍率，使顶部加固层和围框之间不会产生间隙，进而保证了顶部加固层和围框之间的气密性。因为顶部加固层有效地实现IGBT模块密封结构的上层密封，所以在本发明的构思中，顶部加固层与盖板之间可以存在气体层，所述气体层虽然通过盖板的开口与IGBT模块外部环境连通，但并不会对密封结构的气密性能造成影响。
根据本发明的一个方面，在步骤S1之前实施如下步骤：
S1b、蒸汽汽相清洗所述围框与所述底板，清洗温度70±5℃，蒸汽清洗时间4±1min；
蒸汽汽相清洗工艺是通过加热气相清洗溶剂至沸腾，汽相清洗溶剂蒸汽上升，接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，带下组件表面的污染物，回到加热槽，汽相清洗溶剂再被加热汽化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环实现高效的去除围框及底板粘接部位的沾污、油渍等多余物。S1c、喷淋清洗所述围框与所述底板，清洗温度70±5℃，喷淋时间1±0.5min，
干燥5±2min。
所述步骤S1b与所述步骤S1c需要顺序实施。所述步骤S1b与所述步骤S1c需在步骤S1之前实施，但是与所述步骤S1a之间无顺序关系。
在使用环氧胶粘接清洁无污且干燥的围框及底板时，能够有效增强围框及底板之间的粘接强度。
根据本发明的一个方面，在步骤S1与步骤S2之间实施如下步骤：
S1d、在所述腔体的内表面涂覆偶联剂，其中，所述偶联剂厚度范围为10μm-30μm；
在所述步骤S2中，所述硅橡胶的厚度范围是1.5mm-2.5mm。
在所述腔体内涂覆偶联剂，应根据底板与围框的材质选择合适的偶联剂规格，以适用于硅橡胶或金属或陶瓷等材料粘接。基板与硅橡胶之间的偶联剂为一薄层涂覆材料，增强硅橡胶与基板之间的粘接性能。
根据本发明的一个方面，在步骤S1a中，将所述硅橡胶在9mbar-11mbar的真空环境下进行脱泡处理，自转速度为55r/min-65r/min，脱泡处理时间为3min-7min；
在步骤S1a中，将所述硅凝胶在4mbar-6mbar的真空环境下进行脱泡处理，搅拌轴转速为55r/min-65r/min，脱泡处理时间为18min-22min；
在步骤S1a中，将所述环氧胶在4mbar-6mbar的真空环境下进行脱泡处理，搅拌轴转速为55r/min-65r/min，脱泡处理时间为8min-12min。
在所述步骤S1中，使用双组份真空备料系统实施脱泡处理；
在所述步骤S2、S3和S4中，使用离线式四轴单嘴双组份真空箱灌胶机实施灌胶，所述硅橡胶固化温度为20℃-30℃，所述硅凝胶固化温度为65℃-75℃，所述环氧胶固化温度为95℃-105℃。
在本发明的密封方法中，采用双组份真空备料系统进行脱泡，系统可设定为循环模式，使胶水在料筒，料泵和料管中按照设置参数来循环，冲刷管壁和料泵内腔体，达到脱泡和使胶水均匀的效果。
在本发明的密封方法中，采用离线式四轴单嘴双组份真空箱灌胶机设备进行灌胶。料筒、料泵、料管等具有加热功能，保证了胶水的全程加热和温度监控，提高胶水的流动性。
对通过本发明的密封方法密封的IGBT模块进行可靠性验证：
1、温度循环试验。循环温度为-55℃～150℃，循环100次。试验后底部密封层、稳定层和顶部加固层无变色、脱胶、开裂等问题。
2、耐压测试。1200V耐压测试底部密封层、稳定层和顶部加固层无打火现象。
3、低气压试验。设置气压环境为0.01mbar，试验过程中IGBT模块电性能正常。试验后打开IGBT模块盖板，去除顶部加固层，在40倍显微镜下目检底部密封层、稳定层内无脱胶现象且无气泡产生。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下突出显著的效果:形成灌封体的硅橡胶、所述硅凝胶和所述环氧胶经过真空脱泡处理，消除了微气泡。所述围框与所述底板之间气体密封地连接形成腔体，在腔体内灌注的灌注体分为三层，通过将IGBT模块全部容置于灌注体中，使IGBT模块处于整体具有气密性的密封结构中，因为密封结构中不存在气体，使得IGBT模块内部能够不受外界低压环境影响。在低压环境下，在IGBT模块内部端子与围框的焊接处、围框与底板的焊接处，芯片组件与基板的焊接处的微小缝隙形成的微小密闭空间中的气体不会逸出至灌封体内。从根本上消除了导致IGBT模块局部放电的原因,消除了灌封IGBT模块时产生气泡，封存了焊接时缝隙内留存的气体，使IGBT模块在低压环境下也不会释放出气体，不会产生导致局部放电的气泡。通过用于IGBT模块的密封技术，在低压环境应用IGBT模块时，虽然密封结构内外存在气压差，也不会出现微气泡在高压电场作用下的局部放电现象，不会造成有机绝缘的灌封体的老化分解，有效地提高了IGBT模块的可靠性。
附图说明
图1为本发明的一个实施例的IGBT模块的密封方法的流程图；
图2为本发明的另一个实施例的IGBT模块的密封方法的流程图；
图3为本发明的耐低气压大功率IGBT模块的结构示意图。
附图编号：1-围框；2-底板；3-底部密封层；4-稳定层；5-顶部加固层；6-盖板；7-偶联剂；8-金属键合丝；
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细地描述，实施方式不能在此一一赘述，但本发明的实施方式并不因此限定于以下实施方式。
如图1所示，本发明的一个实施例的用于IGBT模块的密封方法，包括以下步骤：
S1、围框1下部与底板2气体密封地固定粘接；
S2、在围框1与底板2形成的腔体灌封底部密封层3；
S3、在腔体内，在底部密封层3上灌封稳定层4；
S4、在腔体内，在稳定层4上灌封顶部加固层5；
S5、将围框1上部与盖板6固定连接。
围框1与底板2之间气体密封地连接形成腔体，在腔体内灌注的灌注体分为三层，通过将IGBT模块全部容置于灌注体中，使IGBT模块处于整体具有气密性的密封结构中，因为密封结构中不存在气体，使得IGBT模块内部能够不受外界低压环境影响。在低压环境下，在IGBT模块内部端子与围框1的焊接处、围框1与底板2的焊接处，芯片组件与基板的焊接处的微小缝隙形成的微小密闭空间中的气体不会逸出至灌封体内。
在该实施例中，底部密封层3与稳定层4与顶部加固层5的硬度之比为(2-3)：1：(2-3)；
底部密封层3包含住全部的芯片组件，稳定层4设置在底部密封层3上，包含住全部的金属键合丝8，顶部加固层5设置在稳定层4上，三者之间的硬度不同。具体地，稳定层4的硬度小于底部密封层3和顶部加固层5，较软的稳定层4对金属键合丝8不会产生压应力且能够保护键合金属丝。因为IGBT模块在低压环境下，工作时会产生热量，底部密封层3和顶部加固层5且具有一定的硬度，能够有效防止稳定层4受到气压和温度的影响而引起的体积膨胀。
在该实施例中，底部密封层3是固化的硅橡胶；稳定层4是固化的硅凝胶；顶部加固层5是固化的硅橡胶或环氧胶。
硅橡胶硬度小，弹性大，能够更好的解决底板2、围框1、以及底板2和围框1之间的粘接胶之间的热失配问题。
在该实施例中，在步骤S1中,使用环氧胶固定粘接围框1下部与底板2；
围框1的热膨胀系数与环氧胶的热膨胀系数比例为(0.8-1.2)：1。
采用的环氧胶粘接围框1下部与底板2，环氧胶粘接强度大于10N/mm2，使底板2及围框1形成良好的粘接强度，有效阻止气体流通。在此步骤中，使用未经过真空脱泡处理的环氧胶。
优选地，制成围框1的材料的热膨胀系数应接近环氧胶的热膨胀系数。当IGBT模块受热时，围框1与作为粘接剂的环氧胶基本保持相同的膨胀倍率，使环氧胶和围框1之间不会产生间隙，进而保证了环氧胶和围框1连接的气密性，在该实施例中，围框1由环氧树脂制成。
在步骤S2中，在腔体的下部灌封硅橡胶直至底部密封层3高于芯片组件，静置1min,将硅橡胶固化，其中,灌封过程在0.1mbar真空环境中进行。在该实施例中，硅橡胶的厚度范围是1.5mm-2.5mm。
在步骤S3中，硅凝胶混合方式为活塞式静态混合管混合，灌封过程在0.1mbar真空环境中进行，灌封稳定层4的步骤如下:
S31、向腔体内灌封占腔体高度的1/4高度的硅凝胶，且覆盖所有金属键合丝8，静置2min-5min；
S32、继续灌封硅凝胶,直至硅凝胶的上表面距离围框1的上表面距离范围为1.5mm-5mm，静置1.5min；
S33、将腔体内的硅凝胶固化。
在该实施例中，硅凝胶为透明硅凝胶，硅凝胶包含金属键合丝8且与芯片组件接触。硅凝胶具有一定的硬度，同时硅凝胶具有耐高压性能，能够满足防止气泡产生的同时，不会对金属键合丝8产生较大应力。
步骤S4中，在稳定层4上灌封环氧胶或硅橡胶直至顶部加固层5厚度达到1.5mm-2.5mm，静置1min，将环氧胶或硅橡胶固化，其中，灌封过程在0.1mbar真空环境中进行。
环氧胶的热膨胀系数与环氧树脂围框1接近，同时具有较强的粘接强度，优选地，使用环氧树脂制成围框1，使用环氧胶制成顶部加固层5。当IGBT模块受热时，围框1与作为顶部加固层5的环氧胶基本保持相同的膨胀倍率，使顶部加固层5和围框1之间不会产生间隙，进而保证了顶部加固层5和围框1之间的气密性。因为顶部加固层5有效地实现IGBT模块密封结构的上层密封，所以在本实施例中，顶部加固层5与盖板6之间可以存在气体层，气体层虽然通过盖板6的开口与IGBT模块外部环境连通，但并不会对密封结构的气密性能造成影响。
在该实施例中，在步骤S2、S3和S4中，使用离线式四轴单嘴双组份真空箱灌胶机实施灌胶，硅橡胶固化温度为25℃，硅凝胶固化温度为70℃，环氧胶固化温度为100℃。
在该实施例中，在步骤S1中，使用双组份真空备料系统实施脱泡处理；
采用双组份真空备料系统进行脱泡，系统可设定为循环模式，使胶水在料筒，料泵和料管中按照设置参数来循环，冲刷管壁和料泵内腔体，达到脱泡和使胶水均匀的效果。
在该实施例中，采用离线式四轴单嘴双组份真空箱灌胶机设备进行灌胶。料筒、料泵、料管等具有加热功能，保证了胶水的全程加热和温度监控，提高胶水的流动性。
如图2所示，根据本发明的另一个实施例，在步骤S1之前实施如下步骤：
S1a、在真空环境下,将硅橡胶、硅凝胶和环氧胶脱泡处理。
形成灌封体的硅橡胶、硅凝胶和环氧胶经过真空脱泡处理，消除了微气泡，在低压环境应用IGBT模块时，虽然密封结构内外存在气压差，也不会出现微气泡在高压电场作用下的局部放电现象，不会造成有机绝缘的灌封体的老化分解，提高了IGBT模块的可靠性。
根据本发明的另一个实施例，在步骤S1a之后实施如下步骤：
S1b、蒸汽汽相清洗围框1与底板2，清洗温度70±5℃，蒸汽清洗时间4±1min；
蒸汽汽相清洗工艺是通过加热气相清洗溶剂至沸腾，汽相清洗溶剂蒸汽上升，接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，带下组件表面的污染物，回到加热槽，汽相清洗溶剂再被加热汽化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环实现高效的去除围框1及底板2粘接部位的沾污、油渍等多余物。
S1c、喷淋清洗围框1与底板2，清洗温度70±5℃，喷淋时间1±0.5min，
干燥5±2min。
在使用环氧胶粘接清洁无污且干燥的围框1及底板2时，能够有效增强围框1及底板2之间的粘接强度。
如图3所示，根据本发明的另一个实施例，在步骤S1与步骤S2之间实施如下步骤：
S1d、在腔体的内表面涂覆偶联剂7，其中，偶联剂7厚度范围为10μm-30μm；
在腔体内涂覆偶联剂7，应根据底板2与围框1的材质选择合适的偶联剂7规格，以适用于硅橡胶或金属或陶瓷等材料粘接。基板与硅橡胶之间的偶联剂7为一薄层涂覆材料，增强硅橡胶与基板之间的粘接性能。
根据本发明的另一个实施例，在步骤S1a中，将硅橡胶在10mbar的真空环境下进行脱泡处理，自转速度为60r/min，脱泡处理时间为5min；
在步骤S1a中，将硅凝胶在5mbar的真空环境下进行脱泡处理，搅拌轴转速为60r/min，脱泡处理时间为20min；
在步骤S1a中，将环氧胶在5mbar的真空环境下进行脱泡处理，搅拌轴转速为60r/min，脱泡处理时间为10min。
根据本发明的另一个实施例，对通过该实施例中的密封方法密封的IGBT模块进行可靠性验证：
1、温度循环试验。循环温度为-55℃～150℃，循环100次。试验后底部密封层3、稳定层4和顶部加固层5无变色、脱胶、开裂等问题。
2、耐压测试。1200V耐压测试底部密封层3、稳定层4和顶部加固层5无打火现象。
3、低气压试验。设置气压环境为0.01mbar，试验过程中IGBT模块电性能正常。试验后打开IGBT模块盖板6，去除顶部加固层5，在40倍显微镜下目检底部密封层3、稳定层4内无脱胶现象且无气泡产生。
上述内容仅为本发明的具体实施方式的例子，对于其中未详尽描述的设备和结构，应当理解为采取本领域已有的通用设备及通用方法来予以实施。
以上仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、围框(1)下部与底板(2)气体密封地固定连接；
S2、在所述围框(1)与所述底板(2)形成的腔体灌封底部密封层(3)；
S3、在所述腔体内，在所述底部密封层(3)上灌封稳定层(4)；
S4、在所述腔体内，在所述稳定层(4)上灌封顶部加固层(5)；
S5、将所述围框(1)上部与所述盖板(6)固定连接。
2.根据权利要求1所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，所述底部密封层(3)与所述稳定层(4)与所述顶部加固层(5)的硬度之比为(2-3)：1：(2-3)。
3.根据权利要求2所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，
所述底部密封层(3)是固化的硅橡胶；
所述稳定层(4)是固化的硅凝胶；
所述顶部加固层(5)是固化的硅橡胶或环氧胶。
4.根据权利要求3所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，在步骤S1之前实施如下步骤：
S1a、在真空环境下,将所述硅橡胶、所述硅凝胶和所述环氧胶脱泡处理。
5.根据权利要求4所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，在步骤S1中,使用环氧胶固定粘接围框(1)下部与底板(2)；
所述围框(1)的热膨胀系数与所述环氧胶的热膨胀系数比例为(0.8-1.2)：1。
6.根据权利要求5所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，
所述步骤S2中，在所述腔体的下部灌封所述硅橡胶直至所述底部密封层(3)高于芯片组件，静置1min,将所述硅橡胶固化，其中,所述灌封过程在0.1mbar真空环境中进行。
7.根据权利要求5所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，
在所述步骤S3中，所述硅凝胶混合方式为活塞式静态混合管混合，灌封过程在0.1mbar真空环境中进行，灌封所述稳定层(4)的步骤如下:
S31、向所述腔体内灌封占所述腔体高度的1/4高度的所述硅凝胶，且覆盖所有金属键合丝(8)，静置2min-5min；
S32、继续灌封所述硅凝胶,直至所述硅凝胶的上表面距离所述围框(1)的上表面距离范围为1.5mm-5mm，静置1.5min；
S33、将所述腔体内的所述硅凝胶固化。
8.根据权利要求5所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，
所述步骤S4中，在所述稳定层(4)上灌封所述环氧胶或硅橡胶直至顶部加固层(5)厚度达到1.5mm-2.5mm，静置1min，将所述环氧胶或所述硅橡胶固化，其中，所述灌封过程在0.1mbar真空环境中进行。
9.根据权利要求6或7或8所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，在步骤S1之前实施如下步骤：
S1b、蒸汽汽相清洗所述围框(1)与所述底板(2)，清洗温度70±5℃，蒸汽清洗时间4±1min；
S1c、喷淋清洗所述围框(1)与所述底板(2)，清洗温度70±5℃，喷淋时间1±0.5min，
干燥5±2min。
10.根据权利要求9所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，在步骤S1与步骤S2之间实施如下步骤：
S1d、在所述腔体的内表面涂覆偶联剂(7)，其中，所述偶联剂(7)厚度范围为10μm-30μm；
在所述步骤S2中，所述硅橡胶的厚度范围是1.5mm-2.5mm。
11.根据权利要求10所述的用于IGBT模块的密封方法，其特征在于，
在步骤S1a中，将所述硅橡胶在9mbar-11mbar的真空环境下进行脱泡处理，自转速度为55r/min-65r/min脱泡处理时间为3min-7min；
在步骤S1a中，将所述硅凝胶在4mbar-6mbar的真空环境下进行脱泡处理，搅拌轴转速为55r/min-65r/min，脱泡处理时间为18min-22min；
在步骤S1a中，将所述环氧胶在4mbar-6mbar的真空环境下进行脱泡处理，搅拌轴转速为55r/min-65r/min，脱泡处理时间为8min-12min；
在所述步骤S1中，使用双组份真空备料系统实施脱泡处理；
在所述步骤S2、S3和S4中，使用离线式四轴单嘴双组份真空箱灌胶机实施灌胶，所述硅橡胶固化温度为20℃-30℃，所述硅凝胶固化温度为65℃-75℃，所述环氧胶固化温度为95℃-105℃。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111440828.5A CN114242601A (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种用于igbt模块的密封方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN114242601A (zh) |
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