JP2009520371A - 開口を閉鎖する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
‐開口を通して接近可能である中空室を備える基板を準備し、
‐所定の組成を有するかつ/または所定の圧力下にある流体を前記中空室に注入し、
‐閉鎖材料を準備し、
‐前記閉鎖材料を開口上に被着して、前記流体を中空室内に封じ込め、前記閉鎖材料が中空室内に侵入しないようにする
というステップを有することを特徴とする。本発明の別の有利な構成は、従属請求項に記載されている。すなわち、本発明の有利な構成では、閉鎖材料の準備を、物理的かつ/または化学的な転化により閉鎖材料を形成する成分の準備により行い、開口上での閉鎖材料の形成を、前記成分が中空室内に侵入しないように行う。本発明の別の有利な構成では、前記成分の準備および前記閉鎖材料の形成を、プラズマ気相蒸着プロセスにより大気圧下で行う。本発明のさらに別の有利な構成では、前記閉鎖材料の準備をペースト、特に被着後に解消されるキャリアを有するペーストとして行う。本発明のさらに別の有利な構成では、前記閉鎖材料を液状で開口に被着し、開口上での閉鎖材料の硬化により、前記中空室を閉鎖する。本発明のさらに別の有利な構成では、付加的に、基板上に、少なくとも開口の周囲で、ぬれ層を形成するステップを行う。本発明のさらに別の有利な構成では、前記流体の圧力を、500ミリバール〜2バールとする。本発明のさらに別の有利な構成では、開口上への閉鎖材料の被着中の温度を、175℃〜400℃とする。本発明のさらに別の有利な構成では、開口上への閉鎖材料の被着前に、付着防止被覆を中空室の内壁および機械的な構造の表面上に被着する。さらに請求項11に記載の集積されるモジュールは、上記方法により閉鎖されている中空室を有する基板を備えることを特徴とする。
Claims (10)
- 基板(1,2,3)内の開口(12,22,32)を閉鎖する方法において、当該方法が以下のステップ、すなわち:
‐開口(12,22,32)を通して接近可能である中空室(10,20,30)を備える基板(1,2,3)を準備し、
‐所定の組成を有するかつ/または所定の圧力下にある流体(14,24,34)を前記中空室(10,20,30)に注入し、
‐閉鎖材料(3,15,28)を準備し、
‐前記閉鎖材料(3,15,28)を開口(12,22,32)上に被着して、前記流体(14,24,34)を中空室(10,20,30)内に封じ込め、前記閉鎖材料(3,15,28)が中空室(10,20,30)内に侵入しないようにする
というステップを有することを特徴とする、開口を閉鎖する方法。 - 閉鎖材料(3,15,28)の準備を、物理的かつ/または化学的な転化により閉鎖材料(3,15,28)を形成する成分の準備により行い、開口(12,22,32)上での閉鎖材料(3,15,28)の形成を、前記成分が中空室(10,20,30)内に侵入しないように行う、請求項1記載の方法。
- 前記成分の準備および前記閉鎖材料(3,15,28)の形成を、プラズマ気相蒸着プロセスにより大気圧下で行う、請求項2記載の方法。
- 前記閉鎖材料(3,15,28)の準備をペースト、特に被着後に解消されるキャリア(27)を有するペーストとして行う、請求項1または2記載の方法。
- 前記閉鎖材料(3,15,28)を液状で開口(12,22,32)に被着し、開口(12,22,32)上での閉鎖材料(3,15,28)の硬化により、前記中空室(10,20,30)を閉鎖する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 付加的に、基板(1,2,3)上に、少なくとも開口(12,22,32)の周囲で、ぬれ層(26)を形成するステップを行う、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記流体(14,24,34)の圧力を、500ミリバール〜2バールとする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 開口(12,22,32)上への閉鎖材料(3,15,28)の被着中の温度を、175℃〜400℃とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 開口(12,22,32)上への閉鎖材料(3,15,28)の被着前に、付着防止被覆(13,23,33)を中空室(10,20,30)の内壁(110,220,330)および機械的な構造(11,21,31)の表面(111,221,331)上に被着する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 請求項1から9までのいずれか1項記載の方法により閉鎖されている中空室(10,20,30)を有する基板(1,2,3)を備える集積されるモジュール。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2014533438A (ja) * | 2011-11-11 | 2014-12-11 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | Memsデバイスのウェハレベルはんだ気密シールカプセル化のための方法および装置 |
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0801170D0 (en) * | 2008-01-23 | 2008-02-27 | Univ Heriot Watt | A self-diagnosis and self-sealing method for leakage from storage reservoirs |
GB0804566D0 (en) * | 2008-03-12 | 2008-04-16 | Brinker Technology Ltd | Method for sealing a leak in a vessel or duct |
FR2941561B1 (fr) * | 2009-01-28 | 2011-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fermeture de cavite pour au moins un dispositif microelectronique |
DE102013102213B4 (de) * | 2013-03-06 | 2020-01-02 | Snaptrack, Inc. | Miniaturisiertes Bauelement mit Dünnschichtabdeckung und Verfahren zur Herstellung |
US9284182B1 (en) * | 2013-08-20 | 2016-03-15 | Qualtre, Inc. | MEMS devices anti-stiction coating and encapsulant having opposing water resitive characteristics |
DE102014202801B4 (de) * | 2014-02-17 | 2023-08-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements |
DE102015220893A1 (de) * | 2015-10-26 | 2017-04-27 | Robert Bosch Gmbh | Strukturen zur Reduzierung und Vermeidung von Stress und Spannungen beim Bearbeiten von Silizium mittels Aufschmelzen durch einen Laser |
DE102015224538A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Laser-Wiederverschluss mit lokaler Begrenzung |
DE102015224487A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Laser-Reseal mit Zusatzschicht und Legierungsbildung |
DE102015224483A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Gezielte Steuerung des Absorptionsverhaltens beim Laserwiederverschluss |
DE102015224481A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Laser-Reseal mit verschiedenen Kappenmaterialien |
DE102015224499A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Spannungsreduzierung beim Laserwiederverschluss durch Temperaturerhöhung |
DE102015224520A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Laserverschluss mit spezieller Membranstruktur |
DE102015224519A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauteil mit zwei unterschiedlichen Innendrücken |
DE102015224506A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement mit laseraktiviertem Gettermaterial |
DE102015224533A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Reaktives Verschlussgas zur gezielten Anpassung des Kaverneninnendruckes |
DE102017125140B4 (de) | 2017-10-26 | 2021-06-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil |
DE102018201358A1 (de) * | 2018-01-30 | 2019-08-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verschließen von Öffnungen in einer flexiblen Membran eines MEMS-Elements |
DE102018222749A1 (de) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verschließen von Zugängen in einem MEMS-Element |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004314292A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-11-11 | Robert Bosch Gmbh | 制御された雰囲気を有する電気機械的システム及びこのシステムを製造する方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4447757A (en) * | 1980-06-16 | 1984-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Structure of thin-film electroluminescent display panel sealed by glass substrates |
DE10017422A1 (de) | 2000-04-07 | 2001-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren |
US6465280B1 (en) | 2001-03-07 | 2002-10-15 | Analog Devices, Inc. | In-situ cap and method of fabricating same for an integrated circuit device |
DE10200869A1 (de) | 2002-01-11 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement |
WO2004037711A2 (en) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures |
EP1433740A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method for the closure of openings in a film |
US6946728B2 (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and methods for hermetic sealing of post media-filled MEMS package |
US7159459B2 (en) * | 2005-01-06 | 2007-01-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiple microelectromechanical (MEM) devices formed on a single substrate and sealed at different pressures and method therefor |
-
2005
- 2005-12-20 DE DE102005060870A patent/DE102005060870A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-11-24 EP EP06830110A patent/EP1966078A1/de not_active Ceased
- 2006-11-24 WO PCT/EP2006/068869 patent/WO2007071523A1/de active Application Filing
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- 2006-11-24 US US12/086,893 patent/US8304845B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004314292A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-11-11 | Robert Bosch Gmbh | 制御された雰囲気を有する電気機械的システム及びこのシステムを製造する方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101606603B1 (ko) | 2008-07-25 | 2016-03-25 | 플루이다임 코포레이션 | 집적형 유체 칩의 제조를 위한 방법 및 시스템 |
US9579830B2 (en) | 2008-07-25 | 2017-02-28 | Fluidigm Corporation | Method and system for manufacturing integrated fluidic chips |
JP2014533438A (ja) * | 2011-11-11 | 2014-12-11 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | Memsデバイスのウェハレベルはんだ気密シールカプセル化のための方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005060870A1 (de) | 2007-06-21 |
US8304845B2 (en) | 2012-11-06 |
EP1966078A1 (de) | 2008-09-10 |
US20090174148A1 (en) | 2009-07-09 |
WO2007071523A1 (de) | 2007-06-28 |
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