CN114182210A - 蒸镀用坩埚 - Google Patents
蒸镀用坩埚 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114182210A CN114182210A CN202111302292.0A CN202111302292A CN114182210A CN 114182210 A CN114182210 A CN 114182210A CN 202111302292 A CN202111302292 A CN 202111302292A CN 114182210 A CN114182210 A CN 114182210A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- face
- nozzle
- coil
- stopper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请所提供的蒸镀用坩埚包括坩埚本体，具有容置空间，且所述坩埚本体上设置有与所述容置空间连通的多个开口；多个喷嘴，一个所述喷嘴设置于一个所述开口位置处，且所述喷嘴内部设置有贯通的第一通道，所述第一通道连通所述容置空间和外部空间，所述第一通道包括最靠近所述坩埚本体底部的第一端面；至少一个止挡件，位于所述容置空间内；至少一个驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述止挡件运动以使得所述止挡件与所述第一端面分离或封堵所述第一端面。通过上述设计方式，本申请能够提高有机材料的利用率，降低材料浪费成本。
Description
技术领域
本申请属于蒸镀技术领域，具体涉及一种蒸镀用坩埚。
背景技术
蒸镀是指在一定的真空条件下，将待成膜物质在蒸镀用坩埚内部加热蒸发或升华后，粒子上升并从喷嘴喷出至位于蒸镀用坩埚外部的待蒸镀基板上。待成膜物质离开坩埚后温度逐渐降低，蒸发运动的速度也逐渐降低，最终在待蒸镀基板的表面沉积形成膜层。对于有机发光显示器件而言，其发光层主要就是利用上述蒸镀工艺形成。
目前，在蒸镀过程中，蒸镀用坩埚会持续蒸发有机材料，但是只有蒸镀腔室内存在待蒸镀基板时蒸发出的有机材料才会被有效利用。这种持续蒸发有机材料的方式利用率较低，有机材料浪费成本较高。
发明内容
本申请提供一种蒸镀用坩埚，以提高有机材料的利用率，降低材料浪费成本。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种蒸镀用坩埚，包括：坩埚本体，具有容置空间，且所述坩埚本体上设置有与所述容置空间连通的多个开口；多个喷嘴，一个所述喷嘴设置于一个所述开口位置处，且所述喷嘴内部设置有贯通的第一通道，所述第一通道连通所述容置空间和外部空间，所述第一通道包括最靠近所述坩埚本体底部的第一端面；至少一个止挡件，位于所述容置空间内；至少一个驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述止挡件运动以使得所述止挡件与所述第一端面分离或封堵所述第一端面。
其中，所述蒸镀用坩埚包括多个所述止挡件和多个所述驱动组件，且一个所述喷嘴对应一个所述止挡件和一个所述驱动组件。
其中，所述止挡件包括磁性材料，且邻近所述第一端面设置；所述驱动组件包括：中空的柱体，套设在至少部分所述喷嘴的外围；线圈，绕设在所述柱体的外围；电源提供电路，与所述线圈连接，用于向所述线圈提供电流以使得所述线圈产生磁场，所述磁场驱动所述止挡件运动。
其中，所述止挡件具有磁性；当所述电源提供电路向所述线圈提供正向电流时，所述线圈产生与所述止挡件的磁极相同的磁场，所述磁场驱动所述止挡件与所述第一端面分离；当所述电源提供电路向所述线圈提供反向电流时，所述线圈产生与所述止挡件的磁极相反的磁场，所述磁场驱动所述止挡件靠近并封堵所述第一端面。
其中，所述柱体与所述喷嘴的外壁之间具有间隙，所述驱动组件还包括：连接件，所述连接件的至少部分位于所述间隙内；且在所述第一通道的延伸方向上，所述连接件的长度可变，所述连接件的一端与所述喷嘴的外壁固定连接，所述连接件的另一端与所述止挡件固定连接。
其中，所述连接件为弹簧，且至少部分所述连接件套设在所述喷嘴的外围；优选地，所述止挡件能够被磁场吸引；当所述电源提供电路向所述线圈提供电流时，所述线圈产生磁场，所述磁场驱动所述止挡件靠近并封堵所述第一端面，所述连接件处于压缩状态；当所述电源提供电路停止向所述线圈提供电流时，所述连接件驱动所述止挡件远离所述第一端面。
其中，还包括：多个壳体，一个所述壳体与一个所述喷嘴对应，所述壳体与所述开口固定连接；其中，所述柱体、所述线圈以及至少部分所述喷嘴固定设置于所述壳体内部；且所述第一通道还包括最远离所述坩埚本体的底部的第二端面，所述壳体对应所述第一端面和所述第二端面的位置分别设置有过孔。
其中，还包括：多个发热元件，一个所述发热元件与一个所述喷嘴对应；且所述发热元件绕设在所述喷嘴的外围，或者，所述发热元件嵌入所述喷嘴的侧壁内。
其中，所述止挡件封堵所述第一端面的表面为第一弧面，所述第一端面具有与所述第一弧面相匹配的第二弧面。
区别于现有技术情况，本申请的有益效果是：本申请所提供的蒸镀用坩埚包括位于坩埚本体的容置空间内的止挡件、以及与该容置空间连通的多个喷嘴；其中，每个喷嘴的内部设置有贯通的第一通道，第一通道具有最靠近坩埚本体底部的第一端面。该止挡件可以在驱动组件的作用下运动，以与第一端面分离或封堵第一端面。当蒸镀腔室内设置有待蒸镀基板时，即喷嘴上方设置有待蒸镀基板时，止挡件与第一端面分离，坩埚本体内部升华的有机材料可以通过该第一通道至待蒸镀基板表面；而当蒸镀腔室内未设置有待蒸镀基板时，止挡件封堵第一端面，坩埚本体内部升华的有机材料无法通过该第一通道，有机材料仍然位于坩埚本体内部，从而达到降低有机材料浪费，提高有机材料利用率的目的。此外，由于止挡件位于容置空间内部，在不需要蒸镀有机材料时，止挡件封堵第一通道最靠近坩埚本体的第一端面(即相当于止挡件封堵住第一通道的入口)，有机材料无法进入第一通道内部，有机材料在第一通道内沉积的概率降低，从而可以进一步降低第一通道堵塞的概率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本申请蒸镀用坩埚一实施方式的结构示意图；
图2为图1中蒸镀用坩埚一实施方式的剖视示意图；
图3为图1中蒸镀用坩埚另一实施方式的剖视示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1和图2，图1为本申请蒸镀用坩埚一实施方式的结构示意图，图2为图1中蒸镀用坩埚一实施方式的剖视示意图。该蒸镀用坩埚1包括坩埚本体10、多个喷嘴12、至少一个止挡件14(如图2中所示)和至少一个驱动组件16(如图2中所示)。
具体地，坩埚本体10具有容置空间1000，且坩埚本体10上设置有与容置空间1000连通的多个开口(未标示)。可选的，在本实施例中，坩埚本体10包括可拆卸连接的坩埚底座100和坩埚盖102，例如，坩埚底座100和坩埚盖102之间可以通过螺丝等方式实现可拆卸连接。坩埚底座100呈中空设置，坩埚底座100和坩埚盖102之间共同形成容置空间1000；且坩埚盖102上设置有与该容置空间1000连通的多个开口。
一个喷嘴12设置于一个开口位置处，且喷嘴12内部设置有贯通的第一通道120(如图2中所示)，第一通道120连通容置空间1000和外部空间，第一通道120包括最靠近坩埚本体10底部的第一端面1200以及最远离坩埚本体10底部的第二端面1202。在本实施例中，喷嘴12可以为圆柱型或圆台型等，第一通道120可以沿直线延伸或曲线延伸等，本申请对于喷嘴12的形状以及第一通道120的延伸形状不作限定。
止挡件14位于容置空间1000内，驱动组件16用于驱动止挡件14运动以使得止挡件14与第一端面1200分离或封堵第一端面1200。可以理解的是，止挡件14封堵第一端面1200时，止挡件14面向第一端面1200的表面的面积大于或等于第一端面1200的面积。可选地，在本实施例中，止挡件14封堵第一端面1200的表面为第一弧面，第一端面1200具有与第一弧面相匹配的第二弧面。例如，止挡件14可以为阀球，第一端面1200可以为半球面等。该设计方式可以增加止挡件14与第一端面1200之间的接触面积，降低止挡件14与第一端面1200封堵时泄露的概率。当然，在其他实施例中，止挡件14也可为板状，其封堵第一端面1200的表面为平面，对应的第一端面1200也为平面。
当蒸镀腔室内设置有待蒸镀基板时，即喷嘴12上方设置有待蒸镀基板时，止挡件14与第一端面1200分离，坩埚本体10内部升华的有机材料可以通过该第一通道120至待蒸镀基板表面；而当蒸镀腔室内未设置有待蒸镀基板时，止挡件14封堵第一端面1200，坩埚本体10内部升华的有机材料无法通过该第一通道120，有机材料仍然位于坩埚本体10内部，从而达到降低有机材料浪费，提高有机材料利用率的目的。此外，由于止挡件14位于容置空间1000内部，在不需要蒸镀有机材料时，止挡件14封堵第一通道120最靠近坩埚本体10的第一端面(即相当于止挡件14封堵住第一通道120的入口)，有机材料无法进入第一通道120内部，有机材料在第一通道120内沉积的概率降低，从而可以进一步降低第一通道120堵塞的概率。
请继续参阅图2，在本实施例中，蒸镀用坩埚1包括多个止挡件14和多个驱动组件16，且一个喷嘴12对应一个止挡件14和一个驱动组件16。该设计方式可以利用止挡件14和驱动组件16单独控制对应的喷嘴12，其灵活性更高、适用范围更广。例如，在某些情况下，当仅需要对待蒸镀基板的某个区域进行蒸镀时，可以仅控制与该区域对应的喷嘴12喷出有机材料，而控制其余喷嘴12关闭。当然，在其他实施例中，蒸镀用坩埚1也可仅设置一个止挡件14和一个驱动组件16，此时通过该一个止挡件14和一个驱动组件16同时控制多个喷嘴12的打开和闭合。
在一个实施方式中，请继续参阅图2，止挡件14包括磁性材料，且邻近第一端面1200设置。例如，止挡件14可以本身具有磁性；又例如，止挡件14可以为金属等易被磁场吸附的材质。驱动组件16具体可以包括中空的柱体160、线圈162和电源提供电路(图未示)。其中，柱体160可以套设在至少部分喷嘴12的外围，而线圈162绕设在柱体160的外围，此时柱体160起到承载线圈162的作用。电源提供电路与线圈162电连接，用于向线圈162提供电流以使得线圈162产生磁场，磁场驱动止挡件14运动。上述利用磁场控制止挡件14运动的方式较为简单，且灵敏度较高。当然，在其他实施例中，也可采用机械控制的方式，本申请对此不作限定。例如，驱动组件16可以包括丝杆和电机，丝杆与止挡件14固定连接，在电机的驱动作用下，丝杆可以带动止挡件14靠近或者远离第一端面1200。
可选地，上述柱体160的材质可以为铁，此时柱体160相当于铁芯，该设计方式可以增强线圈162通电后形成的磁场的强度。
在一个应用场景中，如图2中所示，柱体160与喷嘴12的外壁之间具有间隙(未标示)，驱动组件16还包括连接件164，连接件164的至少部分位于间隙内；且在第一通道120的延伸方向上，连接件164的长度可变，连接件164的一端与喷嘴12的外壁固定连接，连接件164的另一端与止挡件14固定连接。其中，上述连接件164的长度可变的意思是指连接件164可以具有弹性，其可沿第一通道120方向发生弹性形变；或者，连接件164本身不具有弹性，连接件164和喷嘴之间的固定点与第一端面1200之间具有第一距离，连接件164本身在自然状态下伸长的长度大于该第一距离。上述连接件164的设置可以更好地限定止挡件14相对喷嘴12的位置，使得驱动组件16驱动止挡件14运动的过程更为精准。
在一个应用场景中，请再次参阅图2，当止挡件14具有磁性时，即止挡件14为磁体；此时当电源提供电路向线圈162提供正向电流，线圈162产生与止挡件14的磁极相同的磁场，磁场驱动止挡件14与第一端面1200分离；当电源提供电路向线圈162提供反向电流时，线圈162产生与止挡件14的磁极相反的磁场，磁场驱动止挡件14靠近并封堵第一端面1200。由于坩埚本体10内部存在一定的蒸气压，上述方式可以确保止挡件14能够与第一端面1200分离或与第一端面1200封堵。
在又一个应用场景中，连接件164为弹簧，且至少部分连接件164套设在喷嘴12的外围。该设计方式可以更好的限定止挡件14的位置以及行程；且当止挡件14封堵第一端面1200，且连接件164处于压缩状态时，连接件164的反弹作用也可进一步将止挡件14推离第一端面1200。
此外，当止挡件14能够被磁场吸引时，即止挡件14的材质为金属等本身不具备磁性的物质时，上述驱动组件16的驱动过程还可以如下：当电源提供电路向线圈162提供电流时，线圈162产生磁场，磁场驱动止挡件14靠近并封堵第一端面1200，此时连接件164可以处于压缩状态；当电源提供电路停止向线圈162提供电流时，连接件164驱动止挡件14远离第一端面1200。上述驱动组件16的整个驱动过程较为简单，且易于实现。
当然，在其他实施方式中，也可采用其他方式限定止挡件14的位置，本申请对此不作限定。例如，如图3中所示，图3为图1中蒸镀用坩埚另一实施方式的剖视示意图。连接件164a的一端与坩埚本体10a的底部固定连接，连接件164a的另一端与止挡件14a固定连接。此时，当止挡件14a需要具有磁性；当电源提供电路向线圈162a提供正向电流时，线圈162a产生与止挡件14a的磁极相同的磁场，磁场驱动止挡件14a与第一端面1200a分离；当电源提供电路向线圈162a提供反向电流时，线圈162a产生与止挡件14a的磁极相反的磁场，磁场驱动止挡件14a靠近并封堵第一端面1200a。
在又一个实施方式中，请再次参阅图2，本申请所提供的蒸镀用坩埚1还可以包括多个壳体18，一个壳体18与一个喷嘴12对应，壳体18与开口固定连接；其中，柱体160、线圈162以及至少部分喷嘴12固定设置于壳体18内部；且壳体18对应第一端面1200和第二端面1202的位置分别设置有过孔。在上述设计方式中，利用壳体18将喷嘴12、柱体160和线圈162集成固定到一起，以便于蒸镀用坩埚1的组装过程。可选地，在本实施例中，第一端面1200和/或第二端面1202从壳体18中凸出，或者与壳体18的表面齐平设置。壳体18可以为硅胶等橡胶材料形成，壳体18的部分侧面位于容置空间1000内部，壳体18的外侧壁可以直接通过过盈配合与开口实现固定连接。当然，在其他实施例中，壳体18的底部也可通过螺丝等方式与坩埚盖102的外表面固定连接，此时壳体18以及壳体18内部容纳的部件位于容置空间1000的外部。
此外，本申请所提供的蒸镀用坩埚1还可以包括多个发热元件(图未示)，一个发热元件与一个喷嘴12对应；该发热元件可以为电阻丝等。发热元件可以绕设在喷嘴12的外围，或者，发热元件嵌入喷嘴12的侧壁内(即集成到喷嘴12里面)。一般而言，有机材料从坩埚本体10运动至喷嘴12位置时温度会降低，温度降低会增加堵塞的风险。在上述设计方式中，由于发热元件的引入，可以增加喷嘴12处的温度，从而降低有机材料在喷嘴12位置处沉积的概率，进而降低喷嘴12的堵塞的风险。
在实际应用过程中，上述蒸镀用坩埚1可以设置于蒸镀腔室内，当控制系统判断出当前蒸镀腔室内有待蒸镀基板时，驱动组件16驱动止挡件14远离第一端面1200，有机材料从喷嘴12中喷出；当控制系统判断出当前蒸镀腔室内无待蒸镀基板时，驱动组件16驱动止挡件14封堵第一端面1200，喷嘴12中无有机材料喷出。在一个应用场景中，由于设备对位、等待待蒸镀基板进入蒸镀腔室等原因所产生的无效蒸镀时间与有待蒸镀基板进入蒸镀腔室的有效蒸镀时间比为18～25％，利用本申请所提供的蒸镀用坩埚蒸镀材料利用率可提升约20％。
以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种蒸镀用坩埚，其特征在于，包括：
坩埚本体，具有容置空间，且所述坩埚本体上设置有与所述容置空间连通的多个开口；
多个喷嘴，一个所述喷嘴设置于一个所述开口位置处，且所述喷嘴内部设置有贯通的第一通道，所述第一通道连通所述容置空间和外部空间，所述第一通道包括最靠近所述坩埚本体底部的第一端面；
至少一个止挡件，位于所述容置空间内；
至少一个驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述止挡件运动以使得所述止挡件与所述第一端面分离或封堵所述第一端面。
2.根据权利要求1所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，
所述蒸镀用坩埚包括多个所述止挡件和多个所述驱动组件，且一个所述喷嘴对应一个所述止挡件和一个所述驱动组件。
3.根据权利要求2所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，所述止挡件包括磁性材料，且邻近所述第一端面设置；所述驱动组件包括：
中空的柱体，套设在至少部分所述喷嘴的外围；
线圈，绕设在所述柱体的外围；
电源提供电路，与所述线圈连接，用于向所述线圈提供电流以使得所述线圈产生磁场，所述磁场驱动所述止挡件运动。
4.根据权利要求3所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，
所述止挡件具有磁性；
当所述电源提供电路向所述线圈提供正向电流时，所述线圈产生与所述止挡件的磁极相同的磁场，所述磁场驱动所述止挡件与所述第一端面分离；当所述电源提供电路向所述线圈提供反向电流时，所述线圈产生与所述止挡件的磁极相反的磁场，所述磁场驱动所述止挡件靠近并封堵所述第一端面。
5.根据权利要求3所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，所述柱体与所述喷嘴的外壁之间具有间隙，所述驱动组件还包括：
连接件，所述连接件的至少部分位于所述间隙内；且在所述第一通道的延伸方向上，所述连接件的长度可变，所述连接件的一端与所述喷嘴的外壁固定连接，所述连接件的另一端与所述止挡件固定连接。
6.根据权利要求5所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，
所述连接件为弹簧，且至少部分所述连接件套设在所述喷嘴的外围。
7.根据权利要求6所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，
所述止挡件能够被磁场吸引；当所述电源提供电路向所述线圈提供电流时，所述线圈产生磁场，所述磁场驱动所述止挡件靠近并封堵所述第一端面，所述连接件处于压缩状态；当所述电源提供电路停止向所述线圈提供电流时，所述连接件驱动所述止挡件远离所述第一端面。
8.根据权利要求3所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，还包括：
多个壳体，一个所述壳体与一个所述喷嘴对应，所述壳体与所述开口固定连接；其中，所述柱体、所述线圈以及至少部分所述喷嘴固定设置于所述壳体内部；且所述第一通道还包括最远离所述坩埚本体的底部的第二端面，所述壳体对应所述第一端面和所述第二端面的位置分别设置有过孔。
9.根据权利要求1所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，还包括：
多个发热元件，一个所述发热元件与一个所述喷嘴对应；且所述发热元件绕设在所述喷嘴的外围，或者，所述发热元件嵌入所述喷嘴的侧壁内。
10.根据权利要求1所述的蒸镀用坩埚，其特征在于，
所述止挡件封堵所述第一端面的表面为第一弧面，所述第一端面具有与所述第一弧面相匹配的第二弧面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111302292.0A CN114182210A (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 蒸镀用坩埚 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111302292.0A CN114182210A (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 蒸镀用坩埚 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114182210A true CN114182210A (zh) | 2022-03-15 |
Family
ID=80540693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111302292.0A Pending CN114182210A (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 蒸镀用坩埚 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114182210A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115522167A (zh) * | 2022-09-22 | 2022-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀源设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4415910A (en) * | 1982-01-25 | 1983-11-15 | Ncr Corporation | Ink jet transducer |
| JP2015190029A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社日立ハイテクファインシステムズ | 真空蒸着装置並びにルツボ搬入出機構及びルツボ搬入出方法 |
| CN205662589U (zh) * | 2016-05-16 | 2016-10-26 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种蒸镀源及蒸镀装置 |
| CN207143326U (zh) * | 2017-05-12 | 2018-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种线性蒸发源及蒸镀设备 |
| CN108239750A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-07-03 | 江阴市光科真空机械有限公司 | Oled蒸镀坩埚 |
-
2021
- 2021-11-04 CN CN202111302292.0A patent/CN114182210A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4415910A (en) * | 1982-01-25 | 1983-11-15 | Ncr Corporation | Ink jet transducer |
| JP2015190029A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社日立ハイテクファインシステムズ | 真空蒸着装置並びにルツボ搬入出機構及びルツボ搬入出方法 |
| CN205662589U (zh) * | 2016-05-16 | 2016-10-26 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种蒸镀源及蒸镀装置 |
| CN207143326U (zh) * | 2017-05-12 | 2018-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种线性蒸发源及蒸镀设备 |
| CN108239750A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-07-03 | 江阴市光科真空机械有限公司 | Oled蒸镀坩埚 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115522167A (zh) * | 2022-09-22 | 2022-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀源设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114182210A (zh) | 蒸镀用坩埚 | |
| JP4856571B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| EP2091660B1 (en) | Electrostatic atomizer | |
| US6967550B2 (en) | Electromagnetic regulating device | |
| JPH10280135A (ja) | 陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置 | |
| KR100791142B1 (ko) | 기판 코팅 장치 | |
| TWI264473B (en) | Vacuum deposition device and vacuum deposition method | |
| TWI242049B (en) | Vacuum arc evaporation source and vacuum arc vapor deposition apparatus | |
| CN1494603A (zh) | 具有用于较大表面积的靶的强力磁引导装置的电弧蒸发器 | |
| WO2016131111A1 (en) | Thruster | |
| US10811239B2 (en) | Cylindrical evaporation source | |
| EP2484798B1 (en) | Cylindrical post cathode and physical vapor deposition system | |
| CN106399931A (zh) | 沉积装置 | |
| CN206986277U (zh) | 一种玻璃离子镀膜喷涂装置 | |
| JPS57207173A (en) | Magnetron sputtering device of magnetic field press contact type | |
| CN102330060A (zh) | 用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材及应用 | |
| US20170214290A1 (en) | Actuator | |
| EP3587618B1 (en) | Selective vapor deposition process for additive manufacturing | |
| CN2256886Y (zh) | 磁控弧光放电离子镀装置 | |
| EP2485241B1 (en) | Post cathode physical vapor deposition system and magnet array for use within a post cathode | |
| CN108698070A (zh) | 光阻涂布工艺与载料装置 | |
| CN217600825U (zh) | 真空镀膜系统 | |
| KR102174178B1 (ko) | 증착 장치를 위한 전극 조립체 및 전극 조립체를 조립하기 위한 방법 | |
| KR101565527B1 (ko) | 자성 세라믹 에어로졸 증착 장치 | |
| US6717498B1 (en) | Magnetic body |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |