CN108698070A

CN108698070A - 光阻涂布工艺与载料装置

Info

Publication number: CN108698070A
Application number: CN201680049301.0A
Authority: CN
Inventors: 徐顺龙
Original assignee: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority date: 2016-12-29
Filing date: 2016-12-29
Publication date: 2018-10-23
Anticipated expiration: 2036-12-29
Also published as: WO2018119870A1; CN108698070B

Abstract

一种光阻涂布工艺以及载料装置，其中，光阻涂布工艺包括：提供一载料台，并将待涂布光阻的衬底置于所述载料台上；将磁性光阻材料涂布在所述衬底上；以及在所述衬底的一侧产生磁场，所述磁性光阻材料在所述磁场的作用下分离为导电层与光阻层。采用该光阻涂布工艺与载料装置，能够减少光阻涂布制程的工序，提高效率，降低制造成本。

Description

光阻涂布工艺与载料装置技术领域

[0001] 本发明属于显示面板领域，尤其涉及一种光阻涂布工艺与载料装置。

背景技术

[0002] 光阻涂布工艺，属于 TFTCThin Film Transistor, 薄膜晶体管)阵列基板中制程工艺的一部分。具体地，通常的做法是先在衬底上通过 PVD (Physical Vapor Deposition, 物理气相沉积）或 CVD (Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积

) 的方式沉积出导电层，再于所述导电层上涂布光阻剂以形成光阻层。然而， P VD或 CVD耗吋较长，导致光阻涂布工艺存在耗吋长、效率低的问题。

技术问题

[0003] 本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种光阻涂布工艺，其旨在解决耗吋长、效率低的问题。

问题的解决方案

技术解决方案

[0004] 本发明是这样实现的：

[0005] 一种光阻涂布工艺，包括步骤：

[0006] 提供一载料台，并将待涂布光阻的衬底置于所述载料台上；

[0007] 将磁性光阻材料涂布在所述衬底上；以及

[0008] 在所述衬底的一侧产生磁场，所述磁性光阻材料在所述磁场的作用下分离为导电层与光阻层。

[0009] 可选地，所述磁性光阻材料为由光阻与磁性有机物形成的混合材料。

[0010] 可选地，所述磁性光阻材料为由金属氧化物组成核，由高分子材料组成壳层，并与有机光阻混合形成的磁性高分子化合物。

[0011] 可选地，所述磁性光阻材料为由高分子材料作为核，由磁性材料作为壳层，并与有机光阻混合形成的磁性高分子化合物。

[0012] 可选地，所述磁性光阻材料在所述磁场的作用下分离后，所述导电层在所述磁场的作用下被吸附在所述衬底上，所述光阻层覆盖所述导电层远离所述衬底的表面。

[0013] 可选地，所述磁场通过通电线圈在通电状态下产生。

[0014] 可选地，所述通电线圈设于所述载料台内。

[0015] 本发明还提供一种用于光阻涂布工艺的载料装置，所述载料装置包括所述载料台，所述载料台包括设于所述载料台内用于产生磁场的通电线圈。

[0016] 可选地，所述载料台包括设于所述载料台上用于防止所述衬底滑动的限位结构

[0017] 可选地，所述限位结构为夹具。

发明的有益效果

有益效果

[0018] 基于本发明结构可知，该光阻涂布工艺中，由于选用所述磁性光阻材料并设置所述磁场，通过所述磁性光阻材料与所述磁场之间的磁性作用，实现磁性光阻材料的分离，从而形成导电层与光阻层。这个过程中，导电层与光阻层仅需要一次涂布工艺即可形成，而无需先通过 PVD的方式来形成导电层，再通过涂布的方式形成光阻层，能够减少制程上的工序，提高效率，降低制造成本。

对附图的简要说明

附图说明

[0019] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0020] 图 1是本发明具体实施方式提供的光阻涂布工艺的流程图；

[0021] 图 2是本发明具体实施方式提供的光阻涂布工艺中步骤 S110中载料台及衬底的剖视图；

[0022] 图 3是本发明具体实施方式提供的光阻涂布工艺中步骤 S120中载料台、衬底及磁性光阻材料的剖视图；

[0023] 图 4是本发明具体实施方式提供的光阻涂布工艺中步骤 S130中载料台、衬底、导电层及光阻层的剖视图;

附图标号说明：

[表 1]

本发明的实施方式

[0025] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0026] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语"长度"、 "宽度"、 "上"、 "下"、 "前" 、 "后"、 "左"、 "右"、 "竖直"、 "水平"、 "顶"、 "底" "内"和"外"等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0027] 此外，术语"第一"、 "第二 "仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有 "第一"、 "第二 "的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中， "多个" 的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0028] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语"安装"、 "相连"、 "连接"、 "固定"等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0029] 本发明第一实施例提供一种光阻涂布工艺。可以理解，该光阻涂布工艺可应用于多种领域。为方便读者理解，本文中将以在形成 TFT阵列基板中的栅极的过程作为例举。然而需要说明的是，本发明具体实施方式中的光阻涂布工艺的适用范围并非局限于用于形成 _TFT阵列基板中的栅极。请参阅图 1，该光阻涂布工艺包括如下步骤：

[0030] 步骤 S110、请一并参阅图 2，提供一载料台 10，并将待涂布光阻的衬底 20置于所述载料台 10上。

[0031] 在本实施方式中，所述衬底 20为 TFT阵列基板中的衬底。该衬底 20可以是硬质材料 (如玻璃、树脂等)，亦可以是柔性材料 (如聚酰亚胺等)。

[0032] 在本实施方式中，所述载料台 10为硬质的材料制成。所述载料台 10用于承载所述衬底 20。所述载料台 10可包括设于所述载料台 10上的限位结构 (图中未示出)。所述限位结构用于防止所述衬底 20发生平移。所述限位结构可以为凸起设置的限位凸块，也可以为夹具。优选地，所述限位结构采用夹具。由于夹具可以适用于多种尺寸的衬底 20，这样有利于提高所述限位结构的适用性。

[0033] 步骤 S120、请一并参阅图 3，将磁性光阻材料 30涂布在所述衬底 20上。

[0034] 具体地，所述磁性光阻材料 30为由光阻与磁性有机物形成的混合材料，且该混合材料在磁性的作用下可分离成导电层与光阻层的双层结构。在本实施方式中，所述磁性光阻材料 30可以是由金属氧化物 (如铁、钴、镍等氧化物)组成核，由高分子材料组成壳层，并与有机光阻混合形成的磁性高分子化合物，亦可以是由高分子材料作为核，由磁性材料作为壳层，并与有机光阻混合形成的磁性高分子化合物。

[0035] 在步骤 S120中，可利用常规的涂布喷头来将所述磁性光阻材料 30涂布到所述衬底 20上。如此可充分利用现有的设备，而不需要专门设置新的涂布装置来涂布，有利于降低成本。

[0036] 步骤 S130、请一并参阅图 4，在所述衬底 20的一侧产生磁场，以将所述磁性光阻材料 30分离为导电层 31与光阻层 33。 [0037] 在本实施方式中，所述磁场用于产生驱动所述磁性光阻材料 30中的磁性有机物产生向所述载料台 10—侧运动的磁力。所述磁性光阻材料 30在所述磁场的作用下分离形成导电层 31与光阻层 33。可以理解，所述导电层 31为磁性有机物，所述导电层 31在所述磁场的作用下被吸附在所述衬底 20上，所述光阻层 30覆盖所述导电层 31远离所述衬底 20的表面。

[0038] 在本实施方式中，所述导电层 31可作为 TFT阵列基板的栅极材料层，所述光阻层 30为对所述栅极材料层进行图案化吋使用的光阻。在 TFT阵列基板的制程中，在所述磁性光阻材料 30分离为导电层 31与光阻层 33后，可对所述导电层 31进行黄光制程，将所述导电层 31图案化以形成 TFT阵列基板的栅极。

[0039] 在本实施例中，所述磁场由通电线圈在通电状态下产生。根据通电线圈的磁场产生原理可知。基于此结构，可以提高对所述磁场的控制度。具体地，通过控制通电线圈的通电和断电来控制所述磁场的产生和消灭，而通过控制经通电线圈的电流来控制所述磁场的磁感线方向以及磁感强度。可以理解，在其他实施例中，所述磁场也通过永磁体产生。

[0040] 在本实施方式中，所述通电线圈设于所述载料台 10内。由此，所述载料台 10本身可对所述通电线圈起到保护作用，且能够让所述通电线圈更靠近所述磁性光阻材料 30，可以在保证磁感强度的情况下，降低电流，减少耗电，进而节约成本。

[0041] 基于上述可知，该本发明具体实施方式所提供的光阻涂布工艺中，由于选用所述磁性光阻材料 30并设置所述磁场，通过所述磁性光阻材料 30与所述磁场之间的磁性作用，实现磁性光阻材料 30的分离，从而形成导电层 31与光阻层 33。这个过程中，导电层 31与光阻层 33仅需要一次涂布工艺即可形成，而无需先通过 P VD的方式来形成导电层，再通过涂布的方式形成光阻层，能够减少制程上的工序，提高效率，降低制造成本。

[0042] 以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

权利要求书

[权利要求 1] 一种光阻涂布工艺，其特征在于，包括步骤：

提供一载料台，并将待涂布光阻的衬底置于所述载料台上；将磁性光阻材料涂布在所述衬底上；以及

在所述衬底的一侧产生磁场，所述磁性光阻材料在所述磁场的作用下分离为导电层与光阻层。

[权利要求 2] 如权利要求 1所述的光阻涂布工艺，其特征在于，所述磁性光阻材料为由光阻与磁性有机物形成的混合材料。

[权利要求 3] 如权利要求 2所述的光阻涂布工艺，其特征在于，所述磁性光阻材料为由金属氧化物组成核，由高分子材料组成壳层，并与有机光阻混合形成的磁性高分子化合物。

[权利要求 4] 如权利要求 2所述的光阻涂布工艺，其特征在于，所述磁性光阻材料为由高分子材料作为核，由磁性材料作为壳层，并与有机光阻混合形成的磁性高分子化合物。

[权利要求 5] 如权利要求 1所述的光阻涂布工艺，其特征在于，所述磁性光阻材料在所述磁场的作用下分离后，所述导电层在所述磁场的作用下被吸附在所述衬底上，所述光阻层覆盖所述导电层远离所述衬底的表面。

[权利要求 6] 如权利要求 1所述的光阻涂布工艺，其特征在于，所述磁场通过通电线圈在通电状态下产生。

[权利要求 7] 如权利要求 6所述的光阻涂布工艺，其特征在于，所述通电线圈设于所述载料台内。

[权利要求 8] —种用于如权利要求 1至 8中任一项所述的光阻涂布工艺的载料装置，其特征在于，所述载料装置包括所述载料台，所述载料台包括设于所述载料台内用于产生磁场的通电线圈。

[权利要求 9] 如权利要求 8所述的载料装置，其特征在于，所述载料台包括设于所述载料台上用于防止所述衬底滑动的限位结构。

[权利要求 10] 如权利要求 9所述的载料装置，其特征在于，所述限位结构为夹具。