CN106399931A - 沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供沉积装置，所述沉积装置包括腔室、布置在所述腔室内的坩埚、以及布置在所述坩埚的上部的至少一个喷嘴，其中所述喷嘴中的每个包括向上侧方向延伸的喷嘴主体、以及在所述喷嘴主体的内部沿所述喷嘴主体的长度方向形成的多条喷嘴通路。
Description
技术领域
本发明涉及沉积装置，并涉及能够提高喷嘴的放射系数以最大限度地减少阴影效应的沉积装置。
背景技术
通常，平板显示装置(Flat Panel Display device)具有重量轻及厚度薄等特性，因此被用作替代阴极射线管显示装置(Cathode-ray TubeDisplay device)的显示装置，其代表性的例子有液晶显示装置(LiquidCrystal Display device：LCD)和有机电致发光显示装置(Organic LightEmitting diode Display device：OLED)。其中，与液晶显示装置相比，有机电致发光显示装置的亮度特性和视角特性优异，并且因有机电致发光显示装置不需要背光源(Backlight)因此还具有能够制作成超薄型的优点。
如上所述的有机电致发光显示装置是利用如下的现象的显示装置，所述现象是指：使从阴极(Cathode)注入的电子(Electron)和从阳极(Anode)注入的空穴(Hole)在有机薄膜中复合而形成激子，并通过所形成的激子释放的能量来发出特定波长的光。
在所述有机电致发光显示装置中，为了在由玻璃、不锈钢或者合成树脂形成的衬底上选择性地形成阴极、阳极以及有机薄膜等，使用光刻方法，或者使用使沉积物质蒸发或者升华并进行真空沉积之后选择性地对经沉积的沉积物质进行刻蚀、或利用包括形成为预定图案的多个狭缝(slit)的掩模组装件选择性地沉积所述沉积物质的沉积方法。
此处，所述光刻方法作为在一部分区域上涂覆光刻胶后实施湿法刻蚀或者干法刻蚀的方法，由于该方法在剥离所述光刻胶的过程和刻蚀工艺中可能导致水分流入，因此对于如所述有机薄膜等容易被水分劣化的物质而言，主要使用所述沉积方法。
用于如上所述的沉积方法的沉积装置通常具有蒸发源，所述蒸发源包括一侧开口并且用于存储如有机物质等蒸发物质的坩埚(crucible)、用于加热所述坩埚的加热装置、位于所述坩埚的开口侧的喷嘴部、以及用于收纳所述坩埚、加热装置以及喷嘴部的壳体(housing)，并且为了提高沉积工艺的效率，所述沉积装置可使用使所述坩埚沿一侧方向延伸的线性蒸发源、或者沿一侧方向将多个坩埚和喷嘴部收纳在所述壳体中的线性蒸发源作为所述蒸发源。
在利用如上所述的掩模组装件的沉积装置中，虽然会将以预定图案形成于所述掩模组装件中的狭缝的侧面相对于表面形成为具有第一倾斜角以减少蒸发物质以不均匀的厚度沉积到衬底上的、通常称为阴影效应(shadow effect)的现象，但是由于从所述蒸发源放射出去的蒸发物质被放射成多种放射角度，因此对于最大限度地减少所述阴影效应(shadoweffect)而言存在着效果有限的问题。
发明内容
鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于，提供能够提高喷嘴的放射系数以最大限度地减少阴影效应的沉积装置。
本发明的技术问题并不限于上面提及的技术问题，并且通过下面的记载，本领域的技术人员能够明确地理解未提及的技术问题或其它技术问题。
用于解决所述技术问题的根据本发明一实施例的沉积装置可包括腔室、布置在所述腔室内的坩埚、以及布置在所述坩埚的上部的至少一个喷嘴，其中，所述喷嘴中的每个包括向上侧方向延伸的喷嘴主体以及在所述喷嘴主体的内部沿所述喷嘴主体的长度方向形成的多条喷嘴通路。
所述坩埚的上部可以是开放的，并且所述沉积装置还可包括覆盖所述坩埚的上部的盖板，其中，所述盖板包括至少一个开口部，并且所述喷嘴中的每个布置在所述开口部中的每个上。
所述喷嘴通路的横截面的形状可为圆形。
所述多条喷嘴通路中的每个喷嘴通路的横截面的圆中心可布置在直径比所述喷嘴主体的圆形边缘的直径小的同心圆上。
所述喷嘴通路的横截面的形状可为平面上的宽度随着接近喷嘴的半径外侧而逐渐减小的叶子形状。
所述喷嘴面可向下侧凹陷。
所述喷嘴面可向上侧突出。
所述喷嘴还可包括布置在所述喷嘴主体的下端的法兰部，所述盖板还可包括布置在所述开口部中的每个的边缘的开口突起，其中，所述开口突起形成为环形，所述开口突起的外径可小于所述法兰部的内径。
形成在所述开口突起的外周面上的螺纹部可与形成在所述法兰部的内周面上的螺纹部互相螺纹结合。
所述喷嘴通路的长度可从所述法兰部的螺纹部的上端面起形成至构成所述喷嘴的最上端的喷嘴面。
所述沉积装置可包括设置在所述壳体的内侧壁附近且用于加热所述坩埚的加热装置。
在所述加热装置可形成为与所述坩埚的外侧壁相隔开并且围绕所述外侧壁。
在所述坩埚的内部可存储有机物。
所述盖板可利用多个螺栓来密封所述坩埚的开口部。
在所述盖板上的喷嘴可设置成多个并且构成线性。
用于解决所述技术问题的根据本发明另一实施例的沉积装置包括：腔室；布置在所述腔室内部的上侧的衬底保持件；与所述衬底保持件接近布置的掩模组装件；布置在所述腔室内部的下侧的沉积源；以及布置在所述沉积源下部的搬运装置，所述沉积源包括向第一方向延伸的形状的坩埚、布置在所述坩埚的上部的至少一个喷嘴，所述喷嘴中的每个包括向上侧方向延伸的喷嘴主体以及在所述喷嘴主体的内部沿所述喷嘴主体的长度方向形成的多条喷嘴通路，所述搬运装置能够使所述沉积源向与所述第一方向相交的第二方向移动。
其它实施例的具体内容包含在具体实施方式及附图中。
根据本发明的实施例，能够提高喷嘴的放射系数。
根据本发明的效果并不限于以上的说明，更加多样的效果包含在本说明书中。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的沉积装置的简要剖视图。
图2是图1的沉积装置的沉积源的立体图。
图3是图2的沉积源的剖视图。
图4是图2的沉积源的分解立体图。
图5是图2的沉积源的喷嘴的俯视图。
图6是图5的喷嘴的剖视图。
图7是比较单孔性喷嘴和多孔性喷嘴的沉积厚度的图表。
图8是根据本发明另一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。
图9是图8的喷嘴的俯视图。
图10是图8的喷嘴的剖视图。
图11是根据本发明再一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。
图12是图11的喷嘴的俯视图。
图13是图11的喷嘴的剖视图。
图14是根据本发明再一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。
图15是图14的喷嘴的俯视图。
图16是图14的喷嘴的剖视图。
图17是根据本发明再一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。
图18是图17的喷嘴的俯视图。
图19是图17的喷嘴的剖视图。
图20是根据本发明再一实施例的喷嘴的立体图。
图21是图20的喷嘴的俯视图。
图22是图20的喷嘴的剖视图。
附图标记说明
100：腔室 110：衬底保持件
120：衬底 130：掩模组装件
140：固定部件 150：导轨
160：驱动马达 170：滚珠丝杠
205：坩埚 210：盖板
220：喷嘴部 223：喷嘴通路
230：加热装置 300：壳体
具体实施方式
参照下文中结合附图详细说明的实施例，本发明的优点、特征以及用于实现上述优点、特征的方法将变得明确。然而，本发明并不受下文中所公开的实施例的限制，本发明能够以彼此不同的多种形式来体现。本实施例仅仅是为了使本发明的公开完整并且为了将发明的范围完整地传达给本领域普通技术人员而提供，并且本发明仅由权利要求书的范围来限定。
虽然第一、第二等术语用于说明多种构成要素，但这些构成要素并不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构成要素与其它构成要素区分开。因此，在不脱离本发明的保护范围的情况下，下文中的第一构成要素可称为第二构成要素。
下面，将参照附图对本发明的实施例进行说明。
图1是根据本发明一实施例的沉积装置的简要剖视图。
参照图1，根据本发明一实施例的沉积装置包括腔室100、位于腔室100的内部并具有至少一个喷嘴220的沉积源200、与沉积源200相隔开并与沉积源200相对的衬底保持件110以及布置在衬底保持件110与沉积源200之间的掩模组装件130。
腔室100提供用于执行沉积工艺的空间。在沉积工艺期间，腔室100的内部可保持真空状态。腔室100可包括用于搬入和搬出目标衬底120的搬运出入口(未图示)、以及与真空泵(未图示)连接以控制腔室100的内部压力并且排出未沉积到目标衬底120上的蒸发物质的排气口(未图示)。
目标衬底120可为绝缘衬底或半导体衬底等。在示例性实施例中，目标衬底120为用于有机发光显示装置的衬底。在有机发光显示装置的制造工艺中，根据所适用的沉积工艺相当于哪一步骤，目标衬底120所包含的结构物就会不同。例如，如果沉积工艺为空穴注入层形成工艺，则目标衬底可为形成有像素限定膜和阳电极的衬底。如果沉积工艺为有机发光层形成工艺，则目标衬底可为不仅形成有像素限定膜和阳电极而且还形成有空穴注入层和/或空穴传输层的衬底。
在腔室100内部可以布置有衬底保持件110和固定部件140。衬底保持件110起到安置搬入到腔室100内侧的目标衬底120的作用。衬底保持件110布置在腔室100内部的上侧，目标衬底120可安置在衬底保持件110的下侧。
衬底保持件110可配置成包括具有磁性的物质。例如，衬底保持件110可配置成包括具有磁力的磁体或者电磁体等的物质，并且在掩模组装件130由金属构成时，可利用衬底保持件110与掩模组装件130之间的磁力容易地固定掩模组装件130。
固定部件140可起到将衬底保持件110固定在腔室100内部的作用。此外，固定部件140还可辅助固定目标衬底120。进而，固定部件140可在起到辅助固定掩模组装件130的作用的同时起到恒定地维持掩模组装件130与目标衬底120之间的距离的作用。固定部件140可由可拆卸的框架结构物构成。
掩模组装件130起到限定出供从沉积源200蒸发的物质沉积的区域的作用。掩模组装件130包括掩模部和透过部。所述透过部暴露目标衬底120以使得从沉积源200蒸发的物质能够沉积到相应区域中。所述掩模部覆盖目标衬底120，以防止从沉积源200蒸发的物质沉积到相应区域中。由此，通过掩模组装件130沉积的物质可形成预定图案。
掩模组装件130可为如精细金属掩模(Fine metal mask；FMM)的母体掩模，或者可配置成包括多个分割掩模。
掩模组装件130布置并固定于目标衬底120的附近。如上所述，掩模组装件130与目标衬底120之间的间隔可通过衬底保持件110和固定部件140调节。
沉积源200提供沉积目标物质。沉积源200布置在腔室100内部，并且与目标衬底120相对。在衬底保持件110布置在腔室100的内部上侧的情况下，沉积源200布置在腔室100的内部下侧。
沉积源200可形成为整体上沿第一方向X延伸的线性形态。即，沉积源200可为线性沉积源。沉积源200在第一方向X上的宽度可覆盖目标衬底120在第一方向X上的宽度。这里，沉积源200的宽度覆盖目标衬底120的宽度是意味着沉积源200在宽度方向上覆盖目标衬底120中供有机物质沉积的整个区域，并且表示即使沉积源200不在第一方向X上移动也能够对目标衬底120中位于第一方向X上的整个沉积区域进行沉积。
图2是图1的沉积装置的沉积源的立体图。图3是图2的沉积源的剖视图。图4是图2的沉积源的分解立体图。图5是图2的沉积源的喷嘴的俯视图。图6是图5的喷嘴的剖视图。
参照图1以及图2至图6，沉积源200包括存储沉积物质10并且开放上部的坩埚205、覆盖坩埚205的上部的盖板210、位于盖板210上的一个以上的喷嘴220、以及设置成与坩埚205的侧面相隔预定距离并且加热坩埚205的加热装置230。沉积源200还可包括收纳坩埚205、喷嘴220以及加热装置230的壳体300。
坩埚205布置在壳体300内部，并存储沉积物质10。沉积物质10可为有机物质。例如，沉积物质10可以为用于有机发光层的有机物质。再例如，沉积物质10可为用于空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层的有机物质。除此之外，多种有机物质可适用为目标沉积物质10。另外，坩埚205也可包括彼此不同的多种有机物质。
坩埚205可形成为整体上沿第一方向X延伸的线性形态。即，沉积源200为线性沉积源，坩埚205可具有与之相应的线性形状。在坩埚205的内部还可设置有用于分隔坩埚205的内部空间的多个分隔壁(未图示)，以防止沉积物质10集中在坩埚205的一侧。
坩埚205可由具有低热膨胀率特性的钛(Ti)等材料形成，然而并不限于此，只要是对于在坩埚205内部形成的高温环境而言表现出低热膨胀率特性的材料即可。
坩埚205包括底面和侧壁，并且坩埚205的上部是开放的。坩埚205的上部处可布置盖板210。
盖板210可包括多个开口部210b，多个开口部210b布置在供喷嘴220布置的每个部分处。各个开口部210b可布置成沿着坩埚205的延伸方向亦即第一方向X相隔开。各个开口部210b可为圆形，但是并不限于此。在各个开口部210b的边缘处可形成有开口突起211。开口突起211可为沿各个开口部210b的边缘形成的环形开口突起211。开口突起211包括形成在外周面上的螺纹211b，从而能够与喷嘴220的法兰部221结合。
盖板210的除了开口部210b以外的区域覆盖坩埚205的上部，以阻断沉积物质的移动。由此，坩埚205的沉积物质10可通过盖板210的开口部210b向喷嘴220移动。
盖板210可利用螺栓212等的结合部件结合至坩埚205，以能够密封坩埚205的上部。为了与所述结合部件结合，盖板210的相应位置处可形成有螺栓孔210a，并且坩埚205上部边缘的相应位置处可布置有结合孔205a。
盖板210上布置有一个以上的喷嘴220。各个喷嘴220可布置在盖板210的开口部210b上。稍后将对喷嘴220进行详细说明。
加热装置230布置在坩埚205的外壁附近。加热装置230利用加热产生的辐射热来使存储在坩埚205中的沉积物质10蒸发。加热装置230可形成为围绕坩埚205的外侧壁面的形状。并且，加热装置230可布置成与坩埚205的外壁相隔开。加热装置230可在维持与坩埚205的外壁相隔开的状态下，固定设置在壳体300的内侧壁上、或者也可以固定布置在壳体300与坩埚205之间。
在坩埚205下部可布置有移送装置。在坩埚205形成为在第一方向X上具有一定长度的矩形形状的情况下，移送装置为了覆盖目标衬底120在第二方向Y上的整个部分而使坩埚205在第二方向Y上进行往返运动。移送装置可包括滚珠丝杠170、使滚珠丝杠170旋转的驱动马达160以及用于控制壳体300的移动方向的导轨150。
通过将双向马达用作驱动马达160，从而使得滚珠丝杠170能够根据驱动马达160的旋转而双向旋转，并且使得一侧与滚珠丝杠170螺纹结合的壳体300能够根据螺纹旋转而双向行进。作为一个例子，当沉积工艺从左侧端开始进行时，通过调节驱动马达160的旋转速度来调节壳体300的行进速度，并且在坩埚205到达右侧端而完成目标衬底120的沉积工艺后，在将完成沉积工艺的目标衬底120从腔室100搬出到外部并将新的衬底搬入到腔室100内部时，位于右侧端的坩埚205根据驱动马达160的反向旋转而再次向左侧端行进，由此能够对新的衬底进行沉积工艺。此时，壳体300的下部布置有与壳体300的行进方向平行地支承壳体300的至少两个导轨150，从而能够使得壳体300和收纳在壳体300内的坩埚205沿导轨150移动。在形成有一对导轨150的情况下，能够支承壳体300的相对于行进方向上的两侧边沿，或者也可在壳体300的底面上设置额外的辊(未图示)并且使得辊沿导轨行进。
下面，将对沉积源200的喷嘴220进行更加详细的说明。
喷嘴220可包括喷嘴主体222、布置在喷嘴主体222的下端处的法兰部221、布置在喷嘴主体222的内部的多个喷嘴通路223、以及布置在喷嘴主体222上端处的喷嘴上表面220a。喷嘴220整体上可由对于在坩埚205内部形成的高温蒸发物质表现出低热膨胀率的特性的钛(Ti)等材料形成，然而并不限于此，只要是具有低热膨胀率的特性的材料即可。
喷嘴主体222可形成为向上侧方向延伸的圆柱形状。喷嘴主体222内部可形成有与长度方向平行地贯穿的多个喷嘴通路223。喷嘴通路223构成供坩埚205内部蒸发的沉积物质10朝向目标衬底120通过的通路。这里，喷嘴通路223的横截面形状可设计成多种形态，然而如果考虑以使流动面积最大的方式设计，则优选形成为圆形。
构成喷嘴主体222的上端的喷嘴面220a可形成为平坦的。喷嘴面220a中开口有各个喷嘴通路223的端部。即，喷嘴面220a中布置有多个开口。沉积物质10通过这种开口向上方释放。
喷嘴主体222的下端可布置有直径至少比开口突起211的外径大的法兰部221。法兰部221的内周面上形成有螺纹221b，并且法兰部221的螺纹221b可与形成在环形开口突起211的外周面上的螺纹211b相对应以与之螺纹结合。即，形成在法兰部221的内周面上的螺纹221b布置成围绕形成在开口突起211的外周面上的螺纹211b的形状，并且可通过在紧固方向上或者在分离方向上旋转喷嘴主体222来紧固或分离形成在开口突起211的外周面上的螺纹211b和形成在法兰部221的内周面上的螺纹221b从而使之互相螺纹结合或分离。虽然在本实施例中说明了使法兰部221与开口突起211螺纹结合的结构，但是只要是能够在使法兰部221与开口突起211连通的同时密封连接部的结构，则也可以利用使之彼此过盈配合等的结合手段。
喷嘴220将在坩埚205的内部蒸发的有机物粒子喷射到目标衬底120上从而使得有机物粒子沉积到目标衬底120上。
虽然在本实施例中例举了形成有四条喷嘴通路223的情况，然而喷嘴通路的数量也可以为三条以下或者五条以上。在形成有四条喷嘴通路223的本实施例中，在通过俯视图观察喷嘴面220a时，喷嘴通路223可配置成使得多条喷嘴通路223各自的横截面的圆中心布置在直径比喷嘴主体222的圆形边缘的直径小的同心圆上，并且在通过喷嘴面220a的俯视图观察时，喷嘴通路223可分别布置在从喷嘴面220a的中心起呈直角的四个方向上，即十字方向上。各个喷嘴通路223的贯通长度可被设定为从喷嘴面220a起到连接有法兰部221的部分为止的长度，并且在考虑到能够实现法兰部221与开口突起211之间的最佳螺纹结合的范围时，喷嘴通路223的长度可将从喷嘴面220a到法兰部221的螺纹221b和开口突起211的螺纹211b的最上端为止的长度设定作为最大长度。
通过喷嘴220的蒸发物质会通过设置在喷嘴主体222中的多条喷嘴通路223，从而能够提高放射系数。
参照图7来进行更加具体的说明。图7是比较单孔性喷嘴和多孔性喷嘴的沉积厚度的图表。
为了便于说明，将如本发明一实施例那样在一个喷嘴主体222的内部形成有多条喷嘴通路223并且各个喷嘴通路223的端部开口至喷嘴主体222上端为止的喷嘴称为“多孔性喷嘴”，将在喷嘴面220a上只形成有一个开口的喷嘴称为“单孔性喷嘴”。
在沉积装置中，沉积率是最主要的特性之一。沉积率(％)是指在坩埚205中气化的材料中实际沉积到目标衬底120上的材料所占的比例。如图7所示，与单孔性喷嘴相比，多孔性喷嘴在越接近坩埚205的位置处，尤其是在越接近喷嘴的中心部的位置处表现出越大的沉积厚度，因此多孔性喷嘴能够增加放射系数。通常，供蒸发源的蒸发物质通过的通路的流动面积越大，越难以确保将会形成在目标衬底120上的图案的精确度，而且难以提高放射系数。因此，根据本实施例的沉积装置通过适用直径比根据现有技术的单孔性喷嘴的喷嘴通路的直径小的多条喷嘴通路223来增加放射系数。
并且，当形成直径比仅适用一条喷嘴通路的情况下的喷嘴通路的直径相对小的多条喷嘴通路223时，因为能够增加各个喷嘴通路223中的分子间的碰撞并且使经由沿喷嘴的长度方向较长地形成喷嘴通路223引导的分子的运动方向朝向作为蒸发物质的出口的喷嘴面220a的方向，由此能够得到增加放射系数的效果。即，可通过增加在向着喷嘴面220a方向上的运动量来减少吸附在喷嘴通路223中的蒸发物质的量并增加到达目标衬底120的蒸发物质的量，从而增加放射系数，并由此提高沉积率。
下文中，将对本发明的其它实施例进行说明。
图8是根据本发明另一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。图9是图8的喷嘴的俯视图。图10是图8的喷嘴的剖视图。
如图8至图10所示，根据本实施例的沉积装置的喷嘴2201与图6中的实施例的喷嘴的区别在于，形成在喷嘴主体222的内部的多条喷嘴通路2231包括小径部2231a和扩径部2231b。
更具体而言，根据本实施例的喷嘴通路2231包括小径部2231a和扩径部2231b，其中，小径部2231a供在坩埚205内部蒸发的沉积物质10朝着目标衬底120通过并且呈直管形状，扩径部2231b具有从小径部2231a起随着接近喷嘴面220a而逐渐扩大的直径。
在本实施例的情况下，供蒸发物质开始通过的小径部2231a的直径比扩径部2231b的直径相对小，因此通过增加小径部2231a内的分子之间的碰撞来减小吸附在喷嘴通路2231中的蒸发物质的量，并且通过经由直径逐渐变大的扩径部2231b的引导来增加到达目标衬底120的蒸发物质的量，由此能够增加放射系数。
图11是根据本发明再一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。图12是图11的喷嘴的俯视图。图13是图11的喷嘴的剖视图。
参照图11至图13和图4，盖板210沿盖板210的长度方向形成有多个贯通孔210b，并且可包括沿着各个贯通孔210b的圆形边缘向上侧突出的开口突起211。喷嘴2202可包括具有法兰部221以与开口突起211结合的喷嘴主体222。此处，形成在法兰部221的内周面上的螺纹221b可与形成在开口突起211的外周面上的螺纹211b螺纹结合。
喷嘴主体222为内部被填实的中实轴，其能够形成为圆柱形状，并且其内部可形成有沿喷嘴主体222的总长度贯穿的喷嘴通路2232，其中喷嘴通路2232的直径从喷嘴通路2232的最下端起随着靠近上侧而逐渐扩大。即，喷嘴通路2232可从构成法兰部221的螺纹部221b和开口突起211的螺纹部211b的最上端高度开始形成。
图14是根据本发明再一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。图15是图14的喷嘴的俯视图。图16是图14的喷嘴的剖视图。
参照图14至图16和图4，盖板210沿盖板210的长度方向形成有多个贯通孔210b，并且可包括沿着各个贯通孔210b的圆形边缘向上侧突出的开口突起211。喷嘴2203可包括具有法兰部221以与开口突起211结合的喷嘴主体222。此处，形成在法兰部221的内周面上的螺纹221b可与形成在开口突起211的外周面上的螺纹211b螺纹结合。
喷嘴主体222为内部被填实的中实轴，其能够形成为圆柱形状，并且其内部可形成有与喷嘴主体222的长度方向平行地贯穿的多条喷嘴通路2233。喷嘴通路2233构成供在坩埚205内部蒸发的蒸发物质朝着目标衬底120通过的通路。
喷嘴通路2233的横截面形状可形成为平面上的宽度随着接近喷嘴主体222的半径外侧而逐渐减小的叶子形状。即，如图15所示，喷嘴通路2233的横截面形状可形成为在喷嘴通路2233的横截面上，从宽的部分2233b起向半径外侧逐渐减小，直到最窄的部分2233a。此外，虽未在图16中示出，但是喷嘴通路2233可如图10和图13所示在供坩埚205内部蒸发的沉积物质10朝着目标衬底120通过的直管形状中包括具有小直径的小径部和具有比小径部的直径大的直径的扩径部。
图17是根据本发明再一实施例的沉积装置的喷嘴的立体图。图18是图17的喷嘴的俯视图。图19是图17的喷嘴的剖视图。
参照图17至图19和图4，盖板210沿盖板210的长度方向形成有多个贯通孔210b，并且可包括沿着各个贯通孔210b的圆形边缘向上侧突出的开口突起211。喷嘴2204可包括具有法兰部221以与开口突起211结合的喷嘴主体222。此处，形成在法兰部221的内周面上的螺纹221b可与形成在开口突起211的外周面上的螺纹211b螺纹结合。
喷嘴主体222的喷嘴面220a形成为向下侧凹陷的形状，并且喷嘴主体222为内部被填实的中实轴，其能够形成为圆柱形状，并且喷嘴主体222的内部可形成有与喷嘴主体222的长度方向平行地贯穿的多条喷嘴通路2234。喷嘴通路2234构成供在坩埚205内部蒸发的蒸发物质朝着目标衬底120通过的通路。即，喷嘴主体222的喷嘴面220a形成为向下侧凹陷的形状，从而使得位于喷嘴面220a上的多条喷嘴通路2234的开口方向朝向喷嘴面220a的边缘圆的中心侧。
喷嘴通路2234的横截面形状可形成为平面上的宽度随着接近喷嘴主体222的半径方向外侧而逐渐减小的叶子形状。即，如图19所示，喷嘴通路2234的横截面形状可形成为在喷嘴通路2234的横截面上，从宽的部分2234b起向半径外侧逐渐减小，直到最窄的部分2234a。此外，虽未在图19中图示出，但是喷嘴通路2234可如图10和图13所示在供坩埚205内部蒸发的沉积物质10朝着目标衬底120通过的直管形状中包括具有小直径的小径部和具有比小径部的直径大的直径的扩径部。
图20是本发明再一实施例的喷嘴的立体图。图21是图20的喷嘴的俯视图。图22是图20的喷嘴的剖视图。
参照图20至图22和图4，盖板210沿盖板210的长度方向形成有多个贯通孔210b，并且可包括沿着各个贯通孔210b的圆形边缘向上侧突出的开口突起211。喷嘴2205可包括具有法兰部221以便与开口突起211结合的喷嘴主体222。此处，形成在法兰部221的内周面上的螺纹221b可与形成在开口突起211的外周面上的螺纹211b螺纹结合。
喷嘴主体222的喷嘴面220a形成为向上侧突出的形状，并且喷嘴主体222为内部被填实的中实轴，其能够形成为圆柱形状，并且喷嘴主体222的内部可形成有与喷嘴主体222的长度方向平行地贯穿的多条喷嘴通路2235。喷嘴通路2235构成供在坩埚205内部蒸发的蒸发物质朝着目标衬底120通过的通路。即，喷嘴面220a形成为向上侧突出的形状，从而使得位于喷嘴面220a上的多条喷嘴通路2235的开口方向形成为朝向喷嘴面220a的边缘圆的外侧。
喷嘴通路2235的横截面形状可形成为平面上的宽度随着接近喷嘴主体222的半径外侧而逐渐减小的叶子形状。即，如图21所示，喷嘴通路2235的横截面形状可形成为在喷嘴通路2235的横截面上，从宽的部分2235b起向半径外侧逐渐减小，直到最窄的部分2235a。此外，虽未在图22中图示出，但是喷嘴通路2235可如图10和图13所示在供坩埚205内部蒸发的沉积物质10朝着目标衬底120通过的直管形状中包括具有小直径的小径部和具有比小径部的直径大的直径的扩径部。
上文中已通过附图对本发明的实施例进行了说明，然而本发明所属技术领域的普通技术人员能够理解，在不改变本发明的技术思想或必要特征的情况下，本发明能够以另一具体方式来实施。因此，上文中所记载的实施例应理解为在各个方面中仅为示例性的，而并不是限制性的。
Claims (10)
1.一种沉积装置，包括：
腔室；
布置在所述腔室内的坩埚；以及
布置在所述坩埚的上部的至少一个喷嘴，
其中，所述喷嘴中的每个包括向上侧方向延伸的喷嘴主体以及在所述喷嘴主体的内部沿所述喷嘴主体的长度方向形成的多条喷嘴通路。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
所述坩埚的上部是开放的，
所述沉积装置还包括覆盖所述坩埚的上部的盖板，
其中，所述盖板包括至少一个开口部，并且所述喷嘴中的每个布置在所述开口部中的每个上。
3.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，
所述喷嘴通路的横截面的形状为圆形。
4.根据权利要求3所述的沉积装置，其中，
所述多条喷嘴通路中的每个喷嘴通路的横截面的圆中心布置在直径比所述喷嘴主体的圆形边缘的直径小的同心圆上。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
所述喷嘴通路的横截面的形状为平面上的宽度随着接近喷嘴的半径外侧而逐渐减小的叶子形状。
6.根据权利要求5所述的沉积装置，其中，
构成所述喷嘴的端面的喷嘴面向下侧凹陷。
7.根据权利要求5所述的沉积装置，其中，
构成所述喷嘴的端面的喷嘴面向上侧突出。
8.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，
所述喷嘴还包括布置在所述喷嘴主体的下端处的法兰部，并且所述盖板还包括布置在所述开口部中的每个的边缘的开口突起，
其中，所述开口突起形成为环形，并且所述开口突起的外径小于所述法兰部的内径。
9.根据权利要求8所述的沉积装置，其中，
形成在所述开口突起的外周面上的螺纹部与形成在所述法兰部的内周面上的螺纹部互相螺纹结合。
10.根据权利要求8所述的沉积装置，其中，
所述喷嘴通路的长度从所述法兰部的螺纹部的上端面起形成至构成所述喷嘴的最上端的喷嘴面。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170215 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |