CN114179535A - 一种无掩模局部沉积金属薄膜印制装置及沉积方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的无掩模沉积金属薄膜印制装置及沉积方法，用于制备纳米金属薄膜。所述装置包括离子源、电源系统和三坐标控制系统，置于真空腔中。该装置简单小型，并采用模块化设计，提高了使用效率。控制电极可聚焦和控制离子束能量，使得金属离子束尺寸达到纳米级别，因此不需要掩模版。金属离子束的纯度超过99.9％，不需要质量分析器，并且固体电解质薄膜的电导率在室温下也很高，所以该发明装置可以在没有加热装置的情况下有效工作，工作温度低，节约了成本。该金属薄膜沉积方法不需使用有毒害的金属有机化合物，符合绿色发展理念。
Description
技术领域
本发明涉及一种无掩模局部沉积金属薄膜印制装置及沉积方法，属于离子束技术和半导体工艺领域。
背景技术
金属薄膜的局部沉积(也称为导线印制)是集成电路制备工艺中的一个重要环节。目前广泛使用的是化学气相沉积(CVD)和聚焦离子束(FIB)技术，主要过程是，真空室-反应器由金属有机物前驱气体填充，该金属有机物气体吸附在经过处理的基板表面上，然后，该表面被FIB照射，引起吸附的前驱气体的局部分解，挥发性反应产物从表面解吸并通过泵排出腔外，而所需的反应产物(金属或绝缘体)作为薄膜保留固定在表面上。该方法的主要缺点是使用的有机金属气态化合物具有毒性并对工作人员的健康构成威胁，此外，由于有机污染物(来自解吸的前驱体)和注入的镓离子(来自FIB)不可避免的混合在沉积物中，导致沉积的薄膜不纯。
除了上述方法和装置外，还有的使用液态金属离子源(LMIS)产生的铜离子FIB来沉积导电铜膜，但是由于铜的熔点很高(1064℃)，所以通常使用Cu63.5Ge36.5合金(熔点为643℃)作为工作物质。其工作过程如下，将钨针浸入工作物质熔体中，使工作物质熔体附着在钨针上构成发射极，当引出电极和发射极之间的电势差达到阈值电压(2-3kV)时，熔体表面开始变形并最终形成泰勒锥，单电荷态或双电荷态的铜和锗正离子从表面场蒸发形成离子束，多原子Cu和Ge(团簇)离子及其化合物也可能存在该离子束中。由于Cu和Ge具有相近的原子质量，所以我们需要用到高分辨率的质量分析器来分离出铜离子。该方法的主要缺点是工作温度很高(>600℃)，增大了使用成本，并且产生的离子束不纯，需要额外使用质量分析器来分离铜离子束。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术的不足，并提供一种简单小型、环境友好、工作温度低、成本低和离子束纯度高的无掩模局部沉积金属薄膜印制装置及沉积方法。
实现本发明目的所采用的技术方案是：该无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，包括离子源、电源系统和用于精确控制样品台移动的三坐标控制系统，离子源包括高纯单一金属锥形工作物质、固体电解质薄膜、控制电极和接地电极；固体电解质薄膜镀于锥形工作物质尖头上，组成离子发射极；控制电极用于控制和聚焦发射的离子束；接地电极用于引出和加速离子束；电源系统包括给锥形工作物质供电的高压电源和给控制电极供电的低压电源；三坐标控制系统使样品表面上的点位移动到离子束传输、轰击的点，在离子束线上接受离子沉积，达到设定的离子剂量后，再移动样品，使下一个点位移动到离子束轰击的位置，金属离子束最后在样品台的待处理衬底的不同的位置处沉积，即金属离子束在衬底表面一个点一个点地进行局部着陆、沉积，形成纳米金属薄膜。
所述锥形工作物质为铜或银中的一种。
所述锥形工作物质尖端曲率半径小于1μm，张开角度小于30度。
所述固体电解质薄膜为银离子导体或铜离子导体中的一种。
所述固体电解质薄膜厚度为0.5-1μm。
所述室温下固体电解质薄膜的电导率>0.1S/cm。
所述控制电极为Wehnelt圆筒型电极，底部中心有直径为200-1200μm的小孔，电极材料为铂或钽中的一种。
所述接地电极为圆筒型电极，底部开口直径为4-6mm。
所述真空腔的真空度高于10-4Pa。
本发明同时提供一种基于所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置的沉积方法，具体方法如下：
在发射极上施加5-15kV的正电位，尖端即0.5-1μm的固体电解质薄膜内部则会产生强的电场，在该电场的影响下，金属工作物质和固体电解质薄膜的界面处会发生电化学反应，工作金属的中性原子变成单电荷正离子，然后单电荷正离子沿固体电解质内存在的快速离子传输通道迁移到固体电解质表面；这些单电荷正离子在固体电解质表面发生场辅助蒸发到真空中，形成金属离子束，金属离子束在发射极和接地电极之间的电场中，经过聚焦和加速，最后沉积在样品台上，形成纳米金属薄膜。
由上述技术方案可知，本发明提供的无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，由离子源、电源系统和三坐标控制系统组成，置于真空腔中。本发明提供的无掩模局部沉积金属薄膜印制装置简单小型，并可实现模块化设计，提高了使用效率。控制电极可聚焦和控制离子束能量，使得金属离子束尺寸达到纳米级别，从而控制沉积纳米金属薄膜的尺寸和厚度，使之使用于集成电路电路板导线的印制，因此不需要掩模版。锥形工作物质为铜或银，固体电解质薄膜为银离子导体或铜离子导体，使得金属离子束的纯度超过99.9％，不需要质量分析器，固体电解质薄膜的电导率在室温下也很高，使得该装置可以在没有加热装置的情况下有效工作，工作温度低，节约了成本。不需使用有毒害的金属有机化合物，符合绿色发展理念。
综上，本发明技术方案所具有的有益效果在于：
(1)本发明提供的无掩模局部沉积金属薄膜印制装置简单小型，采用模块化设计，提高了使用效率，控制电极可聚焦和控制离子束能量，使得金属离子束尺寸达到纳米级别，不需要掩模版；
(2)离子发射极中使用的固体电解质的电导率即使在室温下也相当高，电导率>0.1S/cm，因此该无掩模局部沉积金属薄膜印制装置可以在没有加热装置的情况下有效地工作，工作温度低于200℃；
(3)无掩模局部沉积金属薄膜印制装置产生的金属离子束纯度极高，纯度超过99.9％，几乎不包括其他杂志元素，因此不需要使用任何质量分析器，简化了装置，节约了成本；
(4)三坐标控制系统中的样品通过三个压电引擎控制样品的运动，一个使样品在z轴平移和定位，第二个和第三个压电引擎使样品的表面做二维运动，使样品表面上的点位移动到离子束传输、轰击的点，在离子束线上接受离子沉积，达到设定的离子剂量后，再移动样品，使下一个点位移动到离子束轰击的位置，实现离子束在衬底表面一个点一个点地进行局部着陆、沉积，形成纳米金属薄膜。
(5)无掩模局部沉积金属薄膜印制装置及沉积方法，不适用于有毒害的金属有机化合物，符合绿色发展理念。
附图说明
图1是本发明提供的一种无掩模局部沉积金属薄膜印制装置的原理图。
图中：1.锥形工作物质，2.固体电解质薄膜，3.金属离子束，4.接地电极，5.样品台，6.沉底(待处理样品)，7.控制电极，8.高压电源，9.低压电源，10.压电引擎，11.控制系统。
具体实施方式
结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
本发明提供的无掩模局部沉积金属薄膜印制装置的原理图如图1所示。该无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，包括离子源、电源系统和三坐标控制系统，装置整体位于真空度为10-4Pa的真空腔内。离子源主要由高纯单一金属(铜或银)锥形工作物质1、固体电解质薄膜2、控制电极7和接地电极4组成；其中，锥形工作物质1为铜或银中的一种，固体电解质薄膜2为银离子导体或铜离子导体中的一种，控制电极7为Wehnelt圆筒型电极，电极底部中心有直径为200-1200μm的小孔，电极材料为铂或钽中的一种，接地电极4为圆筒型电极，电极底部开口直径为4-6mm；电源系统包括给锥形工作物质供电的高压电源8和给控制电极供电的低压电源9；三坐标控制系统包括样品台5、压电引擎10和控制系统11，本发明装置中的三坐标控制系统是美国aerotech公司的QNP3-150XYAZ-200-20型。所述样品台与离子源之间设有挡板，调整离子束时，挡板是关闭的，以阻挡离子束轰击样品；当离子束调节至所需的能量和束流强度时，移开挡板，使离子束打到样品上，对样品进行轰击、注入或沉积。
锥形工作物质1是采用机械粗加工和激光精加工的方法，将圆柱形工作物质的一端加工成曲率半径小于1μm的锥形针尖制得的，此锥形张角小于30度；通过激光脉冲沉积在锥形工作物质1上镀上厚度为0.5-1μm的固体电解质薄膜2，固体电解质薄膜2可以传导金属离子(铜离子或银离子)。锥形工作物质1和固体电解质薄膜2构成离子发射极，在该离子发射极中使用的固体电解质薄膜2的电导率即使在室温下也相当高(电导率>0.1S/cm)，因此该发明装置可以在没有加热装置的情况下有效地工作。离子发射极发射金属离子导致固体电解质薄膜2中的离子损失，可以通过锥形工作物质1中金属原子的转化而得到补偿。在理想情况下，该装置可以运行到整块锥形工作物质被消耗完，因此该装置寿命极长。
在发射极上施加5-15kV的正电位，则在尖端即0.5-1μm的固体电解质薄膜2内部产生(1-5)×106V/cm的电场。此时，电动控制移开离子源与样品台之间的挡板。在该电场的影响下，锥形工作物质1和固体电解质薄膜2的界面处会发生电化学(氧化还原)反应，工作金属的中性原子变成单电荷正离子(Cu+或Ag+)，产生的单电荷正离子沿固体电解质薄膜2内存在的快速离子传输通道迁移到固体电解质薄膜2的表面。这种可迁移的单电荷正离子在固体电解质薄膜2中的浓度可以达到1022cm-3。然后，这些单电荷正离子在固体电解质表面发生场辅助蒸发到真空中，形成金属(铜或银)离子束3。该金属离子束由工作金属(铜或银)的单电荷正离子组成，其产生方式确保了金属离子束的高纯度和电荷均匀性，纯度的超过99.9％。金属离子束经过控制电极7时，控制电极7可以聚焦和控制金属离子束流强度，使得金属离子束尺寸达到纳米级别，然后，金属离子束通过接地电极4和发射极之间的电场加速，因为金属离子束3的运动方向是单一的，离子源与样品台之间设有的挡板已移除，三坐标控制系统中的样品通过三个压电引擎控制样品的运动，一个使样品在z轴平移和定位，第二个和第三个压电引擎使样品的表面做二维运动，使样品表面上的点位移动到离子束传输、轰击的点，在离子束线上接受离子沉积，达到设定的离子剂量后，再移动样品，使下一个点位移动到离子束轰击的位置，金属离子束3即可在样品台5的待处理衬底6(即基片)的不同的位置处精准沉积，形成纳米金属薄膜，实现离子束在衬底表面一个点一个点地进行局部着陆、沉积，达到精准沉积成膜的目的，以满足各种集成电路器件对金属电极的设计要求。而且该薄膜沉积方式不使用任何质量分离器和有机金属化合物，简化了装置，节约了成本，符合绿色发展理念。
Claims (10)
1.一种无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，包括离子源、电源系统和用于精确控制样品台移动的三坐标控制系统，其特征在于：离子源包括高纯单一金属锥形工作物质、固体电解质薄膜、控制电极和接地电极；固体电解质薄膜镀于锥形工作物质尖头上，组成离子发射极；控制电极用于控制和聚焦发射的离子束；接地电极用于引出和加速离子束；电源系统包括给锥形工作物质供电的高压电源和给控制电极供电的低压电源；三坐标控制系统置于真空腔中，包括样品台、压电引擎和控制系统，用于控制样品台精确地移动，实现离子束的局部沉积。
2.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：锥形工作物质为铜或银中的一种。
3.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：锥形工作物质尖端曲率半径小于1μm，张开角度小于30度。
4.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：固体电解质薄膜为银离子导体或铜离子导体中的一种。
5.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：固体电解质薄膜厚度为0.5-1μm。
6.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：室温下固体电解质薄膜的电导率>0.1S/cm。
7.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：控制电极为Wehnelt圆筒型电极，底部中心有直径为200-1200μm的小孔，电极材料为铂或钽中的一种。
8.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：接地电极为圆筒型电极，底部开口直径为4-6mm。
9.根据权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置，其特征在于：真空腔的真空度高于10-4Pa。
10.基于权利要求1所述无掩模局部沉积金属薄膜印制装置的沉积方法，其特征在于具体方法如下：
在发射极上施加5-15kV的正电位，尖端即0.5-1μm的固体电解质薄膜内部则会产生强的电场，在该电场的影响下，金属工作物质和固体电解质薄膜的界面处会发生电化学反应，工作金属的中性原子变成单电荷正离子，然后单电荷正离子沿固体电解质内存在的快速离子传输通道迁移到固体电解质表面；这些单电荷正离子在固体电解质表面发生场辅助蒸发到真空中，形成金属离子束，金属离子束在发射极和接地电极之间的电场中，经过聚焦和加速；三坐标控制系统使样品表面上的点位移动到离子束传输、轰击的点，在离子束线上接受离子沉积，达到设定的离子剂量后，再移动样品，使下一个点位移动到离子束轰击的位置，金属离子束最后在样品台的待处理衬底的不同的位置处沉积，即金属离子束在衬底表面一个点一个点地进行局部着陆、沉积，形成纳米金属薄膜。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102092675A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-06-15 | 中国科学院物理研究所 | 一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法 |
| CN107475670A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-15 | 金华职业技术学院 | 一种离子束辅助沉积系统 |
| CN109041402A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-12-18 | 宜昌后皇真空科技有限公司 | 一种产生多电荷态离子束的方法和用于该方法的装置 |
| CN109413835A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-01 | 宜昌后皇真空科技有限公司 | 一种产生过渡金属正离子束的方法和用于该方法的装置 |
| CN109920713A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-06-21 | 中国科学院半导体研究所 | 无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法 |
| RU192377U1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-09-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Металлический нанопринтер на основе ионного источника с твердым электролитом |
| CN112779512A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-11 | 北京理工大学前沿技术研究院 | 一种基于互联气相沉积技术制备复合电极粉末的方法 |
-
2021
- 2021-11-24 CN CN202111404976.1A patent/CN114179535A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102092675A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-06-15 | 中国科学院物理研究所 | 一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法 |
| CN107475670A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-15 | 金华职业技术学院 | 一种离子束辅助沉积系统 |
| CN109041402A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-12-18 | 宜昌后皇真空科技有限公司 | 一种产生多电荷态离子束的方法和用于该方法的装置 |
| CN109413835A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-01 | 宜昌后皇真空科技有限公司 | 一种产生过渡金属正离子束的方法和用于该方法的装置 |
| CN109920713A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-06-21 | 中国科学院半导体研究所 | 无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法 |
| RU192377U1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-09-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Металлический нанопринтер на основе ионного источника с твердым электролитом |
| CN112779512A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-11 | 北京理工大学前沿技术研究院 | 一种基于互联气相沉积技术制备复合电极粉末的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 北京市辐射中心等: "离子注入机基础", vol. 1, 30 September 1981, 北京出版社, pages: 50 - 51 * |
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