CN114171693B - 一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。其中，量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。在本公开实施例中，量子点附加层的发光效率较低，因此可以对量子点发光层以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层的发光亮度，从而避免了量子点发光基板出现串色。

Description

一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示技术是继LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)技术、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术之后颇具潜力的新一代显示技术，其具有色域高、效率高、理论寿命长、工艺制备简单等诸多优点。QLED与OLED在制备工艺上最大的不同在于发光层的图案化工艺，OLED一般用蒸镀法制备有机小分子发光材料，而QLED中的QD发光层因其材料特性只能以溶液法制备，如喷墨打印、光刻或转印。
发明内容
本公开公开了一种量子点发光基板，所述量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。
可选地，所述量子点附加层包括量子点子层和淬灭层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧，所述淬灭层包括第一淬灭材料，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的能量并抑制所述量子点子层发光。
可选地，所述淬灭层包括多个独立的淬灭区，所述量子点子层包括多个独立的量子点子区，一部分所述淬灭区与至少一个所述量子点子区存在交叠，另一部分所述淬灭区与所述量子点子区位于同层。
可选地，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的载流子并抑制所述量子点子层发光。
可选地，所述第一淬灭材料的导带能级低于所述量子点子层的量子点材料的导带能级。
可选地，所述第一淬灭材料的价带能级高于所述量子点子层的量子点材料的价带能级。
可选地，所述淬灭层的厚度大于或等于0.5纳米，且小于或等于1纳米。
可选地，各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值小于10纳米。
可选地，所述第一淬灭材料被配置为能够与处于激发态的所述量子点子层发生荧光能量共振转移，以将处于激发态的所述量子点子层中的能量转移至所述淬灭层并抑制所述量子点子层发光。
可选地，所述第一淬灭材料的吸收光谱与所述量子点子层的量子点材料的发射光谱存在交叠；
各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值大于或等于1纳米，且小于或等于10纳米。
可选地，所述量子点附加层包括不发光的基态复合物，所述基态复合物由处于基态的量子点与第二淬灭材料反应生成。
可选地，所述处于基态的量子点包括量子点本体和配位在所述量子点本体表面的配体，所述配体被配置为能够与所述第二淬灭材料发生反应，使所述量子点本体具有晶体缺陷而不发光。
可选地，所述量子点发光基板包括多个发光器件，所述量子点发光层包括与所述发光器件一一对应的量子点发光层子区，各所述量子点发光层子区相互独立；
所述量子点附加层位于所述量子点发光层子区远离所述衬底的一侧，和/或所述量子点发光层子区靠近所述衬底的一侧。
可选地，在所述量子点附加层包括所述量子点子层和所述淬灭层的情况下，在所述衬底上的正投影存在交叠的所述量子点子层与所述量子点发光层子区发射的光的波长不同。
可选地，所述量子点子层包括第一量子点子层和第二量子点子层，所述第一量子点子层位于发射部分波长的光的所述量子点发光层子区远离所述衬底的一侧，所述第二量子点子层位于发射部分波长的光的所述量子点发光层子区靠近所述衬底的一侧，所述第一量子点子层在所述衬底上的正投影与所述第二量子点子层在所述衬底上的正投影部分重叠；
所述淬灭层包括第一淬灭层和第二淬灭层中的至少一者，所述第一淬灭层位于所述第一量子点子层远离所述衬底的一侧，所述第一淬灭层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一量子点子层在所述衬底上的正投影，所述第二淬灭层位于所述第二量子点子层靠近所述衬底的一侧，所述第二淬灭层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第二量子点子层在所述衬底上的正投影。
可选地，与发射不同波长的光的所述量子点发光层子区相邻的所述第一量子点子层的厚度不同，所述第一淬灭层的厚度与所述第一量子点子层的厚度呈正相关；
与发射不同波长的光的所述量子点发光层子区相邻的所述第二量子点子层的厚度不同，所述第二淬灭层的厚度与所述第二量子点子层的厚度呈正相关。
可选地，所述量子点发光层子区靠近所述淬灭层的一侧具有量子点过渡层，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点过渡层中的能量并抑制所述量子点过渡层发光；
所述量子点过渡层包括所述量子点发光层子区靠近所述第一淬灭层一侧的第一量子点过渡层，所述第一量子点过渡层的厚度与相邻的所述第一量子点子层的厚度呈负相关；所述量子点子层包括多个独立的量子点子区的情况下，所述量子点子区与部分所述第一量子点过渡层位于同层；
所述量子点过渡层包括所述量子点发光层子区靠近所述第二淬灭层一侧的第二量子点过渡层，所述第二量子点过渡层的厚度与相邻的所述第二量子点子层的厚度呈负相关；所述量子点子层包括多个独立的量子点子区的情况下，所述量子点子区与部分所述第二量子点过渡层位于同层。
可选地，所述量子点子层包括多个独立的量子点子区，所述量子点子区与部分所述量子点过渡层位于同层。
可选地，在所述量子点附加层包括不发光的所述基态复合物的情况下，与不同颜色的所述量子点发光层子区相邻的所述量子点附加层的厚度不同。
本公开还公开了一种量子点发光基板的制备方法，所述方法包括：
提供包括衬底的基底；
在所述基底上沿所述量子点发光基板的叠层方向相邻设置淬灭层和量子点材料层，所述量子点材料层通过光刻工艺形成量子点发光层以及量子点子层，基于所述淬灭层获得量子点附加层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。
可选地，所述淬灭层包括第一淬灭材料的情况下，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的能量并抑制所述量子点子层发光，所述量子点附加层包括所述量子点子层和所述淬灭层；
所述淬灭层包括第二淬灭材料的情况下，所述量子点子层中处于基态的量子点与所述第二淬灭材料发生反应，形成不发光的基态复合物，获得包括所述基态复合物的量子点附加层。
本公开还公开了一种显示装置，包括上述量子点发光基板。
与现有技术相比，本公开包括以下优点：
在本公开实施例中，量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，量子点发光层和量子点附加层在量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，其中，量子点发光层的发光效率大于量子点附加层的发光效率。在本公开实施例中，量子点附加层的发光效率较低，因此可以对量子点发光层以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层的发光亮度，从而避免了量子点发光基板出现串色。
附图说明
图1示出了本公开实施例的第1种量子点发光基板的剖视图；
图2示出了本公开实施例的第2种量子点发光基板的剖视图；
图3示出了本公开实施例的第3种量子点发光基板的剖视图；
图4示出了本公开实施例的第4种量子点发光基板的剖视图；
图5示出了本公开实施例的第5种量子点发光基板的剖视图；
图6示出了本公开实施例的第6种量子点发光基板的剖视图；
图7示出了本公开实施例的第7种量子点发光基板的剖视图；
图8示出了本公开实施例的第8种量子点发光基板的剖视图；
图9示出了本公开实施例的一种量子点发光基板的局部微观剖视图；
图10示出了本公开实施例的一种量子点发光基板的局部微观俯视图；
图11示出了本公开实施例的一种第一淬灭材料和量子点材料的能级示意图；
图12示出了本公开实施例的另一种第一淬灭材料和量子点材料的能级示意图；
图13示出了本公开实施例的一种量子点发光基板的制备方法的步骤流程图；
图14示出了本公开实施例的一种基底的剖视图；
图15-23示出了本公开实施例的一种量子点发光基板的制备方法流程中的各剖视图。
具体实施方式
为使本公开的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细的说明。
本公开的实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释，而非旨在限定本公开。除非另作定义，本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。在本公开实施例中提及的“和/或”，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
目前，QD发光层的光刻工艺可以利用具有光敏特性的量子点材料，其配体的特殊设计，可使QD在紫外光照下改变溶解特性，达到显影的目的。
在通过光刻工艺图案化一种颜色的QD发光层时，需要显影和洗掉(或称为剥离)非需要部分的QD(如蓝色发光器件区的绿色量子点和红色量子点)。但是，发明人在实际实验中发现，非需要部分的QD在显影后，会存在残留，因为QD作为一种纳米材料，具有较强的粘附性，使用溶剂较难完全去除。而残留的QD在器件通电的情况下就可能发光，进而出现串色问题，降低了QLED的发光色域。
图1至图8示出了本公开实施例的8种量子点发光基板(QLED基板)的剖视图，参照图1至图8，量子点发光基板1000包括衬底11、量子点发光层200和量子点附加层300，量子点发光层200和量子点附加层300在量子点发光基板1000的叠层方向D上相邻设置。其中，量子点发光层200的发光效率大于量子点附加层300的发光效率。
其中，衬底11包含于基底100，这里对于基底的具体结构不做限定，示例性的，该基底可以是驱动基板，或者，也可以是玻璃衬底，具体根据实际需求而定。
在本公开实施例中，量子点附加层300的发光效率较低，因此可以对量子点发光层200以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板1000中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层200的发光亮度，从而避免了量子点发光基板1000出现串色。
在本公开实施例中，量子点发光层200和量子点子层31都是量子点层，量子点层需要保留需要正常发光的部分，也即量子点发光层200。基底100包括图案化的第一电极层12和图案化的像素界定层13，像素界定层13具有与发光器件P一一对应的器件开口，量子点发光层200至少部分设置在器件开口内，量子点层还需要去除不需要发光的部分，也即除量子点发光层200之外的量子点层部分，但是，在实际应用中，这部分量子点层难以去除干净，从而形成残留的量子点子层31。其中，量子点发光基板1000用于显示时，一个发光器件也即一个子像素，发光器件界定层13上的一个器件开口也即一个像素坑。
在本公开实施例的一种实施方式中，参照图1至图5，量子点附加层300包括量子点子层31和淬灭层32，淬灭层32位于量子点子层31远离量子点发光层200的一侧，淬灭层32包括第一淬灭材料，第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的量子点子层31中的能量并抑制量子点子层31发光。
其中，淬灭层32与量子点子层31可直接接触，从而可以通过第一淬灭材料对量子点子层31进行动态淬灭，也即通过第一淬灭材料，与量子点子层31中处于激发态的量子点进行相互作用，从而转移量子点子层31中的量子点能量，从而抑制量子点子层31的发光。其中，在量子点发光基板正常工作时，量子点发光层32和量子点子层31中的量子点均处于激发态，量子点发光层32中的量子点正常发光，量子点子层31中的量子点则会被第一淬灭材料转移能量而无法发光，从而避免了量子点发光基板出现串色。
在本公开实施例的另一种实施方式中，参照图6至图8，量子点附加层300包括不发光的基态复合物，基态复合物由处于基态的量子点与第二淬灭材料反应生成。
其中，可以通过第二淬灭材料对量子点子层进行静态淬灭。在量子点发光基板的制备过程中，量子点子层中的量子点处于基态，包括第二淬灭材料的膜层与量子点子层相邻设置后，第二淬灭材料可以与量子点子层中处于基态的量子点发生反应，生成不发光的基态复合物，从而形成量子点附加层300。在量子点发光基板正常工作时，由于量子点子层已通过反应形成为不发光的产物，因此，避免了量子点发光基板出现串色。
在本公开实施例中，可以在量子点子层中的量子点处于激发态时，通过淬灭层中的第一淬灭材料转移量子点子层中的能量，从而实现对残留量子点的动态淬灭，抑制量子点子层发光。另外，还可以通过第二淬灭材料，与残留的处于基态的量子点发生反应，使残留的量子点形成不发光的基态复合物，从而实现对残留量子点的静态淬灭。通过动态淬灭或静态淬灭的方式，能够抑制量子点发光层制备过程中残留的量子点发光，进而避免了量子点发光基板出现串色。
在动态淬灭的实施方式中，可选地，可以基于载流子(电子或空穴)俘获原理实现，也可以基于荧光能量共振转移(Fluorescence Resonance Energy Transfer，FRET)原理实现。
参照图9和图10，示出了量子点发光基板的局部微观剖视图和局部微观俯视图，其中，淬灭层32包括多个独立的淬灭区01，量子点子层31包括多个独立的量子点残留区02，参照图9，一部分淬灭区01与至少一个量子点子区02存在交叠，另一部分淬灭区01与量子点子区02位于同层。
通常，光刻显影后残留的量子点的量仅为应沉积的量子点的量的千分之一，因此，残留的量子点可认为是以不连续的单层形式存在，也即不连续成膜，因此，本公开实施例通过与量子点子层31厚度相匹配的淬灭层32实现残留量子点的动态淬灭。由于淬灭层32的厚度也很薄，因此，淬灭层32也可认为是以不连续的单层形式存在。参照图9，淬灭区01也即淬灭层32中的一个连续成膜的分块，各淬灭区01之间不连续，从而构成不连续的单层；量子点子区02也即量子点子层31中的一个连续成膜的分块，各量子点子区02之间不连续，从而构成不连续的单层。
因量子点子层31和淬灭层32均为不连续的单层，因此，有些淬灭区01会与至少一个量子点子区02存在交叠，例如图9中方形虚线框所示的位置；而有些淬灭区01则会与量子点子区02位于同层，例如图9中椭圆形虚线框所示的位置。其中，对于例如椭圆形虚线框Q1所示的位置，淬灭区01可以与至少一个量子点子区02恰好相接；对于例如椭圆形虚线框Q2所示的位置，淬灭区01可以与任何一个量子点子区02均不相接，而都与各量子点子区02之间均存在一定的间隔。
对于载流子俘获原理：
在一些实施例中，第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的量子点子层31中的载流子并抑制量子点子层31发光。
其中，淬灭层32可以提供位于量子点导带(CB)与价带(VB)之间的陷阱能级，使得淬灭层32能够俘获量子点子层31中的电子或空穴，从而可阻碍量子点子层31中量子点的电子-空穴辐射复合过程，达到抑制量子点子层31发光的效果。
具体地，基于载流子转移原理的残留量子点淬灭，需要第一淬灭材料满足以下两个条件中的至少一个：
条件一：参照图11，第一淬灭材料的导带能级低于量子点子层31的量子点材料的导带能级。
条件二：参照图12，第一淬灭材料的价带能级高于量子点子层31的量子点材料的价带能级。
当第一淬灭材料的导带能级低于量子点子层31的量子点材料的导带能级时，量子点导带的电子可以转移至第一淬灭材料的导带中，而不通过量子点内的电子-空穴复合过程发光。
当第一淬灭材料的价带能级高于量子点子层31的量子点材料的价带能级时，第一淬灭材料价带的电子可以转移至量子点的价带中，避免量子点内的电子-空穴复合发光。
在实际应用中，淬灭层32的具体厚度需要根据具体的量子点材料和第一淬灭材料体系来调试，令其既能达到淬灭残留量子点的效果，又能尽量减少器件效率的损失。
在一些可选实施例中，淬灭层32的厚度大于或等于0.5纳米，且小于或等于1纳米。对应可选地，量子点发光层200可采用10-20纳米的厚度。
还可选地，在一些实施例中，各淬灭区01的几何中心A与最靠近的量子点残留区02的几何中心B之间的距离平均值小于10纳米。
参照图10，淬灭区01几何中心A与最靠近的量子点子区02几何中心B之间的距离为d，在实际应用中，需要该距离d小一些，从而有利于第一淬灭材料与残留量子点之间的电子转移。在一些实施例中，各距离d的平均值小于10纳米。
在实际应用中，该距离平均值是否能够达到小于10纳米的需求，与具体的淬灭层材料的成膜性相关，具体可通过实验确定。
在基于载流子转移原理的残留量子点淬灭方案中，示例性地提供以下可选材料作为第一淬灭材料，并示例性地提供对应的可选工艺：
蒸镀金属材料，例如Ag、Al等。
旋涂纳米导电粒子、纳米线或其它导电材料，例如Au纳米粒子(GNPs)、Ag纳米粒子、Ag纳米线、碳纳米管、石墨烯等。
表面沉积含有无机金属离子的化合物，例如金属氧化物，或含金属离子的复合物/配合物等，金属离子例如Au离子、Cu离子、Hg离子、Ni离子、Zn离子、Co离子等。
对于荧光能量共振转移原理：
在一些实施例中，第一淬灭材料被配置为能够与处于激发态的量子点子层31发生荧光能量共振转移，以将处于激发态的量子点子层31中的能量转移至淬灭层32并抑制量子点子层31发光。
其中，第一淬灭材料可以选用能够与激发态的量子点发生荧光能量共振转移的淬灭材料，使得量子点子层31中处于激发态的量子点能够通过荧光能量共振转移过程，将能量传递给处于基态的第一淬灭材料分子，从而激发第一淬灭材料分子，而残留的量子点自身不发光，即可达到抑制残留量子点发光的目的。
具体地，基于荧光能量共振转移原理的残留量子点淬灭，需要第一淬灭材料同时满足以下两个条件：
条件三：第一淬灭材料的吸收光谱与量子点子层的量子点材料的发射光谱存在交叠。
条件四：各淬灭区01的几何中心A与最靠近的量子点残留区02的几何中心B之间的距离平均值大于或等于1纳米，且小于或等于10纳米(1-10nm为FRET作用距离)。
其中，荧光能量共振转移是距离很近的两个分子间产生的一种能量转移现象，当供体分子的发射光谱与受体分子的吸收光谱重叠，并且两个分子的距离在1-10nm范围以内时，就会发生荧光能量共振转移。
同样地，在实际应用中，该距离平均值是否能够达到处于1-10纳米范围内的需求，与具体的淬灭层材料的成膜性相关，具体可通过实验确定。
在本公开实施例中，残留的量子点即为供体分子，第一淬灭材料分子即为受体分子。残留的量子点中的电子和空穴复合时，可以直接将能量以偶极-偶极相互作用的形式传递给第一淬灭材料分子，使第一淬灭材料分子变成激发态，而不是通过残留量子点发光的形式释放能量。
其中，在量子点分子-第一淬灭材料分子的分子对中，量子点分子和第一淬灭材料分子的跃迁偶极方向越接近平行，荧光共振能量转移的效率越高。
在基于荧光能量共振转移原理的残留量子点淬灭方案中，示例性地提供以下可选材料作为第一淬灭材料，并示例性地提供对应的可选工艺：
表面沉积有机分子，例如一些可以与量子点材料发生荧光能量共振转移的染料分子。
表面沉积含有无机金属离子的化合物，例如金属氧化物，或含金属离子的复合物/配合物等，金属离子例如Au离子、Cu离子、Hg离子、Ni离子、Zn离子、Co离子等。
在静态淬灭的实施方式中，可选地，处于基态的量子点包括量子点本体和配位在量子点本体表面的配体，该配体被配置为能够与第二淬灭材料发生反应，使量子点本体具有晶体缺陷而不发光。
其中，在光刻工艺后残留的量子点处于基态，该量子点包括量子点本体和配位在量子点本体表面的配体，其中，该配体用于改善量子点本体的晶体缺陷，提高其发光性能，第二淬灭材料可以与该配体发生反应，从而破坏该配体的改善作用，配体被破坏后，量子点本体中的电子或空穴会因自身的晶体缺陷而被消耗，使得量子点本体无法发光。
需要说明的是，特定的淬灭层材料可能同时通过几种淬灭机理起作用，而不是遵从单一的淬灭机理。
当第一淬灭材料同时满足载流子转移的条件(条件一或二)以及荧光能量共振转移的条件(条件三和四)时，这两种动态淬灭机理可以同时作用。
例如，在第一淬灭材料采用金属离子或金属氧化物的部分实施例中，金属离子或金属氧化物既可以在残留量子点表面提供电子陷阱或空穴陷阱，捕获残留量子点中的电子或空穴，还可以与残留量子点发生荧光能量共振转移。
以下对量子点发光基板的具体结构进行详细介绍。
在本公开实施例中，量子点发光基板1000包括多个发光器件P，量子点发光层200包括与发光器件P一一对应的量子点发光层子区21，各量子点发光层子区21相互独立。量子点附加层300可以位于量子点发光层子区21远离衬底11的一侧，和/或量子点发光层子区21靠近衬底11的一侧。
其中，量子点发光层子区21也即发光器件P中的发光层，量子点发光层子区21至少部分设置在对应的器件开口内。在一些实施例中，参照图1、图4、图5和图6，在量子点发光层子区21远离衬底11的一侧以及靠近衬底11的一侧，可以同时设置量子点附加层300。在另一些实施例中，参照图2和图7，可以仅在量子点发光层子区21远离衬底11的一侧以设置量子点附加层300。在又一些实施例中，参照图3和图8，可以仅在量子点发光层子区21靠近衬底11的一侧以设置量子点附加层300。
在量子点附加层包括量子点子层和淬灭层的情况下，在衬底11上的正投影存在交叠的量子点子层31与量子点发光层子区21为发射的光的波长不同，也即发光颜色不同。
以量子点发光基板1000包括R(红色)发光器件、G(绿色)发光器件和B(蓝色)发光器件这三种颜色的发光器件为例，位于R发光器件开口内的G量子点层和B量子点层即为R发光器件中残留的量子点子层，位于G发光器件开口内的R量子点层和B量子点层即为G发光器件中残留的量子点子层，位于B发光器件开口内的G量子点层和R量子点层即为B发光器件中残留的量子点子层。
进一步地，量子点子层31包括第一量子点子层311和第二量子点子层312，第一量子点子层311位于发射部分波长的光的量子点发光层子区21远离衬底11的一侧，第二量子点子层312位于发射部分波长的光的量子点发光层子区21靠近衬底11的一侧，第一量子点子层311在衬底11上的正投影与第二量子点子层312在衬底11上的正投影部分重叠。
相应地，淬灭层32具体可以包括第一淬灭层321和第二淬灭层322中的至少一者，第一淬灭层321位于第一量子点子层311远离衬底11的一侧，第一淬灭层322在衬底11上的正投影至少覆盖第一量子点子层311在衬底11上的正投影，第二淬灭层322位于第二量子点子层312靠近衬底11的一侧，第二淬灭层322在衬底11上的正投影至少覆盖第二量子点子层312在衬底11上的正投影。
其中，第一淬灭层321与第一量子点子层311直接接触，第二淬灭层322与第二量子点子层312直接接触。
由于不同发光颜色的量子点发光层子区21存在形成的先后顺序，因此会导致残留的第一量子点子层311和残留的第二量子点子层312的分布有所差异，并且，不同发光颜色的量子点发光层子区21上方的第一量子点子层311的厚度有所不同，不同发光颜色的量子点发光层子区21下方的第二量子点子层312的厚度也有所不同。
例如，参照图1，R量子点发光层子区、G量子点发光层子区和B量子点发光层子区的形成顺序为R-G-B，则R量子点发光层子区下方无量子点子层，G量子点发光层子区下方存在R量子点子层，B量子点发光层子区下方存在R量子点子层和G量子点子层，B量子点发光层子区上方无量子点子层，G量子点发光层子区上方存在B量子点子层，R量子点发光层子区上方存在G量子点子层和B量子点子层。
相应地，第一淬灭层321靠近第一量子点子层311设置，且第一淬灭层322在衬底11上的正投影至少覆盖第一量子点子层311在衬底11上的正投影，使得第一淬灭层321能够实现第一量子点子层311的动态淬灭。第二淬灭层322靠近第二量子点子层312设置，且第二淬灭层322在衬底11上的正投影至少覆盖第二量子点子层312在衬底11上的正投影，使得第二淬灭层322能够实现第二量子点子层312的动态淬灭。
需要说明的是，图10仅示例性地示出了
本公开实施例还提供了两种可选的实现方式，用于避免淬灭层32淬灭正常发光的量子点。
参照图1至图3，淬灭层32可以整层成膜而后不进行图案化，这样，工艺较为简单。但是，在实际应用中，特定厚度的淬灭层只能够淬灭一定厚度的量子点子层，而均一的淬灭层厚度会使较大厚度的量子点子层位置无法充分淬灭，以及会使较小厚度的量子点子层位置淬灭过度，从而淬灭掉正常发光的量子点。
参照图1和图2，第一淬灭层321可以整层成膜而后不进行图案化，在一种实施方式中，第一淬灭层321的厚度可以设置为能够淬灭相邻量子点子层的厚度最大处。但是，对于上方没有残留量子点的量子点发光层子区21(例如图1和图2中的B量子点发光层子区)，以及上方残留少量量子点的量子点发光层子区21(例如图1和图2中的G量子点发光层子区)，第一淬灭层321会淬灭一定厚度的需要正常发光的量子点，从而损失一些器件效率，降低了器件的发光性能。
因此，在第一种实现方式中，参照图4，在与发射不同波长的光的量子点发光层子区21相邻的第一量子点子层311的厚度不同的情况下，第一淬灭层321可以图案化，从而可以形成不同区域厚度不同的第一淬灭层321，其中，第一淬灭层321的厚度与第一量子点子层311的厚度呈正相关。
可以根据第一量子点子层311不同区域的具体厚度设置第一淬灭层321，使得第一量子点子层311厚度较大的位置对应有较大厚度的第一淬灭层321，第一量子点子层311厚度较小的位置对应有较小厚度的第一淬灭层321，如此，可以避免第一淬灭层321淬灭需要正常发光的量子点。
同理，参照图1和图3，第二淬灭层322可以整层成膜而后不进行图案化，在一种实施方式中，第二淬灭层322的厚度可以设置为能够淬灭相邻量子点子层的厚度最大处。但是，对于下方没有残留量子点的量子点发光层子区21(例如图1和图3中的R量子点发光层子区)，以及下方残留少量量子点的量子点发光层子区21(例如图1和图3中的G量子点发光层子区)，第二淬灭层322会淬灭一定厚度的需要正常发光的量子点，从而损失一些器件效率。
因此，在第一种实现方式中，参照图4，在与发射不同波长的光的量子点发光层子区21相邻的第二量子点子层312的厚度不同的情况下，第二淬灭层322可以图案化，从而可以形成不同区域厚度不同的第二淬灭层322，其中，第二淬灭层322的厚度与第二量子点子层312的厚度呈正相关。
可以根据第二量子点子层312不同区域的具体厚度设置第二淬灭层322，使得第二量子点子层312厚度较大的位置对应有较大厚度的第二淬灭层322，第二量子点子层312厚度较小的位置对应有较小厚度的第二淬灭层322，如此，可以避免第二淬灭层322淬灭需要正常发光的量子点。
参照图4，一种发光颜色的残留量子点厚度为h，则R、G、B量子点发光层子区上方分别存在2h、1h、0h厚的第一量子点子层311，下方分别存在0h、1h、2h厚的第二量子点子层312，相应地，假设1H厚的淬灭层对应淬灭1h厚的残留量子点，则R、G、B量子点发光层子区上方可以分别设置2H、1H、0H的第一淬灭层321，下方可以分别设置0H、1H、2H的第二淬灭层322。
在第二种实现方式中，第一淬灭层321和第二淬灭层322可以整层成膜而后不进行图案化，从而形成厚度均一的第一淬灭层321和第二淬灭层322，但是，需要在制备量子点发光层子区时保留一定的厚度余量，作为淬灭损耗，从而保留足量的可正常发光的量子点厚度，以保证器件的发光性能，避免器件因效率损失而导致的发光性能降低。
具体地，参照图5，量子点发光层子区21靠近淬灭层32的一侧具有量子点过渡层03，第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的量子点过渡层03中的能量并抑制量子点过渡层03发光。
量子点过渡层03包括量子点发光层子区21靠近第一淬灭层321一侧的第一量子点过渡层031，第一量子点过渡层031的厚度与相邻的第一量子点子层311的厚度呈负相关。
量子点过渡层03包括量子点发光层子区21靠近第二淬灭层322一侧的第二量子点过渡层032，第二量子点过渡层032的厚度与相邻的第二量子点子层312的厚度呈负相关。
示例性地，参照图5，在一些实施例中，第一淬灭层321和第二淬灭层322的厚度均可以设置为2H，均可以淬灭2h厚的量子点。
对于R量子点发光层子区，其上方没有第一量子点过渡层031，其下方具有2h厚的第二量子点过渡层032，在制备R量子点发光层子区时，除了正常发光所需的厚度T1，还需保留至少2h的厚度余量。第一淬灭材料可以对R量子点发光层子区下方的第二量子点过渡层032中的量子点实现动态淬灭，R量子点发光层子区剩余的厚度(≥T1)可满足R发光器件所需的器件发光效率。
对于G量子点发光层子区，其上方具有1h厚的第一量子点过渡层031，其下方具有1h厚的第二量子点过渡层032，在制备G量子点发光层子区时，除了正常发光所需的厚度T2，还需保留至少2h的厚度余量。第一淬灭材料可以对G量子点发光层子区上方的第一量子点过渡层031中的量子点实现动态淬灭，以及对G量子点发光层子区下方的第二量子点过渡层032中的量子点实现动态淬灭，G量子点发光层子区剩余的厚度(≥T2)可满足G发光器件所需的器件发光效率。
对于B量子点发光层子区，其上方具有2h厚的第一量子点过渡层031，其下方没有第二量子点过渡层032，在制备B量子点发光层子区时，除了正常发光所需的厚度T3，还需保留至少2h的厚度余量。第一淬灭材料可以对B量子点发光层子区上方的第一量子点过渡层031中的量子点实现动态淬灭，B量子点发光层子区剩余的厚度(≥T3)可满足B发光器件所需的器件发光效率。
同理，将上述第一种实现方式中的第一淬灭材料换为第二淬灭材料，则可以得到不同区域厚度不同的量子点附加层300，也即在量子点附加层300包括不发光的基态复合物的情况下，与不同颜色的量子点发光层子区21相邻的量子点附加层300的厚度可以不同，如图7和图8。
将上述第二种实现方式中的第一淬灭材料换为第二淬灭材料，则可以得到不同区域厚度相同的量子点附加层300，也即在量子点附加层300包括不发光的基态复合物的情况下，与不同颜色的量子点发光层子区21相邻的量子点附加层300的厚度也可以相同，如图6。
还可选地，量子点子层31包括多个独立的量子点子区02，量子点子区02与部分量子点过渡层03位于同层。
由于第一量子点子层311和第二量子点子层312均可以是不连续的单层，因此，如图9所示，第一量子点子层311中的量子点子区02可以与部分第一量子点过渡层031位于同层，同样地，第二量子点子层312中的量子点子区02可以与部分第二量子点过渡层032位于同层。
参照图1至图5，量子点子层31还包括第三量子点子层313，第三量子点子层313位于量子点发光层子区21之间。具体地，第三量子点子层313位于像素界定层13远离衬底11的一侧。
相应地，参照图1、图2、图3和图5，在动态淬灭方案中，淬灭层32在衬底11上的正投影还可以覆盖第三量子点子层313在衬底11上的正投影。其中，淬灭层32还可以淬灭量子点发光层子区21之间的残留量子点，避免量子点发光层子区21之间的残留量子点因其他因素而发光，进一步提高了量子点发光基板的发光色域。
当然，参照图4，量子点发光层子区21之间至少无第一电极层12的分布，因此，量子点发光层子区21之间的残留量子点发光概率较低，因此，在本公开实施例中，在动态淬灭方案中，淬灭层32也可以不设置在量子点发光层子区21之间，如图4所示。
同理，在静态淬灭方案中，量子点附加层300可以在量子点发光层子区21之间有分布，也可以在量子点发光层子区21之间无分布。
参照图1至图8，量子点发光基板1000还包括第二电极层600、电子传输层和空穴传输层，其中，第二电极层600和第一电极层12中靠近电子传输层的作为阴极，靠近空穴传输层的作为阳极。参照图1至图8，400为电子传输层、500为空穴传输层时，第一电极层12为阴极，第二电极层600为阳极，相应地，量子点发光基板1000则为倒置结构。400为空穴传输层、500为电子传输层时，第二电极层600为阴极，第一电极层12为阳极，相应地，量子点发光基板1000则为正置结构。
在本公开实施例中，对于量子点发光基板1000的发光器件结构不存在限制，发光器件P的结构可以是倒置结构，也可以是正置结构，另外，发光器件P可以是顶发射结构，也可以是底发射结构。
在实际应用中，可选地，像素界定层13上方还可以分布有膜层400，图示中并未示出。本公开实施例对于像素界定层13上方的膜层分布不作具体限定。
可选地，量子点发光基板1000还包括空穴注入层、电子注入层等膜层，具体可根据需求设置，本公开实施例并不对其进行限定。
此外，量子点发光基板1000还可以包括封装层等常规膜层结构，本公开实施例对此不作具体限定。
还需要说明的是，在本公开的各图示中，R发光器件、G发光器件和B发光器件仅为发光器件颜色的一种示例，本公开实施例对于发光器件的颜色不作具体限定。
在本公开实施例中，可以在量子点子层中的量子点处于激发态时，通过淬灭层中的第一淬灭材料转移量子点子层中的能量，从而实现对残留量子点的动态淬灭，抑制量子点子层发光。另外，还可以通过第二淬灭材料，与残留的处于基态的量子点发生反应，使残留的量子点形成不发光的基态复合物，从而实现对残留量子点的静态淬灭。通过动态淬灭或静态淬灭的方式，能够抑制量子点发光层制备过程中残留的量子点发光，进而避免了量子点发光基板出现串色。
参照图13，示出了本公开实施例的一种量子点发光基板的制备方法的步骤流程图，该制备方法包括以下步骤：
步骤1301：提供包括衬底的基底。
本公开实施例对于基底100的具体结构不做限定，示例性的，该基底100可以是驱动基板(如图14)，或者，也可以是玻璃衬底，具体根据实际需求而定。
步骤1302：在基底上沿量子点发光基板的叠层方向相邻设置淬灭层和量子点材料层，量子点材料层通过光刻工艺形成量子点发光层以及量子点子层，基于淬灭层获得量子点附加层，淬灭层位于量子点子层远离量子点发光层的一侧，量子点发光层的发光效率大于量子点附加层的发光效率。
可选地，淬灭层包括第一淬灭材料的情况下，第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的量子点子层中的能量并抑制量子点子层发光，量子点附加层包括量子点子层和淬灭层；或者，
淬灭层包括第二淬灭材料的情况下，量子点子层中处于基态的量子点与第二淬灭材料发生反应，形成不发光的基态复合物，获得包括基态复合物的量子点附加层。
对于淬灭层包括第一淬灭材料(动态淬灭方案)的情况：
步骤1302具体可以包括以下子步骤：
1)参照图15，在基底100靠近第一电极层12的一侧形成膜层400。其中，在倒置结构中，膜层400为电子传输层，在正置结构中，膜层400为空穴传输层。可选地，膜层400可采用旋涂、蒸镀、溅射等工艺形成。
2)参照图16，可选地，在膜层400远离衬底11的一侧形成第二淬灭层322。可选地，第二淬灭层322可采用蒸镀、蒸镀+光刻图案化等工艺形成。
3)参照图17至图22，在第二淬灭层322远离衬底11的一侧形成量子点层。
以R、G、B量子点层依次形成的情况为例，参照图17至图18，首先形成R量子点材料层，并对R量子点材料层进行图案化，在R像素区中形成R量子点发光层。在直接光刻法实现量子点材料层图案化的方式中，示例性地，可以首先旋涂形成具有光敏特性的R量子点材料层，然后使用掩模板对R像素区曝光，使其交联不溶于显影液，之后显影洗掉不需要的R量子点部分。图案化工艺后，还在G、B像素区中残留了R量子点，形成R量子点子层。
参照图19至图20，然后形成B量子点材料层，并对B量子点材料层进行图案化，在B像素区中形成B量子点发光层。在直接光刻法实现量子点材料层图案化的方式中，示例性地，可以首先旋涂形成具有光敏特性的G量子点材料层，然后使用掩模板对G像素区曝光，使其交联不溶于显影液，之后显影洗掉不需要的G量子点部分。图案化工艺后，还在R、G器件开口中残留了B量子点，形成B量子点子层。
参照图21至图22，最后形成G量子点材料层，并对G量子点材料层进行图案化，在G器件开口中形成G量子点发光层。在直接光刻法实现量子点材料层图案化的方式中，示例性地，可以首先旋涂形成具有光敏特性的B量子点材料层，然后使用掩模板对B像素区曝光，使其交联不溶于显影液，之后显影洗掉不需要的B量子点部分。图案化工艺后，还在R、B器件开口中残留了G量子点，形成G量子点子层。
4)参照图23，可选地，在量子点层(量子点发光层+残留的量子点子层)远离衬底11的一侧形成第一淬灭层321。可选地，第一淬灭层321可采用蒸镀、蒸镀+光刻图案化等工艺形成。
5)参照图1，在第一淬灭层321远离衬底11的一侧形成膜层500。其中，在倒置结构中，膜层500为空穴传输层，在正置结构中，膜层500为电子传输层。
6)参照图1，在膜层500远离衬底11的一侧形成第二电极层600。
以下将示例性地提供几种基于动态淬灭的量子点发光基板的制备过程。需要提前说明的是，为了体现各示例的主要区别，示例中仅对发光器件的主要制备过程，以及与其他示例的区别进行重点说明，可以理解的是，下述各示例中的制备过程并不一定是发光器件甚至量子点发光基板的完整制备过程，其中的一些具体参数(例如旋涂速度、烘干时间等)也可以根据实际情况(例如具体淬灭体系)而调整。
示例1：
正置底发射结构，膜层包括ITO/PEDOT:PSS/TFB/QD/ZnMgO/Al，可在器件工作时实现基于载流子转移原理的动态淬灭，制备步骤如下：
预先制备具有图案化的ITO(阳极)的基底。
采用3000rpm的转速旋涂1～2％wt的PEDOT:PSS的水溶液，制备PEDOT:PSS层，厚度约40nm，之后在135℃下烘干20min，得到空穴注入层。
采用3000rpm的转速旋涂8％wt的TFB的氯苯溶液制备TFB层，厚度约20nm，之后在135℃下烘干20min，得到空穴传输层。
采用的速度，蒸镀0.5～1nm的Ag薄膜，作为第一淬灭层。
采用直接光刻法制备图案化的量子点发光层，厚度约20nm，依次通过旋涂、曝光、显影的方法分别制备R量子点发光层、G量子点发光层、B量子点发光层，并形成残留的R量子点子层、G量子点子层、B量子点子层。
采用的速度，蒸镀0.5～1nm的Ag薄膜，作为第二淬灭层。
采用3000rpm的转速旋涂30mg/mL的ZnMgO纳米粒子的乙醇溶液，厚度约60nm，之后在100℃下烘干10min，得到电子传输层。
蒸镀120nm厚的Al电极层，得到阴极。
示例2：
结构及制备过程可参考示例1，同样可在器件工作时实现基于载流子转移原理的动态淬灭。不同的是，示例2中的第一淬灭层和第二淬灭层采用以下方式制备：
旋涂Au纳米粒子的溶液，3000rpm的转速旋涂40s后，在100℃下烘干10min。其中，Au纳米粒子的粒径处于1～10nm，配制浓度在0.01～0.1mg/mL甲苯溶液中。
示例3：
结构及制备过程可参考示例1，不同的是，示例3采用带有双齿二氢硫辛酸(bidentatedihydrolipoic acid，DHLA)配体的CdSe/ZnS量子点作为量子点材料，采用标记有Cy3染料分子的麦芽糖结合蛋白(maltose binding protein，MBP)作为第一淬灭材料，可在器件工作时实现基于FRET原理的动态淬灭。
示例4：
结构及制备过程可参考示例1，不同的是，示例4采用带有十六胺(hexadecylamine)和TOPO(三正辛基氧膦)的混合配体的量子点作为量子点材料，带有含吡啶基团的Co3+配合物作为第一淬灭材料，可在器件工作时实现动态淬灭，其中可能同时存在载流子转移和FRET两种原理。
对于淬灭层包括第二淬灭材料(静态淬灭方案)的情况：
制备过程可参考步骤1301、步骤1302中的子步骤1)至6)，主要区别是：
在进行至子步骤3)，形成量子点材料层后，第二淬灭层322即可与量子点发光层下方的残留量子点发生反应，生成不发光的基态复合物，在量子点发光层下方形成量子点附加层。
在进行至子步骤4)，形成第一淬灭层321后，第一淬灭层321即可与量子点发光层上方的残留量子点发生反应，生成不发光的基态复合物，在量子点发光层上方形成量子点附加层。
以下将示例性地提供几种基于静态淬灭的量子点发光基板的制备过程。
示例5：
结构及制备过程可参考示例1，可在器件制备时实现静态淬灭。
不同的是，示例5中采用带有TOPO配体的CdSe量子点作为量子点材料，采用吩噻嗪(Phenothiazine，PTZ)作为第二淬灭材料，带有TOPO配体的CdSe量子点与PTZ可以反应生成不发光的基态复合物，形成量子点附加层。
示例6：
结构及制备过程可参考示例1，可在器件制备时实现静态淬灭。
不同的是，示例6中采用带有十六胺配体的CdSe/ZnS核壳结构量子点作为量子点材料，采用2-4二硝基甲苯(2-4dinitrotoluene，DNT)作为第二淬灭材料，带有十六胺配体的CdSe/ZnS核壳结构量子点与DNT可以反应生成不发光的基态复合物，形成量子点附加层。
此外，该制备方法还可以包括形成封装层等常规步骤，本公开实施例对此不作具体限定。
需要说明的是，量子点发光基板的各结构已在上述结构实施例中详细说明，因此，在制备方法实施例中不再详述。
在本公开实施例中，首先提供包括衬底的基底，然后在基底上沿量子点发光基板的叠层方向相邻设置淬灭层和量子点材料层，量子点材料层通过光刻工艺形成量子点发光层以及量子点子层，基于淬灭层获得量子点附加层，淬灭层位于量子点子层远离量子点发光层的一侧，量子点发光层的发光效率大于量子点附加层的发光效率。在本公开实施例中，量子点附加层的发光效率较低，因此可以对量子点发光层以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层的发光亮度，从而避免了量子点发光基板出现串色。
本公开实施例还公开了一种显示装置，包括上述量子点发光基板。
可选地，量子点发光基板可以作为显示装置中的背光源，也可以作为显示装置中的显示基板。
在本公开实施例中，量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，量子点发光层和量子点附加层在量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，其中，量子点发光层的发光效率大于量子点附加层的发光效率。在本公开实施例中，量子点附加层的发光效率较低，因此可以对量子点发光层以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层的发光亮度，从而避免了量子点发光基板出现串色。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本公开并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本公开，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本公开所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本公开所提供的一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本公开的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本公开的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本公开的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本公开的限制。

Claims (22)

1.一种量子点发光基板，其特征在于，所述量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率；其中，所述量子点附加层包括量子点子层和淬灭层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧；所述淬灭层用于抑制所述量子点子层发光。
2.根据权利要求1所述的量子点发光基板，其特征在于，所述淬灭层包括第一淬灭材料，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的能量并抑制所述量子点子层发光。
3.根据权利要求2所述的量子点发光基板，其特征在于，所述淬灭层包括多个独立的淬灭区，所述量子点子层包括多个独立的量子点子区，一部分所述淬灭区与至少一个所述量子点子区存在交叠，另一部分所述淬灭区与所述量子点子区位于同层。
4.根据权利要求3所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的载流子并抑制所述量子点子层发光。
5.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料的导带能级低于所述量子点子层的量子点材料的导带能级。
6.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料的价带能级高于所述量子点子层的量子点材料的价带能级。
7.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，所述淬灭层的厚度大于或等于0.5纳米，且小于或等于1纳米。
8.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值小于10纳米。
9.根据权利要求3所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料被配置为能够与处于激发态的所述量子点子层发生荧光能量共振转移，以将处于激发态的所述量子点子层中的能量转移至所述淬灭层并抑制所述量子点子层发光。
10.根据权利要求9所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料的吸收光谱与所述量子点子层的量子点材料的发射光谱存在交叠；
各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值大于或等于1纳米，且小于或等于10纳米。
11.根据权利要求1所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点附加层包括不发光的基态复合物，所述基态复合物由处于基态的量子点与第二淬灭材料反应生成。
12.根据权利要求11所述的量子点发光基板，其特征在于，所述处于基态的量子点包括量子点本体和配位在所述量子点本体表面的配体，所述配体被配置为能够与所述第二淬灭材料发生反应，使所述量子点本体具有晶体缺陷而不发光。
13.根据权利要求1所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点发光基板包括多个发光器件，所述量子点发光层包括与所述发光器件一一对应的量子点发光层子区，各所述量子点发光层子区相互独立；
所述量子点附加层位于所述量子点发光层子区远离所述衬底的一侧，和/或所述量子点发光层子区靠近所述衬底的一侧。
14.根据权利要求13所述的量子点发光基板，其特征在于，在所述量子点附加层包括所述量子点子层和所述淬灭层的情况下，在所述衬底上的正投影存在交叠的所述量子点子层与所述量子点发光层子区发射的光的波长不同。
15.根据权利要求14所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点子层包括第一量子点子层和第二量子点子层，所述第一量子点子层位于发射部分波长的光的所述量子点发光层子区远离所述衬底的一侧，所述第二量子点子层位于发射部分波长的光的所述量子点发光层子区靠近所述衬底的一侧，所述第一量子点子层在所述衬底上的正投影与所述第二量子点子层在所述衬底上的正投影部分重叠；
所述淬灭层包括第一淬灭层和第二淬灭层中的至少一者，所述第一淬灭层和/或所述第二淬灭层包括第一淬灭材料；所述第一淬灭层位于所述第一量子点子层远离所述衬底的一侧，所述第一淬灭层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一量子点子层在所述衬底上的正投影，所述第二淬灭层位于所述第二量子点子层靠近所述衬底的一侧，所述第二淬灭层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第二量子点子层在所述衬底上的正投影。
16.根据权利要求15所述的量子点发光基板，其特征在于，与发射不同波长的光的所述量子点发光层子区相邻的所述第一量子点子层的厚度不同，所述第一淬灭层的厚度与所述第一量子点子层的厚度呈正相关；
与发射不同波长的光的所述量子点发光层子区相邻的所述第二量子点子层的厚度不同，所述第二淬灭层的厚度与所述第二量子点子层的厚度呈正相关。
17.根据权利要求15所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点发光层子区靠近所述淬灭层的一侧具有量子点过渡层，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点过渡层中的能量并抑制所述量子点过渡层发光；
所述量子点过渡层包括所述量子点发光层子区靠近所述第一淬灭层一侧的第一量子点过渡层，所述第一量子点过渡层的厚度与相邻的所述第一量子点子层的厚度呈负相关；
所述量子点过渡层包括所述量子点发光层子区靠近所述第二淬灭层一侧的第二量子点过渡层，所述第二量子点过渡层的厚度与相邻的所述第二量子点子层的厚度呈负相关。
18.根据权利要求17所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点子层包括多个独立的量子点子区，所述量子点子区与部分所述量子点过渡层位于同层。
19.根据权利要求13所述的量子点发光基板，其特征在于，在所述量子点附加层包括不发光的基态复合物的情况下，与不同颜色的所述量子点发光层子区相邻的所述量子点附加层的厚度不同。
20.一种量子点发光基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供包括衬底的基底；
在所述基底上沿所述量子点发光基板的叠层方向相邻设置淬灭层和量子点材料层，所述量子点材料层通过光刻工艺形成量子点发光层以及量子点子层，基于所述淬灭层获得量子点附加层，所述量子点附加层包括所述量子点子层和所述淬灭层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧，所述淬灭层用于抑制所述量子点子层发光，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述淬灭层包括第一淬灭材料的情况下，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的能量并抑制所述量子点子层发光；
所述淬灭层包括第二淬灭材料的情况下，所述量子点子层中处于基态的量子点与所述第二淬灭材料发生反应，形成不发光的基态复合物，获得包括所述基态复合物的量子点附加层。
22.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-19任一项所述的量子点发光基板；其中，所述量子点附加层包括量子点子层和淬灭层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧；所述淬灭层用于抑制所述量子点子层发光。
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