CN113206126A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括若干个像素单元，像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素均包括层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极；电子传输层的材质为Mg掺杂的ZnO纳米颗粒，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。上述显示面板，能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板的性能。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良特性。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。
近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化，QLED的性能有了大幅提升，但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，使得现有的空穴传输层与量子点发光层之间的界面存在一个较大的空穴注入势垒，导致空穴注入较为困难，而相对的电子注入较为容易，从而引起QLED发光层中载流子不平衡，严重限制了QLED器件的性能。而倒置结构QLED，由于可以采用蒸镀型空穴传输层(HTL)材料，可选择材料类型更为广泛，同时通过P掺杂有效提升其空穴迁移率，进而大幅提升器件性能。然而，在制作倒置结构显示面板时，为了节约成本以及实现大面积生产，HTL不能采用FMM沉积，只能采用open mask沉积，即HTL只能作为RGB的common layer(共用层)使用，无法针对RGB不同的需求采用不同的厚度或者不同的p掺杂浓度，从而无法有效根据RGB的不同需求独立优化各颜色器件的性能。
发明内容
基于此，本发明旨在根据RGB的不同需求独立优化各颜色器件的性能。
一种显示面板，所述显示面板包括若干个像素单元，所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素，所述红色子像素、所述绿色子像素与所述蓝色子像素均包括层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极；
所述电子传输层的材质为Mg掺杂的ZnO纳米颗粒，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与所述蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
上述显示面板，能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，通过使红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板的性能。
在其中一个实施例中，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为5wt％～20wt％，所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为2wt％～10wt％，所述蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为0wt％～5wt％。
在其中一个实施例中，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为5wt％～10wt％，所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为2.5wt％～7.5wt％。
在其中一个实施例中，所述红色子像素的电子传输层的厚度、所述绿色子像素的电子传输层的厚度与所述蓝色子像素的电子传输层的厚度依次递减。
在其中一个实施例中，所述红色子像素的电子传输层的厚度为40nm～100nm，所述绿色子像素的电子传输层的厚度为30nm～80nm，所述蓝色子像素的电子传输层的厚度为20nm～60nm。
在其中一个实施例中，所述红色子像素的电子传输层的厚度为40nm～70nm，所述绿色子像素的电子传输层的厚度为30nm～50nm，所述蓝色子像素的电子传输层的厚度为20nm～40nm。
一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
提供基板，在所述基板上层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极，其中，形成所述电子传输层的步骤包括：
采用溶液法在所述阴极上或者在所述量子点发光层上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；其中，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与所述蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
上述显示面板的制备方法简便，且能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，通过使红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板的性能。
在其中一个实施例中，所述溶液法为喷墨打印工艺。
在其中一个实施例中，所述红色子像素的电子传输层的厚度、所述绿色子像素的电子传输层的厚度与所述蓝色子像素的电子传输层的厚度依次递减。
一种显示装置，包括上述的显示面板或包括上述的制备方法制备的显示面板。
应用本发明技术方案的显示装置，由于包括上述显示面板，能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，通过使红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板及显示装置的性能。
附图说明
图1为本发明一实施方式的显示面板的制备方法的流程图；
图2为本发明一实施方式的显示面板的制备方法中在基板形成阴极与像素定义层的示意图；
图3为本发明一实施方式的显示面板的制备方法中在阴极上形成电子传输层的示意图；
图4为本发明一实施方式的显示面板的制备方法中在电子传输层上形成量子点发光层的示意图；
图5为本发明一实施方式的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施方式的显示面板的制备方法，包括如下步骤：
提供基板，在基板上形成层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极，其中，形成电子传输层的步骤包括：
采用溶液法在阴极上或者在量子点发光层上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
采用本发明的显示面板的制备方法制备得到的显示面板可以为正置结构显示面板或者倒置结构显示面板。
其中，正置结构显示面板的制备方法中，形成电子传输层的步骤包括：采用溶液法在量子点发光层上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
其中，倒置结构显示面板的制备方法中，形成电子传输层的步骤包括：采用溶液法在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
采用本发明上述实施方式的显示面板的制备方法得到的显示面板包括若干个像素单元，像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素均包括层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极。其中，量子点发光层包括红色子像素的量子点发光层、绿色子像素的量子点发光层与蓝色子像素的量子点发光层。
其中，在基板上形成层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极的步骤中，分别形成红色子像素的阴极、绿色子像素的阴极与蓝色子像素的阴极；分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；分别形成红色子像素的量子点发光层、绿色子像素的量子点发光层与蓝色子像素的量子点发光层；分别形成红色子像素的空穴功能层、绿色子像素的空穴功能层与蓝色子像素的空穴功能层；分别形成红色子像素的阳极、绿色子像素的阳极与蓝色子像素的阳极。
请参见图1，本发明一实施方式的显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供基板，在基板上形成阴极。
基板160上制作TFT阵列驱动电路、图案化的阴极110以及相应的像素定义层170，如图2所示。
其中，基板160包括衬底及阵列驱动单元，其中衬底可以为刚性衬底或者柔性衬底。刚性衬底可以为玻璃，柔性衬底可以为PI等。阵列驱动单元用于驱动上层电致发光像素单元。
其中，阴极110为透明阴极或反射阴极。透明阴极为ITO或ITO/薄层金属。薄层金属包括Mg、Ba、Yb、Ag、Al或它们的合金或叠层结构，厚度为5nm～20nm。反射阴极为ITO/厚金属层或单独的厚金属层，厚层金属包括Mg、Ba、Yb、Ag、Al或它们的合金或叠层结构，厚度为40nm～200nm。阴极优选为反射阴极，即顶发射型显示面板，有利于开口率提升。
其中，像素定义层170的材质优选表面呈疏液性的光阻材料，厚度一般为1μm左右，通过黄光工艺制备。像素定义层170的像素开口对应面板的像素发光区以及与阵列驱动单元形成电学连接孔，定义各子像素的发光面积以及位置。
S20、采用溶液法在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
优选地，溶液法为喷墨打印工艺。即，通过喷墨打印工艺在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层120、绿色子像素的电子传输层120与蓝色子像素的电子传输层120，如图3所示。
优选地，红色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为5wt％～20wt％，绿色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为2wt％～10wt％，蓝色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为0wt％～5wt％。
更优地，红色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为5wt％～10wt％，绿色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为2.5wt％～7.5wt％。
优选地，红色子像素的电子传输层120的厚度、绿色子像素的电子传输层120的厚度与蓝色子像素的电子传输层120的厚度依次递减。这样有利于实现较优的光学腔长结构。
优选地，红色子像素的电子传输层120的厚度为40nm～100nm，绿色子像素的电子传输层120的厚度为30nm～80nm，蓝色子像素的电子传输层120的厚度为20nm～60nm。
更优地，红色子像素的电子传输层120的厚度为40nm～70nm，绿色子像素的电子传输层120的厚度为30nm～50nm，蓝色子像素的电子传输层120的厚度为20nm～40nm。
通过结合采用不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒作为电子传输材料以及不同的ETL厚度优选，能够同时实现倒置结构RGB显示面板发光子像素的载流子平衡以及最优的光学腔长，最终实现最优的面板性能。
S30、在电子传输层上形成层叠的量子点发光层、空穴功能层与阳极，得到显示面板。
在不同厚度且不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒电子传输层120上分别沉积量子点发光层130，如图4所示。
采用open mask在量子点发光层130上整面沉积空穴功能层140，如图5所示，其中空穴功能层140为common layer，避免使用FMM，能够降低制作成本且有利于大面积生产。
在空穴功能层140上采用open mask整面沉积阳极150，得到如图5所示的显示面板。优选地，沉积阳极150之后还可以进一步沉积偏光片层(CPL)，有利于提高出光效率。最后对整个显示面板进行封装。
上述显示面板的制备方法简便，且能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，通过使红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板的性能。
请参见图5，本发明一实施方式的显示面板100包括若干个像素单元，像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素均包括层叠设置的阴极110、电子传输层120、量子点发光层130、空穴功能层140与阳极150。
本发明中，像素单元的排布规则、子像素的排布规则不限。子像素可以为“一”字型并排设置的结构，也可以为“品”字型设置的结构。本实施方式中，如图5所示的显示面板100中，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素自左向右依次并排设置。
红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素可以为倒置结构，也可以为正置结构。在一实施方式中，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素均为倒置结构，即从下至上，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素均包括层叠设置的阴极110、电子传输层120、量子点发光层130、空穴功能层140与阳极150。
电子传输层120的材质为Mg掺杂的ZnO纳米颗粒，红色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度依次递减。即根据RGB器件中红光多电子、蓝光少电子的特性，减小红光器件的电子电流，提高蓝光器件的电子电流，同时实现RGB的载流子平衡。
其中，显示面板100还可以包括基板160。基板160包括衬底及阵列驱动单元，其中衬底可以为刚性衬底或者柔性衬底。刚性衬底可以为玻璃，柔性衬底可以为PI等。阵列驱动单元用于驱动上层电致发光像素单元。
其中，阴极110为透明阴极或反射阴极。透明阴极为ITO或ITO/薄层金属。薄层金属包括Mg、Ba、Yb、Ag、Al或它们的合金或叠层结构，厚度为5nm～20nm。反射阴极为ITO/厚金属层或单独的厚金属层，厚层金属包括Mg、Ba、Yb、Ag、Al或它们的合金或叠层结构，厚度为40nm～200nm。阴极优选为反射阴极，即顶发射型显示面板，有利于开口率提升。在本实施方式中，阴极110层叠设于基板160的表面。
其中，显示面板100还可以包括像素定义层170，像素定义层170在与阴极110相对的位置具有像素开口。像素定义层170的材质优选表面呈疏液性的光阻材料，厚度一般为1μm左右，通过黄光工艺制备。像素定义层170的像素开口对应面板的像素发光区以及与阵列驱动单元形成电学连接孔，定义各子像素的发光面积以及位置。
其中，量子点发光层130为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS等；还可以是Ⅲ-Ⅴ或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如GaAs、InP、PbS/ZnS或PbSe/ZnS等。
其中，空穴功能层140可以为溶液法加工的聚合物制作，包括但不限于TFB、PVK等。当空穴功能层140为空穴传输层(HTL)时，优选为蒸镀工艺沉积的小分子制作，避免对下层量子点发光层130的破坏，蒸镀法沉积的小分子空穴传输材料包括本领域所有的常见蒸镀型小分子空穴传输材料。优选的HTL层为P型掺杂的HTL层，可以有效提升HTL层的空穴传输性能。掺杂型的HTL层优选为HTL/P型掺杂的HTL的叠层结构，防止P型掺杂对量子点发光层130的激子淬灭；优选地，HTL和量子点发光层130之间可以进一步引入电子阻挡层(EBL)，HTL和阳极150之间可以引入空穴注入层(HIL)，进一步提升器件性能。
其中，阳极150为反射阳极或透明阳极。反射阳极为厚金属层，厚层金属包括但不限于Ag、Al、Cu或它们的合金或叠层结构，厚度为80nm～200nm。透明阳极为IZO或薄层金属/IZO，薄层金属包括但不限于Ag、Al、Cu或它们的合金或叠层结构，厚度为5nm～18nm；薄金属的阴极可以有效降低沉积IZO时对下层有机HTL的破坏。阳极优选为透明，即顶发射型显示面板，有利于提升开口率。
上述显示面板，能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，通过使红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板的性能。
在前述实施方式的基础上，红色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为5wt％～20wt％，绿色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为2wt％～10wt％，蓝色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为0wt％～5wt％。
在前述实施方式的基础上，红色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为5wt％～10wt％，绿色子像素的电子传输层120中Mg的掺杂浓度为2.5wt％～7.5wt％。
在前述实施方式的基础上，红色子像素的电子传输层120的厚度、绿色子像素的电子传输层120的厚度与蓝色子像素的电子传输层120的厚度依次递减。这样有利于实现较优的光学腔长结构。
在前述实施方式的基础上，红色子像素的电子传输层120的厚度为40nm～100nm，绿色子像素的电子传输层120的厚度为30nm～80nm，蓝色子像素的电子传输层120的厚度为20nm～60nm。
在前述实施方式的基础上，红色子像素的电子传输层120的厚度为40nm～70nm，绿色子像素的电子传输层120的厚度为30nm～50nm，蓝色子像素的电子传输层120的厚度为20nm～40nm。
通过结合采用不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒作为电子传输材料以及不同的ETL厚度优选，能够同时实现倒置结构RGB显示面板发光子像素的载流子平衡以及最优的光学腔长，最终实现最优的面板性能。
在前述实施方式的基础上，空穴功能层140选自空穴传输层与空穴注入层中的至少一种。本实施方式中的空穴功能层140为空穴传输层，当然，在其他实施方式中，空穴功能层还可以为空穴注入层，或者空穴传输层与空穴注入层层叠设置。
一实施方式的显示装置，包括上述的显示面板或包括上述的制备方法制备的显示面板。
应用本发明技术方案的显示装置，由于包括上述显示面板，能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求，通过使红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减，分别调节载流子平衡，最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡，从而提高显示面板及显示装置的性能。
以下为具体实施例。
实施例1
提供基板，在基板上形成阴极，阴极材料为ITO。
采用溶液法在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层。其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度分别为20％、10％、5％。红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层、蓝色子像素的电子传输层的厚度分别为30nm、30nm、30nm。
在电子传输层上形成量子点发光层，其中红色量子点发光、绿色量子点发光、蓝色量子点发光层的材料分别为CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS。
在量子点发光层上形成空穴传输层，空穴传输层的材料为NPB。
在空穴传输层上蒸镀阳极，阳极为Ag，得到显示面板。
实施例2
提供基板，在基板上形成阴极，阴极材料为ITO。
采用溶液法在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层。其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度分别为20％、10％、5％。红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层、蓝色子像素的电子传输层的厚度分别为40nm、30nm、20nm。
在电子传输层上形成量子点发光层，其中红色量子点发光、绿色量子点发光、蓝色量子点发光层的材料分别为CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS。
在量子点发光层上形成空穴传输层，空穴传输层的材料为NPB。
在空穴传输层上蒸镀阳极，阳极为Ag，得到显示面板。
实施例3
提供基板，在基板上形成阴极，阴极材料为ITO。
采用溶液法在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层。其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度分别为10％、5％、2％。红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层、蓝色子像素的电子传输层的厚度分别为60nm、40nm、30nm。
在电子传输层上形成量子点发光层，其中红色量子点发光、绿色量子点发光、蓝色量子点发光层的材料分别为CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS。
在量子点发光层上形成空穴传输层，空穴传输层的材料为NPB。
在空穴传输层上蒸镀阳极，阳极为Ag。
在阳极上沉积偏光片层(CPL)，得到显示面板。
实施例4
提供基板，在基板上形成阴极，阴极材料为ITO。
采用溶液法在阴极上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层。其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度分别为5％、2.5％、0％。红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层、蓝色子像素的电子传输层的厚度分别为50nm、40nm、30nm。
在电子传输层上形成量子点发光层，其中红色量子点发光、绿色量子点发光、蓝色量子点发光层的材料分别为CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS。
在量子点发光层上形成空穴传输层，空穴传输层的材料为NPB。
在量子点发光层上形成空穴注入层，空穴注入层的材料为MoOx。
在空穴传输层上蒸镀阳极，阳极为Ag。
在阳极上沉积偏光片层(CPL)，得到显示面板。
实施例5
提供基板，在基板上形成阳极，阳极材料为ITO。
在阳极上形成空穴传输层，空穴传输层的材料为NPB。
在空穴传输层上形成量子点发光层，其中红色量子点发光、绿色量子点发光、蓝色量子点发光层的材料分别为CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS。
采用溶液法在量子点发光层上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层。其中，红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度分别为20％、10％、5％。红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层、蓝色子像素的电子传输层的厚度分别为30nm、30nm、30nm。
在电子传输层上蒸镀阴极，阴极为Ag，得到显示面板。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括若干个像素单元，所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素，所述红色子像素、所述绿色子像素与所述蓝色子像素均包括层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极；
所述电子传输层的材质为Mg掺杂的ZnO纳米颗粒，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与所述蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为5wt％～20wt％，所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为2wt％～10wt％，所述蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为0wt％～5wt％。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为5wt％～10wt％，所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度为2.5wt％～7.5wt％。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述红色子像素的电子传输层的厚度、所述绿色子像素的电子传输层的厚度与所述蓝色子像素的电子传输层的厚度依次递减。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述红色子像素的电子传输层的厚度为40nm～100nm，所述绿色子像素的电子传输层的厚度为30nm～80nm，所述蓝色子像素的电子传输层的厚度为20nm～60nm。
6.根据权利要求1、4或5中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述红色子像素的电子传输层的厚度为40nm～70nm，所述绿色子像素的电子传输层的厚度为30nm～50nm，所述蓝色子像素的电子传输层的厚度为20nm～40nm。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，在所述基板上形成层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极，其中，形成所述电子传输层的步骤包括：
采用溶液法在所述阴极上或者在所述量子点发光层上沉积不同Mg掺杂浓度的ZnO纳米颗粒，分别形成红色子像素的电子传输层、绿色子像素的电子传输层与蓝色子像素的电子传输层；其中，所述红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、所述绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与所述蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述溶液法为喷墨打印工艺。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述红色子像素的电子传输层的厚度、所述绿色子像素的电子传输层的厚度与所述蓝色子像素的电子传输层的厚度依次递减。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～6中任一项所述的显示面板或包括权利要求7～9中任一项所述的制备方法制备的显示面板。
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