CN114157252A - 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 - Google Patents
一种功率放大电路及射频信号的处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114157252A CN114157252A CN202111446608.3A CN202111446608A CN114157252A CN 114157252 A CN114157252 A CN 114157252A CN 202111446608 A CN202111446608 A CN 202111446608A CN 114157252 A CN114157252 A CN 114157252A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- power
- management module
- output
- triode
- power management
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明提供了一种功率放大电路及射频信号处理方法,所述电路包括:电源管理模块、三级管、以及输出匹配模块;所述电源管理模块的输入端用于连接电源,通过所述电源进行供电;所述电源管理模块的第一输出端连接至所述三极管的基极,所述电源管理模块的第一输出端输出一偏置电压,用于对射频输入信号提供偏置;所述电源管理模块的第二输出端连接至所述三极管的集电极为所述三极管供电;所述输出匹配模块的输入端与所述三极管的集电极连接,通过所述输出匹配模块的输出端输出经所述三极管放大后的射频信号。本发明有助于提升功率放大器的健壮性。
Description
【技术领域】
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种功率放大电路及射频信号的处理方法。
【背景技术】
如图1所示为现有的一种功率放大电路结构,包括电源管理模块1,三极管T1,以及输出匹配模块2,三极管T1为NPN结构,三极管T1的集电极直接接VBAT,电源管理模块1输出的偏置信号VB,经过电阻R1接至三极管T1的基极,为三极管T1提供偏置,发射极接地,射频输入信号RFIN经过电容C1接至T1的基极,集电极经过输出匹配网络输出射频信号。该电路广泛用于射频功率放大电路中。
由于三极管T1的集电极直接连接至电源,通过偏置电路的输出电压进行供电,在三极管T1工作时,电源电压的波动将导致三极管T1的功率随之变化,若电源电压受干扰而升高,集电极的电压摆幅也随之升高,若超过集电极的击穿电压,器件将发生击穿导致失效,尤其在负载阻抗失配时,由于信号的反射,集电极的电压将更大,更加容易导致器件击穿失效。
【发明内容】
本发明的目的是克服上述至少一个技术问题,提供一种功率放大电路。
为了实现上述目的,本发明提供一种功率放大电路,包括:电源管理模块、三级管、以及输出匹配模块;
所述电源管理模块的输入端用于连接电源,通过所述电源进行供电;
所述电源管理模块的第一输出端连接至所述三极管的基极,所述电源管理模块的第一输出端输出一偏置电压,用于对射频输入信号提供偏置;
所述电源管理模块的第二输出端连接至所述三极管的集电极为所述三极管供电;
所述输出匹配模块的输入端与所述三极管的集电极连接,通过所述输出匹配模块的输出端输出经所述三极管放大后的射频信号。
优选的,所述电源管理模块的第一输出端与所述三极管的基极之间还设置有一电阻R1。
优选的,所述电源管理模块的第二输出端与所述三极管之间的集电极之间还连接有一电感L1。
优选的,所述电源管理模块设置有偏置电压处理单元,用于对所述输入电压进行处理生成偏置电压。
优选的,所述电源管理模块设置有输出电压限制单元,用于对所述电源管理模块的输出电压阈值进行限制。
第二方面,本发明提供一种射频信号的处理方法,包括步骤:
电源管理模块通过电源进行供电;
通过电源管理模块对所述电源输入电压进行处理,经第一输出端输出一偏置电压对输入射频信号进行偏置,经第二输出输出供电电压对三极管进行供电;
通过输出匹配模块对经过三极管放大后的射频信号进行匹配输出。
优选的,所述电源管理模块的第一输出端输出的偏置电压通过一电阻R1进行电流匹配。
优选的,所述电源管理模块的第二输出端输端连接一电感L1。
优选的,所述电源管理模块对所述输入电压进行处理生成偏置电压,以得到第一输出端输出的偏置电压。
优选的,所述电源管理模块对所述偏置电压进行限制处理,以对第一输出端输出的偏置电压的阈值进行限制。
与相关技术相比,本发明由于三极管T1的供电由电源管理模块提供,电源VBAT的影响无法直接影响三极管T1,而是经过电源管理模块进行隔离处理后在送给三极管T1,通过对电源管理模块进行设计,可实现其输出的电压受VBAT影响很小,从而避免了电源VBAT的输出电压受波动升高超出三极管T1击穿电压而致使其损坏。此外,本实施例还通过可对电源管理芯片的输出电压进行限制,使其当VBAT电压超过某个阈值后输出不随VBAT升高而变化,更有助于提升功率放大器的健壮性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为现有一种功率放大电路的结构框图;
图2为本发明实施例功率放大电路的结构框图;
图3为本发明实施例中电源管理模块的电路原理图;
图4为本发明实施例中线性稳压器的电路原理图;
图5为本发明实施例射频信号处理方法流程图。
【具体实施方式】
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅图2所示,本发明实施例提供一种功率放大电路,包括:电源管理模块10、三级管T1、以及输出匹配模块20。
其中,所述电源管理模块10的输入端用于连接电源VBAT,通过所述电源进行供电;所述电源管理模块10的第一输出端连接至所述三极管T1的基极,所述电源管理模块10的第一输出端输出一偏置电压VB,用于对射频输入信号RFIN提供偏置;所述电源管理模块10的第二输出端连接至所述三极管T1的集电极为所述三极管T1供电;所述输出匹配模块20的输入端与所述三极管T1的集电极连接,通过所述输出匹配模块20的输出端输出经所述三极管T1放大后的射频信号。
在本实施例中,所述电源管理模块10的第一输出端与所述三极管T1的基极之间还设置有一电阻R1。
在本实施例中,所述电源管理模块10的第二输出端与所述三极管T1之间的集电极之间还连接有一电感L1。
在本实施例中,如图3所示,作为电源管理模块10的一种可实施方式,其具体包括:逻辑控制电路11、偏置电压处理单元12、参考电压电路13、和两个输出电压限制单元14。逻辑控制电路11用于控制各个模块的工作状态(是否工作),偏置电压处理单元12为参考电压电路13和两个输出电压限制单元14提供偏置,参考电压电路13提供精准的参考电压给输出电压限制单元14。
进一步的,本实施例中,输出电压限制单元14为线性稳压器,用于对所述电源管理模块的输出电压阈值进行限制。如图4所示,为本实施例中输出电压限制单元14的电路原理图,包括放大器Q、MOS管M1、电阻R1、电阻R2、以及电容C1。参考电压Vref由放大器的负输入端输入,电源连接MOS管M1源极,输出电压Vout由MOS管M1的漏极输出,由于输出电压Vout=K*Vref,K为放大系数,因此,Vref与VBAT无关。
本实施例中,由于三极管T1的供电由电源管理模块提供,电源VBAT的影响无法直接影响三极管T1,而是经过电源管理模块10进行隔离处理(即三极管T1并非直接接至VBAT上,而是接在电源管理模块的输出,二者之间可由LDO(线性稳压器)实现)后在送给三极管T1,通过对电源管理模块10进行设计(即线性稳压器的输出电压Vout=K*Vref,Vref可通过带隙基准实现,其输出电压受VBAT影响非常小),可实现其输出的电压受VBAT影响很小,从而避免了电源VBAT的输出电压受波动升高超出三极管T1击穿电压而致使其损坏。此外,本实施例还通过可对电源管理芯片的输出电压进行限制,使其当VBAT电压超过某个阈值后输出不随VBAT升高而变化,更有助于提升功率放大器的健壮性。
实施例二
如图5所示,并结合图2,本发明实施提供一种射频信号的处理方法,包括步骤:
S1,电源管理模块通过电源进行供电;
S2,通过电源管理模块对所述电源输入电压进行处理,经第一输出端输出一偏置电压对输入射频信号进行偏置,经第二输出输出供电电压对三极管进行供电;
S3,通过输出匹配模块对经过三极管放大后的射频信号进行匹配输出。
本实施例中,所述电源管理模块10的第一输出端输出的偏置电压通过一电阻R1进行电流匹配。
本实施例中,所述电源管理模块10的第二输出端输端连接一电感L1。
本实施例中,所述电源管理模块10对所述输入电压进行处理生成偏置电压,以得到第一输出端输出的偏置电压VB。
本实施例中,所述电源管理模块10对所述偏置电压进行限制处理,以对第一输出端输出的偏置电压的阈值进行限制。
以上所述的仅是本发明的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种功率放大电路,其特征在于,包括:电源管理模块、三级管、以及输出匹配模块;
所述电源管理模块的输入端用于连接电源,通过所述电源进行供电;
所述电源管理模块的第一输出端连接至所述三极管的基极,所述电源管理模块的第一输出端输出一偏置电压,用于对射频输入信号提供偏置;
所述电源管理模块的第二输出端连接至所述三极管的集电极为所述三极管供电;
所述输出匹配模块的输入端与所述三极管的集电极连接,通过所述输出匹配模块的输出端输出经所述三极管放大后的射频信号。
2.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述电源管理模块的第一输出端与所述三极管的基极之间还设置有一电阻R1。
3.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述电源管理模块的第二输出端与所述三极管之间的集电极之间还连接有一电感L1。
4.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述电源管理模块设置有偏置电压处理单元,用于对所述输入电压进行处理生成偏置电压。
5.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述电源管理模块设置有输出电压限制单元,用于对所述电源管理模块的输出电压阈值进行限制。
6.一种射频信号的处理方法,其特征在于,包括步骤:
电源管理模块通过电源进行供电;
通过电源管理模块对所述电源输入电压进行处理,经第一输出端输出一偏置电压对输入射频信号进行偏置,经第二输出输出供电电压对三极管进行供电;
通过输出匹配模块对经过三极管放大后的射频信号进行匹配输出。
7.如权利要求6所述的射频信号的处理方法,其特征在于,所述电源管理模块的第一输出端输出的偏置电压通过一电阻R1进行电流匹配。
8.如权利要求6所述的射频信号的处理方法,其特征在于,所述电源管理模块的第二输出端输端连接一电感L1。
9.如权利要求6所述的射频信号的处理方法,其特征在于,所述电源管理模块对所述输入电压进行处理生成偏置电压,以得到第一输出端输出的偏置电压。
10.如权利要求6所述的射频信号的处理方法,其特征在于,所述电源管理模块对所述偏置电压进行限制处理,以对第一输出端输出的偏置电压的阈值进行限制。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111446608.3A CN114157252B (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
PCT/CN2022/084374 WO2023097940A1 (zh) | 2021-11-30 | 2022-03-31 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111446608.3A CN114157252B (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114157252A true CN114157252A (zh) | 2022-03-08 |
CN114157252B CN114157252B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=80455474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111446608.3A Active CN114157252B (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114157252B (zh) |
WO (1) | WO2023097940A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023097940A1 (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
CN117395761A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-12 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 电源和偏置可调的射频前端模组及射频芯片 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108551333A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-18 | 广州慧智微电子有限公司 | 射频功率放大电路 |
CN109302149A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 中兴通讯股份有限公司 | 信号放大电路 |
US20200310476A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Power supply circuit |
CN113131880A (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | 上海麓慧科技有限公司 | 射频功率放大器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102769433B (zh) * | 2012-06-06 | 2016-04-27 | 广州慧智微电子有限公司 | 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路 |
JP6680235B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2020-04-15 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路および高周波モジュール |
CN114157252B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-11-28 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
-
2021
- 2021-11-30 CN CN202111446608.3A patent/CN114157252B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-31 WO PCT/CN2022/084374 patent/WO2023097940A1/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109302149A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 中兴通讯股份有限公司 | 信号放大电路 |
CN108551333A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-18 | 广州慧智微电子有限公司 | 射频功率放大电路 |
US20200310476A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Power supply circuit |
CN113131880A (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | 上海麓慧科技有限公司 | 射频功率放大器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023097940A1 (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 |
CN117395761A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-12 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 电源和偏置可调的射频前端模组及射频芯片 |
CN117395761B (zh) * | 2023-12-12 | 2024-02-20 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 电源和偏置可调的射频前端模组及射频芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023097940A1 (zh) | 2023-06-08 |
CN114157252B (zh) | 2023-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6580318B2 (en) | Method and apparatus for protecting radio frequency power amplifiers | |
CN114157252B (zh) | 一种功率放大电路及射频信号的处理方法 | |
US6690237B2 (en) | High frequency power amplifier, and communication apparatus | |
JP3942007B2 (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
US7400202B2 (en) | Bias circuit for power amplifier operated by a low external reference voltage | |
CN110855254B (zh) | 一种射频功率放大器、芯片及通信终端 | |
JP2005223877A (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
JP2007221490A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いたrfパワーモジュール | |
TWI647908B (zh) | 功率放大模組 | |
US20170026008A1 (en) | Protection circuit of power amplification circuit and power amplification circuit using the same | |
CN114089803B (zh) | 一种带有温度补偿功能的功率检测电路及其射频前端模块 | |
US10715093B2 (en) | Power amplifier module | |
EP1569329B1 (en) | Activation signal output circuit and determining circuit | |
KR102482593B1 (ko) | 전력 증폭 회로 | |
US7202743B2 (en) | High frequency amplifier | |
CN218633922U (zh) | 射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组 | |
CN108170624B (zh) | 一种应用于高速接口总线的噪声监测电路 | |
US9369090B2 (en) | High-frequency amplifier circuit | |
US11489493B2 (en) | Current control circuit and power amplifier circuit | |
US20040212433A1 (en) | Power amplifier device and method thereof | |
US6535059B2 (en) | Amplifier circuit | |
CN105656291B (zh) | 一种电源调节器及射频前端模块 | |
CN116260400B (zh) | 偏置电路、功率放大器及电子设备 | |
CN112448682B (zh) | 放大装置 | |
JP2005197860A (ja) | 高周波電力増幅回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |