CN114144542B - 移载装置及使用了该移载装置的成膜装置 - Google Patents

移载装置及使用了该移载装置的成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114144542B
CN114144542B CN202080006975.9A CN202080006975A CN114144542B CN 114144542 B CN114144542 B CN 114144542B CN 202080006975 A CN202080006975 A CN 202080006975A CN 114144542 B CN114144542 B CN 114144542B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film formation
film forming
rotating body
transfer
holding portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202080006975.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114144542A (zh
Inventor
大胡嘉规
青山贵昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shincron Co Ltd
Original Assignee
Shincron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shincron Co Ltd filed Critical Shincron Co Ltd
Publication of CN114144542A publication Critical patent/CN114144542A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114144542B publication Critical patent/CN114144542B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32889—Connection or combination with other apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Container Filling Or Packaging Operations (AREA)
  • Ink Jet (AREA)
  • Replacement Of Web Rolls (AREA)

Abstract

为了提供一种可确保成膜品质的稳定性、生产率高、小型且廉价的成膜装置，其具备：旋转体(21)，其为能够旋转的旋转体(21)，沿着该旋转体(21)的外周部设置有保持部(212)，应移载的对象物(3)以能够装卸的方式保持于该保持部(212)；以及移载机构(22)，其具有能够把持以及释放上述对象物(3)的把持机构(223)，将保持于规定设备(111)的对象物(3)移载到上述旋转体(21)的保持部(212)，并且将保持于上述旋转体(21)的其他对象物(3)移载到上述规定设备(111)。

Description

移载装置及使用了该移载装置的成膜装置
技术领域
本发明涉及一种用于移载被成膜基板及其他对象物的移载装置，以及使用了该移载装置的成膜装置。
背景技术
在使用PVD法的成膜装置中，已知有具备保持2个以上的被成膜基板的鼓状旋转体(以下，也称为转盘鼓)的成膜装置。在具备转盘鼓的成膜装置中，需要在转盘鼓上安装成膜前的被成膜基板，另一方面，将成膜后的被成膜基板从转盘鼓卸下。因此，在每次成膜工序结束时开放成膜室，依次更换固定于成膜室的转盘鼓的被成膜基板。作为更换被成膜基板的方法，已知有分批式成膜装置。在分批式成膜装置中，在每次成膜工序结束时开放成膜室，因此水分会吸附于成膜室的内表面，成膜品质有可能变得不稳定，同时，因为延长了再次开始成膜时的排气时间，生产率下降。
为了弥补这样的分批式成膜装置的缺点，已知有加载互锁式成膜装置，其中，除成膜室之外，设置了真空室等辅助室，将保持有成膜前的被成膜基板的转盘鼓自身经由分隔阀从辅助室向成膜室搬入，将保持有成膜后的被成膜基板的转盘鼓自身经由分隔阀从成膜室向辅助室搬出(专利文献1)。由此，能够在维持成膜室的真空度的状态下，更换成膜前的被成膜基板和成膜后的被成膜基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-228062号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在专利文献1所记载的加载互锁式成膜装置中，由于必须将转盘鼓自身从辅助室向成膜室搬入、或从成膜室向辅助室搬出，因此，分隔辅助室与成膜室的分隔阀必然比转盘鼓更大型化，伴随于此，辅助室、成膜室也大型化。因此，由于辅助室的大型化，各辅助室的排气时间变长，另外，存在装置的成本也变高的问题。
即，在以往的成膜装置中，无法在确保成膜品质的稳定性的基础上，提供高生产率且小型、廉价的成膜装置，因此期望开发出那样的装置。
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种可确保成膜品质的稳定性、高生产率且小型、廉价的成膜装置。
解决技术问题的手段
本发明通过下述移载装置解决上述技术问题，该移载装置具备：
旋转体，其是能够旋转的旋转体，沿着该旋转体的外周部设置有保持部，应移载的对象物以能够装卸的方式保持于该保持部；和
移载机构，其具有能够把持以及释放上述对象物的把持机构，将保持于规定设备的对象物移载到上述旋转体的保持部，并且将保持于上述旋转体的其他对象物移载到上述规定设备。
另外，本发明通过下述成膜装置解决上述技术问题，该成膜装置具有：
上述移载装置；
成膜室，其具有保持对象物的保持件，对保持于上述保持件的对象物实施规定的表面处理；和
辅助室，其经由分隔阀与上述成膜室在空间上隔离，
上述移载装置设置于上述辅助室，上述移载机构将保持于上述保持件的对象物移载至上述旋转体的保持部，并且将保持于上述旋转体的其他对象物移载至上述保持件。
发明效果
通过将本发明的移载装置利用于成膜装置，能够提供一种可确保成膜品质的稳定性、生产率高、小型且廉价的成膜装置。
附图说明
图1是表示使用了本发明的移载装置的成膜装置的一实施方式的俯视图。
图2是沿着图1的II-II线的截面图。
图3A是表示本发明的对象物的一例的立体图。
图3B是沿着图3A的IIIB-IIIB线的截面图。
图4A是表示本发明的旋转体的一例的立体图。
图4B是表示将对象物安装于图4A的旋转体的状态的立体图。
图5是表示将对象物安装于旋转体的方法的截面图。
图6A是表示本发明的移载机构的一例的立体图。
图6B是放大表示图6A的VIB部的侧视图。
图7是表示利用图6A的移载机构把持对象物的方法的截面图。
图8A是表示对象物的移载步骤的侧视图(其1)。
图8B是表示对象物的移载步骤的侧视图(其2)。
图8C是表示对象物的移载步骤的侧视图(其3)。
图8D是表示对象物的移载步骤的侧视图(其4)。
图8E是表示对象物的移载步骤的侧视图(其5)。
图8F是表示对象物的移载步骤的侧视图(其6)。
图8G是表示对象物的移载步骤的侧视图(其7)。
图9是表示使用了本发明的移载装置的成膜装置的另一实施方式的俯视图。
具体实施方式
图4A～图7表示本发明的移载装置的一实施方式。以下，对将其应用于成膜装置的实施方式进行说明，但本发明的移载装置不仅仅限定于成膜装置，也能够利用于其他任意的装置。另外，在以下的实施方式中，将本发明的移载装置的移载对象亦即对象物作为被成膜基板3进行说明，但也能够将被成膜基板以外的对象物作为移载对象。
图1是表示使用了本发明的移载装置的成膜装置1的一实施方式的俯视图，图2是沿图1的II-II线的截面图。本实施方式的成膜装置1具备：由实质上为密闭空间的框体构成的成膜室11、由同样实质上为密闭空间的框体构成的辅助室12、以及将这些成膜室11和辅助室12气密地开闭的分隔阀13。
在本实施方式的成膜室11设置有鼓状的旋转体亦即转盘鼓111。转盘鼓111能够以支承于成膜室11的顶棚和底面的鼓轴116为中心而旋转。在鼓轴116的一端，经由减速器118连接有伺服电机117，通过该伺服电机117，转盘鼓111以恒定速度连续旋转或以恒定尺寸进行分度旋转。伺服电机117由后述控制装置14控制。需要说明的是，在鼓轴116贯通成膜室11的顶棚的部分设置有磁性密封单元119，以确保成膜室11的气密性。
转盘鼓111的形状、材质等没有特别限定，本实施方式的转盘鼓111构成为：能够将被成膜基板3排列保持于圆筒状的侧壁面，以使所希望的薄膜形成在被成膜基板3(相当于本发明的对象物。)的表面。在图1所示的转盘鼓111中，能够保持8片被成膜基板3，但保持数没有特别限定。具体的保持结构如后所述。
在本实施方式的成膜室11设置有用于利用溅射法进行成膜的溅射电极112、113。溅射电极112、113由后述控制装置14控制。在本实施方式的成膜装置1中，采用实施溅射系成膜方法的成膜装置，但本发明的成膜装置的成膜方法没有任何限定，可以进行真空蒸镀、分子束蒸镀、离子镀、离子束蒸镀等各种蒸发系成膜方法、磁控溅射、离子束溅射、ECR溅射、反应性溅射、等离子体感应CVD法、ALD法、偏压蚀刻等各种表面处理。另外，在溅射系成膜装置的情况下，其溅射方式没有任何限定，可以利用各种溅射系成膜方法。
例如，磁控溅射的情况下的溅射电极112、113包括一对磁控溅射电极和经由变压器连接的交流电源，在磁控溅射电极的前端安装有作为成膜材料的靶。溅射电极112、113以靶的表面与保持于转盘鼓111的侧壁面的被成膜基板3面对面的姿势固定于成膜室11。需要说明的是，在图1所示的实施方式中，设置有2个溅射电极112、113，但溅射电极的数量没有限定，可以是1个，也可以是3个以上。
在本实施方式的成膜室11中设置有：排气装置114，其用于将成膜室11的内部调整为规定的真空度；以及气体供给装置115，其用于向成膜室11的内部导入氩气等不活性气体、氧气等反应气体。这些排气装置114和气体供给装置115由后述控制装置14控制。作为排气装置114，可以举出旋转泵、干式泵、涡轮分子泵(TMP)、低温泵(CP)。另外，也可以在成膜室11设置迈斯纳机构来进行排气。
在成膜室11的一个侧壁面经由分隔阀13连通地设置有辅助室12。分隔阀13由后述的控制装置14进行开闭控制，若封闭分隔阀13，则成膜室11成为密闭空间，若打开分隔阀13，则使成膜室11与辅助室12的气氛气压相同。例如，在成膜处理中，封闭分隔阀13使成膜室11的内部成为密闭空间，另一方面，在成膜处理结束后打开分隔阀13，将结束成膜的被成膜基板3从转盘鼓111卸下，并且将成膜前的被成膜基板3设置在转盘鼓111上。
在本实施方式的辅助室12设置有气密地开闭辅助室12的气密门121。将安装于后述的旋转体21的成膜前的被成膜基板3搬入到辅助室12，或者将安装于旋转体21的被成膜基板3从辅助室12向大气侧搬出时，打开该气密门121。在除此以外的成膜处理中或更换被成膜基板3时，封闭气密门121，确保辅助室12的内部的密闭性，由此控制辅助室12的气氛气压。需要说明的是，关于气密门121的尺寸，只要具有上述的被成膜基板3能够通过的最小的开口即可，由此能够抑制辅助室12的大型化。另外，打开气密门121，在辅助室12的旋转体21安装被成膜基板3、或者从旋转体21卸下被成膜基板3是通过设置于辅助室12的大气侧的未图示的搬送机器人等进行的。
本实施方式的辅助室12具有用于使辅助室12的内部成为规定的真空压力的排气装置122、和用于使压力从真空状态返回到大气氛气压的泄漏阀123，由后述控制装置14控制。与成膜室11的排气装置114同样，排气装置122能够举出旋转泵、干式泵、涡轮分子泵(TMP)、低温泵(CP)。辅助室12经由分隔阀13而与成膜室11的空间分开，因此彼此的空间能够以独立的压力进行工作。因此，能够通过排气装置122和泄漏阀123在成膜室11的成膜工作中对辅助室进行大气开放，从而进行被成膜基板3的更换工作和更换后的真空排气，能够为下一个批次的成膜室11和辅助室12的被成膜基板3、更换工作做好准备。与分批式成膜装置相比，能够显著缩短再次开始成膜时的排气时间，因此可以说生产率高。
需要说明的是，虽然没有特别限定，但也可以在辅助室12设置进行表面处理的机构，在成膜室11中进行成膜处理的前后，在辅助室12中进行追加的表面处理。例如，可以通过设置电阻加热机构来进行有机硅烷化合物的蒸镀处理，或者通过设置等离子体发生器来进行等离子体预处理，或者通过设置金属靶进行金属膜溅射，或者进行被成膜基板3的成膜面的加热脱气处理。在该情况下，旋转体21优选能够通过伺服电机125等加速到10rpm以上的恒定转速。
在此，对作为本发明的对象物的一实施方式的被成膜基板3的一例进行说明。图3A是表示相当于本发明的对象物的被成膜基板3的一例的立体图，图3B是沿着图3A的IIIB-IIIB线的截面图。本实施方式的被成膜基板3具有平板状的主体31，表面侧为成膜面。图3A所示的主体31的对面侧的隐藏面是表面(成膜面)，前面可见的面是背面。在主体31的背面，沿长度方向并行地延伸固定有2个第一肋32，在主体31的背面的上端和下端，沿着短边方向并行地延伸固定有2个第二肋33。本实施方式的主体31在其表面直接成膜，但也可以在主体31的表面固定应该成膜的其他被成膜体。该情况下的第一肋32及第二肋33构成为与图3A及图3B所示的结构相同。
本实施方式的被成膜基板3可装卸地保持于成膜室11的转盘鼓111的侧壁面，也可装卸地保持于辅助室12的旋转体21的保持部212。因此，在第二肋33的两端部分别形成有合计4个第一孔34。转盘鼓111的销(省略图示)与该第一孔34卡合，另外，旋转体21的销214同样与该第一孔34卡合。该卡合结构的详细情况如后所述。另外，在装卸于这些转盘鼓111的情况下或装卸于旋转体21的保持部212的情况下，需要把持被成膜基板3。因此，在第二肋33的中央部分别形成有合计4个第二孔35。后述的移载机构22的销228与该第二孔35卡合。该卡合结构的详细情况如后所述。
需要说明的是，在被成膜基板3的主体31的上端部形成有切口部36。该切口部36是用于在旋转体21上安装或拆卸被成膜基板3时避免保持部212的板213与主体31的干扰的空间。因此，如图5的中间图所示，切口部36的高度尺寸H1设为销214与第一孔34的卡合长度H2以上的切口长度。
在本实施方式的辅助室12设置有旋转体21和移载机构22。也将这些旋转体21和移载机构22包括在内而称为移载装置2。图4A～图5示出旋转体21，图6A～图7示出了移载机构22。图4A是表示本发明的旋转体21的一例的立体图，图4B是表示将作为对象物的被成膜基板3安装于图4A的旋转体21的状态的立体图，图5是表示将作为对象物的被成膜基板3安装于旋转体21的方法的截面图。
在本实施方式的辅助室12设置有能够旋转的旋转体21。本实施方式的旋转体21具有：形成为圆盘状的旋转体主体211、和沿着旋转体主体211的外周部部垂下设置的2个以上的保持部212。如图2所示，在旋转体主体211上固定有悬臂支承于辅助室12的顶棚的旋转体轴124，能够以该旋转体轴124为中心旋转。在旋转体轴124的上端经由减速器126连接有伺服电机125，通过该伺服电机125，旋转体21以恒定速度连续旋转，或者以恒定尺寸进行分度旋转。伺服电机125由后述控制装置14控制。需要说明的是，在旋转体轴124贯通辅助室的顶棚的部分设置有磁性密封单元127，以确保辅助室12的气密性。
在图4A所示的各个保持部212上，隔开与被成膜基板3的长度方向的长度相当的间隔，固定有一对板213，在各个板213的上表面设置有向上方突出的2个销214。该销214与被成膜基板3的第一孔34卡合。需要说明的是，在旋转体主体211设置有9个图4A所示的保持部212，能够分别在相邻的2个保持部212的间隙保持1个被成膜基板3。需要说明的是，旋转体21采用旋转体轴124沿铅直方向垂下的单轴结构，保持部212设置为从旋转体21的外周部部垂下，因此在保持部212的下端与辅助室12的底面之间形成了后述的移载机构22能够通过的空间。
为了将被成膜基板3安装于旋转体21的保持部212，只要如图5的左图→中间图→右图所示使被成膜基板3移动即可。在图5中，旋转体21的保持部212的上下方向的位置被固定而不移动，被成膜基板3沿上下、前后移动。首先，如图5的左图所示，相对于保持部212，把持被成膜基板3于稍高的位置，使被成膜基板3的上侧的第二肋33比保持部212的上侧的板213与销214更靠上侧的位置，并且使被成膜基板3的下侧的第二肋33比保持部212的下侧的板213与销214更靠上侧的位置。从该状态起，使被成膜基板3接近保持部212，并移动至保持部212的上侧的销214与被成膜基板3的上侧的第一孔34卡合、保持部212的下侧的销214与被成膜基板3的下侧的第一孔34卡合的位置。将该状态示于图5的中间图。在被成膜基板3从该图5的左图的状态向图5的中间图的状态移动时，保持部212的上侧的板213与销214通过被成膜基板3的切口部36。通过具有该切口部36，能够在不干扰保持部212的情况下安装被成膜基板3。
若被成膜基板3移动至图5的中间图的位置，则会使被成膜基板3向下方移动，会使保持部212的上侧的销214与被成膜基板3的上侧的第一孔34卡合，会使保持部212的下侧的销214与被成膜基板3的下侧的第一孔34卡合。将该状态示于图5的右图。由此，被成膜基板3被保持部212所保持。
需要说明的是，为了从图5的右图所示的状态卸下被成膜基板3，只要如图5的右图→中间图→左图所示使被成膜基板3相反移动即可。即，从图5的右图所示的状态使被成膜基板3向上方移动，将保持部212的上侧的销214从被成膜基板3的上侧的第一孔34拔出，将保持部212的下侧的销214从被成膜基板3的下侧的第一孔34拔出。该状态是图5的中间图所示的状态。然后，从图5的中间图所示的状态起，按照保持部212的上侧的板213与销214通过被成膜基板3的切口部36的方式使被成膜基板3向图5的右方移动。由此，成为图5的左图所示的状态，被成膜基板3从保持部212被卸下。
在设置于成膜室11的转盘鼓111上也设置有具有与旋转体21的保持部212相同的结构的保持部。在转盘鼓111上设置有8个保持部，如图1所示，在相邻的2个保持部的间隙中能够保持8片被成膜基板3。因此，图5的左图→中间图→右图所示的安装被成膜基板3的操作在将成膜前的被成膜基板3安装于转盘鼓111的保持部的情况和将成膜后的被成膜基板3安装于旋转体21的保持部212的情况下进行。与此相反的图5的右图→中间图→左图所示的卸下被成膜基板3的操作在将成膜前的被成膜基板3从旋转体21的保持部212卸下的情况和将成膜后的被成膜基板3从转盘鼓111的保持部卸下的情况下进行。
在图4B中示出在旋转体21的保持部212安装有8片被成膜基板3的状态，但在9个保持部212之间形成的9个间隙中的1个间隙中，未安装被成膜基板3，为空缺。这是为了安装从转盘鼓111卸下的成膜后的被成膜基板3。
在本实施方式的辅助室12中的被旋转体21的保持部212所包围的内部，设置有移载机构22，该移载机构22具有能够把持和释放被成膜基板3的把持机构223。移载机构22将保持于转盘鼓111的保持部的成膜后的被成膜基板3移载至旋转体21的保持部212，并且将保持于旋转体21的保持部212的成膜前的被成膜基板3移载至转盘鼓111的保持部。图6A是表示本发明的移载机构22的一例的立体图，图6B是放大表示图6A的VIB部的侧视图，图7是表示利用移载机构22把持被成膜基板3的方法的截面图。
本实施方式的移载机构22具备：形成为支柱状的移载机构主体221；使移载机构主体221直线地前后移动的线性滑块222；以及分别设置在移载机构主体221的上部和下部的把持机构223。线性滑块222沿着将图1的俯视图所示的移载位置P1与P2连结的直线延伸，使移载机构主体221前进以及后退，并且能够停止在任意的位置。
如图6B所示，移载机构主体221的上侧的把持机构223具有真空电机224、致动器单元225以及滑块226，真空电机224固定于移载机构主体221，滑块226固定于致动器单元225内的线性引导件。而且，真空电机224的输出轴的两个方向的旋转运动由包含滚珠丝杠及轴承支柱的致动器单元225转换为直线的往复运动，由此，滑块226相对于移载机构主体221往复移动。需要说明的是，在滑块226上经由吸收冲击用的弹簧227设置有销228，销228与被成膜基板3的第二孔35卡合。而且，通过同步地控制2个真空电机224的驱动，执行利用一对销228进行的被成膜基板3的把持、释放的工作、和在把持着被成膜基板3的状态下使该被成膜基板3上升、下降的工作。图6B表示图6A的上侧的把持机构223，图6A的下侧的把持机构223采用与图6B所示的上侧的把持机构223上下对称的构成。
图7是表示利用图6A的移载机构22把持被成膜基板3的方法的截面图。按照图7的左图→中间图→右图依次使移载机构22的把持机构223工作，由此把持被成膜基板3，相反，按照图7的右图→中间图→左图依次使移载机构的把持机构223工作，由此释放被成膜基板3。在利用把持机构223把持被成膜基板3的情况下，首先如图7的左图所示，在使把持机构223的上下一对销228位于开放位置(非夹紧位置)的状态下，利用线性滑块222使移载机构主体221接近被成膜基板3，如图7的中间图所示，在销228与被成膜基板3的第二孔35面对面的位置停止移载机构主体221。
接着，从图7的中间图所示的状态起，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此接近，使把持机构223的销228与被成膜基板3的第二孔35卡合(以下，也称为销228的封闭位置(夹紧位置))。此时，通过安装在杆与销228之间的弹簧227的伸长，上侧的把持机构223对被成膜基板3向下侧方向弹性施力，下侧的把持机构223对被成膜基板3向上侧方向弹性施力。由此，能够吸收由把持机构223把持被成膜基板3时的冲击，并且能够牢固地抓住。通过以上的工作完成被成膜基板3的把持，但在该把持的状态下使被成膜基板3上升或下降的情况下，只要使上下一对的真空电机224同步驱动，使上下一对的滑块226向彼此相同的方向(上升方向或下降方向)移动即可。
与此相反，在释放所把持的被成膜基板3的情况下，首先如图7的右图所示，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此分离，如图7的中间图所示，将把持机构223的销228从被成膜基板3的第二孔35拔出。然后，通过线性滑块222使移载机构主体221向远离被成膜基板3的方向移动，成为图7的左图所示的状态。
返回图1，本实施方式的控制装置14是统括成膜装置1的控制装置，如上所述，为了设定、调整成膜室11的气氛气压而控制排气装置114。另外，为了设定、调整向成膜室11的内部供给的不活性气体、反应气体的供给时机、供给量等各条件，控制气体供给装置115。另外，为了设定、调整成膜室11的转盘鼓111的旋转ON/OFF、定速旋转、间歇旋转、恒定尺寸旋转及其他旋转方式、转速，控制伺服电机117。
同样地，控制装置14为了设定、调整辅助室12的气氛气压而控制排气装置122。另外，为了设定、调整向辅助室12的内部供给的不活性气体、反应气体的供给时机、供给量等各条件，控制气体供给装置123。另外，为了设定、调整辅助室12的旋转体21的旋转ON/OFF、定速旋转、间歇旋转、恒定尺寸旋转及其他旋转方式、转速，控制伺服电机125。进一步，为了设定、调整移载机构22的移载机构主体221的前进、后退移动的ON/OFF时机、移动量、移动速度，控制线性滑块222。另外，为了设定、调整抓持机构223的把持、释放及上升、下降的时机，控制真空电机224。
接着，对使用本实施方式的成膜装置1来更换被成膜基板3的步骤进行说明。图8A至图8G是表示更换被成膜基板3的顺序的侧视图。图8A所示的最初的状态是如下状态：成膜室11中的成膜处理结束并且将辅助室12中的成膜前的被成膜基板3安装于旋转体21的保持部212的工作结束，从待机的状态打开分隔阀13(辅助室12的气密门121封闭)，使成膜室11的气氛气压和辅助室12的气氛气压为相同的气氛气压。另外，如图1的俯视图所示，在成膜室11的转盘鼓111上保持有结束了成膜的8片被成膜基板3，在辅助室12的旋转体21的保持部212上保持有成膜前的8片被成膜基板3。
在图1中，将成膜室11的转盘鼓111的8个保持部中的、与分隔阀13面对面且与移载装置2的移载机构22的前进位置相当的位置称为转盘鼓111的移载位置P1，将辅助室12的旋转体21的9个保持部212中的、与分隔阀13面对面且与移载装置2的移载机构22的后退位置相当的位置称为旋转体21的移载位置P2。转盘鼓111的旋转方向的位置例如可以由未图示的位置检测传感器检测并输出到控制装置14，也可以参照伺服电机的数据集。或者，也可以通过未图示的按压机构，进行物理上的检测位置的定位。同样地，旋转体21的旋转方向的位置也以同样的方法进行定位。
在成膜室11中的成膜结束、将安装有成膜前的被成膜基板3的旋转体21设置于辅助室12的初始状态下，如图1的俯视图所示，控制旋转体21的旋转位置，以使旋转体21的移载位置P2的保持部212空缺。需要说明的是，开始更换被成膜基板3时的旋转体21的保持部212的空缺为1个以上即可，因此，若是具备10个以上的保持部212的旋转体21，则将2个以上的空缺的任意一个空缺设定在移载位置P2即可。
在这样的前提条件下，使把持机构223未把持任何物体的移载机构22通过线性滑块222从图8A所示的后退位置(原位置)前进至图8B所示的前进位置。此时，移载机构22的上下一对销228设定于图7的左图所示的开放位置(非夹紧)，上下一对的把持机构223设定于下降位置。
在图8B所示的状态下，相对于保持在转盘鼓111的移载位置P1的被成膜基板，3，移载机构22的把持机构223为图7的中间图所示的状态，因此，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此接近，把持机构223的销228在封闭位置(夹紧位置)。由此，把持机构223的销228与被成膜基板3的第二孔35卡合。然后，为了卸下与转盘鼓111的保持部的未图示的销卡合的被成膜基板3，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此向相同的上升方向移动。由此，能够卸下保持于转盘鼓111的保持部的被成膜基板3，因此，在维持其上升位置的状态下，如图8C所示，利用线性滑块222使移载机构22后退。
图8C所示的位置是把持机构223把持的成膜后的被成膜基板3为空缺的旋转体21的移载位置P2，为图5的中间图所示的状态。然后，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此向下降方向移动，如图5的右图所示，将由把持机构223把持的成膜后的被成膜基板3保持于旋转体21的保持部212。接着，为了释放把持机构223的销228的夹紧，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此分离，如图7的中间图所示，将把持机构223的销228从被成膜基板3的第二孔35拔出。然后，通过线性滑块222使移载机构22后退到原位置。该状态如图8D所示，通过以上的工作，保持在转盘鼓111的移载位置P1的成膜后的被成膜基板3被移载到旋转体21的移载位置P2的空缺的保持部212。
接着，使旋转体21进行分度旋转(恒定尺寸旋转)，以使成膜前的被成膜基板3位于移载位置P2，接着，使把持机构223未把持任何物体的移载机构22通过线性滑块222从图8D所示的后退位置(原位置)前进至图8E所示的前进位置。此时，移载机构22的上下一对销228设定于图7的左图所示的开放位置(非夹紧)，上下一对把持机构223设定于下降位置。
在图8E所示的状态下，相对于保持于旋转体21的移载位置P2的被成膜基板3，移载机构22的把持机构223为图7的中间图所示的状态，因此，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此接近，把持机构223的销228在封闭位置(夹紧位置)。由此，把持机构223的销228与被成膜基板3的第二孔35卡合。然后，为了卸下与旋转体21的保持部212的销214卡合的被成膜基板3，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此向相同的上升方向移动。由此，能够卸下保持于旋转体21的保持部212的被成膜基板3，因此在维持其上升位置的状态下，如图8F所示，利用线性滑块222使移载机构22进一步前进。
图8F所示的位置是把持机构223所把持的成膜前的被成膜基板3到达转盘鼓111的移载位置P1的位置，为图5的中间图所示的状态。该移载位置P1是图8A～图8B所示的、先前移载的成膜后的被成膜基板3被保持的位置，当前为空缺。然后，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此向下降方向移动，如图5的右图所示，将由把持机构223把持的成膜前的被成膜基板3保持在转盘鼓111的保持部212。接着，为了释放把持机构223的销228的夹紧，同步驱动上下一对的真空电机224，使上下一对的滑块226彼此分离，如图7的中间图所示，将把持机构223的销228从被成膜基板3的第二孔35拔出。然后，通过线性滑块222使移载机构22后退到原位置。该状态如图8G所示，通过以上的工作，保持于旋转体21的移载位置P2的成膜前的被成膜基板3被移载至转盘鼓111的移载位置P1的空缺的保持部。
接着，使转盘鼓111分度旋转(恒定尺寸旋转)，以使成膜后的被成膜基板3位于移载位置P1，之后，反复进行图8A～图8G的操作，直到安装于旋转体21的保持部212的剩余的被成膜基板3全部移载到转盘鼓111的保持部为止。需要说明的是，在从图8F所示的状态转变为图8G所示的状态的工作中，在将成膜前的被成膜基板3安装于转盘鼓111的保持部之后，利用线性滑块222使移载机构22后退的位置不限于图8G所示的原位置，也可以在其中途待机。
如上所述，根据使用了本实施方式的移载装置2的成膜装置1，除成膜室11之外，设置有能够设定为与成膜室11相同的气氛的辅助室12，因此能够不使成膜室11的气氛恢复到大气气氛而更换被成膜基板3。因此，与分批式成膜装置相比，能够防止返回到大气气氛时发生的成膜室11内的结露。另外，由于能够在维持成膜室11的气氛的状态下更换被成膜基板3，因此能够在更换后直接转移到成膜处理。因此，与分批式成膜装置相比，不需要再次开始成膜时的排气时间或者能够显著缩短，因此可以说生产率高。
另外，根据使用了本实施方式的移载装置2的成膜装置1，除成膜室11之外，设置有能够设定为与成膜室11相同的气氛的辅助室12，进一步在成膜室11与辅助室12之间仅更换被成膜基板3，因此与连同转盘鼓111一起更换的情况相比，能够减小分隔阀13的尺寸。其结果，也能够减小成膜室11以及辅助室12，因此能够缩短排气时间。
另外，根据使用了本实施方式的移载装置2的成膜装置1，移载装置2的工作被限定为利用线性滑块212的移载机构主体211的前进、后退，和利用真空电机224的把持机构223的把持、释放以及上升、下降，工作简单，因此能够缩短被成膜基板3的更换工作所需的时间。另外，由于工作简单，因此能够防止不合理的负荷作用于线性滑块212、真空电机224及其他工作部分，能够抑制故障的发生。
使用了本发明的移载装置的成膜装置并不限定于上述实施方式，能够进行各种改变。图9是表示使用了本发明的移载装置的成膜装置的另一实施方式的俯视图。在本实施方式中，在辅助室12设置有2个以上的移载装置2、与此对应地设置有2个以上的分隔阀13，在这一点上与上述实施方式不同。
即，图9所示的成膜装置1在成膜室11的转盘鼓111上保持有12片被成膜基板3，在辅助室12中分别设置有具有7个保持部212的2个移载装置2。而且，在各个移载装置2的保持部212上各自保持有6片成膜前的被成膜基板3。转盘鼓111的移载位置P1为分别与2个分隔阀13面对面的位置，旋转体21的移载位置P2也为分别与2个分气阀13面对面的位置。然后，通过各个移载装置2，同时更换被成膜基板3。该更换步骤如上所述。由于利用2个以上移载装置2同时更换被成膜基板3，因此更换时间显著缩短到一半。
上述转盘鼓111相当于本发明的规定设备，上述被成膜基板3相当于本发明的对象物，上述伺服电机125相当于本发明的第一驱动部，上述线性滑块222及上述真空电机224相当于本发明的第二驱动部，上述控制装置14相当于本发明的控制部。
符号说明
1…成膜装置
11…成膜室
111…转盘鼓(规定设备)
112…溅射电极
113…溅射电极
114…排气装置
115…气体供给装置
116…鼓轴
117…伺服电机
118…减速器
119…磁性密封单元
12…辅助室
121…气密门
122…排气装置
123…泄漏阀
124…旋转体轴
125…伺服电机(第一驱动部)
126…减速器
127…磁性密封单元
13…分隔阀
14…控制装置
2…移载装置
21…旋转体
211…旋转体主体
212…保持部
213…板
214…销
22…移载机构
221…移载机构主体
222…线性滑块(第二驱动部)
223…把持机构
224…真空电机(第二驱动部)
225…致动器单元
226…滑块
227…弹簧
228…销
3…被成膜基板(对象物)
31…主体
32…第一肋
33…第二肋
34…第一孔
35…第二孔
36…切口部

Claims (6)

1.一种移载装置，
其被用于成膜装置，所述成膜装置具备：对对象物实施规定的表面处理的成膜室、和与所述成膜室在空间上隔离的辅助室，
其中，该移载装置具备：
旋转体，其设置于所述辅助室、并且是能够旋转的旋转体，沿着该旋转体的外周部设置有保持部，应移载的所述对象物以能够装卸的方式保持于该保持部；和
移载机构，其具有能够把持以及释放所述对象物的把持机构，将保持于所述成膜室的对象物移载到所述旋转体的保持部，并且将保持于所述旋转体的其他对象物移载到所述成膜室，
所述旋转体为旋转体轴沿铅直方向垂下的单轴结构，
所述保持部设置为从所述旋转体的外周部部垂下，把持所述对象物的移载机构的一部分或全部能够通过所述保持部之间。
2.如权利要求1所述的移载装置，其中，
所述保持部具有沿所述对象物的装卸方向延伸的2个以上的销，
所述对象物具有：
2个以上的孔，其与各个所述销卡合；和
切口部，其具有所述销与所述孔的卡合长度以上的切口长度，用于避免与所述保持部的干扰。
3.如权利要求1或2所述的移载装置，该移载装置还具备：
第一驱动部，其旋转驱动所述旋转体；
第二驱动部，其驱动所述移载机构；和
控制部，其控制所述第一驱动部及所述第二驱动部，
对于所述控制部而言，
将保持在设置于所述成膜室的保持件的移载位置的对象物移载到所述旋转体的保持部的移载位置，
使所述旋转体分度旋转，
将保持在所述旋转体的保持部的移载位置的对象物移载到所述保持件的移载位置，
使所述保持件分度旋转。
4.一种成膜装置，其具备：
成膜室，其具有保持对象物的保持件，对保持于所述保持件的对象物实施规定的表面处理；
辅助室，其经由分隔阀与所述成膜室在空间上隔离；和
权利要求1～3中任一项所述的移载装置。
5.如权利要求4所述的成膜装置，其中，在所述辅助室设置有2个以上的移载装置。
6.如权利要求4或5所述的成膜装置，其中，在所述辅助室中，对保持于所述保持部的对象物实施所述规定的表面处理或除此以外的表面处理。
CN202080006975.9A 2020-07-30 2020-07-30 移载装置及使用了该移载装置的成膜装置 Active CN114144542B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/029241 WO2022024295A1 (ja) 2020-07-30 2020-07-30 移載装置及びこれを用いた成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114144542A CN114144542A (zh) 2022-03-04
CN114144542B true CN114144542B (zh) 2022-09-06

Family

ID=75801851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080006975.9A Active CN114144542B (zh) 2020-07-30 2020-07-30 移载装置及使用了该移载装置的成膜装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230123586A1 (zh)
EP (1) EP4043608A4 (zh)
JP (1) JP6868929B1 (zh)
KR (1) KR102318364B1 (zh)
CN (1) CN114144542B (zh)
TW (1) TWI773387B (zh)
WO (1) WO2022024295A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7393400B2 (ja) 2021-09-02 2023-12-06 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
WO2023108313A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 湘潭宏大真空技术股份有限公司 一种提高工件镀膜均匀度的真空镀膜设备
CN115584472A (zh) * 2022-11-01 2023-01-10 上海哈呐技术装备有限公司 一种磁控溅射镀膜机

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0992709A (ja) * 1995-09-26 1997-04-04 Sony Corp ロック機構とロック検出装置を有するインデックス回転装置
JP2006089800A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Japan Science & Technology Agency ＭｇＢ２薄膜の製造方法およびＭｇＢ２薄膜
JP2016069727A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び成膜基板製造方法
CN109082644A (zh) * 2018-10-22 2018-12-25 广东拓斯达科技股份有限公司 一种移料机构及pvd镀膜设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62218569A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置のウエハ搬出入装置
JPH03115569A (ja) * 1989-09-27 1991-05-16 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 金属膜生成装置
EP1179611B1 (de) * 1992-10-06 2004-09-15 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
WO1999016927A1 (de) * 1997-09-29 1999-04-08 Unaxis Trading Ag Vakuumbeschichtungsanlage und kopplungsanordnung
EP0943699B1 (de) * 1998-02-19 2003-12-17 Applied Films GmbH & Co. KG Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer
TW200532043A (en) * 2004-02-10 2005-10-01 Ulvac Inc Thin film forming apparatus
KR100676078B1 (ko) * 2005-06-27 2007-02-01 (주)스마트에이시스템 기판 직립이송장치 및 방법
JP2009228062A (ja) 2008-03-24 2009-10-08 Panasonic Corp スパッタ成膜装置及びスパッタ成膜方法
JP6533511B2 (ja) * 2015-06-17 2019-06-19 株式会社シンクロン 成膜方法及び成膜装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0992709A (ja) * 1995-09-26 1997-04-04 Sony Corp ロック機構とロック検出装置を有するインデックス回転装置
JP2006089800A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Japan Science & Technology Agency ＭｇＢ２薄膜の製造方法およびＭｇＢ２薄膜
JP2016069727A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び成膜基板製造方法
CN109082644A (zh) * 2018-10-22 2018-12-25 广东拓斯达科技股份有限公司 一种移料机构及pvd镀膜设备

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022024295A1 (zh) 2022-02-03
TW202204655A (zh) 2022-02-01
TWI773387B (zh) 2022-08-01
EP4043608A4 (en) 2023-07-05
CN114144542A (zh) 2022-03-04
JP6868929B1 (ja) 2021-05-12
US20230123586A1 (en) 2023-04-20
WO2022024295A1 (ja) 2022-02-03
EP4043608A1 (en) 2022-08-17
KR102318364B1 (ko) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114144542B (zh) 移载装置及使用了该移载装置的成膜装置
CA1214326A (en) Disk or wafer handling and coating system
US4795299A (en) Dial deposition and processing apparatus
KR101200733B1 (ko) 박막 형성 장치
US6818067B2 (en) Processing chamber for atomic layer deposition processes
KR890002837B1 (ko) 연속 스퍼터 장치
JP4691498B2 (ja) 成膜装置
KR20080053917A (ko) 기판교체장치
JP2002517055A (ja) 基板取扱いおよび処理システムと方法
JP2000124192A (ja) 真空成膜処理装置および方法
JPH05179428A (ja) 薄膜形成装置
JPH03155619A (ja) 真空処理装置
KR20030035942A (ko) 스퍼터링 방법
JP4108896B2 (ja) 成膜装置
KR102068618B1 (ko) 고생산성 자동물류 원자층 증착 시스템
CN117802470A (zh) 卡盘机构及成膜装置
CN117802459A (zh) 成膜装置
CN117802462A (zh) 成膜装置
JPH08117583A (ja) 真空処理装置
JP2001115256A (ja) 成膜装置
KR20090033637A (ko) 웨이퍼 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant