CN114141730B - 覆晶薄膜、显示装置及覆晶薄膜制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请属于显示技术领域,提供了一种覆晶薄膜、显示装置及覆晶薄膜制作方法,其中,覆晶薄膜包括柔性基膜、粘接层、传输线、驱动芯片和热电材料层,粘接层覆盖于柔性基膜的表面,传输线敷设于粘接层远离柔性基膜的表面,驱动芯片贴设于柔性基膜上,粘接层为绝缘导热材料层,热电材料层设置于柔性基膜和粘接层之间,且热电材料层至少覆盖于驱动芯片的贴设区域;显示装置包括覆晶薄膜;覆晶薄膜制作方法用于制作覆晶薄膜。本申请提供的覆晶薄膜通过在柔性基膜和粘接层之间增设热电材料层,来将驱动芯片产生的热能转化为电能,从而将驱动芯片产生的热能消耗掉,实现散热,解决了大尺寸、高刷新率的显示装置中驱动芯片发热量大、散热慢的技术问题。

Description

覆晶薄膜、显示装置及覆晶薄膜制作方法
技术领域
本申请属于显示技术领域,更具体地说,是涉及一种覆晶薄膜、显示装置及覆晶薄膜制作方法。
背景技术
COF(Chip On Film),常称覆晶薄膜,是将集成电路(IC)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术。在显示技术领域中,COF一般用于连接驱动电路板和显示面板,从而实现驱动显示面板显示画面。
由于大尺寸、高刷新率的显示装置能给用户带来更强的视觉冲击和更加流畅的操控体验,因此市场上大尺寸、高刷新率的显示装置的需求越来越大;然而大尺寸、高刷新率意味显示面板需要包含更多的像素单元,以及需要更大功率的驱动芯片(Driver IC),而驱动芯片功率的提高会导致发热量大幅地增加,热量的散失意味着能源的浪费,而且长期高温还会缩短驱动芯片的使用寿命。
发明内容
本申请的目的在于提供一种覆晶薄膜、显示装置及覆晶薄膜制作方法,包括但不限于解决大尺寸、高刷新率的显示装置中驱动芯片发热量大、散热慢的技术问题。
为了实现上述目的,本申请提供了一种覆晶薄膜,包括柔性基膜、粘接层、传输线和驱动芯片,所述粘接层覆盖于所述柔性基膜的表面,所述传输线敷设于所述粘接层远离所述柔性基膜的表面,所述驱动芯片贴设于所述柔性基膜上,并位于所述粘接层远离所述柔性基膜的一侧,且与所述传输线连接,所述粘接层为绝缘导热材料层,所述覆晶薄膜还包括:
热电材料层,设置于所述柔性基膜和所述粘接层之间,且所述热电材料层至少覆盖于所述驱动芯片的贴设区域。
在一些实施例中,所述热电材料层与所述传输线错位设置。
在一些实施例中,所述热电材料层包括若干热电材料线和/或若干热电材料块,所述热电材料块于所述柔性基膜上的正投影的面积大于所述热电材料线于所述柔性基膜上的正投影的面积。
在一些实施例中,所述粘接层为氧化硅层或氮化硅层或单晶硅层。
在一些实施例中,所述粘接层为聚氨酯层或环氧树脂层或丙烯酸树脂层。
在一些实施例中,所述热电材料层包括热电材料和电极,所述电极设置于所述热电材料的表面;所述覆晶薄膜还包括多个金手指,多个所述金手指分别与所述电极和所述传输线连接。
本申请还提供了一种显示装置,包括显示面板、电路板和上述的覆晶薄膜,所述覆晶薄膜的两端分别与所述显示面板和所述电路板邦定。
在一些实施例中,所述热电材料层与所述电路板的地线连接。
在一些实施例中,所述电路板上设有储能元件,所述热电材料层与所述储能元件连接。
本申请还提供了一种覆晶薄膜制作方法,用于制作上述的覆晶薄膜,包括如下步骤:
S100、在柔性基膜的表面设置热电材料层;
S200、在所述柔性基膜的表面沉积粘接层,使所述粘接层覆盖所述热电材料层;
S300、在所述粘接层远离所述柔性基膜的表面敷设传输线;
S400、将驱动芯片贴设在所述柔性基膜上,使所述驱动芯片与所述传输线连接。
本申请提供的覆晶薄膜、显示装置及覆晶薄膜制作方法的有益效果是:通过在柔性基膜和粘接层之间增设热电材料层,来将驱动芯片产生的热能转化为电能,从而将驱动芯片产生的热能消耗掉,实现散热,解决了大尺寸、高刷新率的显示装置中驱动芯片发热量大、散热慢的技术问题,有效地提升了覆晶薄膜的散热效果,有利于延长驱动芯片的使用寿命。而且如果将热电材料层转化得到的电能存储起来,还能够为显示装置中的低能耗电子元件供电,从而能够降低显示装置的能耗,有利于提升能源的利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请第一实施例提供的覆晶薄膜的主视示意图;
图2为图1中A-A方向的局部剖面示意图;
图3为本申请第三实施例提供的覆晶薄膜的主视示意图;
图4为图3中B-B方向的局部剖面示意图;
图5为本申请第四和第五实施例提供的显示装置的结构示意图;
图6为本申请第六实施例提供的覆晶薄膜制作方法的工艺流程图。
其中,图中各附图标记:
1—显示装置、10—覆晶薄膜、20—显示面板、30—电路板、40—储能元件、11—柔性基膜、12—粘接层、13—传输线、14—驱动芯片、15—热电材料层、 16—金手指、161—第一金手指、162—第二金手指、151—热电材料线、152—热电材料块。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
需说明的是:当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件,它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件,它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。当一个部件被称为与另一个部件“电连接”,它可以是导体电连接,或者是无线电连接,还可以是其它各种能够传输电信号的连接方式。
术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
术语“多”的含义是二或二以上,除非另有明确具体的限定。
第一实施例:
请参阅图1和图2,本实施例提供了一种覆晶薄膜10,覆晶薄膜10包括柔性基膜11、粘接层12、传输线13、驱动芯片14和热电材料层15,其中,粘接层12为绝缘导热材料层,覆盖在柔性基膜11的表面,传输线13敷设在粘接层 12远离柔性基膜11的表面,驱动芯片14贴设在柔性基膜11上,并且驱动芯片14位于粘接层12远离柔性基膜11的一侧,同时与传输线13连接,从而实现电和信号的传输,热电材料层15设置在柔性基膜11和粘接层12之间,并且热电材料层15覆盖在驱动芯片14的贴设区域。
具体地,柔性基膜11可以是聚酰亚胺薄膜(PI薄膜)、聚酯薄膜(BOPET 薄膜)和聚二甲基硅氧烷薄膜(PDMS薄膜)中的任意一种,起到载体的作用;粘接层12和热电材料层15均铺设在柔性基膜11的表面上,其中粘接层12覆盖在热电材料层15之上,与柔性基膜11一起将热电材料层15包裹住,既能够起到增强传输线13与柔性基膜11粘附性的作用,又能够起到绝缘导热的作用,将热电材料层15与传输线13隔离开,从而防止热电材料层15在转化电能的过程中对传输线13的信号传输造成不良的影响;驱动芯片14通过引脚与传输线 13连接,可以理解的是,传输线13的数量至少与驱动芯片14的引脚数量匹配,在本实施例中,驱动芯片14在柔性基膜11上的正投影落在热电材料层15覆盖的范围内,可以理解的是,驱动芯片14的贴设区域即为驱动芯片14在柔性基膜11上的正投影区域。
当驱动芯片14在运行过程中发热时,热电材料层15会将驱动芯片14产生的热能转化为电能,并且通过及时将转化得到的电能转移至地面或储能元件中,来将驱动芯片14产生的热能消耗掉,从而实现驱动芯片14的快速散热。
本实施例提供的覆晶薄膜10,通过在柔性基膜11和粘接层12之间增设热电材料层15,来将驱动芯片14产生的热能转化为电能,从而将驱动芯片14产生的热能消耗掉,实现散热,解决了大尺寸、高刷新率的显示装置中驱动芯片发热量大、散热慢的技术问题,有效地提升了覆晶薄膜10的散热效果,有利于延长驱动芯片14的使用寿命。而且如果将热电材料层15转化得到的电能存储起来,还能够为显示装置中的低能耗电子元件供电,从而能够降低显示装置的能耗,有利于提升能源的利用率。
进一步地,在本实施例中,粘接层12为无机材料层,具体地,粘接层12 可以是氧化硅层、氮化硅层和单晶硅层中任意一种,即粘接层12是采用氧化硅、氮化硅或单晶硅等材料制成。既能够起到增强传输线13与柔性基膜11粘附性的作用,又能够起到绝缘导热的作用。
进一步地,在本实施例中,热电材料层15包括热电材料和电极,其中,电极设置在热电材料的表面。具体地,热电材料是能够将热能转化为电能的功能材料,如:碲化铋及其合金、碲化铅及其合金或硅锗合金等,而电极可以是银镍合金、镍铝合金、钼或铜等,电极烧结在热电材料的表面,可以将集聚在热电材料表面的电荷导走。
进一步地,在本实施例中,覆晶薄膜10还包括多个金手指16,多个金手指16分别与热电材料层15的电极和传输线13连接,从而通过金手指16既可以将信号传输到显示面板20(如图5所示)上,又可以将集聚在热电材料表面的电荷导入到地线或储能元件中。具体地,金手指16是形成在柔性基膜11表面的金黄色导电触片,多个金手指16分别形成在柔性基膜11的两个端部上;多个金手指16包括多个第一金手指161和至少一个第二金手指162,传输线13 的至少一端与第一金手指161连接,热电材料层15的电极直接或者通过导线与第二金手指162连接;当覆晶薄膜10邦定在电路板30上时(如图5所示),第二金手指162与电路板30上的地线或储能元件40连接。
第二实施例:
本实施例提供的覆晶薄膜与第一实施例提供的基本一致,不同之处在于:粘接层12为有机材料层,具体地,粘接层12可以是聚氨酯层、环氧树脂层和丙烯酸树脂层中的任意一种,即粘接层12是采用聚氨酯、环氧树脂或丙烯酸树脂等材料制成。相较于采用无机材料制成的粘接层12,采用有机材料制成的粘接层12可以提升覆晶薄膜10的柔韧性和延展性。
第三实施例:
请参阅图3,本实施例提供的覆晶薄膜与第一实施例提供的基本一致,不同之处在于:热电材料层15与传输线13错位设置。即当驱动芯片14的贴设区域内设置有传输线13和/或柔性基膜11除供驱动芯片14贴设以外的区域设置有热电材料层15和传输线13的情形下,热电材料层15在柔性基膜11上的正投影与传输线13在柔性基膜11上的正投影不重叠,传输线13的位置与热电材料层15的空隙处对应。从而可以避免传输线13与热电材料层15相互堆叠,有效地减小了覆晶薄膜10的整体厚度。在本实施例中,除了柔性基膜11的边缘部分,热电材料层15基本实现全覆盖,即热电材料层15覆盖柔性基膜11的表面除边缘以外的全部区域,而驱动芯片14贴装在柔性基膜11被热电材料层15 覆盖的区域内。
进一步地,请结合图4,在本实施例中,热电材料层15可以包括若干根热电材料线151、或者若干个热电材料块152、或者若干根热电材料线151和若干个热电材料块152,其中,热电材料块152在柔性基膜11上的正投影的面积大于热电材料线151在柔性基膜11上的正投影的面积。即热电材料层15的热电材料以两种形态设置在柔性基膜11的表面上,一种是呈线状的热电材料,另一种是呈块状的热电材料,具体在什么位置铺设什么形状的热电材料,需要根据传输线13的敷设情况来确定。可以理解的是,在本申请中出现的术语“若干”是指大于或等于1的自然数;电极与所有的热电材料线151和/或所有的热电材料块152连接,电极的数量可以是一个或两个;当电极的数量为一个时,由于温度的变化会导致热电材料内部的电荷向热电材料的表面迁移,使得热电材料的表面与地面或储能元件之间存在电压差,通过电极与地面或储能元件连接,可以将电荷从电压较高的一侧(热电材料的表面)向电压较低的一侧(地面或储能元件)输送,从而实现将集聚在热电材料表面的电荷导走;当电极的数量为两个时,两个电极分别设置在热电材料的两个表面(如:顶面和底面),通过两个电极分别与地面或储能元件连接后可以形成一个回路,也能够实现将集聚在热电材料表面的电荷导走。
第四实施例:
请参阅图5,本实施例提供了一种显示装置1,显示装置1包括显示面板 20、电路板30和上述实施例提供的覆晶薄膜10,其中,覆晶薄膜10的两端分别与显示面板20和电路板30邦定(bonding)。具体地,覆晶薄膜10两端的金手指16与显示面板20上的金手指和电路板30上的金手指连接,从而实现驱动芯片14、显示面板20和电路板30三者信号的传输。
本实施例提供的显示装置1,采用了覆晶薄膜10,通过在柔性基膜11和粘接层12之间增设热电材料层15,来将驱动芯片14产生的热能转化为电能,从而将驱动芯片14产生的热能消耗掉,实现散热,解决了大尺寸、高刷新率的显示装置中驱动芯片发热量大、散热慢的技术问题,有效地确保大尺寸、高刷新率的显示装置1能够高效运行。
进一步地,在本实施例中,热电材料层15与电路板30的地线连接。即热电材料层15通过电路板30的地线接地,从而通过电路板30的地线将热电材料层15转化得到的电能传导到地里,能够防止热电材料层15发生电荷堆积对驱动芯片14和传输线13的信号传输造成不良的影响。
第五实施例:
请参阅图5,本实施例提供的覆晶薄膜与第四实施例提供的基本一致,不同之处在于:在电路板30上设置有储能元件40,热电材料层15与储能元件40 连接。具体地,热电材料层15可以通过导线或导体与电路板30上的储能元件 40实现电连接。在显示装置1的运行过程中,热电材料层15转化得到的电能会传导到储能元件40中,存储起来,当显示装置1的低能耗电子元件需要供电时,储能元件40会向该低能耗电子元件输送电能,确保其正常工作。从而使得显示装置1的低能耗电子元件无需消耗外部电源(如:市电)的能量,有利于降低显示装置1的能耗,有利于提升能源的利用率。
实施例六:
请参阅图6,本实施例提供了一种覆晶薄膜制作方法,该覆晶薄膜制作方法用于制作上述实施例提供的覆晶薄膜10,包括如下步骤:
S100、在柔性基膜11的表面设置热电材料层15;
S200、在柔性基膜11的表面沉积粘接层12,使粘接层12覆盖热电材料层 15;
S300、在粘接层12远离柔性基膜11的表面敷设传输线13;
S400、将驱动芯片14贴设在柔性基膜11上,使驱动芯片14与传输线13 连接。
具体地,制作覆晶薄膜10时,首先需要将柔性基膜11裁切成所需的尺寸,清洁干净,接着在柔性基膜11的表面铺设热电材料层15,接着采用沉积工艺在柔性基膜11的表面铺设粘接层12,并且使粘接层12将热电材料层15完全覆盖住,接着采用沉积、蚀刻工艺在粘接层12远离柔性基膜11的表面上敷设传输线13,然后将驱动芯片14贴装到柔性基膜11上,并且使驱动芯片14的引脚与对应的传输线13连接。
本实施例提供的覆晶薄膜制作方法,通过在柔性基膜11和粘接层12之间铺设热电材料层15,来将驱动芯片14产生的热能转化为电能,从而将驱动芯片14产生的热能消耗掉,实现散热,解决了大尺寸、高刷新率的显示装置中驱动芯片发热量大、散热慢的技术问题,有效地提升了覆晶薄膜10的散热效果,有利于延长驱动芯片14的使用寿命。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种覆晶薄膜,包括柔性基膜、粘接层、传输线和驱动芯片,所述粘接层覆盖于所述柔性基膜的表面,所述传输线敷设于所述粘接层远离所述柔性基膜的表面,所述驱动芯片贴设于所述柔性基膜上,并位于所述粘接层远离所述柔性基膜的一侧,且与所述传输线连接,其特征在于:所述粘接层为绝缘导热材料层,所述覆晶薄膜还包括:
热电材料层,设置于所述柔性基膜和所述粘接层之间,且所述热电材料层至少覆盖于所述驱动芯片的贴设区域,所述热电材料层包括热电材料和电极,所述电极设置于所述热电材料的表面。
2.如权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述热电材料层与所述传输线错位设置。
3.如权利要求2所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述热电材料层包括若干热电材料线和/或若干热电材料块,所述热电材料块于所述柔性基膜上的正投影的面积大于所述热电材料线于所述柔性基膜上的正投影的面积。
4.如权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述粘接层为氧化硅层或氮化硅层或单晶硅层。
5.如权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述粘接层为聚氨酯层或环氧树脂层或丙烯酸树脂层。
6.如权利要求1所述的覆晶薄膜,其特征在于,所述覆晶薄膜还包括多个金手指,多个所述金手指分别与所述电极和所述传输线连接。
7.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板、电路板和权利要求1至6任一项所述的覆晶薄膜,所述覆晶薄膜的两端分别与所述显示面板和所述电路板邦定。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述热电材料层与所述电路板的地线连接。
9.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述电路板上设有储能元件,所述热电材料层与所述储能元件连接。
10.一种覆晶薄膜制作方法,其特征在于,用于制作权利要求1至6任一项所述的覆晶薄膜,包括如下步骤:
S100、在柔性基膜的表面设置热电材料层,其中,所述热电材料层包括热电材料和电极,所述电极设置于所述热电材料的表面;
S200、在所述柔性基膜的表面沉积粘接层,使所述粘接层覆盖所述热电材料层;
S300、在所述粘接层远离所述柔性基膜的表面敷设传输线;
S400、将驱动芯片贴设在所述柔性基膜上,使所述驱动芯片与所述传输线连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003324128A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Optrex Corp チップオンフィルム基板
KR102254761B1 (ko) * 2013-09-13 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Cof 패키지, 이를 포함하는 cof 패키지 어레이, 및 표시 장치
WO2015076457A1 (ko) * 2013-11-21 2015-05-28 주식회사 동부하이텍 씨오에프형 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9978663B2 (en) * 2015-12-09 2018-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Integrated circuit assembly with heat spreader and method of making the same
CN109103154A (zh) * 2017-06-21 2018-12-28 华为技术有限公司 一种芯片封装结构
CN107134443B (zh) * 2017-06-23 2019-09-03 厦门天马微电子有限公司 覆晶薄膜、显示装置和集成电路的封装方法
CN111837171B (zh) * 2019-02-20 2022-07-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
US11262616B2 (en) * 2019-11-14 2022-03-01 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and manufacturing method thereof

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