CN114127907A - 接合装置和接合方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式所涉及的接合装置(41)具备保持部(111、211)、变形部(114、213)以及控制部(70a)。保持部(111、211)保持要被接合的基板(W1、W2)。变形部(114、213)使被保持于保持部(111、211)的基板(W1、W2)的中央部相对于基板(W1、W2)的外周部突出。控制部(70a)基于基板(W1、W2)的厚度、基板(W1、W2)的温度以及未被保持于保持部(111、211)的状态下的基板(W1、W2)的翘曲中的至少一方，针对每个基板(W1、W2)调整通过变形部(114、213)使基板(W1、W2)突出的突出量。

Description

接合装置和接合方法
技术领域
本公开涉及一种接合装置和接合方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种将基板彼此接合的接合装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-5219号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种使基板的接合精度提高的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的接合装置具备保持部、变形部、以及控制部。保持部保持要被接合的基板。变形部使被保持于保持部的基板的中央部相对于基板的外周部突出。控制部基于基板的厚度、基板的温度以及未被保持于保持部的状态下的基板的翘曲中的至少一方，针对每个基板调整通过变形部使基板突出的突出量。
发明的效果
根据本公开，能够使基板的接合精度提高。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图(其1)。
图2是表示实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图(其2)。
图3是实施方式所涉及的传送部的结构的示意图。
图4是表示实施方式所涉及的接合装置的局部结构的示意图。
图5是表示实施方式所涉及的第一吸盘部和第二吸盘部的结构的示意图。
图6是表示实施方式所涉及的第二基板弯曲了的状态的示意图。
图7是说明实施方式所涉及的接合处理的流程图。
图8是表示在实施方式所涉及的接合处理中使第一基板和第二基板弯曲了的状态的图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请公开的接合装置和接合方法的实施方式。此外，并不通过以下所示的实施方式来限定所公开的接合装置和接合方法。
在以下参照的各附图中，为了使说明易于理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。X轴方向和Y轴方向为水平方向。下面，有时将Z轴正方向设为上方、将Z轴负方向设为下方来进行说明。
<接合系统的结构>
参照图1和图2来说明实施方式所涉及的接合系统1。图1是表示实施方式所涉及的接合系统1的结构的示意图(其1)。图2是表示实施方式所涉及的接合系统1的结构的示意图(其2)。
接合系统1通过将第一基板W1和第二基板W2接合来形成重合基板T。
第一基板W1和第二基板W2例如为在硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板形成有多个电子电路的基板。第一基板W1和第二基板W2为圆形，直径大致相同。此外，第一基板W1和第二基板W2中的一方例如可以为未形成电子电路的基板。
下面，将第一基板W1的板面中的与第二基板W2接合的一侧的板面称作“接合面”，将与接合面相反一侧的板面称作“非接合面”。另外，将第二基板W2的板面中的与第一基板W1接合的一侧的板面称作“接合面”，将与接合面相反一侧的板面称作“非接合面”。
接合系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2配置于处理站3的X轴负方向侧，与处理站3连接成一体。
搬入搬出站2具备载置台10和搬送区域20。载置台10具备多个载置板11。在各载置板11分别载置将多张(例如25张)基板以水平状态收容的盒C1～C4。盒C1能够收容多张第一基板W1，盒C2能够收容多张第二基板W2，盒C3能够收容多张重合基板T。盒C4例如为用于回收产生了不良的基板的盒。此外，被载置于载置板11的盒C1～C4的个数不限定于图示的个数。
搬送区域20在载置台10的X轴正方向侧与载置台10相邻地配置。在搬送区域20设置沿Y轴方向延伸的搬送路径21以及能够沿该搬送路径21移动的搬送装置22。搬送装置22不仅能够沿Y轴方向移动，还能够沿X轴方向移动，并且能够绕Z轴旋转。搬送装置22在被载置于载置板11的盒C1～C4与后述的处理站3的第三处理块G3之间进行第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T的搬送。
在处理站3设置例如三个处理块G1、G2、G3。第一处理块G1配置于处理站3的正面侧(图1的Y轴负方向侧)。另外，第二处理块G2配置于处理站3的背面侧(图1的Y轴正方向侧)，第三处理块G3配置于处理站3的靠搬入搬出站2侧(图1的X轴负方向侧)。
在第一处理块G1配置将第一基板W1和第二基板W2的接合面进行改性的表面改性装置30。表面改性装置30将第一基板W1和第二基板W2的接合面中的SiO2的键切断来设为单键的SiO，由此将该接合面改性以使其在之后容易亲水化。
具体地说，在表面改性装置30中，例如在减压气氛下激励作为处理气体的氧气或氮气来进行等离子体化，从而进行离子化。而且，通过向第一基板W1和第二基板W2的接合面照射氧离子或氮离子，来对接合面进行等离子体处理使之改性。
在第二处理块G2配置表面亲水化装置40和接合装置41。表面亲水化装置40例如通过纯水使第一基板W1和第二基板W2的接合面亲水化，并且清洗接合面。具体地说，表面亲水化装置40例如一边使被保持于旋转吸盘的第一基板W1或第二基板W2旋转，一边向第一基板W1或第二基板W2上供给纯水。由此，被供给至第一基板W1或第二基板W2上的纯水在第一基板W1或第二基板W2的接合面上扩散而使接合面亲水化。在后文中叙述接合装置41的结构。
如图2所示，在第三处理块G3，从下起依次设置第一基板W1、第二基板W2的传送装置50以及重合基板T的传送装置51。
在被第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3包围的区域形成搬送区域60。在搬送区域60配置搬送装置61。搬送装置61例如具有沿铅垂方向、水平方向移动自如并且绕铅垂轴移动自如的搬送臂。搬送装置61在搬送区域60内移动，来将第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T搬送至与搬送区域60邻接的第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3内的规定的装置。
另外，接合系统1具备控制装置70。控制装置70控制接合系统1的动作。控制装置70例如为计算机，具备控制部70a和存储部70b。控制部70a包括具有CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机、各种电路。该微计算机的CPU通过读出执并行ROM中存储的程序来实现后述的控制。另外，存储部70b例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储器元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。
此外，程序可以被记录在计算机可读记录介质中，并从记录介质安装至控制装置70的存储部70b。作为计算机可读记录介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<接合装置>
接着，说明接合装置41。如图1所示，接合装置41被划分为搬送区域T1和处理区域T2。
在搬送区域T1设置暂时载置第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T的传送部80。在接合装置41中，通过搬送装置(未图示)在搬送区域T1内、或者搬送区域T1与处理区域T2之间搬送第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T。另外，在搬送区域T1设置调整第一基板W1和第二基板W2的水平方向的朝向的位置调整机构(未图示)、使第一基板W1的正反面翻转的翻转机构(未图示)。
<传送部>
如图3所示，传送部80具备载置部81、位移传感器82a、82b以及负荷传感器83。图3是表示实施方式所涉及的传送部80的结构的示意图。此外，传送部80例如可以在上下方向上设置有多层。
载置部81例如通过多个支承销81a来从第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T的下方对这些基板进行支承。多个支承销81a与第一基板W1等的非接合面抵接来支承各基板。多个支承销81a通过被配置于载置部81的致动器(未图示)进行升降。在载置部81中，通过多个支承销81a和搬送装置61(参照图2)来进行各基板的交接。另外，在载置部81中，通过多个支承销81a和设置于搬送区域T1的搬送装置(未图示)来进行各基板的交接。
一对位移传感器82a、82b以在上下方向上排列的方式配置。具体地说，一对位移传感器82a、82b中的一个位移传感器82a配置于比被多个支承销81a支承的第一基板W1和第二基板W2更靠上方的位置。另外，另一个位移传感器82b配置于比被多个支承销81a支承的第一基板W1和第二基板W2更靠下方的位置。
位移传感器82a、82b测定第一基板W1和第二基板W2的翘曲量。位移传感器82a、82b例如为激光位移计。位移传感器82a、82b朝向第一基板W1和第二基板W2照射激光，并接受该激光的反射光。例如，位移传感器82a、82b测定第一基板W1的接合面的高度和第一基板W1的非接合面的高度，来测定第一基板W1的翘曲量。
位移传感器82a安装于驱动臂82c。位移传感器82b安装于驱动臂82d。位移传感器82a、82b通过致动器(未图示)来与驱动臂82c、82d一同沿水平方向移动。
位移传感器82a、82b一边沿水平方向移动，一边测定第一基板W1和第二基板W2的翘曲量。
翘曲量为基板的中央部相对于基板的外周部的突出量。中央部是包括基板的中心的规定区域，是预先设定的区域。外周部是在基板的径向上比基板的中央部更靠外侧的区域。
例如，在被多个支承销81a支承的第一基板W1中的中央部的接合面相对于外周部的接合面向上方突出的情况下，翘曲量被测定为正值。
另外，在被多个支承销81a支承的第一基板W1中的外周部的接合面相对于中央部的接合面向上方突出的情况下，翘曲量被测定为负值。
负荷传感器83测定第一基板W1的非接合面和第二基板W2的非接合面的摩擦系数。负荷传感器83安装于驱动臂83a。负荷传感器83通过致动器(未图示)来与驱动臂83a一同沿水平方向和上下方向移动。
负荷传感器83经由臂83b而与接触端子83c连接。接触端子83c设置于臂83b的前端。此外，负荷传感器83可以设置多个。例如，可以设置测定第一基板W1的摩擦系数的负荷传感器和测定第二基板W2的摩擦系数的负荷传感器。例如，接触端子83c与后述的销120、保持部211由相同的材料形成。
负荷传感器83通过将接触端子83c例如推压于第一基板W1的非接合面并沿水平方向移动，来测定第一基板W1的非接合面的摩擦系数。具体地说，负荷传感器83例如测定接触端子83c以与第一基板W1的非接合面接触的方式进行了移动的情况下的摩擦力，基于将接触端子83c推压于第一基板W1的力和测定到的摩擦力来测定摩擦系数。
像这样，传送部80使第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T暂时待机，并且测定第一基板W1和第二基板W2的翘曲量、以及第一基板W1和第二基板W2的摩擦系数。
<第一保持机构和第二保持机构>
另外，如图4所示，接合装置41具备第一保持机构100和第二保持机构200。图4是表示实施方式所涉及的接合装置41的局部结构的示意图。第一保持机构100和第二保持机构200设置于处理区域T2(参照图1)。
第一保持机构100具备转动机构101、第一高度测定部102以及第一吸盘部103。第一保持机构100通过第一吸盘部103来吸附并保持第一基板W1。在后文中叙述第一吸盘部103的详情。
转动机构101安装于接合装置41的处理容器的顶部41a。转动机构101将第一吸盘部103以可转动的方式支承。转动机构101使第一吸盘部103以沿着Z轴方向的轴为中心转动。
第一高度测定部102安装于处理容器的顶部41a。第一高度测定部102也可以安装于转动机构101、第一吸盘部103。第一高度测定部102测定第二基板W2的接合面的高度。另外，第一高度测定部102测定第二基板W2的厚度。
第一高度测定部102例如为使用了CCD摄像机的对准摄像机。第一高度测定部102拍摄被设置于第二基板W2的对准图案，识别对准图案，并测定对焦的高度来作为第二基板W2的接合面的高度。第一高度测定部102测定第二基板W2的接合面的高度与预先设定的第二保持机构200的第二吸盘部203的表面的高度的差，来作为第二基板W2的厚度。
第一高度测定部102可以为位移传感器。位移传感器例如为激光位移计。位移传感器向第二吸盘部203和第二基板W2照射激光，并接受该激光的反射光，由此测定第二基板W2的接合面的高度、第二基板W2的厚度。第一保持机构100可以具备对准摄像机和位移传感器来作为第一高度测定部102。
第二保持机构200具备移动机构201、第二高度测定部202以及第二吸盘部203。第二保持机构200通过第二吸盘部203来吸附并保持第二基板W2。在后文中叙述第二吸盘部203的详情。
移动机构201使第二高度测定部202和第二吸盘部203沿水平方向和上下方向移动。移动机构201具备第一移动机构201a、第二移动机构201b以及第三移动机构201c。
第一移动机构201a使第二高度测定部202和第二吸盘部203沿着被设置于接合装置41的处理容器的底部41b并沿X轴方向延伸的导轨移动。第二移动机构201b安装于第一移动机构201a的上部。第二移动机构201b使第二高度测定部202和第二吸盘部203沿着被设置于第一移动机构201a的上表面并沿Y轴方向延伸的导轨移动。第三移动机构201c安装于第二移动机构201b，用于使第二高度测定部202和第二吸盘部203沿上下方向移动。
第二高度测定部202安装于第二吸盘部203。第二高度测定部202测定第一基板W1的接合面的高度。另外，第二高度测定部202测定第一基板W1的厚度。第二高度测定部202与第一高度测定部102同样地为对准摄像机、位移传感器。
<第一吸盘部>
接着，参照图5来说明第一吸盘部103。图5是表示实施方式所涉及的第一吸盘部103和第二吸盘部203的结构的示意图。
第一吸盘部103具备支承部110、保持部111、第一吸引部112、第二吸引部113以及变形部114。
支承部110可转动地安装于转动机构101(参照图4)。支承部110形成为圆形。在支承部110形成用于收容变形部114的收容室110a。收容室110a形成于支承部110的中央。
保持部111安装于支承部110的下表面，并固定于支承部110。保持部111形成为圆形。在保持部111的下表面设置多个销120。多个销120与第一基板W1的上表面、即第一基板W1的非接合面接触来保持第一基板W1。保持部111通过吸附第一基板W1(基板的一例)的非接合面来保持第一基板W1。
通过第一吸引部112、第二吸引部113来进行抽真空，由此对第一基板W1进行吸附来将其保持于保持部111。即，保持部111(第一保持部的一例)保持要被接合的第一基板W1(基板的一例)。
在保持部111的下表面设置外侧肋121和内侧肋122。外侧肋121与第一基板W1的上表面、即第一基板W1的非接合面的外周部接触。外侧肋121处于与销120相同的高度位置。外侧肋121在第一基板W1的径向上设置于比销120更靠外侧的位置。外侧肋121沿着第一基板W1的周缘环状地形成。
内侧肋122与第一基板W1的上表面接触。内侧肋122在第一基板W1的径向上设置于比外侧肋121更靠内侧的位置。内侧肋122处于与外侧肋121、即销120相同的高度位置。内侧肋122形成为环状，并形成为与外侧肋121呈同心圆状。
比外侧肋121更靠内侧的区域被划分为第一吸引区域123a和第二吸引区域123b。第一吸引区域123a为在第一基板W1的径向上比内侧肋122更靠内侧的区域。第二吸引区域123b为在第一基板W1的径向上比内侧肋122更靠外侧的区域。
在保持部111形成第一吸引孔124a、第二吸引孔124b以及插入孔124c。第一吸引孔124a与第一吸引区域123a连通。第一吸引孔124a形成有多个。第二吸引孔124b与第二吸引区域123b连通。第二吸引孔124b形成有多个。插入孔124c形成于保持部111的中央，供后述的变形部114的致动器114a的前端插入。
在保持部111的下表面设置测定第一基板W1的温度的温度传感器126。温度传感器126与第一基板W1的上表面、即第一基板W1的非接合面抵接。温度传感器126设置有多个。例如，第一基板W1的温度为由多个温度传感器126测定出的温度的平均值。温度传感器126可以设置有一个。
此外，温度传感器126可以设置于不与第一基板W1的非接合面抵接的部位。温度传感器126可以测定与第一基板W1的温度相关的部位、例如保持部111、销120的温度，基于测定出的温度来估计第一基板W1的温度。
第一吸引部112与第一吸引孔124a连接。第一吸引部112例如为真空泵。通过使用第一吸引部112进行抽真空，来将第一吸引区域123a减压。
第二吸引部113与第二吸引孔124b连接。第二吸引部113例如为真空泵。通过使用第二吸引部113进行抽真空，来将第二吸引区域123b减压。
通过第一吸引部112将第一吸引区域123a减压，通过第二吸引部113将第二吸引区域123b减压，由此将第一基板W1吸附保持于保持部111。能够按第一吸盘部103的第一吸引部112和第二吸引部113分别进行抽真空。即，能够按第一吸引区域123a和第二吸引区域123b来调整针对第一基板W1的吸附力。
变形部114设置于形成于支承部110的收容室110a。变形部114的一部分也可以设置于转动机构101(参照图4)。变形部114具备致动器114a和圆筒114b。
通过从电空调节器(未图示)供给的空气来使致动器114a在固定方向上产生固定的压力。致动器114a能够不取决于压力的作用点的位置地固定地产生压力。致动器114a的前端与第一基板W1的上表面的中央部抵接，能够控制施加于第一基板W1的中央部的按压荷重。
圆筒114b支承致动器114a。圆筒114b例如通过内置有马达的驱动部使致动器114a沿上下方向移动。
变形部114通过致动器114a来控制针对第一基板W1的按压荷重，通过圆筒114b来控制致动器114a的移动。变形部114将被吸附保持于保持部111的第一基板W1的中央部向下方按压，来使第一基板W1向下方弯曲。即，变形部114(第一变形部的一例)使被保持于保持部111(第一保持部的一例)的第一基板W1(基板的一例)的中央部相对于第一基板的外周部突出。变形部114通过控制致动器114a的移动量，能够调整第一基板W1的中央部的突出量。
<第二吸盘部>
接着，说明第二吸盘部203。第二吸盘部203具备基台部210、保持部211、吸引部212以及变形部213。
基台部210安装于第三移动机构201c(参照图4)。基台部210为圆形。在基台部210形成用于收容测定部240的收容室210a。收容室210a形成于基台部210的中央。
在基台部210形成插入孔210b。插入孔210b与收容室210a连通。插入孔210b形成于基台部210的中央。另外，在基台部210设置吸引管210c和吸排气管210d。
吸引管210c设置多个。此外，吸引管210c也可以设置一个。在吸引管210c的周围设置密封件、例如V环。此外，吸引管210c被设置为到达保持部211。在吸排气管210d的周围设置密封件、例如V环。
保持部211设置于基台部210的上方。保持部211为圆形。在保持部211的周围设置固定环242。保持部211通过固定环242被固定于基台部210。
保持部211例如通过氧化铝陶瓷、碳化硅等陶瓷材料形成。保持部211在上下方向和水平方向上伸缩自如。保持部211能够实现高精度的平面并能够实现高恢复性。
保持部211的上表面为圆形。保持部211的上表面的直径比第二基板W2的直径大。保持部211的中央部的厚度比外周部的厚度大。在保持部211的下表面设置肋211a。肋211a在保持部211的上表面为水平的情况下与基台部210抵接。在保持部211的下表面与基台部210的上表面之间形成压力可变空间243。
在保持部211设置吸引管210c。在吸引管210c的周围设置密封件、例如V环。通过吸引部212经由吸引管210c来进行抽真空，由此使第二基板W2被吸附并保持于保持部211。保持部211通过吸附第二基板W2(基板的一例)的非接合面来保持第二基板W2。即，保持部211(第二保持部的一例)保持要与第一基板W1接合的第二基板W2(基板的一例)。
在保持部211设置测定第二基板W2的温度的温度传感器244。温度传感器244与第二基板W2的下表面、即第二基板W2的非接合面抵接。温度传感器244设置有多个。例如，第二基板W2的温度为由多个温度传感器244测定出的温度的平均值。此外，温度传感器244也可以设置一个。
此外，温度传感器244可以设置于不与第二基板W2的非接合面抵接的部位。温度传感器244测定与第二基板W2的温度有关的部位、例如保持部211的下表面的温度，并基于测定出的温度来估计第二基板W2的温度。
吸引部212与吸引管210c连接。吸引部212例如为真空泵。通过吸引部212来进行抽真空，由此吸引第二基板W2的下表面即非接合面与保持部211之间的空气。通过吸引部212吸引第二基板W2的下表面与保持部211之间的空气，由此第二基板W2被保持部211吸附保持。
变形部213具备真空泵220和电空调节器221。
真空泵220经由切换阀222而与吸排气管210d连接。通过真空泵220来进行抽真空，由此将压力可变空间243减压。通过将压力可变空间243减压，保持部211的肋211a与基台部210抵接。在该情况下，保持部211的上表面为水平。
电空调节器221经由切换阀222而与吸排气管210d连接。电空调节器221向压力可变空间243供给空气，来将压力可变空间243加压。由此，从保持部211的下方按压该保持部21。保持部211的外周部通过固定环242被固定于基台部210。因此，通过从下方进行按压，保持部211的中央部相对于外周部向上方突出。
切换阀222切换吸排气管210d与真空泵220及电空调节器221之间的连接状态。
变形部213通过将压力可变空间243加压，来使保持部211的中央部向上方突出。由此，被吸附保持于保持部211的第二基板W2的中央部向上方突出，第二基板W2弯曲。即，变形部213使被保持于保持部211的第二基板W2(基板的一例)的中央部相对于第二基板W2的外周部突出。变形部213通过调整压力可变空间243的压力，能够调整第二基板W2的中央部的突出量。
测定部240测定保持部211的突出量、即第二基板W2的中央部的突出量。测定部240例如为静电电容传感器。静电电容传感器测定由传感器面和测定目标240a形成的静电电容的变化来作为传感器面与测定目标240a之间的距离。
测定目标240a安装于保持部211的下表面的中央，与保持部211一同在上下方向上移动。测定目标240a被插入基台部210的插入孔210b。在测定目标240a的周围设置密封件(未图示)、例如V环。
接合装置41通过第一吸盘部103使第一基板W1以第一基板W1的中央部向下方突出的方式弯曲，通过第二吸盘部203使第二基板W2以第二基板W2的中央部向上方突出的方式弯曲。
而且，接合装置41将第一基板W1和第二基板W2接合来形成重合基板T。此时，通过使第一基板W1和第二基板W2弯曲，有时第一基板W1和第二基板W2在径向上延伸而产生缩放误差。
缩放误差是基板的水平方向上的延伸量，是以基板的中心为基点的径向上的放大缩小倍率。当在产生了缩放误差的状态下将第一基板W1和第二基板W2进行了接合的情况下，由于缩放误差的影响，重合基板T的接合精度可能会下降。
<基板的延伸量>
在此，说明弯曲了的基板的接合面的延伸。在此，将第二基板W2作为一例来进行说明。将未弯曲的状态下的第二基板W2的直径设为“Dw”，将第二基板W2的厚度设为“t”。另外，将水平状态下的保持部211的上表面的半径设为“Rc”，将弯曲的状态下的保持部211的上表面的曲率半径设为“R”。
在该情况下，如图6所示，第二基板W2以角度“θ[rad]”弯折而弯曲。图6是表示实施方式所涉及的第二基板W2弯曲了的状态的示意图。在弯曲的第二基板W2中，第二基板W2的下表面(非接合面)侧收缩，第二基板W2的上表面(接合面)侧延伸。将第二基板W2的上表面的延伸量设为“ΔS(ppm)”。
当假定在与第二基板W2的下面即保持部211的上面相距“a×t”(0<a<1)的位置存在无延伸收缩的中立面时，中立面的弧长为未弯曲的状态下的第二基板W2的直径“Dw”，式(1)成立。
Dw＝(R+a×t)×θ…(1)
另外，弯曲的第二基板W2的上表面的长度“Dw+ΔS×Dw”用式(2)表示。
Dw+ΔS×Dw＝(R+t)×θ…(2)
将式(1)的“Dw”代入式(2)的“Dw”并进行总结，延伸量“ΔS”为式(3)。
ΔS＝(t-a×t)/(R+a×t)…(3)
将式(3)进行曲率半径“R”的变形，成为式(4)。
R＝t×(1-a-a×ΔS)/ΔS…(4)
在此，式(4)的“a×ΔS”的项是数量级为10-6的“ΔS”与“a”的乘积，相对于其它项是非常小的。因此，省略式(4)的“a×ΔS”的项并进行变形，成为式(5)。
ΔS＝(1-a)×t/R…(5)
根据式(5)，第二基板W2的接合面的延伸量“ΔS”与第二基板W2的厚度“t”成比例。像这样，第二基板W2的接合面的延伸受第二基板W2的厚度影响。即，基板的缩放误差受基板的厚度影响。
<对基板的厚度所引起的缩放误差的抑制>
接着，说明抑制基板的厚度所引起的缩放误差的抑制方法。在此，抑制相对于作为基准的基板(以下称作“基准基板”。)的缩放误差的产生。基准基板为重合基板T中的缩放误差为预先设定的基准值以下的基板。此外，将第二基板W2用作基板的一例来进行说明。
在进行了将基准基板的厚度设为“t0”并将基准基板设为曲率半径“R0”的弯曲的情况下，基于式(5)，基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”为式(6)。
ΔS0＝(1-a)×t0/R0…(6)
另外，通过变更第二基板W2的曲率半径，能够实现使厚度为“t1”的第二基板W2的接合面与基准基板同样地延伸“ΔS0”。在此，将变更后的第二基板W2的曲率半径设为“R1”，成为式(7)。
ΔS0＝(1-a)×t1/R1…(7)
基于式(6)和式(7)，式(8)成立。
t0/R0＝t1/R1…(8)
将基准基板的厚度“t0”与第二基板W2的“t1”之比设为“A(＝t0/t1)”，式(8)变形为式(9)。
R1＝A×R0…(9)
将第二基板W2的曲率半径“R1”设为对基准基板的曲率半径“R0”乘以基准基板的厚度“t0”与第二基板W2的厚度“t1”之比“A”所得到的曲率半径。由此，能够使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等。
另外，在图6中，将保持部211的上表面的变形量即突出量设为“h”。在该情况下，在保持部211的上表面的突出量“h”、水平状态下的保持部211的上表面的半径“Rc”、弯曲的保持部211的上表面的曲率半径“R”之间，式(10)的关系成立。
R2＝Rc2+(R-h)2…(10)
将式(10)变形，成为式(11)。
h＝R-(R2-Rc2)1/2…(11)
基于式(9)计算出“R1”，将计算出的“R1”代入式(11)的“R”，由此能够计算使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的保持部211的上表面的突出量。换言之，能够计算使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的第二基板W2的中央部的突出量。
此外，水平状态下的保持部211的上表面的半径“Rc”与第二基板W2无关而为固定，并且是已知的值。另外，基准基板的曲率半径“R0”和基准基板的厚度“t0”是基于基准基板计算出的值，或者是通过设定而已知的值。因此，通过测定第二基板W2的厚度“t1”，能够计算第二基板W2的中央部的突出量。
通过将保持部211的中央部的高度设为计算出的突出量“h”，不论第二基板W2的厚度如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸与基准基板相等。即，能够抑制相对于基准基板的缩放误差的产生。
<对基板的温度所引起的缩放误差的抑制>
基板根据基板的温度膨胀或收缩，由此可能会产生基板的缩放误差。接着，说明抑制基板的温度所引起的缩放误差的抑制方法。在此，抑制相对于基准基板的缩放误差的产生。此外，将第二基板W2用作基板的一例来进行说明。
将第二基板W2相对于基准基板的温度变化设为“ΔT”，将由于温度变化引起的第二基板W2的接合面的延伸量设为“ΔSt”。在该情况下，第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSt”用式(12)表示。
ΔSt＝b×c×ΔT…(12)
“b”为第二基板W2的母材的热膨胀系数。“c”为通过成膜于第二基板W2的膜的影响来校正第二基板W2的母材的热膨胀系数的值。预先通过实验等设定“b”和“c”。
另外，当设为温度变化所引起的第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSt”为基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”的“B”倍时，第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSt”用式(13)表示。
ΔSt＝B×ΔS0…(13)
在第二基板W2由于温度而产生了缩放误差的情况下，当将使第二基板W2的接合面的延伸量成为与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相同的延伸量的调整量设为“ΔSc1”时，式(14)成立。
ΔS0＝ΔSt+ΔSc1…(14)
将式(13)的“ΔSt”代入式(14)的“ΔSt”并进行变形，成为式(15)。
ΔSc1＝(1-B)×ΔS0…(15)
另外，将用于使与基准基板为相同厚度“t0”的第二基板W2的接合面以调整量即“ΔSc1”延伸的第二基板W2的曲率半径设为“R1”。在该情况下，基于式(6)，用式(16)表示调整量“ΔSc1”。
ΔSc1＝(1-a)×t0/R1…(16)
将式(16)的“ΔSc1”代入式(15)的“ΔSc1”，将式(6)的“ΔS0”代入式(15)的“ΔS0”，成为式(17)。
(1-a)×t0/R1＝(1-B)×(1-a)×t0/R0…(17)
将式(17)变形，成为式(18)。
R1＝(1/(1-B))×R0…(18)
基于式(18)，将第二基板W2的曲率半径“R1”设为对基准基板的曲率半径“R0”乘以规定的值“1/(1-B)”所得到的曲率半径。由此，不论第二基板W2的温度如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等。
此外，“B”能够通过以下的方法来计算。首先，测定第二基板W2的温度，计算相对于基准基板的温度的温度变化“ΔT”。而且，基于计算出的温度变化“ΔT”，根据式(13)来计算第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSt”。并且，基于计算出的第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSt”和基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”，根据式(14)来计算“B”。预先计算或者预先测定基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”，由此该延伸量“ΔS0”是已知的。
另外，基于式(18)来计算“R1”，将计算出的“R1”代入式(11)的“R”。由此，不论第二基板W2的温度如何都能够计算用于使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的保持部211的上表面的突出量。即，能够计算用于使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的第二基板W2的中央部的突出量。
通过将保持部211的中央部的高度设为计算出的突出量“h”，不论第二基板W2的温度如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸与基准基板相等。即，能够抑制由于第二基板W2的温度而引起相对于基准基板产生缩放误差。
<对基板的翘曲所引起的缩放误差的抑制>
在对中央部的接合面比外周部的接合面更突出的基板进行吸附保持的情况下，例如从第二基板W2的外周部与保持部211的上表面接触的状态开始对第二基板W2进行吸附保持。此时，在外周部与保持部211的上表面之间的摩擦力大的情况下，该第二基板W2被抑制向径向外侧的变形并被吸附于保持部211。因此，例如可能会以相对于外周部的接合面比中央部的接合面更突出的第二基板W2进一步收缩了的状态被吸附保持于保持部211。即，可能会由于基板的翘曲而产生基板的缩放误差。
接着，说明由于基板的翘曲引起的缩放误差的抑制方法。在此，抑制相对于基准基板的缩放误差的产生。此外，将第二基板W2用作基板的一例来进行说明。
将基准基板的翘曲量设为“W0”，将基准基板的摩擦系数设为“μ0”。另外，将与基准基板不同的第二基板W2的翘曲量设为“W1”，将第二基板W2的摩擦系数设为“μ1”。在该情况下，第二基板W2的翘曲对接合面的延伸量的影响量(以下称作“延伸量”。)“ΔSw”用式(19)表示。
ΔSw＝d×(W1/W0)×(μ1/μ0)…(19)
“d”为预先设定的校正系数。
另外，当设为由于第二基板W2的翘曲引起的第二基板W2的延伸量“ΔSw”为基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”的“C”倍时，第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSw”用式(20)表示。
ΔSw＝C×ΔS0…(20)
在第二基板W2产生了翘曲所引起的缩放误差的情况下，当将使第二基板W2的接合面的延伸量为与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相同的延伸量的调整量设为“ΔSc1”时，式(21)成立。
ΔS0＝ΔSw+ΔSc1…(21)
将式(20)的“ΔSw”代入式(21)的“ΔSw”并进行变形，成为式(22)。
ΔSc1＝(1-C)×ΔS0…(22)
另外，将用于使与基准基板相同厚度“t0”的第二基板W2的接合面以调整量即“ΔSc1”延伸的第二基板W2的曲率半径设为“R1”。在该情况下，基于式(6)，用式(23)表示调整量“ΔSc1”。
ΔSc1＝(1-a)×t0/R1···(23)
将式(22)的“ΔSc1”代入式(23)的“ΔSc1”，将式(6)的“ΔS0”代入式(22)的“ΔS0”，成为式(24)。
(1-a)×t0/R1＝(1-C)×(1-a)×t0/R0…(24)
将式(24)变形，成为式(25)。
R1＝(1/(1-C))×R0…(25)
基于式(26)，将第二基板W2的曲率半径“R1”设为对基准基板的曲率半径“R0”乘以规定的值“1/(1-C)”所得到的曲率半径。由此，不论第二基板W2的翘曲如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等。
此外，“C”能够通过以下的方法来计算。首先，测定第二基板W2的翘曲量“W1”和第二基板W2的摩擦系数“μ1”，基于式(19)来计算第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSw”。基准基板的翘曲量“W0”和基准基板的摩擦系数“μ0”是已知值。
此外，可以使用未产生翘曲的基板来作为基准基板，计算接合面的中央部比接合面的外周部更突出的第二基板W2的突出量相对于基准基板的比率，来计算第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSw”。
而且，基于计算出的第二基板W2的接合面的延伸量“ΔSw”和基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”，根据式(20)来计算“C”。
另外，基于式(25)来计算“R1”，将计算出的“R1”代入式(11)的“R”。由此，不论第二基板W2的翘曲如何都能够计算用于使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的保持部211的上表面的突出量。即，能够计算用于使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的第二基板W2的中央部的突出量。
通过将保持部211的中央部的高度设为计算出的突出量“h”，不论第二基板W2的翘曲如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸与基准基板相等。即，能够抑制由于第二基板W2的翘曲引起相对于基准基板产生缩放误差。
<缩放误差抑制的总结>
如以下那样总结对由于上述的基板的厚度、基板的温度以及基板的翘曲引起的缩放误差的产生的抑制。此外，将第二基板W2用作基板的一例来进行说明。
将用于使厚度为“t1”、温度所引起的延伸量为“ΔSt”、翘曲所引起的延伸量为“ΔSw”的第二基板W2与基准基板的延伸量“ΔS0”相等的调整量设为“Sc1”，式(26)成立。此外，调整量“Sc1”为由于第二基板W2的厚度“t1”产生的调整量。
ΔS0＝ΔSc1+ΔSt+ΔSw…(26)
将式(26)进行变形，成为式(27)。
ΔSc1＝ΔS0-ΔSt-ΔSw…(27)
将式(13)的“ΔSt”代入式(27)，将式(20)的“ΔSW”代入式(27)的“ΔSw”，并进行总结，成为式(28)。
ΔSc1＝(1-B-C)×ΔS0…(28)
在此，在使厚度为“t1”的第二基板W2的接合面延伸“ΔS0”的情况下，式(7)的关系成立，因此能够将式(28)的“ΔSc1”置换为式(7)的右边。另外，“ΔS0”能够表示为式(6)。根据这些将式(28)进行变形，成为式(29)。
(1-a)×t1/R1＝(1-B-C)×(1-a)×t0/R0…(29)
另外，使用“A(＝t0/t1)”将式(29)进行变形，成为式(30)。
R1＝A×(1-B-C)×R0…(30)
基于式(30)，将第二基板W2的曲率半径“R1”设为对基准基板的曲率半径“R0”乘以规定的值“A×(1-B-C)”所得到的曲率半径。由此，不论第二基板W2的厚度、温度以及翘曲如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等。
另外，通过基于式(30)来计算“R1”，通过将计算出的“R1”代入式(11)的“R”，能够计算保持部211的上表面的突出量“h”。即，能够计算用于使第二基板W2的接合面的延伸量与基准基板的接合面的延伸量“ΔS0”相等的第二基板W2的中央部的突出量。
通过将保持部211的中央部的高度设为计算出的变形量“h”，不论第二基板W2的厚度、温度以及翘曲如何都能够使第二基板W2的接合面的延伸与基准基板相等。
针对每个第二基板W2执行这样的对保持部211的上表面的高度的调整，即、对第二基板W2的中央部的突出量的调整。
此外，在第二基板W2为接合面的外周部比接合面的中央部突出的基板的情况下，也可以不使用翘曲所引起的延伸量“ΔSw”地计算保持部211的上表面的变形量“h”。即，在接合面的外周部比接合面的中央部更突出的第二基板W2的情况下，可以不使用翘曲所引起的延伸量“ΔSw”地调整第二基板W2的中央部的突出量。即，当第二基板W2(基板的一例)在未被保持于保持部211的状态下以外周部的接合面比中央部的接合面更突出的方式翘曲的情况下，针对每个第二基板W2，基于第二基板W2的厚度和第二基板W2的温度中的至少一方来调整突出量。
接合装置41可以基于第二基板W2的厚度、第二基板W2的温度以及第二基板W2的翘曲中的至少一方，针对每个第二基板W2调整通过变形部213使第二基板W2突出的突出量。例如，接合装置41可以基于第二基板W2的温度，针对每个第二基板W2调整第二基板W2的突出量。
在此，作为一例，说明了第二基板W2，但关于第一基板W1也同样地针对每个第一基板W1执行对第一基板W1的中央部的突出量的调整。在第一基板W1中，通过变形部114的圆筒114b使致动器114a移动的移动量与上述的保持部211的上表面的突出量对应。另外，内侧肋122的半径与上述的水平状态下的保持部211的上表面的半径对应。
<接合处理>
接着，参照图7的流程图来说明实施方式所涉及的接合处理。图7是说明实施方式所涉及的接合处理的流程图。基于控制装置70，具体地说，基于控制部70a的控制来执行图7所示的各种处理。
此外，第一基板W1中的基准基板的厚度、温度、翘曲量以及摩擦系数预先存储于存储部70b。另外，第二基板W2的基准基板的厚度、温度、翘曲量以及摩擦系数预先存储于存储部70b。
控制装置70进行第一测定处理(S100)。具体地说，控制装置70将通过表面改性装置30被进行表面改性并且通过表面亲水化装置40被亲水化后的第一基板W1搬送至传送部80。而且，控制装置70通过位移传感器82a、82b来测定被搬送至传送部80的第一基板W1的翘曲量。另外，控制装置70通过负荷传感器83来测定第一基板W1的摩擦系数。被进行了第一测定处理的第一基板W1通过位置调整机构被调整水平方向的朝向，通过翻转机构被翻转，之后被第一吸盘部103吸附保持。
控制装置70进行第二测定处理(S101)。具体地说，控制装置70将通过表面改性装置30被进行表面改性并且通过表面亲水化装置40被亲水化后的第二基板W2搬送至传送部80。而且，控制装置70通过位移传感器82a、82b来测定被搬送至传送部80的第二基板W2的翘曲量。另外，控制装置70通过负荷传感器83来测定第二基板W2的摩擦系数。被进行了第二测定处理的第二基板W2通过位置调整机构被调整水平方向的朝向，之后被第二吸盘部203吸附保持。
此外，第一测定处理和第二测定处理的顺序可以颠倒，也可以同时执行一部分处理。
控制装置70进行第三测定处理(S102)。具体地说，控制装置70测定第一基板W1的厚度和第二基板W2的厚度。控制装置70通过第一高度测定部102来测定第二基板W2的厚度。另外，控制装置70通过第二高度测定部202来测定第一基板W1的厚度。
控制装置70进行第四测定处理(S103)。具体地说，控制装置70通过温度传感器126来测定第一基板W1的温度。另外，控制装置70通过温度传感器244来测定第二基板W2的温度。
此外，第三测定处理和第四测定处理的顺序可以颠倒，也可以同时进行。
控制装置70设定第一基板W1的突出量(S104)。具体地说，控制装置70基于第一基板W1的厚度、第一基板W1的温度以及第一基板W1的翘曲来设定致动器114a的移动量，并设定第一基板W1的中央部的突出量。
控制装置70设定第二基板W2的突出量(S105)。具体地说，控制装置70基于第二基板W2的厚度、第二基板W2的温度以及第二基板W2的翘曲来设定保持部211的突出量，并设定第二基板W2的中央部的突出量。
此外，第一基板W1的突出量的设定和第二基板W2的突出量的设定的顺序可以颠倒，也可以同时进行。
控制装置70进行接合处理(S106)。具体地说，控制装置70在调整第一基板W1和第二基板W2的水平方向的位置之后，调整第一基板W1和第二基板W2的上下方向上的位置。
控制装置70在使第一基板W1和第二基板W2以成为所设定的各突出量的方式弯曲了的情况下，调整第一基板W1和第二基板W2的上下方向上的位置，以使第一基板W1的中央部与第二基板W2的中央部抵接并被按压。
而且，控制装置70使第一基板W1的中央部突出并使第二基板W2的中央部突出，如图8所示那样使第一基板W1的中央部与第二基板W2的中央部抵接。图8是表示在实施方式所涉及的接合处理中使第一基板W1和第二基板W2弯曲了的状态的图。此外，控制装置70停止第一吸盘部103的第一吸引部112的吸引。
控制装置70、具体地说是控制部70a基于第一基板W1(基板的一例)的厚度、第一基板W1的温度以及未被保持于保持部111的状态下的第一基板W1的翘曲中的至少一方，针对每个第一基板W1调整通过变形部114使第一基板W1突出的突出量。
具体地说，控制装置70基于相对于基准基板的第一基板W1的厚度、相对于基准基板的第一基板W1的温度以及相对于基准基板的第一基板W1的翘曲中的至少一方，针对每个第一基板W1调整突出量。
另外，控制装置70、具体地说为控制部70a基于第二基板W2(基板的一例)的厚度、第二基板W2的温度以及未被保持于保持部211的状态下的第二基板W2的翘曲中的至少一方，针对每个第二基板W2调整通过变形部213使第二基板W2突出的突出量。
具体地说，控制装置70基于相对于基准基板的第二基板W2的厚度、相对于基准基板的第二基板W2的温度以及相对于基准基板的第二基板W2的翘曲中的至少一方，针对每个第二基板W2调整突出量。
由此，使第一基板W1的中央部与第二基板W2的中央部开始接合。第一基板W1和第二基板W2被进行表面改性处理。因此，产生范德华力(分子间力)来使各基板的接合面彼此接合。并且，第一基板W1和第二基板W2被进行亲水化处理。因此，各基板的接合面的亲水基发生氢键合而使各基板的接合面彼此牢固地接合在一起。
接着，控制装置70停止第二吸引部113的吸引。由此，第一基板W1以从中央部朝向外周部的方式落到第二基板W2上，第一基板W1与第二基板W2接合，形成重合基板T。
而且，控制装置70使电空调节器221停止，将吸排气管210d切换为与真空泵220连接，将保持部211的上表面设为水平，之后使吸引部212停止。
<效果>
接合装置41具备保持要被接合的第一基板W1(基板的一例)的保持部111(第一保持部的一例)、以及使被保持于保持部111的第一基板W1的中央部相对于第一基板W1的外周部突出的变形部114(第一变形部的一例)。接合装置41具备控制部70a，所述控制部70a基于第一基板W1的厚度、第一基板W1的温度以及未被保持于保持部111的状态下的第一基板W1的翘曲中的至少一方，针对每个第一基板W1调整通过变形部114使第一基板W1突出的突出量。
由此，接合装置41能够抑制第一基板W1的缩放误差的产生，从而能够使重合基板T的接合精度提高。
另外，接合装置41具备保持要被接合的第二基板W2(基板的一例)的保持部211(第二保持部的一例)、以及使被保持于保持部211的第二基板W2的中央部相对于第二基板W2的外周部突出的变形部213(第二变形部的一例)。接合装置41具备控制部70a，所述控制部70a基于第二基板W2的厚度、第二基板W2的温度以及未被保持于保持部111的状态下的第二基板W2的翘曲中的至少一方，针对每个第二基板W2调整通过变形部213使第二基板W2突出的突出量。
由此，接合装置41能够抑制第二基板W2的缩放误差的产生，从而能够使重合基板T的接合精度提高。
另外，接合装置41的控制部70a基于相对于基准基板的第一基板W1的厚度、相对于基准基板的第一基板W1的温度以及相对于基准基板的第一基板W1的翘曲中的至少一方，针对每个第一基板W1调整突出量。另外，接合装置41的控制部70a基于相对于基准基板的第二基板W2的厚度、相对于基准基板的第二基板W2的温度以及相对于基准基板的第二基板W2的翘曲中的至少一方，针对每个第二基板W2调整突出量。
由此，接合装置41能够抑制第一基板W1相对于基准基板产生缩放误差。另外，接合装置41能够抑制第二基板W2相对于基准基板产生缩放误差。因此，接合装置41能够使其它重合基板T的接合精度与作为基准的重合基板T的接合精度一致。即，接合装置41能够使重合基板T的接合精度提高。
另外，例如接合装置41的保持部211通过吸附第二基板W2的非接合面来保持第二基板W2。另外，当第二基板W2在未被保持于保持部211的状态下以外周部的接合面比中央部的接合面更突出的方式翘曲的情况下，接合装置41的控制部70a基于第二基板W2的厚度和第二基板W2的温度中的至少一方，针对每个第二基板W2调整突出量。
由此，接合装置41例如能够根据第二基板W2的翘曲的方向来调整第二基板W2的突出量。因此，接合装置41例如能够根据是否产生第二基板W2的翘曲所引起的缩放误差，来调整第二基板W2的突出量。因而，接合装置41能够使重合基板T的接合精度提高。
<变形例>
变形例所涉及的接合装置41可以将与第二吸盘部203相同的结构应用于第一吸盘部103。即，变形例所涉及的接合装置41可以具备具有第二吸盘部203的保持部211、吸引部212、变形部213的结构的第一吸盘部103。
另外，变形例所涉及的接合装置41可以将第一基板W1吸附保持于第一吸盘部103，根据第一基板W1的厚度和翘曲使第一基板W1的中央部向下方突出，之后根据第一基板W1的温度来校正第一基板W1的突出量。即，变形例所涉及的接合装置41可以基于通过变形部114使第一基板W1(基板的一例)的中央部突出的状态下的第一基板W1的温度，针对每个第一基板W1调整突出量。关于第二基板W2中也同样。
由此，变形例所涉及的接合装置41例如能够抑制第一基板W1的温度所引起的缩放误差的产生。因此，变形例所涉及的接合装置41能够使重合基板T的接合精度提高。
另外，也可以是，变形例所涉及的接合装置41以使第一基板W1和第二基板W2中的一方突出、使另一方不突出的方式生成重合基板T。
此外，应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以各种方式来具体实现。另外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下可以以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
1：接合系统；41：接合装置；70：控制装置；70a：控制部；70b：存储部；80：传送部；82a：位移传感器；82b：位移传感器；83：负荷传感器；100：第一保持机构；102：第一高度测定部；103：第一吸盘部；111：保持部(第一保持部)；112：第一吸引部；113：第二吸引部；114：变形部(第一变形部)；126：温度传感器；200：第二保持机构；202：第二高度测定部；203：第二吸盘部；211：保持部(第二保持部)；212：吸引部；213：变形部(第二变形部)；244：温度传感器；W1：第一基板；W2：第二基板。

Claims (6)

1.一种接合装置，具备：
保持部，其保持要被接合的基板；
变形部，其使被保持于所述保持部的所述基板的中央部相对于所述基板的外周部突出；以及
控制部，其基于所述基板的厚度、所述基板的温度以及未被保持于所述保持部的状态下的所述基板的翘曲中的至少一方，针对每个所述基板调整通过所述变形部使所述基板突出的突出量。
2.根据权利要求1所述的接合装置，其特征在于，
所述控制部基于相对于基准基板的所述基板的厚度、相对于所述基准基板的所述基板的温度以及相对于所述基准基板的所述基板的翘曲中的至少一方，针对每个所述基板调整所述突出量。
3.根据权利要求1或2所述的接合装置，其特征在于，
所述控制部基于通过所述变形部使所述基板的中央部突出了的状态下的所述基板的温度，针对每个所述基板调整所述突出量。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的接合装置，其特征在于，
所述保持部通过吸附所述基板的非接合面来保持所述基板，
当所述基板在未被保持于所述保持部的状态下以所述外周部的接合面比所述中央部的接合面更突出的方式翘曲的情况下，所述控制部基于所述基板的厚度和所述基板的温度中的至少一方，针对每个所述基板调整所述突出量。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的接合装置，其特征在于，
所述保持部具备：
第一保持部，其保持第一基板；以及
第二保持部，其保持要与所述第一基板接合的第二基板，
所述变形部具备：
第一变形部，其使被保持于所述第一保持部的所述第一基板的中央部相对于所述第一基板的外周部突出；以及
第二变形部，其使被保持于所述第二保持部的所述第二基板的中央部相对于所述第二基板的外周部突出，
所述控制部针对每个所述第一基板调整通过所述第一变形部使所述第一基板突出的突出量，并针对每个所述第二基板调整通过所述第二变形部使所述第二基板突出的突出量。
6.一种接合方法，包括以下工序：
保持要被接合的基板；
使所保持的所述基板的中央部相对于所述基板的外周部突出；以及
基于所述基板的厚度、所述基板的温度以及未被保持的状态下的所述基板的翘曲中的至少一方，针对每个所述基板调整所述基板的突出量。
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