CN113675075A - 接合装置和接合方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种接合装置和接合方法,提高基板的接合精度。实施方式所涉及的接合装置具备保持部、按压部以及曲率调整部。保持部用于对要被接合的基板进行吸附保持。按压部与被保持部吸附保持的基板的中心部接触地按压基板,来使基板的中心部突出。曲率调整部用于对被按压部按压的基板的曲率进行调整。
Description
技术领域
本公开涉及一种接合装置和接合方法。
背景技术
专利文献1公开了以利用推动构件按压第一基板的中心部来使中心部朝向第二基板突出的状态开始第一基板与第二基板之间的接合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-153954号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种提高基板的接合精度的技术。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的接合装置具备保持部、按压部以及曲率调整部。保持部用于对要被接合的基板进行吸附保持。按压部与被保持部吸附保持的基板的中心部接触地按压基板,来使基板的中心部突出。曲率调整部用于对被按压部按压的基板的曲率进行调整。
发明的效果
根据本公开,能够提高基板的接合精度。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图。
图2是表示第一实施方式所涉及的第一基板与第二基板接合前的状态的示意图。
图3是表示第一实施方式所涉及的接合装置的结构的示意图。
图4是说明第一实施方式所涉及的接合处理的流程图。
图5是表示第一实施方式所涉及的第一基板的中心部附近的位移量的图。
图6是表示第一实施方式所涉及的接合处理中的第一基板的中心部附近的伸展的图。
图7是表示第二实施方式所涉及的接合装置的结构的示意图。
图8是表示第三实施方式所涉及的接合装置的结构的示意图。
图9是表示第四实施方式所涉及的接合装置的结构的示意图。
附图标记说明
1:接合系统;41、80、81、82:接合装置;100、300、310、320:第一吸盘部;101:保持部;102:撞击器(按压部);103:空气供给部(曲率调整部);110d:吹出孔(曲率调整部);111:吸盘;112:吸引装置;201:保持部(下方保持部);301:撞击器(曲率调整部);311:吸引装置;330:温度调整部;W1:第一基板(基板的一例);W2:第二基板。
具体实施方式
下面,参照附图来详细地说明用于实施基于本公开的接合装置和接合方法的方式(下面记载为“实施方式”)。此外,基于本公开的接合装置和接合方法并不受该实施方式限定。另外,能够在不使处理内容矛盾的范围内将各实施方式适当地进行组合。另外,在下面的各实施方式中,对相同的部位标注相同的标记,并省略重复的说明。
另外,在下面所示的实施方式中,有时使用“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”之类的表达,但是这些表达无需严格地为“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即,上述的各表达例如容许制造精度、设置精度等的偏差。
另外,在下面参照的各附图中,有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向、并使Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系,以使说明易于理解。另外,有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称作θ方向。
(第一实施方式)
<接合系统的结构>
首先,参照图1和图2来说明第一实施方式所涉及的接合系统1的结构。图1是表示第一实施方式所涉及的接合系统1的结构的示意图。另外,图2是表示第一实施方式所涉及的第一基板W1与第二基板W2接合前的状态的示意图。
图1所示的接合系统1通过将第一基板W1与第二基板W2接合来形成重合基板T(参照图2)。
第一基板W1和第二基板W2为单晶硅晶圆,在板面形成有多个电子电路。第一基板W1和第二基板W2的直径大致相同。此外,第一基板W1和第二基板W2中的一方例如也可以为没有形成电子电路的基板。
下面,如图2所示,将第一基板W1的板面中的要与第二基板W2接合的一侧的板面记载为“接合面W1j”,将与接合面W1j相反的一侧的板面记载为“非接合面W1n”。另外,将第二基板W2的板面中的要与第一基板W1接合的一侧的板面记载为“接合面W2j”,将与接合面W2j相反的一侧的板面记载为“非接合面W2n”。
如图1所示,接合系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2配置于处理站3的X轴负方向侧,与处理站3一体地连接。
搬入搬出站2具备载置台10和搬送区域20。载置台10具备多个载置板11。在各载置板11分别载置以水平状态收容多张(例如25张)基板的盒C1~C4。盒C1能够收容多张第一基板W1,盒C2能够收容多张第二基板W2,盒C3能够收容多张重合基板T。盒C4例如为用于回收产生了不良的基板的盒。此外,载置于载置板11的盒C1~C4的个数不限定于图示的个数。
搬送区域20与载置台10的X轴正方向侧邻接地配置。在搬送区域20设置有沿Y轴方向延伸的搬送路径21和能够沿着搬送路径21移动的搬送装置22。搬送装置22不仅能够沿Y轴方向移动,还能够沿X轴方向移动并且能够绕Z轴回转。搬送装置22在载置于载置板11的盒C1~C4与后述的处理站3的第三处理块G3之间进行第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T的搬送。
在处理站3例如设置有三个处理块G1、G2、G3。第一处理块G1配置于处理站3的背面侧(图1的Y轴正方向侧)。另外,第二处理块G2配置于处理站3的正面侧(图1的Y轴负方向侧),第三处理块G3配置于处理站3的靠搬入搬出站2侧(图1的X轴负方向侧)。
在第一处理块G1配置有用于将第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W2j改性的表面改性装置30。表面改性装置30通过等离子体照射来在第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W2j形成悬空键(悬挂键),来将接合面W1j、W2j改性以使之易被亲水化。
具体地说,在表面改性装置30中,例如在减压气氛下激励作为处理气体的氧气或氮气来使该处理气体等离子体化。然后,使所述的氧离子或氮离子照射于第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W2j,由此接合面W1j、W2j被进行等离子体处理来被改性。
另外,在第一处理块G1配置有表面亲水化装置40。表面亲水化装置40例如利用纯水将第一基板W1和第二基板W2的接合面W1j、W2j亲水化,并且清洗接合面W1j、W2j。具体地说,表面亲水化装置40例如一边使被旋转吸盘保持的第一基板W1或第二基板W2旋转,一边向该第一基板W1或第二基板W2上供给纯水。由此,被供给到第一基板W1或第二基板W2上的纯水在第一基板W1或第二基板W2的接合面W1j、W2j上扩散,接合面W1j、W2j被亲水化。
在此,示出了将表面改性装置30和表面亲水化装置40以横向排列的方式配置的情况的例子,但是,表面亲水化装置40也可以层叠于表面改性装置30的上方或下方。
在第二处理块G2配置有接合装置41。接合装置41将被亲水化后的第一基板W1与第二基板W2通过分子间力接合。在后文叙述接合装置41的具体结构。
在由第一处理块G1、第二处理块G2和第三处理块G3包围的区域形成有搬送区域60。在搬送区域60配置有搬送装置61。搬送装置61例如具有沿铅垂方向、水平方向以及绕铅垂轴移动自如的搬送臂。所述的搬送装置61在搬送区域60内移动,来向与搬送区域60邻接的第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3内的规定的装置搬送第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T。
另外,接合系统1具备控制装置70。控制装置70控制接合系统1的动作。所述的控制装置70例如为计算机,具备未图示的控制部和存储部。控制部包括各种电路、具有CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)、ROM(Read Only Memory:只读存储器)、RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机。所述的微型计算机的CPU通过读出并执行ROM中存储的程序来实现后述的控制。另外,存储部例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储器元件、或硬盘、光盘等存储装置来实现。
此外,所述的程序可以记录于可由计算机读取的记录介质,来从该记录介质被安装至控制装置70的存储部。作为可由计算机读取的记录介质,例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<接合装置>
接着,参照图3来说明第一实施方式所涉及的接合装置41。图3是表示第一实施方式所涉及的接合装置41的结构的示意图。
接合装置41具备第一吸盘部100和第二吸盘部200。
第一吸盘部100具备保持部101、撞击器102(按压部的一例)以及空气供给部103(曲率调整部的一例)。
保持部101用于对要被接合的第一基板W1进行吸附保持。保持部101从第一基板W1的上方对该第一基板W1进行吸附保持。具体地说,保持部101吸附第一基板W1的非接合面W1n来保持第一基板W1。
保持部101具备主体部110、吸盘111以及吸引装置112。主体部110例如形成为圆形。在主体部110形成有插入孔110a、收容部110b、吸引路径110c以及吹出孔110d。
插入孔110a形成于主体部110的中央部。插入孔110a沿着铅垂方向形成。插入孔110a贯通主体部110。插入孔110a中插入撞击器102的按压销120。
收容部110b形成为在主体部110的下表面开口。在收容部110b中收容有吸盘111。吸引路径110c与收容部110b中收容的吸盘111连接。具体地说,吸引路径110c的一端与收容部110b中收容的吸盘111连接。吸引路径110c的另一端经由吸引管130来与吸引装置112连接。
收容部110b和吸引路径110c形成于在第一基板W1的径向、即主体部110的径向上比插入孔110a靠外侧的位置。形成有多个收容部110b和吸引路径110c。
沿着主体部110的周向形成有多个收容部110b和吸引路径110c。另外,收容部110b及吸引路径110c以与插入孔110a呈同心圆状的方式被配置两圈。
吹出孔110d形成于插入孔110a与收容部110b及吸引路径110c之间。吹出孔110d形成于插入孔110a附近。吹出孔110d贯通主体部110。吹出孔110d经由吹出管131来与空气供给部103连接,用于朝向第一基板W1供给高压的空气。形成有多个吹出孔110d。沿着主体部110的周向形成有多个吹出孔110d。此外,也可以沿着主体部110的径向形成有多个吹出孔110d。
在主体部110的下表面形成有凹部110e。在凹部110e设置有多个销113。多个销113与第一基板W1的上表面、即第一基板W1的非接合面W1n接触。
吸盘111被收容于各收容部110b。即,沿着主体部110的周向设置有多个吸盘111。另外,吸盘111以与插入孔110a呈同心圆状的方式被设置两圈。吸盘111吸附第一基板W1的外周部侧。像这样,保持部101具备沿着保持部101的周向设置的多个吸盘111。
吸引装置112例如为真空泵,用于对吸盘111的内部进行抽真空。通过对吸盘111的内部进行抽真空,来使第一基板W1的非接合面W1n吸附于吸盘111,从而第一基板W1被保持部101吸附保持。
撞击器102例如配置于主体部110的上表面。撞击器102具备按压销120、致动器部121以及直动机构122。撞击器102(按压部的一例)与第一基板W1(基板的一例)接触地按压第一基板。按压销120为沿着铅垂方向延伸的圆柱状的构件,被致动器部121支承。
致动器部121例如利用经由电动气动调节器(未图示)供给来的空气来向铅垂下方产生固定的压力。致动器部121能够利用经由电动气动调节器供给来的空气,来控制与第一基板W1的中心部抵接地作用于第一基板W1的中心部的按压载荷。另外,致动器部121的前端部插通插入孔110a并沿铅垂方向升降自如。
致动器部121被直动机构122支承。直动机构122例如通过内置有马达的驱动部来使致动器部121沿铅垂方向移动。
撞击器102通过直动机构122来控制致动器部121的移动,通过致动器部121来控制由按压销120按压第一基板W1的按压载荷。撞击器102(按压部的一例)与被保持部101吸附保持的第一基板W1(基板的一例)的中心部接触地按压第一基板W1,来使第一基板W1的中心部突出。
空气供给部103(曲率调整部的一例)调整被撞击器102(按压部的一例)按压的第一基板W1(基板的一例)的曲率。空气供给部103例如为电动气动调节器,经由吹出管131来从吹出孔110d(曲率调整部的一例)供给高压的空气。具体地说,空气供给部103(曲率调整部的一例)朝向被撞击器102按压的第一基板W1(基板的一例)供给空气(气体的一例)。沿着保持部101的周向设置有多个吹出孔110d(曲率调整部的一例)。即,从多个吹出孔110d朝向第一基板W1供给高压的空气。另外,吹出孔110d(曲率调整部的一例)设置于撞击器102(按压部的一例)与吸盘111之间。通过从吹出孔110d向被保持部101吸附保持并被撞击器102按压的第一基板W1供给高压的空气,第一基板W1整体地挠曲,曲率变大。第一基板W1的被撞击器102按压的中心部的曲率变大。
第二吸盘部200具备保持部201(下方保持部的一例)和移动机构202。
保持部201(下方保持部的一例)设置于保持部101的下方。保持部201(下方保持部的一例)用于保持要与被保持部101吸附保持的第一基板W1(基板的一例)接合的第二基板W2(基板的一例)。保持部201具备主体部210和吸引装置211。主体部210例如形成为圆形。
在主体部210设置有肋221和多个销220。多个销220与第二基板W2的下表面、即第二基板W2的非接合面W2n抵接。肋221设置于多个销220的外侧。肋221以包围多个销220的方式形成为环状,来遍及整周地支承第二基板W2的外周部。
另外,在主体部210形成有吸引路径210a。形成有多个吸引路径210a。吸引路径210a设置于由肋221包围的区域内。吸引路径210a经由吸引管230来与吸引装置211连接。
吸引装置211例如为真空泵,通过从多个吸引路径210a对由肋221包围的吸附区域进行抽真空,来将吸附区域减压。由此,被支承于肋221以及多个销220的第二基板W2被保持部201吸附保持。
移动机构202使保持部201沿水平方向移动。另外,移动机构202构成为使保持部201沿铅垂方向移动自如,并且能够绕铅垂轴旋转。
接合装置41具备传送部、翻转机构以及位置调节机构等,但是在此省略图示。在传送部暂时地载置第一基板W1、第二基板W2以及重合基板T。位置调节机构用于调节第一基板W1和第二基板W2在水平方向上的方向。翻转机构使第一基板W1的正反翻转。
<接合处理>
接着,参照图4的流程图来说明第一实施方式所涉及的接合处理。图4是说明第一实施方式所涉及的接合处理的流程图。基于控制装置70的控制来执行图4所示的各种处理。
接合装置41进行保持处理(S100)。具体地说,接合装置41通过第一吸盘部100来吸附保持第一基板W1,通过第二吸盘部200来吸附保持第二基板W2。
接合装置41进行位置对准处理(S101)。具体地说,接合装置41在进行了第一基板W1与第二基板W2在水平方向上的位置对准后,使保持部201沿铅垂方向移动,来使第二基板W2靠近第一基板W1。
接合装置41进行接合处理(S102)。接合装置41使第一基板W1的中央部朝向第二基板W2突出,来使第一基板W1弯曲。具体地说,接合装置41通过撞击器102来按压第一基板W1的中央部。另外,接合装置41通过空气供给部103来从吹出孔110d朝向第一基板W1供给高压的空气。
由此,第一基板W1以在抑制应力集中于第一基板W1的中心部的同时向第二基板W2突出的方式变形。第一基板W1如图5所示那样变形。图5是表示第一实施方式所涉及的第一基板W1的中心部附近的位移量的图。在图5中,用虚线表示通过撞击器102按压第一基板W1的中心部的情况下的位移量,用实线表示进一步通过空气供给部103朝向第一基板W1供给高压的空气的情况下的位移量。另外,示出第一基板W1的、将第一基板W1没有弯曲的状态的位移量设为“0”并朝向下方的位移量。
在通过撞击器102按压第一基板W1的情况下,第一基板W1的中心部被撞击器102集中地按压。因此,应力集中于第一基板W1的中心部,相对于第一基板W1的径向的第一基板W1的位移量的差变大。
在进一步通过空气供给部103向第一基板W1供给高压的空气的情况下,第一基板W1被高压的空气整体地作用力,因此第一基板W1的中心部的应力集中降低。因此,相对于第一基板W1的径向的第一基板W1的位移量的差变小。即,通过由空气供给部103朝向第一基板W1供给高压的空气,第一基板W1的曲率变大。
因此,第一基板W1的中心部附近的、针对第一基板W1的径向的第一基板W1的伸展如图6所示那样。图6是表示第一实施方式所涉及的接合处理中的第一基板W1的中心部附近的伸展的图。在图6中,用虚线表示被撞击器102按压第一基板W1的中心部的情况下的伸展,用实线表示进一步通过空气供给部103朝向第一基板W1供给高压的空气的情况下的伸展。另外,图6示出相对于第一基板W1的中心的伸展。
第一基板W1被空气供给部103供给高压的空气,由此中心部附近的伸展被抑制。
通过以使第一基板W1的中心部朝向第二基板W2突出的方式弯曲,来使第一基板的中心部与第二基板W2的中心部抵接。由此,第一基板W1的中心部与第二基板W2的中心部之间开始接合。第一基板W1和第二基板W2被进行过表面改性处理。因此,产生范德瓦尔斯力(分子间力),各基板W1、W2的接合面W1j、W2j彼此被接合。并且,第一基板W1和第二基板W2被进行过亲水化处理。因此,各基板W1、W2的接合面W1j、W2j的亲水基进行氢键结合,各基板W1、W2的接合面W1j、W2j彼此牢固地被接合。
接合装置41停止由吸盘111对第一基板W1的吸附。具体地说,接合装置41停止通过吸引装置112进行的吸引。由此,第一基板W1从中央部到外周部下落到第二基板W2上。而且,第一基板W1和第二基板W2的接合从中心部到外周部进展,形成重合基板T。
<效果>
接合装置41具备保持部101、撞击器102(按压部的一例)以及空气供给部103(曲率调整部的一例)。保持部101吸附保持要被接合的第一基板W1(基板的一例)。撞击器102与被保持部101吸附保持的第一基板W1的中心部接触地按压第一基板W1,来使第一基板W1的中心部突出。空气供给部103调整被撞击器102按压的第一基板W1的曲率。
由此,接合装置41能够抑制被撞击器102按压的第一基板W1产生应变。具体地说,接合装置41能够减少第一基板W1的中心部的应力集中,从而抑制第一基板W1产生应变。因此,接合装置41能够提高重合基板T的接合精度。
空气供给部103朝向被撞击器102(按压部的一例)按压的第一基板W1(基板的一例)供给空气。具体地说,空气供给部103向第一基板W1供给高压的空气,来增大被撞击器102按压的第一基板W1的中心部的曲率。
由此,接合装置41能够针对第一基板W1减少应力集中的部位。因此,接合装置41能够抑制第一基板W1产生应变,从而提高重合基板T的接合精度。
另外,接合装置41能够在接合处理的整个处理中减少第一基板W1中的应力集中的部位,从而能够抑制第一基板W1产生应变。因此,接合装置41能够提高重合基板T的接合精度。
沿着保持部101的周向设置有多个吹出孔110d(曲率调整部的一例)。
由此,接合装置41能够通过从多个吹出孔110d供给来的高压的空气,来均衡地调整第一基板W1的曲率。因此,接合装置41能够抑制第一基板W1产生应变,从而提高重合基板T的接合精度。
保持部101具备沿着保持部101的周向设置的多个吸盘111。吹出孔110d设置于撞击器102(按压部的一例)与吸盘111之间。
由此,接合装置41能够抑制被吸盘111吸附保持且被撞击器102按压中心部从而朝向下方产生位移的第一基板W1发生应变,从而提高重合基板T的接合精度。
接合装置41具备保持部201(下方保持部的一例)。保持部201设置于保持部101的下方。保持部201保持要与被保持部101吸附保持的第一基板W1(基板的一例)接合的第二基板W2(基板的一例)。
由此,接合装置41能够抑制在将第一基板W1与第二基板W2接合时发生第一基板W1与第二基板W2的位置偏离,从而提高重合基板T的接合精度。
(第二实施方式)
接着,参照图7来说明第二实施方式所涉及的接合装置80。图7是表示第二实施方式所涉及的接合装置80的结构的示意图。在此,对与第一实施方式不同的结构进行说明,对与第一实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的标记,并省略详细的说明。
第二实施方式所涉及的接合装置80的第一吸盘部300除了具备用于按压第一基板W1的中心部的撞击器102以外,还具备曲率调整用的撞击器301(曲率调整部的一例)。下面,将用于按压第一基板W1的中心部的撞击器102设为第一撞击器102,将曲率调整用的撞击器301设为第二撞击器301进行说明。
第二撞击器301(曲率调整部的一例)与第一基板W1(基板的一例)接触地按压第一基板W1。第二撞击器301在第一基板W1的径向上设置于第一撞击器102与吸盘111之间。沿着第一基板W1的周向设置有多个第二撞击器301。例如,沿着第一基板W1的周向等间隔地设置有第二撞击器301。
此外,也可以是,在第一撞击器102与吸盘111之间设置有多个第二撞击器301。
第二撞击器301与第一撞击器102同样,具备按压销302、致动器部303以及直动机构304。第二撞击器301与第一基板W1的比第一撞击器102所接触的中心部靠径向外侧的位置接触地按压第一基板W1。第二撞击器301用于增大被第一撞击器102按压的第一基板W1的曲率。具体地说,第二撞击器301用于增大被第一撞击器102按压的第一基板W1的中心部的曲率。
接合装置80通过第一撞击器102和第二撞击器301来使第一基板W1朝向第二基板W2弯曲,来将第一基板W1与第二基板W2接合,形成重合基板T。
<效果>
第二撞击器301(曲率调整部的一例)与第一基板W1(基板的一例)接触地按压第一基板W1。
由此,接合装置80能够容易地维持中心部附近的曲率被增大了的第一基板W1的形状,从而能够在将第一基板W1与第二基板W2接合时抑制第一基板W1的应变的偏差。因而,接合装置80能够提高重合基板T的接合精度。
(第三实施方式)
接着,参照图8来说明第三实施方式所涉及的接合装置81。图8是表示第三实施方式所涉及的接合装置81的结构的示意图。在此,对与第一实施方式不同的结构进行说明,对与第一实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的标记,并省略详细的说明。
第三实施方式所涉及的接合装置81的第一吸盘部310除了具备保持部101、撞击器102、空气供给部103以外,还具备吸引装置311。
在保持部101的主体部110形成有吸引孔101f。吸引孔101f例如形成于插入孔110a与收容部110b及吸引路径110c之间。形成有多个吸引孔101f。沿着主体部110的周向形成有多个吸引孔101f。此外,也可以是,沿着主体部110的径向形成有多个吸引孔101f。另外,也可以是,吸引孔101f形成于在主体部110的径向上被设置两圈的收容部110b之间。
吸引孔101f经由吸引管315来与吸引装置311连接。下面,将用于通过吸盘111吸附保持第一基板W1的吸引装置112设为第一吸引装置112,将经由吸引孔101f进行吸引的吸引装置311设为第二吸引装置311进行说明。
第二吸引装置311例如为真空泵,用于吸引第一基板W1与保持部101之间的空气。具体地说,在将第一基板W1与第二基板W2接合的情况下,第二吸引装置311用于吸引第一基板W1与保持部101之间的空气。即,第二吸引装置311用于吸引被撞击器102(按压部的一例)按压的第一基板W1(基板的一例)的非接合面W1n侧的空气。
接合装置81在通过撞击器102按压第一基板W1来将第一基板W1与第二基板W2接合的情况下,通过空气供给部103和第二吸引装置311来调整作用于第一基板W1的应力。在接合处理中,接合装置81在从通过撞击器102按压第一基板W1起到第一基板W1与第二基板W2的接合完成为止的期间,通过空气供给部103和第二吸引装置311来调整作用于第一基板W1的应力。接合装置81根据接合处理的进展程度来通过空气供给部103和第二吸引装置311调整作用于第一基板W1的应力。
另外,在接合处理中,接合装置81通过第二吸引装置311来调整第一基板W1下落时的速度。具体地说,接合装置81通过由第二吸引装置311吸引第一基板W1与保持部101之间的空气,来降低第一基板W1的下落速度。
<效果>
接合装置81具备第二吸引装置311(吸引部的一例)。第二吸引装置311用于吸引被撞击器102(按压部的一例)按压的第一基板W1(基板的一例)的非接合面W1n侧的空气。
由此,接合装置81能够在接合处理中调整作用于第一基板W1的应力,从而能够抑制第一基板W1产生应变。具体地说,接合装置81能够根据第一基板W1与第二基板W2接合的进展程度来调整作用于第一基板W1的应力。因此,接合装置81能够在从开始进行第一基板W1与第二基板W2的接合起到接合完成为止的接合处理的整个处理中抑制第一基板W1产生应变。因而,接合装置81能够提高重合基板T的接合精度。
此外,在接合处理中,在停止由吸盘111对第一基板W1的吸附来使第一基板W1下落时,第一基板W1的外周部处的接合速度变快。其结果,在第一基板W1的接合面W1j与第二基板W2的接合面W2j之间的空间产生急剧的压力变化,从而在第一基板W1的接合面W1j和第二基板W2的接合面W2j产生结露。而且,由于结露而产生的该水分会被封入第一基板W1与第二基板W2之间,由此有可能遍及接合后的重合基板T的外周部的整周产生空隙(边缘空隙)。
接合装置81在接合处理中通过第二吸引装置311来吸引第一基板W1与保持部101之间的空气,由此能够调整接合速度,从而抑制在重合基板T的外周部产生空隙。
此外,也可以设置有多个第二吸引装置311。多个第二吸引装置311通过与第一基板W1的部位相应的不同的吸引力来吸引第一基板W1与保持部101之间的空气。此外,接合装置81也可以设置阀等,通过调整阀来通过与第一基板W1的部位相应的不同的吸引力吸引第一基板W1与保持部101之间的空气。
例如,在沿着第一基板W1的周向周期性地产生应变的情况下,可以通过多个吸引装置311根据第一基板W1的应变的特性来调整从各吸引孔101f吸引的空气的量。由此,接合装置81能够根据第一基板W1的应变的特性来调整第一基板W1的位移量,从而提高重合基板T的接合精度。
(第四实施方式)
接着,参照图9来说明第四实施方式所涉及的接合装置82。图9是表示第四实施方式所涉及的接合装置82的结构的示意图。在此,对与第一实施方式不同的结构进行说明,对与第一实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的标记,并省略详细的说明。
第四实施方式所涉及的接合装置82的第一吸盘部320除了具备保持部101、撞击器102、空气供给部103以外,还具备温度调整部330。
温度调整部330用于调整由空气供给部103从吹出孔110d供给的空气(气体的一例)的温度。温度调整部330设置于吹出管131。温度调整部330例如为加热器,用于加热空气。此外,温度调整部330也可以冷却空气。此外,也可以设置有多个温度调整部330。接合装置82例如可以通过多个温度调整部330来从多个吹出孔110d朝向第一基板W供给不同温度的空气。
接合装置82在接合处理中调整从吹出孔110d供给的空气的温度,来调整第一基板W1的温度。
<效果>
接合装置82具备温度调整部330。温度调整部330用于调整被空气供给部103吹出的空气(气体的一例)的温度。
由此,接合装置82能够在将第一基板W1与第二基板W2接合时抑制第一基板W1的伸展以及收缩的偏差。因此,接合装置82能够提高重合基板T的接合精度。
(变形例)
变形例所涉及的接合装置41、80、81、82也可以在第一基板W1的周向上交替地配置吹出孔110d和吸盘111。另外,变形例所涉及的接合装置41、80、81、82也可以将多个吹出孔110d设为一组,将多个吸盘111设为一组。而且,变形例所涉及的接合装置41、80、81、82也可以在第一基板W1的周向上交替地配置吹出孔110d的组和吸盘111的组。
由此,接合装置41、80、81、82能够针对第一基板W1的每个部位来调整第一基板W1的位移量。例如,在沿着第一基板W1的周向周期性地产生应变的情况下,接合装置41、80、81、82能够根据第一基板W1中产生的应变的特性来调整第一基板W1的位移量。因而,接合装置41、80、81、82能够提高重合基板T的接合精度。
另外,也可以将上述实施方式所涉及的接合装置41、80、81、82组合来应用。例如,可以将第二实施方式所涉及的第二撞击器301与第三实施方式所涉及的第二吸引装置311组合来应用。另外,例如,也可以将第二实施方式所涉及的第二撞击器301与第四实施方式所涉及的温度调整部330组合来应用。另外,还可以将第三实施方式所涉及的第二吸引装置311与第四实施方式所涉及的温度调整部330组合来应用。
变形例所涉及的接合装置41、80、81、82也可以使第二基板W2的中心部朝向第一基板W1突出,来将第一基板W1与第二基板W2接合。例如,变形例所涉及的接合装置41、80、81、82也可以通过撞击器来按压第二基板W2的中心部,并通过空气供给部来增大被按压的第二基板W2的曲率。
此外,应认为本次公开的实施方式的所有点均是例示性而非限制性的。实际上,上述的实施方式能够以多种方式来具体实现。另外,也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式对上述的实施方式进行省略、置换以及变更。
Claims (9)
1.一种接合装置,具备:
保持部,其用于对要被接合的基板进行吸附保持;
按压部,其与被所述保持部吸附保持的所述基板的中心部接触地按压所述基板,来使所述基板的中心部突出;以及
曲率调整部,其用于对被所述按压部按压的所述基板的曲率进行调整。
2.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
所述曲率调整部向被所述按压部按压的所述基板供给气体。
3.根据权利要求2所述的接合装置,其特征在于,
还具备用于调整所述气体的温度的温度调整部。
4.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
所述曲率调整部与所述基板接触地按压所述基板。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
沿着所述保持部的周向设置有多个所述曲率调整部。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
所述保持部具备沿着所述保持部的周向设置的多个吸盘,
所述曲率调整部设置于所述按压部与所述吸盘之间。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
还具备吸引装置,所述吸引装置用于吸引被所述按压部按压的所述基板的非接合面侧的空气。
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
还具备下方保持部,所述下方保持部设置于所述保持部的下方,用于保持要与被所述保持部吸附保持的所述基板接合的基板。
9.一种接合方法,包括以下工序:
保持工序,对要被接合的基板进行吸附保持;
按压工序,利用与被吸附保持的所述基板的中心部接触的按压部来按压所述基板;以及
调整工序,对被所述按压部按压的所述基板的曲率进行调整。
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