CN114107904A - 一种结构件的制备方法、结构件及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及结构件的制备方法、结构件及电子设备，所述结构件包括基材层，所述制备方法包括：在所述基材层溅射金属保护层，其中，所述金属保护层的材质包括惰性金属或惰性金属的合金；在所述金属保护层设置绝缘层；去除预设位置的所述绝缘层，以使所述预设位置的所述金属保护层裸露。在形成金属保护层时，无需采用化学转化、水溶液化学镀等需要将基材层放置于溶液中的方式，而是采用溅射的方式，从而能够避免基材层放置于溶液时发生腐蚀的风险，进而能够避免因基材层发生腐蚀产生气泡导致金属保护层的致密性较低，提高金属保护层对基材层的防护效果。
Description
技术领域
本申请涉及导电涂层技术领域，尤其涉及一种结构件的制备方法、结构件及电子设备。
背景技术
镁及镁合金由于具有较高的强度、刚度及良好的导热导电性，广泛应用于汽车制造、航空航天以及手机电子通讯领域，镁及镁合金的密度仅为1.3～1.9g/cm3，约为铝的2/3，铁的1/4，是轻量化趋势下最有前途的合金材料。然而镁合金本身化学活性极高，稳定性差，电极电位高(-2.34V)，导致其耐蚀性很差，严重制约了其进一步应用，因此如何通过表面处理/镀膜来提高其耐蚀性成为了工艺研究的热点。同时，在电子设备领域，一方面需要镁合金绝大部分区域是绝缘的，以降低镁合金对天线的影响，另一方面，还需要在镁合金的局部位置形成电连接点，用于与电子设备的导电部件电连接。因此，为了满足电子设备的需求，需要提高镁合金的绝缘性和局部导电性。
发明内容
本申请提供了一种结构件的制备方法、结构件及电子设备，能够提高金属保护层对基材层的防护效果。
本申请第一方面提供一种结构件的制备方法，所述结构件包括基材层，所述制备方法包括：在所述基材层溅射金属保护层，其中，所述金属保护层的材质包括惰性金属或惰性金属的合金；在所述金属保护层设置绝缘层；去除预设位置的所述绝缘层，以使所述预设位置的所述金属保护层裸露。
该制备方法中，具体可以通过磁控溅射工艺形成金属保护层，磁控溅射为物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)中的一种。在溅射过程中，磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来使得靶原子或分子沉积在基材层上，且通过磁场的作用能够提高溅射率。在形成金属保护层时，无需采用化学转化、水溶液化学镀等需要将基材层放置于溶液中的方式，而是采用溅射的方式，从而能够避免基材层放置于溶液时发生腐蚀的风险，进而能够避免因基材层发生腐蚀产生气泡导致金属保护层的致密性较低，提高金属保护层对基材层的防护效果。
在一种可能的设计中，在所述基材层溅射金属保护层时，所述制备方法包括：在真空腔体中通入惰性气体，溅射过程中，施加偏压，并使用惰性金属靶或惰性金属合金靶进行溅射第一预设时间，以便在所述基材层上溅射形成所述金属保护层；其中，惰性气体的压力为0.1Pa～0.3Pa，偏压的范围为-80V～-120V，所述第一预设时间为0.7h～1.5h。通过上述方法形成的金属保护层与基材层之间的结合力较大，从而降低金属保护层从基材层上脱落的风险。
在一种可能的设计中，溅射所述金属保护层时，通过Ni靶和Cr靶共溅射，且二者的功率比为3:1～5:1；其中，所述Ni靶和所述Cr靶的纯度大于95％。
在一种可能的设计中，所述惰性金属合金靶为NiCr20。
在一种可能的设计中，在所述基材层溅射所述金属保护层之前，所述制备方法还包括：将所述真空腔体抽真空，以使所述真空腔体内的真空度小于10-3Pa；在所述真空腔体中通入惰性气体，且惰性气体的压力为0.5Pa～4Pa；在所述真空腔体中，将所述基材层进行离子反溅第二预设时间，所述第二预设时间为10min～30min，且离子反溅的功率为200W～500W，偏压为100V～300V。该步骤中反溅射工序的作用是能够清洁基材层的表面，并除去基材层表面的氧化膜，从而提高溅射金属保护层时的结合力，提高金属保护层与基材层的结合可靠性，降低金属保护层脱落的风险。
在一种可能的设计中，所述金属保护层为Ni和Cr的化合物，且二者的原子比为4:1。
在一种可能的设计中，在所述金属保护层喷涂绝缘材料形成所述绝缘层。绝缘层通过喷涂(例如热喷涂)的方式形成于金属保护层上，即该绝缘层的形成也无需通过将金属保护层和基材层浸泡在液体中实现，从而进一步防止基材层被腐蚀氧化。
在一种可能的设计中，在所述金属保护层上，通过电泳工艺形成所述绝缘层。在该结构件中，绝缘层位于最外侧，由于该绝缘层具有良好的防腐效果，从而使得该结构件具有良好的防腐效果。
在一种可能的设计中，在电泳过程中，将设置有所述金属保护层的所述基材层放置于阳离子电解液中，并将绝缘材料制成的电极放置于阳离子电解液中，电泳第三预设时间后，在所述金属保护层的表面形成所述绝缘层；其中，阳离子电泳液的导电度为1200～1400，电泳过程中的电压为60V～100V，所述第三预设时间为1min～5min。
在一种可能的设计中，通过镭雕工艺去除所述预设位置的所述绝缘层。经过镭雕后，金属保护层经通孔裸露，由于金属保护层的材质为惰性金属或惰性金属合金，其化学性能较稳定，不易腐蚀，从而提高该结构件的耐腐蚀性能。
在一种可能的设计中，镭雕工艺的功率为50W～70W，镭雕的光斑尺寸为0.02mm～0.03mm。
在一种可能的设计中，所述基材层的材料包括镁或镁合金；
所述绝缘层的材料包括高分子材料。
本申请第二方面提供一种结构件，所述结构件通过以上所述的结构件的制备方法制备形成；
所述结构件包括基材层、金属保护层和绝缘层；
其中，沿所述结构件的厚度方向，所述金属保护层位于所述基材层和所述绝缘层之间，且所述绝缘层的预设位置设置有通孔，所述金属保护层的一部分通过所述通孔裸露。
在一种可能的设计中，所述金属保护层的厚度为5um～20um。若金属保护层的厚度过小(例如小于5um)，则该金属保护层与基材层之间的结合力较小，且该金属保护层对基材层的保护作用也较弱，若金属保护层的厚度过大(例如大于20um)，该金属保护层对基材层的保护作用没有明显提升，且金属保护层与基材层之间的结合力也没有明显提升，而金属保护层的厚度过大时，导致该结构件的厚度和重量过大，当该结构件用于电子设备的中框时，不利于实现电子设备的轻薄化。因此，当金属保护层的厚度为5um～20um时，该金属保护层与基材层之间的结合可靠性较高，金属保护层对基材层具有较强的保护作用，且不会导致结构件的厚度和重量过大。
在一种可能的设计中，所述绝缘层的厚度为20um～50um。若绝缘层的厚度过小(例如小于20um)，则该绝缘层对金属保护层的绝缘作用较差，当该结构件用于电子设备的中框时，导致中框对天线产生信号干扰；若绝缘层的厚度过大(例如大于50um)，增加后续去除预设位置的绝缘层以使金属保护层裸露的难度，且存在预设位置的金属保护层无法完全裸露的风险，降低该结构件中金属保护层与其他电器元件的电连接可靠性。因此，当绝缘层的厚度为20um～50um时，该结构件的绝缘性较好，且与其他电器元件电连接时的可靠性也较好。
在一种可能的设计中，所述结构件为电子设备的中框。
本申请第三方面提供一种电子设备，所述电子设备包括：
屏幕；
中框，所述屏幕与所述中框连接；
其中，所述中框为以上所述的结构件。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
图1为本申请所提供结构件在一种具体实施例中的叠层结构示意图。
附图标记：
1-基材层；
2-金属保护层；
3-绝缘层；
31-通孔。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
在一种具体实施例中，下面通过具体的实施例并结合附图对本申请做进一步的详细描述。
目前，在对镁合金进行表面处理/镀膜时，通常包括下述三种处理工艺。
第一种，将镁合金在前期经脱脂、酸洗、水洗等一系列前处理工艺后，在具有一定PH值的酸性铬酸/磷酸盐溶液中沉浸5-30s，在其表面形成＜100nm的化学转化膜，然后再经多次水洗后烘干，随后通过镭雕工艺在局部位置去除化学转化膜，使局部位置的镁合金裸露出来，该裸露出来的镁合金用于与其他导电部件电连接，从而满足镁合金的电连接的需求。但是，该处理工艺具有下述缺点：一方面在于镁合金本身电负性极高，极为活泼，在酸性的溶液中沉浸时会发生α-Mg基体相的腐蚀，产生氢气气泡，气泡对于化学转化膜的致密性有不利影响，会导致化学转化膜疏松或存在微孔洞，降低化学转化膜的防护效果，导致处理后的镁合金的绝缘性和耐腐蚀性较差。另一方面，镭雕去除化学转化膜后，镁合金直接暴露在大气中，在潮湿或有水膜存在条件下，合金α-Mg基体相与MgAl强化相之间的电位差会导致电化学腐蚀，从而导致裸露出来的镁合金的阻抗增大，降低电连接稳定性。
第二种：在第一种处理工艺的基础上，在镭雕工序之后增加水溶液化学镀工序，即将镁合金浸泡于酸性溶液中，在电作用下会在暴露镁合金表面沉积上一定厚度的镍、金等性能稳定的金属，来提高电连接稳定性。但是，在进行水溶液化学镀工序时，镁合金直接暴露在电镀液中发生腐蚀产生气泡，气泡的存在降低镍、金电镀层的致密性和结合力，这会导致后期一旦腐蚀液体穿过孔洞，镍(+0.25V)/金(+1.6V)与镁合金(-2.38V)之间较大的电位差会形成强烈的电偶腐蚀，导致电连接失效。
第三种：采用“湿法”化学转化皮膜/电泳/阳极氧化+镭雕的方案，即通过化学转化皮膜/电泳/阳极氧化工序在镁合金表面形成绝缘镀层，然后通过镭雕工序将预设位置的绝缘镀层去掉，使得镁合金局部裸露，但镭雕后直接裸露的镁合金在大气或潮湿环境中有严重的腐蚀风险，降低电连接稳定性。为了提高采用该处理工艺加工后的镁合金的电连接可靠性，通常的改进办法是采用水溶液化学镀的方法在局部裸露镁合金表面沉积镍/金复合结构，降低腐蚀风险，提升电连接性能。但是，水溶液化学镀要求活泼性极高的镁合金直接暴露在PH在3～5之间的酸性溶液中，该过程极易发生α-Mg相的化学腐蚀，界面处产生氢气，影响氧化膜及金属膜的形成和沉积，导致膜层致密性差，结合力差，容易失效。
为了解决该技术问题，本申请实施例提供一种结构件，该结构件能够用于电子设备的中框或其他部件。其中，电子设备可以是手机、平板电脑、桌面型计算机、膝上型计算机、手持计算机、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本，以及蜂窝电话、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、增强现实(augmented reality，AR)设备、虚拟现实(virtual reality，VR)设备、人工智能(artificial intelligence,AI)设备、可穿戴式设备、车载设备、智能家居设备和/或智慧城市设备，本申请实施例对该电子设备的具体类型不作特殊限制。
该电子设备可以包括屏幕模组、主板、电池、壳体等部件。其中，屏幕模组、电路板和电池均可以安装于壳体，该壳体可以包括后盖和中框，且沿电子设备的厚度方向，后盖与屏幕模组相对设置，后盖用于将电池、电路板等部件封堵于壳体的内腔，并对电子设备的各部件起到保护作用，中框用于支撑电池、电路板等部件，其中，该中框可以由本申请所述的结构件制成。
具体地，如图1所示，该结构件可以包括基材层1、金属保护层2和绝缘层3，沿结构件的厚度方向H，金属保护层2位于基材层1和绝缘层3之间，且绝缘层3的预设位置设置有通孔31，金属保护层2的一部分通过通孔31裸露。
本实施例中，该结构件的基材层1的材料可以为镁或镁合金，由于镁或镁合金密度较小，相同体积时重量较小，因此，当用于电子设备时能够有助于减小电子设备的重量。但是，由于镁或镁合金的活性较高，在使用工程中容易被氧化和腐蚀，因此，需要在该基材层1上设置金属保护层2，该金属保护层2可以为惰性金属材质，例如Ni、Cr及其化合物等，该惰性金属的性能较稳定从而能够对基材层1起到保护作用，降低基材层1发生氧化和腐蚀而性能失效的风险。设置于金属保护层2的绝缘层3能够起到绝缘的作用，当该结构件用于电子设备时，通过绝缘层3的设置，能够降低基材层1和金属保护层2对电子设备的各部件产生影响的风险，例如，能够降低对天线信号的影响。同时，该绝缘层3通过在预设位置设置通孔31，使得金属保护层2在通孔31处裸露，该裸露的金属保护层2能够用于与其他部件电连接，当该结构件用于电子设备的中框时，该裸露的金属保护层2能够用于与电子设备的电器元件电连接，以实现接地和防静电。因此，本申请中的结构件具有良好的绝缘性能，且在预设位置能够实现电连接，且电连接的可靠性较高。
在一种具体实施例中，该结构件通过下述制备方法制备。该制备方法具体可以包括下述步骤：
S1：在基材层1上溅射金属保护层2，其中，金属保护层2的材质包括惰性金属或惰性金属的合金；
S2：在金属保护层2上设置绝缘层3；
S3：去除预设位置的绝缘层3，以使预设位置的金属保护层2裸露。
上述步骤S1中，具体可以通过磁控溅射工艺形成金属保护层2，磁控溅射为物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)中的一种。在溅射过程中，磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来使得靶原子或分子沉积在基材层1上，且通过磁场的作用能够提高溅射率。如上所述，在形成金属保护层2时，无需采用上述化学转化、水溶液化学镀等需要将基材层1放置于溶液中的方式，而是采用溅射的方式，从而能够避免基材层1放置于溶液时发生腐蚀的风险，进而能够避免因基材层1发生腐蚀产生气泡导致金属保护层2的致密性较低，提高金属保护层2对基材层1的防护效果。
同时，经过上述步骤S2，能够提高该结构件的绝缘性能，经过上述步骤S3，能够使得该结构件在局部具有电连接性能。
需要说明的是，上述步骤S1之前，还可以包括对基材层1进行预处理的步骤，具体包括对基材层1脱脂除油、酸洗及超声清洗、烘干等过程，从而去除基材层1表面的脏污。
具体地，上述步骤S1具体可以包括：
S12：在真空腔体中通入惰性气体，溅射过程中，施加偏压，并使用惰性金属靶或惰性金属合金靶进行溅射第一预设时间，以便在基材层1上溅射形:金属保护层2；其中，惰性气体的压力为0.1Pa～0.3Pa，偏压的范围为-80V～-120V，第一预设时间为0.7h～1.5h。例如，惰性气体的压力可以为0.1Pa、0.2Pa、0.3Pa等，偏压可以为-80V、-100V、-120V等，第一预设时间可以为0.7h、1h、1.5h等。
本实施例中，偏压指的是溅射过程中的电压，在该电压作用下，使得惰性金属靶或惰性金属合金靶的带电粒子移动，并沉积到基材层1上，从而形成惰性金属材质的金属保护层2。该偏压不宜过大，也不宜过小，偏压的范围为-80V～-120V时，使得金属保护层2与基材层1之间的结合力较大。
在一种具体实施例中，上述步骤S12中，惰性金属靶具体可以为Ni靶和Cr靶，即通过Ni靶和Cr靶共溅射，且二者的功率比为3:1～5:1；其中，Ni靶和Cr靶的纯度大于95％，Ni靶和Cr靶的纯度可以为99.9％。
在另一种具体实施例中，惰性金属合金靶为NiCr20。
上述两实施例中，形成的金属保护层2为Ni和Cr的合金，或者，当采用单独的Ni靶溅射时，得到的金属保护层2的材质为Ni，同样地，当采用单独的Cr靶溅射时，得到的金属保护层2的材质为Cr，当然，该惰性金属靶还可以为其他惰性金属，例如Ti靶，此时，得到的金属保护层2的材质为Ti。本申请中，对金属保护层2的具体材质不作限定，只要能够起到保护基材层1的作用即可。
具体地，当金属保护层2为Ni和Cr的化合物时，二者的原子比可以为4:1。
在一种可能的设计中，上述步骤S12之前，该制备方法还可以包括：
S11：将真空腔体抽真空，以使真空腔体内的真空度小于10-3Pa；并在真空腔体中通入惰性气体，且惰性气体的压力为0.5Pa～4Pa:在真空腔体中，将基材层1进行离子反溅第二预设时间，其中，第二预设时间为10min～30min，例如10min、15min、20min、30min等，且离子反溅的功率为200W～500W，例如200W、300W、400W、500W等，偏压为100V～300V，例如100V、200V、300V等。
具体地，上述步骤S11中的反溅工序具体可以在工业磁控溅射真空腔体中进行，且可以通过机械泵与分子泵将真空腔体抽真空，该步骤中反溅射工序的作用是能够清洁基材层1的表面，并除去基材层1表面的氧化膜，从而提高溅射金属保护层2时的结合力，提高金属保护层2与基材层1的结合可靠性，降低金属保护层2脱落的风险。
在一种具体实施例中，可以将将前处理好的镁或镁合金的基材层1送入磁控溅射真空腔体内，通过机械泵与分子泵的配合将真空腔体抽至指定的真空度＜10-3Pa，然后通入溅射气体Ar气，在1～2Pa的工作气压下进行等离子体反溅15min，偏压200V，进一步去除基材层1表面的氧化层，提高表面活性；随后调整工作气压至0.3Pa，偏压施加-80V，调节NiCr靶(含Cr20 at.％)直流电源使其起辉，400W功率下进行溅射1h后得到5um厚度的金属保护层2涂层；随后关闭电源，将真空度升至大气气压，随后取出基材层1和金属保护层2。同时，经过上述步骤后，能够在基材层1上形成致密度＞80％、电阻率不高于20μΩ·cm的金属保护层2，该金属保护层2的致密度较高，使得金属保护层2与基材层1之间的结合较可靠，电阻率较低，使得金属保护层2与其他部件电连接时的可靠性较高。
以上各实施例中，该金属保护层2的厚度为可以5um～20um，例如5um、10um、16um、20um等。
本实施例中，若金属保护层2的厚度过小(例如小于5um)，则该金属保护层2与基材层1之间的结合力较小，且该金属保护层2对基材层1的保护作用也较弱，若金属保护层2的厚度过大(例如大于20um)，该金属保护层2对基材层1的保护作用没有明显提升，且金属保护层2与基材层1之间的结合力也没有明显提升，而金属保护层2的厚度过大时，导致该结构件的厚度和重量过大，当该结构件用于电子设备的中框时，不利于实现电子设备的轻薄化。因此，当金属保护层2的厚度为5um～20um时，该金属保护层2与基材层1之间的结合可靠性较高，金属保护层2对基材层1具有较强的保护作用，且不会导致结构件的厚度和重量过大。
另一方面，在第一种具体实施例中，上述步骤S2具体可以为：
S21：在金属保护层2上喷涂绝缘材料形成绝缘层3。
本实施例中，绝缘层3通过喷涂(例如热喷涂)的方式形成于金属保护层2上，即该绝缘层3的形成也无需通过将金属保护层2和基材层1浸泡在液体中实现，从而进一步防止基材层1被腐蚀氧化。
在另一种具体实施例中，上述步骤S2具体可以为：
S22：在金属保护层2上，通过电泳工艺形成绝缘层3。
电泳(electrophoresis,EP)指的是：带电颗粒在电场作用下，向着与其电性相反的电极移动，利用带电粒子在电场中移动速度不同而达到分离的技术称为电泳技术。本实施例中，通过电泳技术将绝缘层3形成于金属保护层2上，从而通过绝缘层3包覆金属保护层2，使得该结构件绝缘。
其中，绝缘层3的材料可以为高分子材料，例如环氧树脂等。
具体地，在电泳过程中，可以将溅射后的基材层1和金属保护层2作为一个电极放入阳离子电解液(例如导电水溶液或水乳化的涂料)中，并将绝缘材料制成的电极放置于阳离子电解液(例如导电水溶液或水乳化的涂料)中，电泳第三预设时间，且电泳过程中，带电荷的绝缘材料离子在电压的作用下电泳到金属保护层2的表面，从而在金属保护层2的表面形成绝缘层3。
其中，阳离子电泳液的导电度为1200us/cm～1400us/cm，例如1200us/cm、1300us/cm、1400us/cm等；电泳过程中的电压为60V～100V，例如60V、70V、80V、100V等，上述第三预设时间为1min～5min，例如，1min、2min、4min、5min等。
本实施例中，在进行电泳工序时，具体可以将溅射后的基材层1和金属保护层2作为一个电极放入导电水溶液或水乳化的涂料中(阳离子电泳液的导电度调至1200us/cm)，与另一电极构成电解电路，带电荷的树脂离子在电压作用(100V)下电泳1min到合金表面，形成涂层，然后取出烘干20～30min，烘烤温度100～150℃，形成绝缘层3。
另外，在该结构件中，绝缘层3位于最外侧，由于该绝缘层3具有良好的防腐效果，从而使得该结构件具有良好的防腐效果。
更具体地，该绝缘层3的厚度可以为20um～50um，例如20um、30um、45um、50um等。
本实施例中，若绝缘层3的厚度过小(例如小于20um)，则该绝缘层3对金属保护层2的绝缘作用较差，当该结构件用于电子设备的中框时，导致中框对天线产生信号干扰；若绝缘层3的厚度过大(例如大于50um)，增加后续去除预设位置的绝缘层3以使金属保护层2裸露的难度，且存在预设位置的金属保护层2无法完全裸露的风险，降低该结构件中金属保护层2与其他电器元件的电连接可靠性。因此，当绝缘层3的厚度为20um～50um时，该结构件的绝缘性较好，且与其他电器元件电连接时的可靠性也较好。
以上各实施例中，上述步骤S3具体可以包括：
S31：通过镭雕工艺去除预设位置的绝缘层3。
镭雕即为激光雕刻，是一种利用数控技术为基础，激光为加工媒介的加工方法。进行镭雕时，可以使用红光镭雕机，在绝缘层3的预设位置进行镭雕，从而将预设位置的绝缘材料去掉，在绝缘层3上形成通孔31，使得金属保护层2通过该通孔31裸露。其中，该预设位置指的是该结构件中需要与其他电器元件电连接的位置，如图1所示，该结构件中可以包括一个或多个通孔31，通孔31的位置可以根据该结构件需要与其他电器元件电连接的位置设定，当包括多个通孔31时，各通孔31的大小可以根据结构件与其他电器元件电连接的面积决定。
本实施例中，经过镭雕后，金属保护层2经通孔31裸露，由于金属保护层2的材质为惰性金属或惰性金属合金，其化学性能较稳定，不易腐蚀，从而提高该结构件的耐腐蚀性能。
具体地，上述步骤S31中，镭雕工艺的功率为50W～70W，例如50W、60W、70W等，镭雕过程中的光斑尺寸为0.02mm～0.03mm，例如0.02mm、0.025mm、0.03mm，其中，光斑的形状可以为圆形、三角形、四边形、不规则形等形状。
在一种具体实施例中，镭雕的功率可以为50W，线速度2000mm/s，线间距0.1mm，镭雕光斑尺寸可以为0.02～0.03mm，镭雕时间取决于需要镭雕的具体面积。经过上述镭雕工序在绝缘层3上形成通孔31，从而使得金属保护层2经通孔31裸露，形成结构件的电连接点。
另外，以上各实施例中，步骤S3之后，还可以包括：对镭雕后的结构件的表面进行纯水超声清洗，然后烘干即可。
需要指出的是，本专利申请文件的一部分包含受著作权保护的内容。除了对专利局的专利文件或记录的专利文档内容制作副本以外，著作权人保留著作权。
Claims (17)
1.一种结构件的制备方法，其特征在于，所述结构件包括基材层，所述制备方法包括：
在所述基材层溅射金属保护层，其中，所述金属保护层的材质包括惰性金属或惰性金属的合金；
在所述金属保护层设置绝缘层；
去除预设位置的所述绝缘层，以使所述预设位置的所述金属保护层裸露。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基材层溅射金属保护层时，所述制备方法包括：
在真空腔体中通入惰性气体，溅射过程中，施加偏压，并使用惰性金属靶或惰性金属合金靶进行溅射第一预设时间，以便在所述基材层上溅射形成所述金属保护层；
其中，惰性气体的压力为0.1Pa～0.3Pa，偏压的范围为-80V～-120V，所述第一预设时间为0.7h～1.5h。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，溅射所述金属保护层时，通过Ni靶和Cr靶共溅射，且二者的功率比为3:1～5:1；
其中，所述Ni靶和所述Cr靶的纯度大于95％。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述惰性金属合金靶为NiCr20。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述基材层溅射所述金属保护层之前，所述制备方法还包括：
将所述真空腔体抽真空，以使所述真空腔体内的真空度小于10-3Pa；
在所述真空腔体中通入惰性气体，且惰性气体的压力为0.5Pa～4Pa；
在所述真空腔体中，将所述基材层进行离子反溅第二预设时间，所述第二预设时间为10min～30min，且离子反溅的功率为200W～500W，偏压为100V～300V。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属保护层为Ni和Cr的化合物，且二者的原子比为4:1。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述金属保护层喷涂绝缘材料形成所述绝缘层。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述金属保护层上，通过电泳工艺形成所述绝缘层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在电泳过程中，将设置有所述金属保护层的所述基材层放置于阳离子电解液中，并将绝缘材料制成的电极放置于阳离子电解液中，电泳第三预设时间后，在所述金属保护层的表面形成所述绝缘层；
其中，阳离子电泳液的导电度为1200～1400，电泳过程中的电压为60V～100V，所述第三预设时间为1min～5min。
10.根据权利要求1～5、7～9中任一项所述的制备方法，其特征在于，通过镭雕工艺去除所述预设位置的所述绝缘层。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，镭雕工艺的功率为50W～70W，镭雕的光斑尺寸为0.02mm～0.03mm。
12.根据权利要求1～5、7～9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述基材层的材料包括镁或镁合金；
所述绝缘层的材料包括高分子材料。
13.一种结构件，其特征在于，所述结构件通过权利要求1～12中任一项所述的结构件的制备方法制备形成；
所述结构件包括基材层、金属保护层和绝缘层；
其中，沿所述结构件的厚度方向，所述金属保护层位于所述基材层和所述绝缘层之间，且所述绝缘层的预设位置设置有通孔，所述金属保护层的一部分通过所述通孔裸露。
14.根据权利要求13所述的结构件，其特征在于，所述金属保护层的厚度为5um～20um。
15.根据权利要求13所述的结构件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为20um～50um。
16.根据权利要求13所述的结构件，其特征在于，所述结构件为电子设备的中框。
17.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
屏幕；
中框，所述屏幕与所述中框连接；
其中，所述中框为权利要求13～16中任一项所述的结构件。
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