CN114107687A - 含低熔点或易挥发组元的var用钛合金电极及其制备方法 - Google Patents

含低熔点或易挥发组元的var用钛合金电极及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极及其制备方法,属于钛合金生产技术领域。将按照待制备钛合金的名义成分称量的物料配置成含有较少或不含低熔点或易挥发组元的A料和含有较多或全部低熔点或易挥发组元的B料,并提供一种具有环形支架的电极模具,按照既定的填料步骤,将A料及B料填充到所述模具本体的模腔内,使得A料包裹在B料的外侧。如此,低熔点组元,如铝,在压制的时候,不易进入冲压头和侧模的间隙内,降低铝损失量,同时使得压制过程中,冲压头容易脱模,提高压制成功率。易挥发组元,如锰,在整个铸锭中能够均匀分布,能消除真空熔炼后Mn在铸锭表层富集的部分影响。

Description

含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极及其制备方法
技术领域
本发明属于钛合金生产技术领域,特别涉及一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极及其制备方法。
背景技术
钛合金由于其高比强度、耐蚀性、形状记忆性、生物相容性等优良性能,在航空航天、医疗、化工、舰艇等领域得到广泛应用。钛合金中通常添加合金元素以突出合金某方面的性能,如Ti4822合金中含有48at%的铝,TC1合金中含有1.5at%的锰。VAR熔炼是工业生产钛合金铸锭的主要手段,该方法需要准备足够强度的自耗电极,初始的自耗电极由压制电极块组合焊接而成。电极块压制通常包括以下步骤:①底模和侧模组合在一起构成模腔;②将海绵钛和中间合金等原料混合后加入模腔;③冲压头进入模腔将松散的原料压制成紧密的电极块,当压制压力或冲压头位置达到设定值后停止压制;④冲压头退回至待脱模位置;⑤底模和侧模分离;⑥冲压头将电极块从侧模中顶出;⑦冲压头退回至起始位置。
然而,采用上述步骤压制电极块时,会遭遇以下问题:当钛合金中含铝时,在第②步混合后的原料加入模腔时,部分纯铝分布在原料表面,第③步压制时电极表面的铝豆容易进入侧模与冲压头间隙形成铝皮。若原料中纯铝含量较少,后续电极块压制时在形成新的铝皮的同时铝皮在海绵钛和其他原料的摩擦下被部分去除,每隔一段时间清理铝皮即可。但当原料中纯铝含量较多,如Ti4822合金中含有48at%的铝,且基本以纯铝的形式添加,一次压制即形成较多的铝皮,形成铝皮除了造成铝组元损耗外,还使得冲压头和侧模间摩擦力增大,导致第④步和第⑦步冲压头退回时摩擦力过大不能顺利和侧模分离。当钛合金中含有锰时,虽然锰的熔点为1245℃,与钛的熔点差异较小,但锰的平衡蒸气压高,在熔池中大量挥发,挥发后部分被真空机组抽出,部分挥发后少部分被真空系统抽走,大部分在结晶器内壁冷凝并在熔池上升后在熔池边缘即凝固后的铸锭表层附近富集,铸锭表层锰含量可高达中心部位的15倍,造成铸锭化学成分不均匀。
发明内容
基于此,本发明提供一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,以解决现有技术中存在的含铝钛合金电极生产时,铝损失较大,冲压头难以分离的技术问题,同时解决现有技术中存在的含锰钛合金电极生产时,铸锭化学成分分布不均匀的技术问题。
本发明还提供一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,包括以下步骤:
a.按照待制备钛合金的名义成分进行称料,并配置A料及B料;其中,A料中低熔点或易挥发组元的含量低于B料中的低熔点或易挥发组元的含量,或A料中不含低熔点或易挥发组元;
b.提供一种电极模具;所述电极模具包括模具本体及环形支架,所述模具本体由侧模围绕形成,所述环形支架能够放置于所述模具本体的模腔内;所述环形支架与所述侧模之间的间隙为海绵钛名义粒度规格最大值的1.5~4倍,所述环形支架高度不小于原料在所述模具本体的模腔中自然堆积的平均高度;
c.按以下方法进行布料:
将部分A料均匀铺满所述模具本体的模腔底部;
将所述环形支架放置于所述模具本体的模腔内,并使所述环形支架位于中央位置;
将全部B料填充于所述环形支架内,并铺平;
将剩余A料填充于所述环形支架与所述侧模之间的间隙内,并使得A料的填充高度不小于B料的填充高度;
缓慢移走所述环形支架,并将表面铺平;
d.压制,以形成VAR用钛合金电极。
优选地,步骤a中,A料中低熔点组元的质量含量≤5%;A料中易挥发组元的含量百分比≤该易挥发组元在B料中的含量百分比的50%。
优选地,所述低熔点组元为铝;所述易挥发组元为锰。
优选地,步骤b中,所述环形支架上设置有限位连杆,所述限位连杆的另一端能够与所述侧模的上端接触。
优选地,A料中海绵钛及其他非低熔点或易挥发组元与B料中海绵钛及其他非低熔点或易挥发组元的的质量比为7/3~3/7。
优选地,步骤c中,“将剩余A料填充于所述环形支架与所述侧模之间的间隙内,并使得A料的填充高度不小于B料的填充高度”中,如填充完毕后,A料有剩余,则在所述环形支架被移走后,平铺到A料及B料的表面。
优选地,步骤c中,所述模具本体的模腔底部的A料的铺设厚度为所述环形支架与所述侧模之间的间隙宽度的0.8~1.2倍。
一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极,由如上所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法制备所得。
与现有技术相比,本发明至少具有以下优点:
本发明将按照待制备钛合金的名义成分称量的物料配置成含有较少或不含低熔点或易挥发组元的A料和含有较多或全部低熔点或易挥发组元的B料,并提供一种具有环形支架的电极模具,按照既定的填料步骤,将A料及B料填充到所述模具本体的模腔内,使得A料包裹在B料的外侧。如此,低熔点组元,如铝,在压制的时候,不易进入冲压头和侧模的间隙内,降低铝损失量,同时使得压制过程中,冲压头容易脱模,提高压制成功率。易挥发组元,如锰,在整个铸锭中能够均匀分布。
附图说明
图1为一实施例的电极模具的结构示意图。
图2是一实施例的电极模具的俯视图。
图中:电极模具10、模具本体100、环形支架200、侧模110、限位连杆210、限位槽111。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。以下将结合本发明实施例的附图,对本发明的技术方案做进一步描述,本发明不仅限于以下具体实施方式。
需要理解的是,实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件。在本发明的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
一实施例中,一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,包括以下步骤:
S10.按照待制备钛合金的名义成分进行称料,并配置A料及B料;其中,A料中低熔点或易挥发组元的含量低于B料中的低熔点或易挥发组元的含量,或A料中不含低熔点或易挥发组元。
按照待制备的钛合金的名义成分进行称料,并将海绵钛以及其他非低熔点或易挥发组元的物料进行配料后,分为两份,其中一份用于配置A料,另一份用于配置B料,其中,A料中加入少许的低熔点或易挥发组元或者不加入低熔点或易挥发组元,B料中加入大量的低熔点或易挥发组元或者全部的低熔点或易挥发组元。
在其中一个优选实施例中,A料中低熔点组元的含量≤该低熔点组元总量的5%。例如,在制备Ti4822(Ti-48Al-2Nb-2Cr,at%)钛合金电极块时,按该钛合金的名义组分称取海绵钛、Al、Nb、Cr,首先将海绵钛与Nb、Cr混合均匀,然后分为两份,作为优选,两份物料的质量比为7/3~3/7。其中一份用于配置A料,取不大于Al总量的5%的Al加入该份物料中,以形成A料,作为优选,A料中不加入Al。将剩余Al全部加入剩余的一份物料中,形成B料。作为优选,B料中被加入全部的Al。
例如,在制备TC1(Ti-2Al-1.5Mn)钛合金电极块时,按该钛合金的名义组分称取海绵钛、Al和Mn,首先将海绵钛和Al均匀混合,然后分为两份,作为优选,两份物料的质量比为7/3~3/7。其中一份用于配置A料,例如,当两份物料的质量比为1:1时,取不大于Mn总量的33%的Mn加入该份物料中,以形成A料,作为优选,A料中不加入Mn。将剩余Mn全部加入剩余的一份物料中,形成B料。作为优选,B料中被加入全部的Mn。
值得说明的是,上述制备TC1(Ti-2Al-1.5Mn)钛合金电极块过程中,由于Al含量较低,铝损失较少,可不考虑其低熔点的影响。
S20.提供一种电极模具10。请参看图1与图2,所述电极模具10包括模具本体100及环形支架200,所述模具本体100由侧模110围绕形成,所述环形支架200能够放置于所述模具本体100的模腔内。所述环形支架200与所述侧模110之间的间隙为海绵钛名义粒度规格最大值的1.5~4倍,所述环形支架200高度不小于原料在所述模具本体100的模腔中自然堆积的平均高度。
作为进一步解释,所述模具本体100和所述环形支架200为相似形状,所述环形支架200能够被放置于所述模具本体100的模腔内,当所述环形支架200被放置于所述模具本体100的模腔内时,所述环形支架200的侧壁与所述侧模110之间形成用于填充A料的间隙。该间隙大小根据海绵钛名义粒度规格最大值进行选择,例如,如海绵钛粒度规格的最大值为25.4mm时,环形支架与侧模间隙为38.1~101.6mm。所述环形支架200的高度高于所述模具本体100的高度,最好能够不小于原料在所述模具本体100的模腔中自然堆积的平均高度。
作为优选,为能够使所述环形支架200位于所述模具本体100的模腔的中央位置,所述环形支架200上设置有限位连杆210,所述限位连杆210的另一端能够与所述侧模110的上端接触。进一步地,所述侧模110的上端面上设置有限位槽111,所述限位连杆210能够卡接于所述限位槽111中,将所述环形支架200放入所述模具本体100的模腔的中时,将所述限位连杆210卡接于所述限位槽111中,以固定所述环形支架200的位置,使所述环形支架200位于所述模具本体100的模腔的中央。
所述环形支架200将所述模具本体100的模腔分割为位于所述环形支架200外部的,用于填充A料的边缘腔,及位于所述环形支架200内的用于填充B料的中心腔。
S30.按以下方法进行布料:
S31.将部分A料均匀铺满所述模具本体的模腔底部。作为优选,所述模具本体100的模腔底部的A料的铺设厚度为所述环形支架200与所述侧模110之间的间隙宽度的0.8~1.2倍。
S32.将所述环形支架放置于所述模具本体的模腔内,并使所述环形支架位于中央位置。
S33.将全部B料填充于所述环形支架内,并铺平。
S34.将剩余A料填充于所述环形支架与所述侧模之间的间隙内,并使得A料的填充高度不小于B料的填充高度。
S35.缓慢移走所述环形支架,并将表面铺平。作为优选,如填充完毕后,A料有剩余,则在所述环形支架被移走后,平铺到A料及B料的表面。
通过上述布料方式,使得含有几乎全部低熔点或易挥发组元的B料位于所述模具本体100的模腔中心,而几乎不含有低熔点或易挥发组元的A料位于模腔的四周,从而在压制过程中,利用低熔点或易挥发组元的位移,使得低熔点或易挥发组元在电极块中分布均匀。
同时,对于高含铝的钛合金电极块,如Ti4822(Ti-48Al-2Nb-2Cr,at%),在压制时,由于Al未被暴露在表面或少量暴露在表面,故压制时,较少的铝进入冲压头与侧模110的间隙,并附着在冲压头上,从而使得脱模顺利。
S40.压制,以形成VAR用钛合金电极。
本发明的又一具体实施方式中,一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极,由如上所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法制备所得。
以下通过具体实施例,进一步说明本发明的技术方案和技术效果。
实施例一
本实施例以制备规格φ90×500mm的Ti4822(Ti-48Al-2Nb-2Cr,at%)钛合金电极块为例,具体制备方法如下。
提供一种环形支架200,环形支架200与侧模110间隙5mm。
配料:以1级以上海绵钛、铌铝合金、铝豆、金属铬为原料,按照Ti4822配料目标值配料,原料分为A、B,原料A为海绵钛,其粒度规格1~3mm,占海绵钛总重量一半,原料B为海绵钛和其他合金组元的混合物,其中海绵钛规格2~12.7mm。
一次布料:将原料A部分加入模腔,均匀铺满模腔底部,厚度约5mm,放入环形支架并对中,再将剩余原料A部分填充到环形支架和侧模之间。
二次布料:将原料B加入环形支架中央位置并铺平。
三次布料:检查原料A和原料B的高度,若原料A的高度低于原料B则在环形支架与侧模间隙添加原料A以使其不低于原料B,缓慢将环形支架从模腔中取出,将剩余的原料A盖在已布好原料上部并铺平。
电极块压制:按照正常步骤压制电极块并脱模,得到外表面铝豆极少的电极块。
实施例二
本实施例以制备规格260×185×500mm的Ti4822(Ti-48Al-2Nb-2Cr,at%)钛合金电极块为例,具体制备方法如下。
环形支架200与侧模100间隙25mm。
配料:以1级以上海绵钛、铝豆、铌钛合金、金属铬为原料,按照Ti4822配料目标值配料,海绵钛粒度规格2~12mm,原料分为A、B两部分,原料A和B中海绵钛分别占比约70%和30%,两部分均含有铌铝合金和金属铬且在两部分重量比相同,铝豆全部在原料B中。
一次布料:将原料A部分加入模腔,均匀铺满模腔底部,厚度约30mm,放入环形支架并对中,再将剩余海绵钛A部分填充到环形支架和侧模之间。
二次布料:将原料B混合后加入环形支架中央位置并铺平。
三次布料:检查原料A和原料B的高度,若原料A的高度低于原料B则在环形支架与侧模间隙添加原料A以使其不低于原料B,缓慢将环形支架从模腔中取出,将剩余的原料A盖在已布好原料上部并铺平。
电极块压制:按照正常步骤压制电极块并脱模,得到外表面铝豆极少的电极块。
采用实施一、实施例二所制备的电极块熔炼成铸锭后从铸锭侧部取样检测及采用传统方式(全部混合后,布料压制)所制备的电极块熔炼成铸锭后从铸锭侧部取样检测的Al含量见表1。
表1Ti4822电极块的Al含量
Figure BDA0003402719530000081
Figure BDA0003402719530000091
由实施例一和实施例二可以看出,采用本发明方法制备的Ti4822(Ti-48Al-2Nb-2Cr,at%)钛合金电极块,熔炼成铸锭后,Al含量分布均匀,平均Al损失相比传统布料方式降低27.8%、30.4%。且在压制过程中,冲压头上粘附的铝量明显降低,解决了由于铝粘附冲压头导致的脱模困难的问题。
实施例三
本实施例以制备规格400×190×450mm的TC1(Ti-2Al-1.5Mn,wt%)钛合金电极块为例,具体制备方法如下。
环形支架200与侧模110间隙30mm。
配料:以1级以上海绵钛、铝豆、电解锰为原料,按照TC1配料目标值配料,海绵钛粒度规格2~12.7mm,原料分为A、B两部分,原料A为海绵钛和铝豆,重量分别约为海绵钛和铝豆总重量的30%,原料B为剩余的海绵钛铝豆和电解锰混合物。
一次布料:将海绵钛A部分加入模腔,均匀铺满模腔底部,厚度约30mm,放入环形支架并对中,再将剩余海绵钛A部分填充到环形支架和侧模之间。
二次布料:将海绵钛B和其他原料混合后加入环形支架中央位置并铺平。
三次布料:检查原料A和原料B的高度,若原料A的高度低于原料B则在环形支架与侧模间隙添加原料A以使其不低于原料B,缓慢将环形支架从模腔中取出,将剩余的原料A盖在已布好原料上部并铺平。
电极块压制:按照正常步骤压制电极块并脱模,得到外表面铝豆和电解锰极少的电极块。
实施例三中所制备的TC1钛合金电极块熔炼的二次铸锭横截面Mn分布情况见表2。
表2TC1二次铸锭横截面Mn分布情况
Figure BDA0003402719530000092
Figure BDA0003402719530000101
上述结果表明,由本发明方法制备TC1电极块熔炼成铸锭后,铸锭横截面Mn含量均匀。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a.按照待制备钛合金的名义成分进行称料,并配置A料及B料;其中,A料中低熔点或易挥发组元的含量低于B料中的低熔点或易挥发组元的含量,或A料中不含低熔点或易挥发组元;
b.提供一种电极模具;
所述电极模具包括模具本体及环形支架,所述模具本体由侧模围绕形成,所述环形支架能够放置于所述模具本体的模腔内;所述环形支架与所述侧模之间的间隙为海绵钛名义粒度规格最大值的1.5~4倍,所述环形支架高度不小于原料在所述模具本体的模腔中自然堆积的平均高度;
c.按以下方法进行布料:
将部分A料均匀铺满所述模具本体的模腔底部;
将所述环形支架放置于所述模具本体的模腔内,并使所述环形支架位于中央位置;
将全部B料填充于所述环形支架内,并铺平;
将剩余A料填充于所述环形支架与所述侧模之间的间隙内,并使得A料的填充高度不小于B料的填充高度;
缓慢移走所述环形支架,并将表面铺平;
d.压制,以形成VAR用钛合金电极。
2.如权利要求1所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,步骤a中,A料中低熔点组元的质量含量≤5%;A料中易挥发组元的含量百分比≤该易挥发组元在B料中的含量百分比的50%。
3.如权利要求2所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,所述低熔点组元为铝;所述易挥发组元为锰。
4.如权利要求1所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述环形支架上设置有限位连杆,所述限位连杆的另一端能够与所述侧模的上端接触。
5.如权利要求1所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,A料中海绵钛及其他非低熔点或易挥发组元与B料中海绵钛及其他非低熔点或易挥发组元的质量比为7/3~3/7。
6.如权利要求1所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,步骤c中,“将剩余A料填充于所述环形支架与所述侧模之间的间隙内,并使得A料的填充高度不小于B料的填充高度”中,如填充完毕后,A料有剩余,则在所述环形支架被移走后,平铺到A料及B料的表面。
7.如权利要求1所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述模具本体的模腔底部的A料的铺设厚度为所述环形支架与所述侧模之间的间隙宽度的0.8~1.2倍。
8.一种含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极,其特征在于,由权利要求1~7中任意一项所述的含低熔点或易挥发组元的VAR用钛合金电极的制备方法制备所得。
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