CN114091291B - 一种半导体版图的监控方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体版图的监控方法及系统，该半导体版图的监控方法包括建立一个监控半导体版图的数据模型，数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息；输入版图数据，并依据版图数据设定所需监控图形的层数信息；根据版图数据，并结合第二类型金属层信息，获取监控图形的最高金属层的数据信息；根据监控图形最高金属层的数据信息，并结合第一类型金属层信息，获取监控图形的其他金属层的数据信息；以及对最高金属层和其他金属层进行修正，获取监控图形的数据信息。本发明提供的一种监控图形的形成方法，可实现版图在光刻过程中的监控。

Description

一种半导体版图的监控方法及系统

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体版图的监控方法及系统。

背景技术

目前，在集成电路制造中，为了将集成电路的图案顺利的转移到晶圆上，必须先将该电路版图设计成一光罩图案，然后再将光罩图案自光罩表面，通过曝光机台转移到该晶圆上。然而，图案能否准确的转移至晶圆上是有多方面的因素决定的，例如光刻版版图中的图形设计、光刻胶的分辨率大小、曝光/显影的条件设定等。由于上述多个因素均对最终在晶圆的光刻胶上形成的图案有影响，实际光刻工艺中，难以保证每一次的光刻工艺均能准确的转移图案。而若在光刻胶上形成的图案不正常的情况下进入了后续的刻蚀、离子注入等工艺，则会导致晶圆因无法返工而报废。所以，在生产的过程中，必须对版图的金属层数据信息进行监测，以确保及时发现光刻中存在不能满足要求的缺陷，防止晶圆的报废。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体版图的监控方法及系统，用于在生产的过程中，检测版图中金属层的数据信息是否符合生产标准，避免造成晶圆报废或者成品率低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体版图的监控方法，包括：

建立一个监控半导体版图的数据模型，所述数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息；

输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息；

根据所述版图数据，并结合所述第二类型金属层信息，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息；

根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息；以及

对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正，获取所述监控图形的数据信息。

在本发明的一个实施例中，所述第一类型金属层信息包括：

第一监控图形，所述第一监控图形内设置有多个第一矩形，且多个所述第一矩形平行设置；

第二监控图形，所述第二监控图形设置在所述第一监控图形的一侧，且所述第二监控图形垂直于所述第一监控图形，所述第二监控图形内设置有多个第二矩形，且多个所述第二矩形平行设置。

在本发明的一个实施例中，所述第一类型金属层信息还包括第一线间距，所述第一线间距为相邻两个所述第一矩形或第二矩形之间的距离。

在本发明的一个实施例中，所述第一类型金属层信息还包括第一线宽，所述第一线宽为所述第一矩形或第二矩形的线宽。

在本发明的一个实施例中，获取所述监控图形的其他金属层数据信息的数据信息，通过以下步骤：

根据所述最高金属层的数据信息，选择小于所述最高层数的层数信息为所述其他金属层的层数信息；

根据所述第一线宽数据信息和所述第一线间距数据信息，消除所述其他金属层中的第一类型金属层信息，并依据所述其他金属层的第二类型金属层信息获取其他金属层的数据信息。

在本发明的一个实施例中，所述第二类型金属层信息包括：

第三监控图形；

第四监控图形，所述第四监控图形设置在所述第三监控图形的一侧，且所述第四监控图形垂直于所述第三监控图形。

在本发明的一个实施例中，所述第二类型金属层信息还包括第二线间距，所述第二线间距为相邻两个第三矩形或相邻两个第四矩形之间的距离。

在本发明的一个实施例中，所述第二类型金属层信息还包括第二线宽，所述第二线宽为所述第三矩形或所述第四矩形的线宽。

在本发明的一个实施例中，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息，通过以下步骤：

根据所述版图数据，确定所述监控图形的最高层的层数信息；

根据所述最高层的层数信息，复制一个所述监控图形的数据模型；

根据所述第二线宽数据信息和所述第二线间距数据信息，消除所述最高层中的所述第二类型金属层信息，并依据所述最高金属层的第一类型金属层信息获取所述最高金属层的数据信息。

本发明还提供一种半导体版图的监控系统，其特征在于，包括。

监控图形单元，用于建立一个监控半导体版图的数据模型，所述数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息；

信息获取单元，用于通过输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息；

数据处理单元，用于根据所述版图数据，并结合所述第二类型金属层信息，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息；根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息；以及对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正，获取所述监控图形的数据信息。

如上所述，本发明的一种半导体版图的监控方法及系统，通过第一类型金属层信息和第二类型金属层信息设定，设定监控图形的数据模型中的金属层的数据信息的合格标准。通过设置第一监控图形和第二监控图形，减少在实际光刻过程中，图形尺寸数据信息是否符合生产标准，避免造成晶圆报废或者成品率低的问题。通过对最高金属层的数据信息和其他金属层的数据信息的修订，既获取最终监控图形的数据模型。并且通过设置监控图形的数据模型，减少了监控图形文件为数量，便于文件管理，较少人工选错文件的几率，增加产品的良品率和工作效率。

附图说明：

图1显示为本发明的一种半导体版图的监控方法流程图；

图2显示为本发明的一种监控图形的示意图；

图3显示为本发明的另一种监控图形的示意图；

图4显示为本发明的获取最高金属层数据信息方法的流程图；

图5显示为本发明的获取其他金属层数据信息方法的流程图；

图6显示为本发明修订前的监控图形的示意图；

图7显示为本发明修订后的半导体版图的数据模型的示意图；

图8显示为本发明的一种计算机可读存储介质的框图；

图9显示为本发明的一种电子设备的结构原理框图。

元件标号说明：

第一类型金属层信息610、第二类型金属层信息620、第一监控图形611、第二监控图形612、第一标记613、第一矩形611A、第二矩形612A、第一线间距614、第一线宽615、第三监控图形621、第四监控图形622、第二标记623、第二线间距624、第二线宽625、第三矩形621B、第四矩形622B。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图5所示，器件在制作的过程中，光刻时的金属层的变化会影响成品率的高低，如器件在制作时，金属层形状的变化会影响到器件的导电特性，例如金属电阻器件会随着线宽的变化而波动进而会产生短路或断路。例如当电路层的金属层线宽制作的偏小，器件的阻值偏大，使芯片的功耗大幅度增加，甚至导致器件无法正常工作。因此对光刻工艺的要求更为严格，必须确保光刻形成的图形质量能满足器件制作的要求。但是版图上的数据信息过多，无法对每一处进行监控。本发明提供一种半导体版图的监控方法，可在每个金属层形成一个监控图形，用于监控每层金属层在光刻的过程中是否符合工艺需求。

请参阅图1所示，本发明提供一种半导体版图的监控方法，通过建立一个监控半导体版图的数据模型，监控金属层的数据信息，确保及时发现光刻中存在不能满足要求的缺陷，防止晶圆的报废，提高产品的良品率。本发明主要包括以下步骤：

S100：建立一个监控半导体版图的数据模型，所述数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息。

S200：输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息。

S300：根据所述版图数据，并结合所述第二类型金属层信息，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息。

S400：根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息。

S500：对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正，获取所述监控图形的数据信息。

请参阅图1至图3所示，在本发明的一个实施例中，在步骤S100中，监控半导体版图的数据模型包括第一类型金属层信息610和第二类型金属层信息620，通过第一类型金属层信息610和第二类型金属层信息620，可形成监控图形，监控晶圆在光刻过程中，金属层的数据信息是否符合制造标准，及时发现光刻中存在不能满足要求的缺陷，防止晶圆的报废。在本发明一实施例中，每个金属层的数据信息包括监控图形的线宽、线间距以及相关监控图形的数据信息信息，其中第一类型金属层信息610例如为所需版图的最高金属层的数据信息，第二类型金属层信息620为所需版图的其他金属层的数据信息。具体的，第一类型金属层信息610包括第一监控图形611、第二监控图形612、第一标记613、第一线间距614和第一线宽615。第二类型金属层信息620包括第三监控图形621、第四监控图形622、第二标记623、第二线间距624和第二线宽625。

请参阅图1至图3所示，在本发明的一个实施例中，第一监控图形611内设置有多个第一矩形611A，多个第一矩形611A平行设置，且第一矩形611A的长度小于第一矩形611A的宽度。第二监控图形612设置在第一监控图形611的一侧，第二监控图形612与第一监控图形611保持一定间距，且第二监控图形612垂直于与第一监控图形611设置。第二监控图形612设置有多个第二矩形612A，多个第二矩形612A平行设置，且第二矩形612A的长度大于第二矩形612A的宽度。第一标记613位于第一监控图形611、第二监控图形612的一侧，且第一标记613与第一监控图形611、第二监控图形612保持一定间距。第一线间距614为相邻两个第一矩形611A或第二矩形612A之间的距离，第一线间距624例如最小为0.4 um。通过第一线间距614，监控在实际光刻中所需版图的最高金属层的线间距。第一线宽615为第一矩形611A或第二矩形612A的线宽，第一线宽615例如最小为0.4 um。通过第一线宽615，监控在实际光刻中所需版图的最高金属层的线宽。第一标记613例如用以标记最高金属层的数据信息。以图2中的3M L040040为例，3M表示为3层金属层，L040040表示为金属层的线宽是0.4um，金属层的线间距为0.4 um。

请参阅图1至图3所示，在本发明的一个实施例中，第三监控图形621内设置有多个第三矩形621B，第三矩形621B的长度小于其宽度，且相邻两个第三矩形621B平行设置。第四监控图形622设置在第三监控图形621的一侧，第四监控图形622与第三监控图形621保持一定间距，且第四监控图形622垂直于与第三监控图形621设置。第四监控图形622中设置有多个第四矩形622B，相邻两个第四矩形622B平行设置，且第四矩形622B的长度大于第四矩形622B宽度。第二标记623位于第三监控图形621和第四监控图形622的一侧，与第三监控图形621和第四监控图形保持一定的间距。第二线间距624为相邻两个第三矩形621B或第四矩形622B之间的距离，第二线间距624例如最小为0.2um。通过第二线间距624，监控在实际光刻中所需版图的其他金属层的线间距。第二线宽625为第三矩形621B或第四矩形622B的线宽，第二线宽625例如最小为0.2 um。通过第二线宽625，监控在实际光刻中所需版图的其他金属层的线宽。第二标记623例如用以标记其他金属层的数据信息。以图3中的3M L020020为例，3M表是为3层金属层，L020020表示为金属层的线宽是0.2um，金属层的线间距为0.2 um。

请参阅图1至图3所示，在本发明的一个实施例中，步骤S200输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息。版图数据例如包括需要制成的多个半导体器件的版图信息，以及设置在半导体器件上，用于电性连接半导体器件的金属层的版图信息，根据已有的版图数据可直接获取金属层的层数信息。在本实施例中，平台例如为110nm工艺的生产线，所述平台支持形成3~6层金属层，则建立的监控图形的数据模型中包括监控图形的3~6层金属层信息。在其他实施例中，可以根据平台支持的可以制成的金属层数，对应设置监控图形的数据模型。在本实施例中，监控图形的数据模型例如包括3层金属层为最高金属层的监控图形数据和3金属层为其他金属层的监控图形数据，4金属层为最高金属层的监控图形数据和4金属层为其他金属层的监控图形数据，5金属层为最高金属层的监控图形数据和5金属层其他金属层的监控图形数据以及6金属层为最高金属层的监控图形数据和6金属层为其他金属层的监控图形数据。数据模型中还可以包括监控图形的其他尺寸信息，例如包括监控图形中最高金属层的厚度比其他金属层的厚，最高金属层的最小线间距和最小线宽比其他金属层的大。器件在光刻时，需要根据已有的版图数据，确定金属层的层数信息，然后选择相应的监控图形数据模型，在半导体集成器件的每个金属层形成监控图形，避免在生产的过程中金属层的线宽和线间距的尺寸数据信息不符合生产标准。

请参阅图1至图3所示，在本发明的一个实施例中，因为建立的监控半导体版图的数据模型包括多个金属层的数据信息，每层的金属层既可以包括最高金属层数据信息，又可以包括其他金属层的数据信息，所以在步骤S300中，需要根据版图数据，结合第二类型金属层信息620，在数据处理单元中，通过数据筛选，获取所述监控图形的最高金属层。以5层金属层的产品为例，在本实施例中，当用户选择5层金属层为最高金属层的层数数据时，消除3层金属层为最高金属层的监控图形数据、4层金属层为最高金属层的监控图形数据、5层金属层为其他金属层的监控图形数据、6层金属层为最高金属层的监控图形数据和6层金属层为其他金属层的监控图形数据，保留5层金属层为最高金属层的数据、3层金属层为其他金属层的图形数据和4层金属层为其他金属层的图形数据。且获取所述监控图形的最高金属层的数据信息，通过以下步骤：

S310、根据所述版图数据，确定所述监控图形的最高层的层数信息。

S320、根据所述最高层的层数信息，复制一个所述监控图形的数据模型。

S330、根据所述第二线宽数据信息和所述第二线间距数据信息，消除所述最高层中的所述第二类型金属层信息，并依据所述最高金属层的第一类型金属层信息获取所述最高金属层的数据信息。

其中，在数据筛选其他金属层的数据信息时，首先筛选出第二线宽625为0.2um的数据信息，其次再筛选第二线宽625为0.2um同时第二线间距624也为0.2um的数据信息，然后将第二线宽625为0.2um和第二线宽625值为0.2um且第二线间距624同时也为0.2um数据信息的合集再进行筛选，此时获取的集合获取数据即为5层金属层作为其他金属层的数据。将获取的5层金属层作为其他金属层的数据消除，此时获取的为去除5层金属层为作为其他金属层的数据的监控图形数据模型。

请参阅图1至图7所示，在本发明的一个实施例中，在步骤S400中，根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息610，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息，具体包括以下步骤：

S410、根据所述最高金属层的数据信息，选择小于所述最高层数的层数信息为所述其他金属层的层数信息。

其中，在步骤S410中，在本实施例中，小于最高层数的层数信息，例如为3层和4层金属层的数据信息。以消除3层金属层为最高层的数据信息为例，在步骤S330中最后获取的监控图形的数据模型的基础上，筛选3层金属层的数据信息，选择第3层金属层的数据信息。

S420、根据所述第一线宽数据信息和所述第一线间距数据信息，消除所述其他金属层中的第一类型金属层信息，并依据所述其他金属层的第二类型金属层信息获取其他金属层的数据信息。

其中，在步骤S420中，根据第一类型金属层信息610，首先筛选第3层金属层中第一线宽615为0.4um的数据信息，其次筛选第一线宽615为0.4um且同时第一线间距614为0.4um，然后筛选出第一线宽615为0.4um和第一线宽615值为0.4um且第一线间距614同时也为0.4um数据信息的合集，此时获取的集合数据即为3层金属层作为最高金属层的数据信息。将筛选3层金属层的数据，并且去除第一线宽615为0.4um，以及第一线宽615值为0.4um且第一线间距614同时也为0.4um数据信息的合集。此时取的为去除5层金属层作为其他金属层的数据和3层金属层作为最高金属层的数据去除的监控图形数据模型，所以此时还需要去除4层金属层作为最高金属层的数据信息。

请参阅图1至图7所示，在本发明的一个实施例中，去除4层金属层作为最高金属层的数据同去除3层金属层作为最高金属层的数据的方法步骤同理，首先筛选4层金属层的数据，其次筛选4层金属层中第一线宽615为0.4um的数据，然后筛选第一线宽615为0.4um且同时第一线间距614为0.4um，再者筛选出第一线宽615为0.4um和第一线宽615值为0.4um且第一线间距614同时也为0.4um数据信息的合集，此时获取的集合获取数据即为4层金属层作为最高金属层的数据信息，最后将筛选4层金属层的数据信息，并且去除第一线宽615为0.4um，以及第一线宽615值为0.4um且第一线间距614同时也为0.4um数据信息的合集，获取所需监控图形的数据模型。

请参阅图1至图7所示，在本发明的一个实施例中，在实际生产过程中，由于机台的制程能力和工艺的误差等，实际做出来的图形和大小与理想状态存在差别。但是为了最终的图形达到生产工艺标准，需要提前把这些误差原因考虑进去，在数据处理单元中定义例如金属层开关、第一线宽615、第一线间距614、第二线宽625、第二线间距624、通孔以及其相互之间的逻辑关系等，可通过数据处理单元对最高金属曾和其他金属层进行修正，获取所述最终监控图形的数据信息。

请参阅图1至图7所示，本发明还提供一种半导体版图的监控系统，所述半导体版图的监控系统包括监控图形单元、信息获取单元和数据处理单元。监控图形单元用于建立一个监控半导体版图的数据模型，所述数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息610和第二类型金属层信息620。信息获取单元用于通过输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息。数据处理单元用于根据所述版图数据，并结合所述第二类型金属层信息620，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息；根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息610，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息；以及对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正，获取所述监控图形的数据信息。

请参阅1至图7所示，在本发明的一个实施例中，本发明不仅解决了实际光刻过程中的金属层的数据信息是否符合生产标准，避免造成晶圆报废或者成品率低的问题，还解决了因为监控图形文件过多，使平台文件不方便管理，在进行光刻图案时，容易发生选错文件，导致无法实时监控光刻图案制程。以平台支撑用户使用的金属层的层数为3~6层为例，监控图形数据需要包括，以当输入的版图数据 3层金属层数据信息时的监控图形数据信息、以当输入的版图数据 4层金属层数据信息时的监控图形数据信息、以当输入的版图数据 5层金属层数据信息时的监控图形数据信息和以当输入的版图数据 6层金属层数据信息时的监控图形数据信息，所以监控图形文件数量过多。通过本发明，建立一个监控半导体版图的数据模型，半导体版图的数据模型中包括平台所支持的所有金属层的数据信息，且每个所述金属层信息包括第一类型金属层信息610和第二类型金属层信息620。根据输入的版图数据，依据第一类型金属层信息610和第二类型金属层信息620，获取最终的监控图形的数据信息。改进前针对每层金属层数据信息，对应一个监控图形文件，通过本发明改进后，只需一个监控半导体版图的数据模型，减少监控图形文件的数量，便于文件管理，较少人工选错文件的几率，增加产品的良品率和工作效率。

请参阅图8所示，本发明还提出一种计算机可读存储介质700，计算机可读存储介质700存储有计算机指令70，计算机指令70用于使用所述监控图形的形成方法。计算机可读存储介质700可以是，电子介质、磁介质、光介质、电磁介质、红外介质或半导体系统或传播介质。计算机可读存储介质700还可以包括半导体或固态存储器、磁带、可移动计算机磁盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、硬磁盘和光盘。光盘可以包括光盘-只读存储器(CD-ROM)、光盘-读/写(CD-RW)和DVD。

请参阅图9所示，本发明还提供一种电子设备，包括处理器800和存储器900，存储器900存储有程序指令，处理器800运行程序指令实现所述监控图形的形成方法。处理器800可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，简称CPU）、网络处理器（Network Processor，简称NP）等；还可以是数字信号处理器（Digital SignalProcessing，简称DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，简称FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件；存储器50可能包含随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM），也可能还包括非易失性存储器（Non-VolatileMemory），例如至少一个磁盘存储器。存储器900也可以为随机存取存储器（Random AccessMemory，RAM）类型的内部存储器，处理器800、存储器900可以集成为一个或多个独立的电路或硬件，如：专用集成电路（Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC）。需要说明的是，存储器900中的计算机程序可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，电子设备，或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种半导体版图的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

建立一个监控半导体版图的数据模型，所述数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息；

输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息；

根据所述版图数据，并结合所述第二类型金属层信息，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息，具体方法为：根据所述版图数据，确定所述监控图形的最高金属层的层数信息；根据所述最高金属层的层数信息，复制一个所述监控图形的数据模型；根据第二线宽数据信息和第二线间距数据信息，消除所述最高金属层中的所述第二类型金属层信息，并依据最高金属层的所述第一类型金属层信息获取所述最高金属层的数据信息；

根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息，具体方法为：根据所述最高金属层的数据信息，选择小于所述最高金属层的层数信息为所述其他金属层的层数信息；根据第一线宽数据信息和第一线间距数据信息，消除所述其他金属层中的所述第一类型金属层信息，并依据所述其他金属层的第二类型金属层信息获取所述其他金属层的数据信息；

对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正，获取所述监控图形的数据信息。

2.根据权利要求1所述的半导体版图的监控方法，其特征在于，所述第一类型金属层信息包括：

第一监控图形，所述第一监控图形内设置有多个第一矩形，且多个所述第一矩形平行设置；

第二监控图形，所述第二监控图形设置在所述第一监控图形的一侧，且所述第二监控图形垂直于所述第一监控图形，所述第二监控图形内设置有多个第二矩形，且多个所述第二矩形平行设置。

3.根据权利要求2所述的半导体版图的监控方法，其特征在于，所述第一类型金属层信息还包括第一线间距，所述第一线间距为相邻两个所述第一矩形或第二矩形之间的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体版图的监控方法，其特征在于，所述第一类型金属层信息还包括第一线宽，所述第一线宽为所述第一矩形或第二矩形的线宽。

5.根据权利要求1所述的半导体版图的监控方法，其特征在于，所述第二类型金属层信息包括：

第三监控图形；

第四监控图形，所述第四监控图形设置在所述第三监控图形的一侧，且所述第四监控图形垂直于所述第三监控图形。

6.根据权利要求5所述的半导体版图的监控方法，其特征在于，所述第二类型金属层信息还包括第二线间距，所述第二线间距为相邻两个第三矩形或相邻两个第四矩形之间的距离；所述第三监控图形内设置有多个第三矩形，相邻两个第三矩形平行设置；所述第四监控图形内设置有多个第四矩形，相邻两个第四矩形平行设置。

7.根据权利要求6所述的半导体版图的监控方法，其特征在于，所述第二类型金属层信息还包括第二线宽，所述第二线宽为所述第三矩形或所述第四矩形的线宽。

8.一种半导体版图的监控系统，其特征在于，包括：

监控图形单元，用于建立一个监控半导体版图的数据模型，所述数据模型包括多个金属层的数据信息，且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息；

信息获取单元，用于通过输入版图数据，并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息；

数据处理单元，用于根据所述版图数据，并结合所述第二类型金属层信息，获取所述监控图形的最高金属层的数据信息，具体方法为：根据所述版图数据，确定所述监控图形的最高金属层的层数信息；根据所述最高金属层的层数信息，复制一个所述监控图形的数据模型；根据第二线宽数据信息和第二线间距数据信息，消除所述最高金属层中的所述第二类型金属层信息，并依据最高金属层的所述第一类型金属层信息获取所述最高金属层的数据信息；

根据所述监控图形最高金属层的数据信息，并结合所述第一类型金属层信息，获取所述监控图形的其他金属层的数据信息，具体方法为：根据所述最高金属层的数据信息，选择小于所述最高金属层的层数信息为所述其他金属层的层数信息；根据第一线宽数据信息和第一线间距数据信息，消除所述其他金属层中的所述第一类型金属层信息，并依据所述其他金属层的第二类型金属层信息获取所述其他金属层的数据信息；

对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正，获取所述监控图形的数据信息。

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