CN108628090A - 光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版 - Google Patents
光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108628090A CN108628090A CN201710159913.1A CN201710159913A CN108628090A CN 108628090 A CN108628090 A CN 108628090A CN 201710159913 A CN201710159913 A CN 201710159913A CN 108628090 A CN108628090 A CN 108628090A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- domain structure
- domain
- metal layer
- label
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
一种光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,方法包括:提供包括金属层版图数据的芯片版图数据,金属层版图数据包括多个版图层;提供标记版图单元数据,包括多个标记版图层且与标记版图层金属层版图数据的版图层相同;将标记版图单元数据加入芯片版图数据中;采用同一逻辑运算公式对版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构,并对标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构;判断标记版图结构是否呈闭环状,以判断金属层版图结构是否缺失版图层。通过加入标记版图结构,即使是缺乏光掩膜数据检测经验的工程师也可以完成检测工作,提高了光掩膜数据检测的效率和准确性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版。
背景技术
目前,集成电路生产厂一般都是根据设计公司提供的版图文件来制造相应的集成电路产品。所述版图文件通常被设计公司以一种特定的文件格式(例如GDS)提供给所述集成电路生产厂。所述集成电路生产厂从所述版图文件中提取相关的版图数据,并通过光罩厂(Mask Shop)形成版图结构、制造光罩(Mask)。
随着芯片制造工艺的复杂程度的提高,版图的层次需求也越来越多、层次的图形要求也越来越严格,相应的,版图结构的准确性和完整性直接决定了产品的良率。因此在制造光罩之前,需进行光掩膜数据检测(Job Deck View,JDV),以确保版图结构的准确性和完整性。
但是,目前光掩膜数据检测的效率和准确性有待提高。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版,提高光掩膜数据检测的效率和准确性。
为解决上述问题,本发明提供一种光掩膜数据检测方法,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,包括:提供芯片版图数据,所述芯片版图数据包括金属层版图数据,所述金属层版图数据包括多个版图层;提供标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构,并对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构;形成所述金属层版图结构和标记版图结构后,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述光掩膜数据检测的步骤包括:判断所述标记版图结构是否呈闭环状,以判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层。
可选的,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测的步骤中,所述标记版图结构呈闭环状时,判定所述金属层版图结构未缺失所述版图层;所述标记版图结构未呈闭环状时,判定所述金属层版图结构缺失所述版图层。
可选的,所述标记版图结构呈闭环状,所述标记版图结构的形状为多边环形。
可选的,所述标记版图结构呈闭环状,所述标记版图结构的形状为方环形。
可选的,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中的步骤中,采用光掩膜布局软件,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中。
可选的,所述逻辑运算公式为“或”逻辑运算公式。
可选的,在光罩厂中,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;在光罩厂中,对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构、对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图。
可选的,在光罩厂中,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测。
相应的,本发明还提供一种监测结构,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述金属层版图结构由多个版图层经逻辑运算形成,所述监测结构包括:呈闭环状的标记版图结构,所述标记版图结构由所述金属层版图结构对应的版图层经逻辑运算形成,且形成所述标记版图结构的逻辑运算公式与形成所述金属层版图结构的逻辑运算公式相同。
可选的,所述标记版图结构的形状为多边环形。
可选的,所述标记版图结构的形状为方环形。
可选的,所述逻辑运算公式为“或”逻辑运算公式。
可选的,所述金属层版图结构所对应标记版图结构的数量为一个或多个。
相应的,本发明还提供一种采用前述监测结构制成的掩膜版,包括:图案区,所述图案区内具有金属层图形,所述金属层图形采用所述金属层版图结构制成;环绕所述图案区的切割道区,所述切割道区内具有监测图形,所述监测图形采用所述监测结构制成。
可选的,所述监测图形的形状为多边环形。
可选的,所述监测图形的形状为方环形。
可选的,所述金属层图形所对应监测图形的数量为一个或多个。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明在将芯片版图数据转化为金属层版图结构之前,提供了标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同,并将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算以形成金属层版图结构,并对所述标记版图层进行逻辑运算以形成标记版图结构;因此所述标记版图结构可用于表征所述金属层版图结构,在进行金属层版图结构的光掩膜数据检测(Job Deck View,JDV)的步骤中,判断所述标记版图结构是否呈闭环状,从而判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层,即当工程师对所述金属层版图结构进行光掩膜数据检测时,只需要判断所述标记版图结构是否呈闭环状即可;也就是说,如果所述标记版图结构完整,则可以判定所述金属层版图结构的所述版图层完整,如果所述标记版图结构不完整,则可以判定所述金属层版图结构缺失所述版图层;所以通过所述光掩膜数据检测方法,可以简化所述光掩膜数据检测的工艺,即使是缺乏工艺经验或光掩膜数据检测经验的工程师(例如光罩厂的工程师)也可以完成所述检测工作,从而可以提高光掩膜数据检测的效率和准确性,且能够有系统地进行所述光掩膜数据检测。
可选方案中,在光罩厂中将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中,并对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构、对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构;相应的,在光罩厂中就可以对所形成的金属层版图结构进行光掩膜数据检测,因此可以及时地知晓所述金属层版图结构是否缺失版图层,以便于及时修正,从而避免时间和资源的浪费。
本发明还提供一种监测结构,所述监测结构用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,且所述金属层版图结构由多个版图层经逻辑运算形成;所述监测结构包括呈闭环状的标记版图结构,所述标记版图结构由所述金属层版图结构对应的版图层经逻辑运算形成,且形成所述标记版图结构的逻辑运算公式与形成所述金属层版图结构的逻辑运算公式相同。因此所述标记版图结构可用于表征所述金属层版图结构,当对所述金属层版图结构的光掩膜数据检测时,只需要判断所述标记版图结构是否呈闭环状即可;也就是说,如果所述标记版图结构完整,则可以判定所述金属层版图结构的所述版图层完整,如果所述标记版图结构不完整,则可以判定所述金属层版图结构缺失所述版图层;所以,通过所述监测结构,可以简化光掩膜数据检测的工艺,即使是缺乏工艺经验或光掩膜数据检测经验的工程师(例如光罩厂的工程师)也可以完成所述检测工作,从而可以提高光掩膜数据检测的效率和准确性。
本发明还提供一种采用本发明所述监测结构制成的掩膜版,所述掩膜版包括图案区,所述图案区内具有金属层图形,所述金属层图形采用所述金属层版图结构制成;环绕所述图案区的切割道区,所述切割道区内具有监测图形,所述监测图形采用本发明所述监测结构制成。所述监测结构包括呈闭环状的标记版图结构,由于所述标记版图结构可用于对金属层版图结构进行光掩膜数据检测,因此所述掩膜版中金属层图形的准确性较高;且所述监测图形位于所述切割道区内,还可以避免出现监测图形占用所述图案区位置的问题,以免对制成的集成电路产品造成影响。
附图说明
图1是本发明光掩膜数据检测方法一实施例的流程示意图;
图2是图1所示实施例中形成标记版图结构的步骤所对应的结构示意图;
图3是图1所示实施例中判定所述金属层版图结构缺失版图层的情况下所对应的标记版图结构的结构示意图;
图4是本发明掩膜版一实施例的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知,光掩膜数据检测的效率和准确性有待提高。分析其原因在于:
光罩厂(Mask Shop)获取芯片版图数据后,对所述芯片版图数据中的版图层(datetype)进行逻辑运算(logic operation)以形成版图结构并制造相应光罩(Mask)。但是,在对所述版图数据进行逻辑运算时,容易出现版图层缺失的问题。
以金属层版图数据为例,对所述金属层版图数据中的版图层进行逻辑运算以形成金属层版图结构,相应的,光罩中包括通过所述金属层版图结构所形成的金属层图形;为了保证光罩中金属层图形的准确性,需要在形成金属层版图结构后,制作光罩之前,对所述金属层版图结构进行光掩膜数据检测(Job Deck View,JDV),以检测是否有版图层缺失的问题。
在集成电路生产过程中,通常由工程师凭借自己对工艺、光掩膜数据检测和逻辑运算的经验,手动或半自动进行所述光掩膜数据检测。由于每位工程师对工艺及光掩膜数据检测的经验都不同,难以保证检测的准确性和完整性,从而难以保证金属层版图结构的准确性和完整性,尤其对于缺乏工艺经验或光掩膜数据检测经验的工程师(例如光罩厂的工程师)而言,难以进行所述光掩膜数据检测的操作;此外,每一层金属层具有特有的版图层和逻辑运算公式,因此所述光掩膜数据检测耗时较长。
为解决上述问题,本发明提供一种光掩膜数据检测方法,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,包括:提供芯片版图数据,所述芯片版图数据包括金属层版图数据,所述金属层版图数据包括多个版图层;提供标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构,并对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构,且所述标记版图结构呈闭环状;形成所述金属层版图结构和标记版图结构后,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述光掩膜数据检测的步骤包括:判断所述标记版图结构是否呈闭环状,以判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层。
本发明在将芯片版图数据转化为金属层版图结构之前,提供了标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同,并将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算以形成金属层版图结构,并对所述标记版图层进行逻辑运算以形成标记版图结构;因此所述标记版图结构可用于表征所述金属层版图结构,在进行金属层版图结构的光掩膜数据检测的步骤中,判断所述标记版图结构是否呈闭环状,从而判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层,即当工程师对所述金属层版图结构进行光掩膜数据检测时,只需要判断所述标记版图结构是否呈闭环状即可;也就是说,如果所述标记版图结构完整,则可以判定所述金属层版图结构的所述版图层完整,如果所述标记版图结构不完整,则可以判定所述金属层版图结构缺失所述版图层;所以通过所述光掩膜数据检测方法,可以简化光掩膜数据检测的工艺,即使是缺乏工艺经验或光掩膜数据检测经验的工程师(例如光罩厂的工程师)也可以完成所述检测工作,从而可以提高光掩膜数据检测的效率和准确性,且能够有系统地进行所述光掩膜数据检测。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参考图1,示出了本发明光掩膜数据检测方法一实施例的流程示意图。
本实施例中,所述光掩膜数据检测方法用于金属层版图结构的光掩膜数据检测(Job Deck View,JDV)。
参考图1,执行步骤S100,提供芯片(Mainchip)版图数据,所述芯片版图数据包括金属层版图数据,所述金属层版图数据包括多个版图层(Data Type)。
所述芯片版图数据用于生成芯片版图结构。本实施例中,所述芯片版图数据的格式为GDS文件。但所述芯片版图数据的格式不仅限于此。
在集成电路生产过程中,集成电路生产厂(Foundry)根据设计公司(即Customer,CTM)提供的版图文件来制造相应的集成电路产品。设计公司通常以GDS格式生成相应的版图文件。因此,提供芯片版图数据的步骤,也就是CTM GDS In的过程。
所述GDS,即图形数据流文件(Graphic Data Stream),是于集成电路版图设计后生成的一种文件格式。GDS文件是一种包括集成电路布局的二进制文件,是业界公认的半导体物理版图存储格式。其中,GDS文件通常以数据流的形式保存。
本实施例中,由设计公司向光罩厂提供所述芯片版图数据。
所述芯片版图数据包括金属层版图数据,所述金属层版图数据包括多个版图层。所述金属层版图数据用于形成金属层版图结构,以制作具有金属层图形的掩膜版(Mask)。
在集成电路生产过程中,所述版图层根据不同金属层的实际设计而定。例如,所述版图层可以包括主图形(Main Pattern)、冗余图形(Dummy Pattern)等。本实施例中,以所述金属层版图数据包括5种版图层为例进行说明,但不仅限于5种。
例如,定义所述金属层版图数据的版图层包括X1、X2、X3、X4和X5。其中,所述X1、X2、X3、X4和X5分别对应一种版图层。
继续参考图1,执行步骤S110,提供标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同。
所述标记版图单元数据用于形成标记版图结构。本实施例中,所述标记版图单元数据的格式为GDS文件。但所述标记版图单元数据的格式不仅限于此。
对所述GDS文件的具体描述可参考步骤S100中的相应描述,在此不再赘述。
本实施例中,光罩厂根据设计公司提供的芯片版图数据,制成所述标记版图单元数据。其中,提供标记版图单元数据的步骤,也就是Cell Mark GDS In的过程。
所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同。本实施例中,所述金属层版图数据的版图层包括X1、X2、X3、X4和X5,相应的,所述标记版图单元数据的标记版图层也包括X1、X2、X3、X4和X5。
继续参考图1,执行步骤S120,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中。
通过将所述标记版图单元数据和所述芯片版图数据进行合并(merge),从而为后续采用同一逻辑运算公式进行逻辑运算(Logic Operation)提供工艺基础。
本实施例中,在光罩厂中将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中。
具体地,采用光掩膜布局软件,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中。通过所述光掩膜布局软件,实现所述标记版图单元数据和所述芯片版图数据的合并,且合并后的文件格式仍为GDS文件。
本实施例中,所述光掩膜布局软件为K2。但所述光掩膜布局软件不仅限于K2。对K2软件的描述可参考现有技术的相关描述,在此不再赘述。
继续参考图1,结合参考图2,图2示出了是图1所示实施例中形成标记版图结构的步骤所对应的结构示意图。执行步骤S130,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构(图未示),并对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构200(如图2所示)。
通过采用同一逻辑运算公式进行逻辑运算,从而使所述标记版图结构200可用于表征所述金属层版图结构;相应的,后续对金属层版图结构进行光掩膜数据检测时,可以通过对所述标记版图结构进行检测,以判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层。
在集成电路生产中,后端(Back End Of Line,BEOL)金属层通常采用“或”逻辑运算。因此,本实施例中,以所述逻辑运算公式为“或”逻辑运算公式为例进行说明。但所述逻辑运算公式不仅限于“或”逻辑运算公式。在其他实施例中,根据实际工艺需求,可选取相应的逻辑运算公式。
具体地,以所述金属层版图数据的版图层包括X1、X2、X3、X4和X5为例,相应的,进行所述逻辑运算的步骤中,对X1、X2、X3、X4和X5进行所述“或”逻辑运算,所述逻辑运算公式为Mx=X1+X2+X3+X4+X5,其中,Mx表示某一层金属层,“+”表示“或”逻辑运算关系,且所述金属层的层次根据实际工艺需求而定,所述金属层可以为M1、M2等。
因此,所形成的标记版图结构200由标记版图层X1、X2、X3、X4和X5所对应的版图结构形成。当所述金属层版图数据的版图层完整时,X1、X2、X3、X4和X5所对应的版图结构围成闭环状的所述标记版图结构200。也就是说,所述标记版图结构200由5个部分组成,且所述标记版图结构200呈闭环状。
如图2所示,本实施例中,X1、X2、X3、X4和X5所对应的版图结构分别为L1、L2、L3、L4和L5,且L1、L2、L3、L4和L5围成所述闭环状的标记版图结构200。
所述版图结构L1、L2、L3、L4和L5具有两端,且版图结构L1、L2、L3、L4和L5的形状均为条形。具体地,所述标记版图结构200呈闭环状时,L2的一端与L1的一端相连,L3的一端与L2未与L1相连的一端相连,L4的一端与L3未与L2相连的一端相连,L5的一端与L4未与L3相连的一端相连,且L5的另一端与L1未与L2相连的一端相连。
需要说明的是,上述连接顺序仅为一示例,但不仅限于上述连接顺序,只要使L1、L2、L3、L4和L5围成标记版图结构200的形状为闭环状即可。
具体地,所述标记版图结构200呈闭环状时,所述标记版图结构200的形状为多边环形。
本实施例中,所述标记版图结构200的形状为方环形,例如正方形环或矩形环,从而可以降低版图设计的复杂性。如图2所示,以所述标记版图结构200的形状为正方形环为例进行说明。
版图结构L1、L2、L3、L4和L5的形状均为条形,因此沿所述标记版图结构200中心指向外围的方向上,L1、L2、L3、L4和L5的宽度尺寸需满足对应金属层版图结构的版图设计规则(Design Rule)。
在其他实施例中,当所述标记版图结构的形状为除方环形之外的其他环形时,所述标记版图结构的环边夹角设定需满足版图设计规则。例如所述标记版图结构的形状还可以为三边环形、六边形环或八边形环。
其中,根据所述闭环状标记版图结构200的具体形状和周长,可相应调整L1、L2、L3、L4和L5的长度。
还需要说明的是,形成所述金属层版图结构和标记版图结构200后,所述检测方法还包括:对所述金属层版图结构进行光学邻近修正(Optical Proximity Correct,OPC)技术,用于在集成电路生产的曝光工艺过程中,弥补由光学系统的有限分辨率造成的误差。
继续参考图1,结合参考图2和图3,图3示出了图1所示实施例中判定所述金属层版图结构缺失版图层的情况下所对应的标记版图结构的结构示意图。执行步骤S140,形成所述金属层版图结构(图未示)和标记版图结构200(如图2所示)后,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述光掩膜数据检测的步骤包括:判断所述标记版图结构200是否呈闭环状,以判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层。
由于所述金属层版图结构和所述标记版图结构200通过采用同一逻辑运算公式形成,且所述版图层和所述标记版图层相同,因此所述标记版图结构200可用于表征所述金属层版图结构,从而通过对所述标记版图结构200的检测即可实现对所述金属层版图结构的光掩膜数据检测。
本实施例中,当所述标记版图结构200呈闭环状时,判定所述金属层版图结构未缺失所述版图层;当所述标记版图结构200未呈闭环状时,判定所述金属层版图结构缺失所述版图层。
具体地,当所述标记版图结构200呈闭环状时,则表征:对所述标记版图单元数据中的标记版图层进行“或”逻辑运算后,所形成的标记版图结构200所包含的多个标记版图层仍旧完整。相应可以表征:对所述金属层版图数据中的版图层进行“或”逻辑运算后,所形成的金属层版图结构所包含的多个版图层仍旧完整。
如图3所示,当所述标记版图结构200未呈闭环状时,则表征:对所述标记版图单元数据中的标记版图层进行“或”逻辑运算后,所形成的标记版图结构200发生了版图层缺失的问题。相应可以表征:对所述金属层版图数据中的版图层进行“或”逻辑运算后,所形成的金属层版图结构发生了版图层缺失的问题。
所以,通过对所述标记版图结构200的形貌进行判断,就可以直观地判断出所述金属层版图结构是否缺失所述版图层。
本实施例中,在将芯片版图数据转化为金属层版图结构之前,提供了标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同,并将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算以形成金属层版图结构,并对所述标记版图层进行逻辑运算以形成标记版图结构200(如图2所示);因此所述标记版图结构200可用于表征所述金属层版图结构,在进行金属层版图结构的光掩膜数据检测的步骤中,判断所述标记版图结构是否呈闭环状,从而判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层,即当工程师对所述金属层版图结构进行光掩膜数据检测时,只需要判断所述标记版图结构200是否呈闭环状即可;也就是说,如果所述标记版图结构200完整,则可以判定所述金属层版图结构的所述版图层完整,如果所述标记版图结构200不完整,则可以判定所述金属层版图结构缺失所述版图层;所以通过所述光掩膜数据检测方法,可以简化光掩膜数据检测的工艺,即使是缺乏工艺经验或光掩膜数据检测经验的工程师(例如光罩厂的工程师)也可以完成所述检测工作,从而可以提高光掩膜数据检测的效率和准确性,且能够有系统地进行所述光掩膜数据检测。
此外,在光罩厂中将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中,并对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构、对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构200;相应的,在光罩厂中就可以对所形成的金属层版图结构进行光掩膜数据检测,因此可以及时地知晓所述金属层版图结构是否缺失版图层,以便于及时修正,从而避免时间和资源的浪费。
继续参考图2,示出了本发明监测结构一实施例的结构示意图。相应的,本发明还提供一种监测结构,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述金属层版图结构由多个版图层经逻辑运算形成,所述监测结构包括:
呈闭环状的标记版图结构200,所述标记版图结构200由所述金属层版图结构对应的版图层(Data Type)经逻辑运算(Logic Operation)形成,且形成所述标记版图结构200的逻辑运算公式与形成所述金属层版图结构的逻辑运算公式相同。
所述金属层版图结构用于制作具有金属层图形的掩膜版,所述标记版图结构200用于对所述金属层版图结构进行光掩膜数据检测。
在集成电路生产过程中,后端金属层通常采用“或”逻辑运算。因此,本实施例中,以所述逻辑运算公式为“或”逻辑运算公式为例进行说明。但所述逻辑运算公式不仅限于“或”逻辑运算公式。在其他实施例中,根据实际工艺需求,可选取相应的逻辑运算公式。
相应的,所述金属层版图结构是由版图层通过“或”逻辑运算形成的;因此,所述标记版图结构200是由所述金属层版图结构对应的版图层通过“或”逻辑运算形成的。
所述金属层版图数据为芯片版图数据的一部分。本实施例中,所述芯片版图数据的格式为GDS文件。但所述芯片版图数据的格式不仅限于此。
对所述GDS的具体描述可参考前述实施例的相应描述,在此不再赘述。
所述金属层版图数据的版图层根据不同金属层的实际设计而定。例如,所述版图层可以包包括主图形(Main Pattern)、冗余图形(Dummy Pattern)等。本实施例中,以所述金属层版图数据包括5种版图层为例进行说明,但不仅限于5种。
相应的,所述标记版图结构200由所述5种版图层通过“或”逻辑运算形成。
如图2所示,本实施例中,所述5种版图层所对应的版图结构分别为L1、L2、L3、L4和L5,且L1、L2、L3、L4和L5围成所述闭环状的标记版图结构200。
版图结构L1、L2、L3、L4和L5具有两端,且版图结构L1、L2、L3、L4和L5的形状均为条形。具体地,L2的一端与L1的一端相连,L3的一端与L2未与L1相连的一端相连,L4的一端与L3未与L2相连的一端相连,L5的一端与L4未与L3相连的一端相连,且L5的另一端与L1未与L2相连的一端相连。
需要说明的是,上述连接顺序仅为一示例,但不仅限于上述连接顺序,只要使L1、L2、L3、L4和L5围成标记版图结构200的形状为闭环状即可。
具体地,所述标记版图结构200的形状为多边环形。
本实施例中,所述标记版图结构200的形状为方环形,例如正方形环或矩形环,从而可以降低版图设计的复杂性。如图2所示,以所述标记版图结构200的形状为正方形环为例进行说明。
版图结构L1、L2、L3、L4和L5的形状均为条形,因此沿所述标记版图结构200中心指向外围的方向上,L1、L2、L3、L4和L5的宽度尺寸需满足相对应金属层版图结构的版图设计规则。
在其他实施例中,当所述标记版图结构的形状为除方环形之外的其他环形时,所述标记版图结构的环边夹角设定需满足版图设计规则。例如所述标记版图结构的形状还可以为三边环形、六边形环或八边形环。
其中,L1、L2、L3、L4和L5的长度根据所述闭环状标记版图结构200的具体形状和周长而定。
本实施例中,所述金属层版图结构所对应标记版图结构200的数量为1个。在集成电路生产中,后端金属层的层数通常为多层,例如,M1、M2……TM(Top Metal),相应的,每一层金属层的金属层版图结构所对应标记版图结构200的数量为一个。
所述标记版图结构200由所述金属层版图结构对应的版图层经逻辑运算形成,且形成所述标记版图结构200的逻辑运算公式与形成所述金属层版图结构的逻辑运算公式相同,因此对于每一层金属层的金属层版图结构而言,仅通过一个标记版图结构200,就可实现对所述金属层版图结构进行光掩膜数据检测,从而可以避免资源的浪费。
在其他实施例中,所述金属层版图结构所对应标记版图结构200的数量还可以为多个,即每一层金属层的金属层版图结构所对应的标记版图结构200的数量为多个。
本实施例中,所述监测结构用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,且所述金属层版图结构由多个版图层经逻辑运算形成;所述监测结构包括呈闭环状的标记版图结构200(如图2所示),所述标记版图结构200由所述金属层版图结构对应的版图层经逻辑运算形成,且形成所述标记版图结构200的逻辑运算公式与形成所述金属层版图结构的逻辑运算公式相同。因此所述标记版图结构200可用于表征所述金属层版图结构,当对所述金属层版图结构的光掩膜数据检测时,只需要判断所述标记版图结构是否呈闭环状即可;也就是说,如果所述标记版图结构完整,则可以判定所述金属层版图结构的所述版图层完整,如果所述标记版图结构不完整,则可以判定所述金属层版图结构缺失所述版图层;所以,通过所述监测结构,可以简化光掩膜数据检测的工艺,即使是缺乏工艺经验或光掩膜数据检测经验的工程师(例如光罩厂的工程师)也可以完成所述检测工作,从而可以提高光掩膜数据检测的效率和准确性。
参考图4,示出了本发明掩膜版一实施例的结构示意图。相应的,本发明还提供一种采用前述监测结构制成的掩膜版,所述掩膜版300包括:
图案区310,所述图案区310内具有金属层图形(图未示),所述金属层图形采用所述金属层版图结构制成;环绕所述图案区310的切割道区320,所述切割道区320内具有监测图形330,所述监测图形330采用所述监测结构制成。
在集成电路生产过程中,所述掩膜版300作为半导体工艺过程中进行光刻工艺的光掩膜版,在将掩膜版300应用到半导体工艺制程中时,将所述掩膜版300图案区310的设计图形传递至晶圆(Wafer)上,以制造集成电路产品。
本实施例中,通过所述掩膜版300,将所述金属层图形传递至晶圆上,以形成金属结构。
在集成电路生产中,后端金属层的层数通常为多层,例如,M1、M2……TM(TopMetal),相应的,每一层金属层图形传递至晶圆(Wafer)上,形成相对应的金属层结构。
本实施例中,所述金属层图形采用所述金属层版图结构制成,所述监测图形330采用前述实施例中的标记版图结构200(如图2所示)制成。其中,制造掩膜版的过程中即为将金属层版图结构和标记版图结构转化为掩膜图形的过程。
因此所述监测图形330的形状根据所述标记版图结构200的形状而定。所述标记版图结构200呈闭环状,相应的,所述监测图形330呈闭环状。具体地,所述监测图形330的形状为多边环形。
前述实施例中,所述标记版图结构200的形状为方环形,相应的,所述监测图形330的形状也为方环形,例如正方形环或矩形环。
在其他实施例中,当所述标记版图结构的形状为除方环形之外的其他环形时,相应的,所述监测图形的形状也为除方环形之外的其他环形时,例如所述监测图形的形状还可以为三边环形、六边形环或八边形环。
前述实施例中,每一层金属层的金属层版图结构所对应标记版图结构200的数量为一个,相应的,本实施例中,每一层金属层所对应的监测图形330的数量为一个,从而可以节省所述监测图形330在所述掩膜版300切割道区320内所占据的空间。
在其他实施例中,每一层金属层所对应的监测图形的数量还可以为多个。
本实施例中,所述监测图形330位于所述切割道区320在行方向(如图4中X方向所示)的特定位置处,或者位于所述切割道区320在列方向(如图4中Y方向所示)的特定位置处。
如图4所示,所述监测图形330位于所述切割道区320在列方向的特定位置处。
需要说明的是,图4所示位置仅为一示例,并不仅限于所述位置处。
本实施例中,所述掩膜版300包括图案区310,所述图案区310内具有金属层图形(图未示),所述金属层图形采用金属层版图结构制成;环绕所述图案区的切割道区320,所述切割道区320内具有监测图形330,所述监测图形330采用本发明所述监测结构制成。所述监测结构包括呈闭环状的标记版图结构200(如图2所示),由于所述标记版图结构200可用于对金属层版图结构进行光掩膜数据检测,因此所述掩膜版300中金属层图形的准确性较高;且所述监测图形330位于所述切割道区320内,还可以避免出现监测图形330占用所述图案区310位置的问题,以免对制成的集成电路产品造成影响。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (17)
1.一种光掩膜数据检测方法,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,其特征在于,包括:
提供芯片版图数据,所述芯片版图数据包括金属层版图数据,所述金属层版图数据包括多个版图层;
提供标记版图单元数据,所述标记版图单元数据包括多个标记版图层,且所述标记版图单元数据的标记版图层与所述金属层版图数据的版图层相同;
将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;
将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中后,采用同一逻辑运算公式,对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构,并对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构;
形成所述金属层版图结构和标记版图结构后,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述光掩膜数据检测的步骤包括:判断所述标记版图结构是否呈闭环状,以判断所述金属层版图结构是否缺失所述版图层。
2.如权利要求1所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测的步骤中,所述标记版图结构呈闭环状时,判定所述金属层版图结构未缺失所述版图层;
所述标记版图结构未呈闭环状时,判定所述金属层版图结构缺失所述版图层。
3.如权利要求1所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,所述标记版图结构呈闭环状,所述标记版图结构的形状为多边环形。
4.如权利要求1或3所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,所述标记版图结构呈闭环状,所述标记版图结构的形状为方环形。
5.如权利要求1所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中的步骤中,采用光掩膜布局软件,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中。
6.如权利要求1所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,所述逻辑运算公式为“或”逻辑运算公式。
7.如权利要求1所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,在光罩厂中,将所述标记版图单元数据加入至所述芯片版图数据中;
在光罩厂中,对所述版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构、对所述标记版图层进行逻辑运算形成标记版图。
8.如权利要求1所述的光掩膜数据检测方法,其特征在于,在光罩厂中,进行金属层版图结构的光掩膜数据检测。
9.一种监测结构,用于金属层版图结构的光掩膜数据检测,所述金属层版图结构由多个版图层经逻辑运算形成,其特征在于,所述监测结构包括:
呈闭环状的标记版图结构,所述标记版图结构由所述金属层版图结构对应的版图层经逻辑运算形成,且形成所述标记版图结构的逻辑运算公式与形成所述金属层版图结构的逻辑运算公式相同。
10.如权利要求9所述的监测结构,其特征在于,所述标记版图结构的形状为多边环形。
11.如权利要求9或10所述的监测结构,其特征在于,所述标记版图结构的形状为方环形。
12.如权利要求9所述的监测结构,其特征在于,所述逻辑运算公式为“或”逻辑运算公式。
13.如权利要求9所述的监测结构,其特征在于,所述金属层版图结构所对应标记版图结构的数量为一个或多个。
14.一种采用如权利要求9至13任一项所述监测结构制成的掩膜版,其特征在于,包括:
图案区,所述图案区内具有金属层图形,所述金属层图形采用所述金属层版图结构制成;
环绕所述图案区的切割道区,所述切割道区内具有监测图形,所述监测图形采用所述监测结构制成。
15.如权利要求14所述的掩膜版,其特征在于,所述监测图形的形状为多边环形。
16.如权利要求14或15所述的掩膜版,其特征在于,所述监测图形的形状为方环形。
17.如权利要求14所述的掩膜版,其特征在于,所述金属层图形所对应监测图形的数量为一个或多个。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710159913.1A CN108628090B (zh) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | 光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710159913.1A CN108628090B (zh) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | 光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108628090A true CN108628090A (zh) | 2018-10-09 |
CN108628090B CN108628090B (zh) | 2021-03-19 |
Family
ID=63686866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710159913.1A Active CN108628090B (zh) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | 光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108628090B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112652521A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版 |
CN114091291A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-02-25 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101498896A (zh) * | 2008-01-29 | 2009-08-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法 |
CN203825358U (zh) * | 2014-05-04 | 2014-09-10 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种光掩膜版 |
-
2017
- 2017-03-17 CN CN201710159913.1A patent/CN108628090B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101498896A (zh) * | 2008-01-29 | 2009-08-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法 |
CN203825358U (zh) * | 2014-05-04 | 2014-09-10 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种光掩膜版 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112652521A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版 |
CN112652521B (zh) * | 2019-10-10 | 2022-09-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版 |
CN114091291A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-02-25 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
CN114091291B (zh) * | 2022-01-24 | 2022-04-19 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108628090B (zh) | 2021-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI353538B (en) | Mask design method, dangerous area verification mo | |
CN103091971B (zh) | 掩模板及其制造方法、以及监测掩模板雾状污染的方法 | |
JP4976681B2 (ja) | パターン形状評価方法およびパターン形状評価プログラム | |
KR0156422B1 (ko) | 반도체장치 제조용 레티클 | |
CN101192007B (zh) | 掩膜版、掩膜版的版图设计方法和缺陷修复方法 | |
WO2007123238A1 (ja) | 不良原因設備特定システム | |
CN108628090A (zh) | 光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版 | |
KR20160138778A (ko) | 오버레이 교정 데이터를 수정하는 방법 | |
US20070202664A1 (en) | Chip ID applying method suitable for use in semiconductor integrated circuit | |
JP2010050148A (ja) | 合わせずれ測定方法および合わせずれ検査マーク | |
US20120227017A1 (en) | Multifeature test pattern for optical proximity correction model verification | |
JP4851924B2 (ja) | 危険箇所集計方法、パターン修正方法およびプログラム | |
CN101713912A (zh) | 光刻光掩模、对准方法和检验对准精确度的方法 | |
KR100529445B1 (ko) | 마스크의 제조방법 | |
JP2005175270A (ja) | 位置ずれ検出用マーク | |
JP2007081293A (ja) | 検査方法、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2011061236A (ja) | 半導体装置 | |
CN102522360B (zh) | 光刻对准精度检测方法 | |
JP5606369B2 (ja) | パターン修正方法および半導体装置の製造方法 | |
CN104183513B (zh) | 一种半导体器件的检测方法 | |
JP2007333783A (ja) | 露光用マスクの検査装置、検査方法、製造方法および露光用マスク | |
CN113589641B (zh) | 相移掩模的制作方法 | |
KR101179270B1 (ko) | 오버레이 버니어 및 이를 이용한 오버레이 정확도 측정방법 | |
JP2007173435A (ja) | 最適フォーカス位置検出方法及び半導体装置の製造方法 | |
CN111508825B (zh) | 一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |