CN114086246B - 籽晶托 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种籽晶托，所述籽晶托包括：中心部和环绕组件，环绕组件包括多个依次套设的环形部，位于中心的环形部为内环形部，位于最外侧的环形部为外环形部，内环形部套设在中心部上，沿环绕组件径向向外的方向上，相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的热导系数大于位于外侧的环形部的热导系数，内环形部的热导系数小于中心部的热导系数，中心部的轴向一端的端面和环绕组件的同一轴向一端的端面共同形成籽晶承载面。根据本发明的籽晶托，沿径向向外的方向上，通过将籽晶托的热导系数依次降低，从而可以调节籽晶表面温场，使籽晶的生长速率变为可控制变量，提高晶体质量。

Description

籽晶托

技术领域

本发明涉及碳化硅晶体生长装置的技术领域，尤其是涉及一种籽晶托。

背景技术

相关技术中，碳化硅(SiC)为第三代半导体材料，具有临界击穿电场强度高、热导率高、化学稳定性好等优良的物理化学特性。目前，生长大尺寸体块碳化硅单晶采用的是物理气相传输法，在实际的生长过程中，由于靠近坩埚壁一侧的温度更高，导致籽晶表面产生大的正径向热梯度，生长后晶体侧翼陡峭，生成大量宏观台阶，导致边缘处多种晶态共存与缺陷产生。针对此种问题，现有技术中，通过改变热场或工艺本身来解决。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种籽晶托，可直接调节籽晶生长界面的生长速率。

根据本发明实施例的籽晶托，包括：中心部；环绕组件，所述环绕组件包括多个依次套设的环形部，位于中心的所述环形部为内环形部，位于最外侧的所述环形部为外环形部，所述内环形部套设在所述中心部上，沿所述环绕组件径向向外的方向上，相邻的两个所述环形部中的位于内侧的所述环形部的热导系数大于位于外侧的所述环形部的热导系数，所述内环形部的热导系数小于所述中心部的热导系数，所述中心部的轴向一端的端面和所述环绕组件的同一轴向一端的端面共同形成籽晶承载面。

根据本发明实施例的籽晶托，通过将中心部的热导系数设为最高，同时，在沿环绕组件径向向外的方向上，将环绕组件的热导系数依次降低，从而可以不用改变热场及工艺，通过直接调节籽晶表面温场，使籽晶生长界面的生长速率变为可控制变量，可以直接在籽晶表面建立不同的生长速率，有利于碳化硅晶体在生长初期开始横向膨胀生长，从而实现有效扩径，提高晶体质量，进而有效控制和改善碳化硅晶体生长界面形貌。

根据本发明的一些实施例，所述籽晶托的过所述籽晶托轴线的任意横截面均为关于轴线对称的图形。

在本发明的一些实施例中，沿所述环形部的周向方向，所述环形部的宽度相等。

根据本发明的一些实施例，所述中心部的半径大于所述内环形部的宽度，沿所述环绕组件径向向外的方向上，相邻的两个所述环形部中的位于内侧的所述环形部的宽度大于位于外侧的所述环形部的宽度。

根据本发明的一些实施例，沿径向向外的方向，所述中心部的厚度逐渐增大，所述环绕组件的厚度逐渐增大，且所述环绕组件的最小厚度大于等于所述中心部的最大厚度。

根据本发明的一些实施例，所述籽晶承载面为朝向所述中心部的远离所述籽晶承载面的一端方向凹入的球形面。

在本发明的一些实施例中，所述中心部和所述环绕组件的远离所述籽晶承载面的表面共面。

根据本发明的一些实施例，所述中心部与所述内环形部可拆卸的连接，相邻的两个所述环形部可拆卸的连接。

根据本发明的一些实施例，所述中心部与所述环绕组件为一体成型件。

根据本发明的一些实施例，还包括：限位部，所述限位部为环形，所述限位部与所述外环形部的轴向一端可拆卸的连接，所述限位部与所述外环形部之间限定出用于固定所述籽晶的限位槽。

根据本发明的一些实施例，所述籽晶承载面上设有胶黏层。

根据本发明的一些实施例，所述中心部和所述环绕组件为孔隙率不同的石墨件，沿所述环绕组件径向向外的方向上，相邻的两个所述环形部中的位于内侧的所述环形部的孔隙率小于位于外侧的所述环形部的孔隙率，所述内环形部的孔隙率大于所述中心部的孔隙率。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的籽晶托的剖视图(籽晶托为石墨件)；

图2是根据本发明实施例的籽晶托和籽晶的剖视图(籽晶托为金属件)；

图3是根据本发明实施例的籽晶托和籽晶的剖视图(籽晶托包括紧固件)；

图4是根据本发明实施例的籽晶托的俯视图。

附图标记：

100、籽晶托；

1、中心部；

2、环绕组件；21、内环形部；22、外环形部；

3、限位部；31、限位槽；

4、籽晶承载面；

5、紧固件；

6、籽晶。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参考附图描述根据本发明实施例的籽晶托100。

如图1-图4所示，根据本发明一个实施例的籽晶托100，包括：中心部1和环绕组件2。

如图1和图4所示，环绕组件2包括多个依次套设的环形部，位于中心的环形部为内环形部21，位于最外侧的环形部为外环形部22，内环形部21套设在中心部1上。

需要说明的是，套设仅是指中心部1与环绕组件2以及各环形部之间的位置关系。例如，环形组件2内的多个环形部沿径向方向排布，沿径向方向相邻的两个环形部中位于外侧的环形部围绕位于内侧的环形部，且位于外侧的环形部的内周壁与位于内侧的环形部的外周壁连接，位于径向最内侧的内环形部21围绕中心部设置，内环形部21的内周壁与中心部1的外周壁连接。

其中，在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或者两个以上。例如，多个依次套设的环形部可以为两个、三个、四个、五个等。多个依次套设的环形部的具体数量，可以根据籽晶托100的具体规格型号调整设计，本发明对此不作限定。

具体地，当环形部为两个时，外环形部22直接套设在内环形部21上，当环形部为两个以上时，内环形部21和外环形部22之间可以套设至少一个环形部。

在图1-图4所示的示例中，环形部为两个，两个环形部中位于内侧的环形部为内环形部21，位于外侧的环形部为外环形部22，外环形部22套设在内环形部21上，内环形部21套设在中心部1上。

如图1和图4所示，沿环绕组件2径向向外的方向上，相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的热导系数大于位于外侧的环形部的热导系数，内环形部21的热导系数小于中心部1的热导系数。也就是说，中心部1具有最高的热导系数，内环形部21的热导系数小于中心部1的热导系数，位于内环形部21外侧的环形部的热导系数沿环绕组件2径向向外的方向逐渐降低。例如，在图1-图4所示的示例中，内环形部21的热导系数小于中心部1的热导系数，外环形部22的热导系数小于内环形部21的热导系数。

具体地，由于中心部1具有最高的热导系数，相比于导热系数较低的内环形部21的导热系数，使得对应中心部1的籽晶6中心区域的局部轴向温度梯度最大。沿环绕组件2径向向外的方向上，由于相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的热导系数大于外侧的环形部的热导系数，则轴向方向上的温度梯度逐渐减小。例如，内环形部21的热导系数比中心部1的热导系数低，内环形部21轴向方向上的温差梯度减小。位于最外侧的外环形部22的热导系数最低，则对应外环形部22的籽晶6边缘区域的局部轴向温度梯度最小。这样可以使中心部1的轴向温度梯度比环绕组件2轴向温度梯度大，进而实现籽晶托100温场调控的效果。

由此，当籽晶6在籽晶托100上进行单晶生长时，由于籽晶托100中心部1的热导系数大于环绕组件2的热导系数，轴向温度梯度最大，使籽晶6中心区域的长晶速度快。由于环绕组件2的热导系数沿环绕组件2径向向外的方向上是逐渐降低的，因此，环绕组件2的轴向温度梯度沿环绕组件2径向向外的方向上逐渐减小，使对应的籽晶6区域的长晶速度逐渐减慢，与外环形部22对应的籽晶6区域的长晶速度最慢，从而使籽晶6中心区域的生长速率大于环绕组件2所对应的籽晶6区域的生长速率。

因此，通过设置该籽晶托100，可以直接在籽晶6表面建立不同的生长速率，有利于碳化硅晶体在生长初期开始横向膨胀生长，从而实现有效扩径，提高晶体质量，进而有效控制和改善碳化硅晶体生长界面形貌。

其中，在生长初期，外环形部22对应的籽晶6区域的生长率V1略小于中心部1对应的籽晶6中心区域的生长率V2，V1/V2≈0.95-0.96。例如，V1/V2≈0.95、0.951、0.952、0.953、0.954、0.955、0.956、0.957、0.958、0.959或0.96等。

如图1所示，中心部1的轴向一端的端面和环绕组件2的同一轴向一端的端面共同形成籽晶承载面4。这样设置使籽晶6可以设在籽晶承载面4上。

根据本发明实施例的籽晶托100，通过将中心部1的热导系数设为最高，同时，在沿环绕组件2径向向外的方向上，将环绕组件2的热导系数依次降低，从而可以不用改变热场及工艺，通过直接调节籽晶6表面温场，使籽晶6生长界面的生长速率变为可控制变量，可以直接在籽晶6表面建立不同的生长速率，有利于碳化硅晶体在生长初期开始横向膨胀生长，从而实现有效扩径，提高晶体质量，进而有效控制和改善碳化硅晶体生长界面形貌。

根据本发明的一些实施例，籽晶托100的导热系数可以是渐进式的，沿径向向外的方向，中心部1的热导系数可以是逐渐减小的，环绕组件2环形部的热导系数也可以是逐渐减小的。这样设置更有利于控制和改善晶体生长界面形貌，提高晶体质量。

根据本发明的一些实施例，如图1-图4所示，籽晶托100的过籽晶托100轴线的任意横截面均为关于轴线对称的图形。具体地，籽晶托100的过籽晶托100轴线的任意横截面中，中心部1关于轴线对称，环绕组件2中的每个环形部关于轴线对称，限位部3也关于轴线对称。这样设置可以使籽晶6表面温度分布均匀，减少籽晶6的生长缺陷。

根据本发明的一些实施例，如图1所示，沿环形部的周向方向，环形部的宽度相等。具体地，沿环形部的周向方向，任意一个环形部的内周壁到外周壁的距离均相等。这样设置可以进一步保障籽晶6表面温度分布均匀，减少籽晶6的生长缺陷，提高晶体的质量。

根据本发明的一些实施例，如图1和图4所示，中心部1的半径大于内环形部21的宽度，沿环绕组件2径向向外的方向上，相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的宽度大于位于外侧的环形部的宽度。也就是说，中心部1的半径最大，沿环绕组件2径向向外的方向上，环形部的宽度逐渐减小。

现有技术中，在籽晶的实际生长过程中，由于靠近坩埚壁的一侧温度更高，导致籽晶表面产生大的正径向热梯度(温度从坩埚轴线朝向坩埚壁沿径向增加)，生长后晶球侧翼陡峭，生成大量宏观台阶，导致边缘处多种晶态共存与缺陷产生。在本申请中，中心部1的半径大于内环形部21的宽度，沿环绕组件2径向向外的方向上，相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的宽度大于位于外侧的环形部的宽度，这样设置可以扩大籽晶6表面中心凸出的区域，避免籽晶托100靠近坩埚壁的一侧产生过大的径向温度区，从而避免多晶和缺陷的产生，同时这样设置使径向的热导系数是慢慢变化的，避免径向的温度梯度出现剧烈变化，从而有利于促进单晶的中心区域扩大，降低甚至消除晶体的边缘多晶部分。

根据本发明的一些实施例，如图1所示，沿径向向外的方向，中心部1的厚度逐渐增大，环绕组件2的厚度逐渐增大，且环绕组件2的最小厚度大于等于中心部1的最大厚度。这样设置可以使籽晶6表面温度分布均匀，减少籽晶6的生长缺陷，提高晶体质量。

例如，在图1所示的实施例中，沿径向向外的方向，在籽晶承载面4的一侧，中心部1、内环形部21和外环形部22的厚度均逐渐增大，内环形部21的最小厚度等于中心部1的最大厚度，外环形部22的最小厚度等于内环形部21的最大厚度。

根据本发明的一些实施例，如图1-图3所示，籽晶承载面4为朝向中心部1的远离籽晶承载面4的一端方向凹入的球形面。这样设置使籽晶6可以进一步达到微凸的生长界面，同时还可以实现高质量的扩径。

现有技术中，籽晶托的结构为平面状，平面状的籽晶由于生长室内径向温度的存在，导致籽晶表面温度分布不均匀，使籽晶在生长的过程中，中间区域出现过凸或过凹的现象。在本申请中，通过设计与半球状籽晶6相配合的籽晶承载面4，再利用具有不同热导系数材料的导热体特性，使籽晶6的生长速率变为可控变量，可以直接在籽晶6背面建立不同的生长速率，使晶体的中间区域生长快些，两侧边缘生长慢些，使向内凸的籽晶6的中间区域可以以较快的生长速率逐渐赶上至慢慢超过两侧边缘速度较慢的，最终可以实现籽晶6生长界面的微凸。

根据本发明的一些实施例，如图1所示，籽晶承载面4的弧度为60-120°。由此可以更好地使籽晶6达到微凸的生长界面，提高晶体的质量。例如，籽晶承载面4的弧度可以为60°、65°、68°、70°、75°、78°、80°、85°、88°、90°、95°、98°、100°、105°、108°、110°、115°或120°等。

优选地，籽晶承载面4的弧度为120°。

根据本发明的一些实施例，如图1所示，籽晶承载面4的深度为0.05-0.3mm。具体地，籽晶承载面4最高点到籽晶承载面4的最低点的垂直距离为籽晶承载面4的深度，例如，在图1所示的实施例中，深度为图1中所示的H，籽晶承载面4的最高点位于中心部1上，最低点位于外环形部22与限位部3接触的平面上。通过使籽晶承载面4的深度为0.05-0.3mm，进一步对籽晶承载面4的形状进行限定，从而可以更有利于籽晶6达到微凸的生长界面，进一步提高晶体的质量。

例如，籽晶承载面4的深度可以为0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm、0.1mm、0.11mm、0.13mm、0.14mm、0.15mm、0.18mm、0.2mm、0.23mm、0.25mm、0.26mm、0.28mm或0.3mm等。

优选地，籽晶承载面4的深度为0.3mm。

根据本发明的一些实施例，如图1和图4所示，中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面共面。这样设置便于对籽晶托100进行加工，同时也便于籽晶托100的固定。

当沿径向向外的方向，中心部1的厚度逐渐增大，环绕组件2的厚度逐渐增大，且环绕组件2的最小厚度大于等于中心部1的最大厚度时，可以是如图1所示的中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面在同一平面内，沿径向向外的方向，籽晶承载面向下倾斜。当然，本发明不限于此，也可以是籽晶承载面为平齐的平面，沿径向向外的方向，中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面向上倾斜；还可以是沿径向向外的方向，中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面和籽晶承载面向上或向下倾斜，其中，沿径向向外的方向，可以是中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面和籽晶承载面均向上倾斜，也可以是中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面和籽晶承载面均向下倾斜，还可以是中心部1和环绕组件2的远离籽晶承载面4的表面向上倾斜，籽晶承载面向下倾斜。

根据本发明的一些实施例，中心部1与内环形部21可拆卸的连接，相邻的两个环形部可拆卸的连接。具体地，中心部1、环形组件和限位部3均为分体件。这样设置便于对中心部1和环形组件的更换，使籽晶托100可以更换不同热导系数的中心部1或环形组件，从而可以对工艺进行优化，可以更好地调制籽晶6表面的温度，同时便于对不同热导系数的部件进行加工，另外，外环形部22与限位部3的可拆卸连接可以便于对籽晶6的安装。

可选地，可以通过卡扣实现中心部1与内环形部21可拆卸的连接，可以通过卡扣实现相邻的两个环形部可拆卸的连接，可以通过卡扣实现外环形部22和限位部3可拆卸的连接。

根据本发明的一些实施例，中心部1与环绕组件2为一体成型件。这样设置可以省去多余的连接件和连接工序，提高了中心部1与环绕组件2的连接强度。

根据本发明的一些实施例，如图1-图3所示，籽晶托100还包括限位部3，限位部3为环形，限位部3与外环形部22的轴向一端可拆卸的连接，限位部3与外环形部22之间限定出用于固定籽晶6的限位槽31。这样设置可以直接将籽晶6固定在籽晶托100上，结构简单，操作方便，同时也可以有利于碳化硅晶体在生长初期开始横向膨胀生长，可以实现有效扩径。

根据本发明的一些实施例，如图3所示，籽晶托100还包括紧固件5，紧固件5穿设在限位部3上，紧固件5的一端适于伸入限位槽31内与籽晶6止抵。具体地，可以将籽晶6放置于籽晶承载面4上，然后再安装限位部3，使籽晶6卡设在限位槽31内，再将紧固件5穿设在限位部3上，紧固件5的一端伸入限位槽31内与籽晶6止抵，从而将籽晶6固定。这样设置可以防止因支撑力不足导致籽晶6与籽晶承载面4发生位移，提高了籽晶托100的夹持的牢固性，同时也可以提高籽晶6表面温度的均匀性，从而显著提高晶体的质量。其中，紧固件5可以为多个，多个紧固件5间隔均匀地设在限位部3上。

根据本发明的一些实施例，如图2和图3所示，籽晶承载面4上设有胶黏层。具体地，可以先将粘结剂涂抹在籽晶承载面4上，然后安装籽晶6，待粘结剂固化后，安装限位部3，再将紧固件5穿设在限位部3上，紧固件5的一端伸入限位槽31内与籽晶6止抵，从而将籽晶6固定。这样设置可以通过粘接的方式将籽晶6粘接在籽晶承载面4上，提高了籽晶托100的夹持的牢固性，操作简单、固定方便。

需要说明的是，也可以不使用紧固件5对籽晶6进行固定，可以通过粘结剂和限位部3的配合对籽晶6进行固定，也可以通过仅限位部3对籽晶6进行固定，其中，不用粘结剂可以减少高温下粘结剂反应、挥发导致的缺陷。

根据本发明的一些实施例，如图4所示，籽晶托100为圆柱状或立方体状。具体地，当籽晶托100为圆柱状时，中心部1为圆形，环形部和限位部3均为圆环形；当籽晶托100为立方体状时，中心部1为正方形，环形部和限位部3均为正方环形。这样设置形状简单、加工方便，有利于提高晶体的质量。

根据本发明的一些实施例，籽晶托100为圆柱状，籽晶托100的直径为120-220mm。由此，籽晶托100可以适应4寸、6寸及8寸的籽晶6。例如，籽晶托100的直径可以为120mm、125mm、128mm、130mm、135mm、138mm、140mm、145mm、148mm、150mm、155mm、158mm、160mm、165㎜、170㎜、175㎜、180㎜、190㎜、200㎜、210㎜、220㎜等。

例如，在图1所示的实施例中，籽晶托100为圆柱状，籽晶托100包括中心部1、内环形部21和外环形部22。其中，中心部1的直径为90-106mm，内环形部21的宽度为20-29mm，外环形部22的宽度为5-13mm。例如中心部1的直径可以为90mm、91mm、92mm、93mm、94mm、95mm、96mm、97mm、98mm、99mm、100mm、101mm、102mm、103mm、104mm、105mm或106mm等，内环形部21的宽度可以为20mm、21mm、22mm、23mm、24mm、25mm、26mm、27mm、28mm或29mm等，外环形部22的宽度可以为5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm、11mm、12mm或13mm等。优选地，中心部1的直径为96mm，内环形部21的宽度为24mm，外环形部22的宽度为8mm。中心部1的半径大于所述内环形部21的宽度，外环形部22的宽度小于内环形部21的宽度，，避免籽晶托100靠近坩埚壁的一侧产生过大的径向温度区，从而避免多晶和缺陷的产生，同时也使径向的热导系数慢慢变化，避免径向的温度梯度出现剧烈变化，从而有利于促进单晶的中心区域扩大，降低甚至消除晶体的边缘多晶部分。

根据本发明的一些实施例，籽晶托100为立方体状，籽晶托100的长和宽为120-160mm。由此可以使籽晶托100可以适应4寸、6寸及8寸的籽晶6。具体地，由于籽晶托100为立方体状，则中心部1为正方形，环形部和限位部3均为正方环形，则籽晶托100的长和宽均相等，均为120-220mm。例如，籽晶托100的长和宽均可以为120mm、125mm、128mm、130mm、135mm、138mm、140mm、145mm、148mm、150mm、155mm、158mm、160mm、165㎜、170㎜、175㎜、180㎜、190㎜、200㎜、210㎜、220㎜等。

根据本发明的一些实施例，如图1和图2所示，中心部1和环绕组件2为孔隙率不同的石墨件，沿环绕组件2径向向外的方向上，相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的孔隙率小于位于外侧的环形部的孔隙率，内环形部21的孔隙率大于中心部1的孔隙率。这样设置可以进一步提高晶体的质量。

可选地，籽晶托100可以为石墨件、金属件或合金件。当籽晶托100为石墨件时，中心部1和环绕组件2可以为孔隙率不同的石墨件，限位部3和紧固件5可以为普通石墨。具体地，沿环绕组件2径向向外的方向上，相邻的两个环形部中的位于内侧的环形部的孔隙率小于位于外侧的环形部的孔隙率，内环形部21的孔隙率大于中心部1的孔隙率。其中，孔隙率越小，多孔石墨热导系数越高，可以通过激光脉冲法测量不同温度下石墨材料的热导系数，对籽晶托100进行进一步优化。

当籽晶托100为金属件或合金时，中心部1和环绕组件2可以为不同热导系数的高温金属或合金，限位部3和紧固件5可以为普通金属件。

优选地，籽晶托100的为石墨件，即中心部1、环绕组件2、限位部3、紧固件5均为石墨件。

例如，在本发明的一个实施例中，籽晶托100为一体成型的石墨件，中心部1、内环形部21和外环形部22为多孔石墨，在径向向外的方向上，中心部1的孔隙率最小，小于内环形部21的孔隙率，内环形部21的孔隙率小于外环形部22的孔隙率。通过在中心部1、内环形部21和外环形部22区域开设不同的密度孔隙，使得在径向向外方向上热导热系数逐渐减小。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种籽晶托(100)，其特征在于，包括：

中心部(1)；

环绕组件(2)，所述环绕组件(2)包括多个依次套设的环形部，位于中心的所述环形部为内环形部(21)，位于最外侧的所述环形部为外环形部(22)，所述内环形部(21)套设在所述中心部(1)上，沿所述环绕组件(2)径向向外的方向上，相邻的两个所述环形部中的位于内侧的所述环形部的热导系数大于位于外侧的所述环形部的热导系数，所述内环形部(21)的热导系数小于所述中心部(1)的热导系数，所述中心部(1)的轴向一端的端面和所述环绕组件(2)的同一轴向一端的端面共同形成籽晶承载面(4)，所述籽晶承载面(4)为朝向所述中心部(1)的远离所述籽晶承载面(4)的一端方向凹入的球形面。

2.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，所述籽晶托(100)的过所述籽晶托(100)轴线的任意横截面均为关于轴线对称的图形。

3.根据权利要求2所述的籽晶托(100)，其特征在于，沿所述环形部的周向方向，所述环形部的宽度相等。

4.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，所述中心部(1)的半径大于所述内环形部(21)的宽度，沿所述环绕组件(2)径向向外的方向上，相邻的两个所述环形部中的位于内侧的所述环形部的宽度大于位于外侧的所述环形部的宽度。

5.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，沿径向向外的方向，所述中心部(1)的厚度逐渐增大，所述环绕组件(2)的厚度逐渐增大，且所述环绕组件(2)的最小厚度大于等于所述中心部(1)的最大厚度。

6.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，所述中心部(1)和所述环绕组件(2)的远离所述籽晶承载面(4)的表面共面。

7.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，所述中心部(1)与所述内环形部(21)可拆卸的连接，相邻的两个所述环形部可拆卸的连接，

或所述中心部(1)与所述环绕组件(2)为一体成型件。

8.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，还包括：

限位部(3)，所述限位部(3)为环形，所述限位部(3)与所述外环形部(22)的轴向一端可拆卸的连接，所述限位部(3)与所述外环形部(22)之间限定出用于固定所述籽晶(6)的限位槽(31)。

9.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，所述籽晶承载面(4)上设有胶黏层。

10.根据权利要求1所述的籽晶托(100)，其特征在于，所述中心部(1)和所述环绕组件(2)为孔隙率不同的石墨件，沿所述环绕组件(2)径向向外的方向上，相邻的两个所述环形部中的位于内侧的所述环形部的孔隙率小于位于外侧的所述环形部的孔隙率，所述内环形部(21)的孔隙率大于所述中心部(1)的孔隙率。

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