CN114078994B - 微型led芯片转移方法及显示背板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微型LED芯片转移方法及显示背板。在生长有微型LED芯片的生长基板上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层后，在第一胶层上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽，并在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构；在转移时，将生长基板生长有微型LED芯片的一面与转移基板设置有粘附层的一面贴合，然后去除第一胶层和生长基板；保留的支撑结构将微型LED芯片支撑于转移基板上；这样在从转移基板上拾取微型LED芯片时，被拾取的微型LED芯片可直接与支撑结构的至少一部分脱离完成拾取，简化了微型LED芯片转移工艺，提升了芯片转移的便捷性和效率，并可缩短显示背板的制作周期，降低制作成本。

Description

微型LED芯片转移方法及显示背板
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种微型LED芯片转移方法及显示背板。
背景技术
目前，micro-LED(micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)面临的一个关键技术就是要通过巨量转移将micro-LED芯片转移到显示背板上。相关技术中，一般会通过在第一临时基板上设置可解粘的胶层，通过该可解粘胶层通过粘附将micro-LED芯片从生长基板上转移至第一临时基板，再使用第二临时基板将micro-LED芯片从第一临时基板转移至显示背板。在这个过程因第一临时基板上的胶层对micro-LED芯片粘附力强，需要对第一临时基板上的胶层通过光或热的方式进行解粘，才能实现将micro-LED芯片转移到第二基板，使用这种LED芯片转移方法工艺较为复杂，且转移效率低。
因此，如何实现LED芯片便捷、高效的转移是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种微型LED芯片转移方法及显示背板，旨在解决相关技术中，LED芯片的转移存在工艺比较复杂、效率低的问题。
一种微型LED芯片转移方法，包括：
在生长有微型LED芯片的生长基板上形成将所述微型LED芯片覆盖的第一胶层；
在所述第一胶层上对应有所述微型LED芯片的区域形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述微型LED芯片的外延层部分相通；
在所述第一凹槽形成与所述微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构；
将所述生长基板生长有所述微型LED芯片的一面，与转移基板设置有粘附层的一面贴合；
去除所述第一胶层和所述生长基板，保留的所述支撑结构与所述粘附层粘接，以将所述微型LED芯片支撑于所述转移基板上；
将所述微型LED芯片与所述支撑结构至少一部分脱离，以将位于所述转移基板上的所述微型LED芯片拾取并转移至目标区域。
上述微型LED芯片转移方法，在生长有微型LED芯片的生长基板上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层后，在第一胶层上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽，第一凹槽的底部仅与微型LED芯片的外延层部分相通，然后在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构；在转移时，将生长基板生长有微型LED芯片的一面与转移基板设置有粘附层的一面贴合，然后去除第一胶层和生长基板；保留的支撑结构与粘附层粘接，以将微型LED芯片支撑于转移基板上；这样在从转移基板上拾取微型LED芯片时，转移基板上被拾取的微型LED芯片可直接与支撑结构的至少一部分脱离完成LED芯片的拾取，从而可省略对转移基板上的粘附层通过光或热的方式进行解粘处理的步骤，简化了微型LED芯片转移工艺，并提升了微型LED芯片转移的便捷性和转移效率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示背板，所述显示背板上设置有多个固晶区；所述显示背板还包括多颗微型LED芯片，所述多颗微型LED芯片通过如上所述的微型LED芯片转移方法，转移至所述固晶区上完成键合。
上述显示背板的制作，由于采用了更为便捷、高效的微型LED芯片转移方法，使得显示背板的制作也更为便捷、高效，从而在一定程度上缩短了显示版本的制度周期，降低了显示背板的制作成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的微型LED芯片转移方法流程示意图；
图2为本发明实施例提供的形成支撑结构的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的形成第二胶层的流程示意图；
图4-1为本发明另一可选实施例应用示例一提供的微型LED芯片转移方法流程示意图；
图4-2为本发明另一可选实施例应用示例一提供的微型LED芯片转至转移基板上的示意图；
图4-3为本发明另一可选实施例应用示例一提供的从转移基板上拾取微型LED芯片的示意图；
图5-1为本发明另一可选实施例应用示例二提供的微型LED芯片转移方法流程示意图；
图5-2为本发明另一可选实施例应用示例二提供的微型LED芯片转至转移基板上的示意图；
图5-3为本发明另一可选实施例应用示例二提供的从转移基板上拾取微型LED芯片的示意图；
图6-1为本发明另一可选实施例应用示例三提供的微型LED芯片转移方法流程示意图；
图6-2为本发明另一可选实施例应用示例三提供的微型LED芯片转至转移基板上的示意图；
图6-3为本发明另一可选实施例应用示例三提供的从转移基板上拾取微型LED芯片的示意图；
图7-1为本发明另一可选实施例应用示例四提供的微型LED芯片转移方法流程示意图；
图7-2为本发明另一可选实施例应用示例四提供的微型LED芯片转至转移基板上的示意图；
图7-3为本发明另一可选实施例应用示例四提供的从转移基板上拾取微型LED芯片的示意图；
附图标记说明：
1-生长基板，21-外延层，22-电极，3-第一胶层，31-第一凹槽，4-支撑结构，41-第二凹槽，42-弱化槽，5-第二胶层，6-转移基板，7-粘附层，8-拾取基板，81-拾取凸起，9-背板基底，10-背板膜层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
相关技术中，在将micro-LED芯片从第一临时基板上转移出去时，因第一临时基板上的第一胶层对micro-LED芯片粘附力强，需要对第一临时基板上的第一胶层通过光或热的方式进行解粘，才能实现将micro-LED芯片转移出去，这种micro-LED芯片转移方法工艺较为复杂，且转移效率低，导致显示背板及显示装置的制作周期长，成本高。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本实施例所示例的微型LED芯片转移方法，在生长有微型LED芯片的生长基板上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层后，在第一胶层上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽，并在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构；在转移时，将生长基板生长有微型LED芯片的一面与转移基板设置有粘附层的一面贴合后去除第一胶层；保留的支撑结构将微型LED芯片支撑于转移基板上；这样在从转移基板上拾取微型LED芯片时，被拾取的微型LED芯片可直接与支撑结构的至少一部分脱离完成拾取，因此可提升芯片转移的便捷性和效率。
为了便于理解，本实施例下面以图1所示的微型LED芯片转移方法为示例进行说明：
请参见图1所示，该微型LED芯片转移方法包括但不限于：
S101：在生长有微型LED芯片的生长基板上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层。
应当理解的是，本实施例中的生长基板的材质为可在生长基板上生长微型LED芯片外延层的半导体材料，例如，该生长基板的材质可以为但不限于蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，也可以为其他半导体材料，在此不做限制。
本实施例中在生长基板上生成的微型LED芯片包括外延层和电极，本实施例不限定微型LED芯片的外延层的具体结构，在一种示例中，微型LED芯片的外延层可以包括N型半导体、P型半导体以及位于N型半导体和P型半导体之间的有源层，该有源层可以包括量子阱层，还可以包括其他结构。在另一些示例中，可选地，外延层还可包括反射层、钝化层中的至少一种。本实施例中电极的材质和形状也不做限定，例如一种示例中，电极的材质可包括但不限于Cr，Ni，Al，Ti，Au，Pt，W，Pb，Rh，Sn，Cu，Ag中的至少一种。
应当理解的是，本实施例中的微型LED芯片可以包括但不限于micro-LED芯片、mini-LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，微型LED芯片可以为micro-LED芯片；在又一种示例中，微型LED芯片可以为mini-LED芯片。
应当理解的是，本实施例中的微型LED芯片可以包括但不限于倒装LED芯片、正装LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，微型LED芯片可以为倒装LED芯片；在又一种示例中，微型LED芯片可以为正装LED芯片。
本实施例中，对于在生长基板上形成第一胶层的工艺不做限制，任意能实现该目的都可以，例如可以采用但不限于涂覆、模压、注塑等。
本实施例中，第一胶层采用能在后期被去除、且对微型LED芯片不造成破坏的各种材质，例如可以采用但不限于光刻胶。采用光刻胶时，可以采用正型光刻第一胶层或负型光刻第一胶层。也即在一些示例中，第一胶层中可具有感光物质，使其具备光阻特性，即受到紫外光照射后，照射部分会被显影液洗去(即正型胶光刻胶)或受到紫外光照射后，未照射部分会被显影液洗去，而照射部分会保留(即负型胶光刻胶)。当然应当理解的是，第一胶层也可采用其他后期能被去除的各种材质。
S102：在第一胶层上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽，第一凹槽的底部与微型LED芯片的外延层部分相通。
本实施例中，第一凹槽的底部仅与微型LED芯片的外延层部分相通，从而保证后续在第一凹槽形成的支撑结构仅与微型LED芯片的外延层形成粘接，减少支撑结构与微型LED芯片之间的粘接面积，便于后续拾取时二者之间的分离。例如，一些应用示例中，第一凹槽的底部可仅与微型LED芯片上两电极之间外延层区域中的至少一部分相通。
在一些应用示例中，第一凹槽的顶部与第一胶层的顶面相通，便于后续从第一凹槽的顶部向第一凹槽内填充支撑结构。
可选地，在本实施例的一些示例中，可以设置第一凹槽的底部面积小于或等于第一凹槽的顶部面积。例如，在一些应用场景中，可以设置第一凹槽的底部面积小于第一凹槽的顶部面积(例如第一凹槽可以设置为纵截面为倒锥形的凹槽)，从而使得在第一凹槽内形成的支撑结构与微型LED芯片之间的粘接面积，小于支撑结构与转移基板上的粘附层之间的粘附面积，更利于后续从转移基板上拾取芯片时，微型LED芯片与支撑结构之间的脱离。在另一些应用场景中，也可设置第一凹槽的底部面积等于第一凹槽的顶部面积，此时在第一凹槽内形成的支撑结构与微型LED芯片之间的粘接面积，等于支撑结构(此时支撑结构仅分布在第一凹槽中并与第二凹槽齐平)与转移基板上的粘附层之间的粘附面积，但只要使得粘附层与支撑结构之间的粘附力大于微型LED芯片与支撑结构之间的粘附力即可。当然也可设置支撑结构除了填充满第一凹槽外，还可沿着第一凹槽外延伸并覆盖在第一胶层之上，只要也能保证支撑结构与转移基板上的粘附层之间的粘附面积大于支撑结构与微型LED芯片之间的粘附面积。当然，应当理解的，在又一些应用场景中，还可设置第一凹槽的底部面积大于第一凹槽的顶部面积，此时在第一凹槽内形成的支撑结构与微型LED芯片之间的粘接面积，大于支撑结构与转移基板上的粘附层之间的粘附面积，在后从转移基板上拾取微型LED芯片时，如果支撑结构与微型LED芯片之间的粘附力大于支撑结构被拉断所需的力，或大于支撑结构与转移基板上粘附层之间的粘附时，至少一部分支撑结构会保留在微型LED芯片上，此时只需要在将保留在微型LED芯片上的支撑结构去除即可；如果支撑结构与微型LED芯片之间的粘附力小于支撑结构被拉断所需的力且小于支撑结构与转移基板上粘附层之间的粘附时，微型LED芯片则可顺利的与支撑结构分离。
另外，应当理解的是，本实施例中第一凹槽的横截面形状可以灵活设置，在此不再赘述。
S103：在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构。
如上所示，本实施例的一些示例中，在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构时，可以仅在第一凹槽内填充满支撑体，支撑体与第一凹槽齐平。在本实施例的另一些示例中，在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构时，也可不仅在第一凹槽内填充满支撑体，支撑结构还可包括延伸出第一凹槽并覆盖在第一胶层上的支撑座，支撑柱与支撑体连接构成支撑结构，在此应用场景中，在第一凹槽形成与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构，包括：
在第一凹槽内形成与所述微型LED芯片的外延层粘接的支撑体；
在第一胶层上形成与所述支撑体连接的支撑座，支撑座与所述支撑体构成所述支撑结构。应当理解的是，支撑体和支撑座的可以在同一工艺步骤中形成，也可以先形成后支撑体后，然后再形成支撑座。具体可根据需求灵活设置。且应当理解的是，本实施例对形成支撑结构所采用的工艺不做任何限制。且本实施例中支撑结构的材质也可灵活选用，例如一些应用场景中，可以选择但不限于氧化硅胶层或氮化硅胶层。
例如，一种示例中，当生长基板上生长有多颗微型LED芯片时，在第一凹槽内填充满与微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构的过程可参见图2所示，包括但不限于：
S201：形成将第一胶层覆盖的第三胶层，在此过程中第三胶层的一部分第二胶体流入并填充满第一凹槽。
S202：将相邻微型LED芯片之间的第三胶层进行隔断处理，保留在第一凹槽内的第三胶层构成支撑体，位于第一凹槽外的第三胶层构成支撑座。
例如可将相邻微型LED芯片之间的第三胶层全部去除，也可仅去除一部分，只要能达到相邻LED芯片之间的第三胶层没有连接在一起即可。当然，在一些应用示例中，也可不对相邻微型LED芯片之间的第三胶层进行隔断处理，只要不影响后续LED芯片的转移和拾取即可。
S104：将生长基板生长有微型LED芯片的一面，与转移基板设置有粘附层的一面贴合。
将生长基板生长有微型LED芯片的一面，与转移基板设置有粘附层的一面贴合后，支撑结构与转移基板上的粘附层形成粘接。
本实施例中对于转移基板的材质也不做限制，例如一种示例中，该转移基板的材质可以采用但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种。
本实施例中，转移基板上设置的粘附层的设置形态可以灵活设定，只要其能满足在于生长基板生长有多颗微型LED芯片的一面贴合时，能可靠的将对应的支撑结构粘附住即可。
S105：去除第一胶层和生长基板；保留的支撑结构与粘附层粘接，以将微型LED芯片支撑于转移基板上。
在本步骤中，可以先去除第一胶层后，再去除生长基板，去除第一胶层所采用的工艺可根据第一胶层的具体材质灵活选择，例如第一胶层采用光刻胶时，可以采用但不限于光刻胶清洗液将其清洗去除。在去除生长基板时，可选地，还可采用但不限于LLO(LaserLift Off，激光剥离)以保证微型LED芯片顺利的从生长基板剥离。当然，在另一些示例中，也可先去除生长基板后，再将第一胶层去除。或者同时对生长基板和第一胶层进行去除。
S106：从转移基板上拾取微型LED芯片，在拾取过程中，转移基板上被拾取的微型LED芯片与支撑结构的至少一部分脱离。
本实施例中，从转移基板上拾取微型LED芯片时，可以采用单颗拾取的方式，也可采用多颗批量拾取的方式，且采用多颗批量拾取的方式时，还可根据具体应用需求选择性的拾取。且应当理解的是，本实施例中从转移基板上拾取微型LED芯片时，可以采用拾取基板拾取，也可采用转移头或其他方式拾取，具体可根据具体应用需求灵活选用。
例如，如上所示，当LED芯片与支撑结构之间的粘接力小于支撑结构与粘附层之间的粘接力时，此时可在转移基板上被拾取的微型LED芯片上向远离转移基板的方向施加拉力，使得微型LED芯片与支撑结构脱离，且此时微型LED芯片可与支撑结构全部脱离；当LED芯片与支撑结构之间的粘接力大于支撑结构与粘附层之间的粘接力时，或大于支撑结构被拉断所需要使用的力时，则会存在一部分支撑结构随微型LED芯片一起脱离转移基板，此时可以将残留在微型LED芯片上的支撑结构去除后再执行后面的步骤。可选地，当残留在微型LED芯片上的支撑结构不影响后续步骤的执行时，也可不对其进行去除。具体可根据需求灵活设置。
S107：将拾取的微型LED芯片转移至目标区域。
本实施例中的该目标区域可为与显示背板(本实施例中的显示背板可以是各种需要使用微型LED芯片进行显示或照明的电子设备的显示背板，例如可以为但不限于各种显示设备的显示背板。)上的固晶区，也可为其他电路板上的固晶区，或者其他转移基板上对应的区域，具体可根据应用场景灵活设定，在此不再赘述。
可选地，在本实施例的一些示例中，为了进一步便于微型LED芯片与支撑结构之间的分离，在上述步骤S103之后，步骤S104之前，参见图3所示，还可包括但不限于：
S301：在支撑结构上形成第二凹槽，第二凹槽的位置对应于第一凹槽，且第二凹槽的下部位于第一凹槽内。
其中，形成的第二凹槽的顶部与支撑结构的顶面相通，底部靠近微型LED芯片的外延层(也即不与微型LED芯片的外延层相通)或与微型LED芯片的外延层部分相通，第一凹槽与第二凹槽之间的支撑结构构成第二凹槽的侧壁，也即第一凹槽和第二凹槽通过二者之间的支撑结构形成隔离。
应当理解的是，本实施例中第二凹槽的形状也可灵活设定，且第二凹槽的形状可与第一凹槽相同，也可根据需求设置为不同。
S302：在第二凹槽内填充满第二胶层。
在本实施例的一些示例中，第二胶层可与支撑结构齐平，此处的齐平包括第二胶层顶面与支撑结构的顶面在一个平面上，第二胶层顶面略低于支撑结构的顶面，第二胶层的顶面略高于支撑结构的顶面。
本实施例中第二胶层采用能在后期被去除的各种材质，例如可以采用但不限于光刻胶。采用光刻胶时，可以采用正型光刻第一胶层或负型光刻第一胶层。可选地，第二胶层与第一胶层的材质可以相同，也可根据需求设置为不同。
在本示例中，在芯片转移过程中，将生长基板生长有微型LED芯片的一面，与转移基板设置有粘附层的一面贴合后，还包括：将第二凹槽内的第二胶层去除；
在本示例中，从转移基板上拾取微型LED芯片时，可包括：
在转移基板上被拾取的微型LED芯片上向靠近转移基板的方向施加压力(当然在一些应用示例中，当微型LED芯片与支撑结构之间的粘接力大于构成第二凹槽的侧壁断裂所需的拉力时，也可在转移基板上被拾取的微型LED芯片上向远离转移基板的方向施加拉力)，使得构成第二凹槽的侧壁的支撑结构断裂，保留在微型LED芯片上的部分支撑架构体随微型LED芯片一起被拾取，从而实现微型LED芯片与转移基板之间的分离。
应当理解的是，第二凹槽的侧壁(即构成第二凹槽的侧壁的支撑结构部分)受力发生断裂时，产生断裂的位置可受第二凹槽的侧壁所设置的具体位置、第二凹槽的侧壁的形状、厚度、受力方向、材质等影响，产生断裂的位置可能在第二凹槽的侧壁的上端、下端或中部。
可选地，在本示例的一些应用场景中，为了进一步便于微型LED芯片与支撑结构之间的分离，在上述步骤301之后，步骤302之前，还可包括：在第二凹槽的侧壁上开设弱化第二凹槽的侧壁强度的弱化槽，该弱化槽不贯穿第二凹槽的侧壁，但能降低第二凹槽的侧壁强度，以便于第二凹槽的侧壁后续能更容易被压断或拉断或折断。应当理解的是，该弱化槽的形状也可灵活设置，例如可以设置为类似锯齿状的“V”型槽，也可设置为其他规则形状或不规则形状的槽，只要能达到弱化第二凹槽的侧壁强度的目的即可。
可见，采用本实施例提供的微型LED芯片的转移方法，可以在芯片转移过程中，将生长基板生长有微型LED芯片的一面与转移基板设置有粘附层的一面贴合后去除第一胶层；保留的支撑结构将微型LED芯片支撑于转移基板上；这样在从转移基板上拾取微型LED芯片时，被拾取的微型LED芯片可直接与支撑结构的至少一部分脱离完成拾取，简化了芯片转移的工艺流程，可提升芯片转移的便捷性和效率。
本发明另一可选实施例：
本实施例提供了一种显示背板及显示背板的制作方法，该显示背板上设置有多个固晶区；显示背板的制作方法中，将生长基板上的微型LED芯片转移至固晶区上完成键合的转移方法，可采用但不限于上述实施例所示例的微型LED芯片转移方法。
本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以各种采用微型LED芯片制作的显示背板进行显示的电子装置，例如可包括但不限于各种智能移动终端，PC、显示器、电子广告板等，其中该显示装置的显示背板可为但不限于采用上述显示背板的制作方法制得。
为了便于理解，在上述实施例所示的微型LED芯片转移方法基础上，本实施例下面以几种应用示例中的微型LED芯片转移过程，进行便于理解性的说明。
应用示例一：
微型LED芯片从生长基板转移至显示背板(也可为其他转移基板或电路板)上的过程请参见图4-1至图4-2所示，包括但不限于：
S401：在生长有微型LED芯片(微型LED芯片包括外延层21和设置于外延层21上的电极22)的生长基板1上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层3。
例如，本应用示例中的第一胶层3可以为但不限于光刻胶，可通过但不限于涂覆方式在生长基板1上形成第一胶层3。第一胶层3的厚度可以设置为但不限于大于微型LED芯片的厚度。
本应用示例中，可以通过在生长基板1磊晶生长外延层，然后再在外延层上制作电极。
S402：在第一胶层3上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽31，第一凹槽31的底部仅与微型LED芯片的外延层部分相通，顶部与第一胶层3的顶面相通。
参见图4-2所示，本应用示例中的第一凹槽31的纵截面为倒锥形，第一凹槽31底部的面积(也即与外延层21相通的面积)小于第一凹槽31顶部的面积。本应用示例中，在第一胶层3上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽31所采用的工艺也可灵活设置，例如当第一胶层3采用光刻胶时，可采用但不限于光刻的方式形成第一凹槽31，当然也可通过切割等方式形成。在此不再赘述。
S403：在第一凹槽31填充满与微型LED芯片的外延层21粘接的支撑结构4。
参见图4-2中S403所示，形成的支撑结构4的支撑座部分位于第一胶层3之上，支撑体部分填充满第一凹槽31。本应用示例中的支撑结构4可以为氧化硅SiOx胶层或氮化硅SiNx胶层。
S404：将生长基板1上相邻微型LED芯片之间的支撑结构4进行隔断处理。
参见图4-2中S404所示，对支撑结构隔断处理后，相邻微型LED芯片之间的支撑结构4的支撑座相互隔离无连接。
S405：将生长基板1生长有微型LED芯片的一面(也即设置有支撑结构4的一面)，与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合。
参见图4-2中S405所示，生长基板1设置有支撑结构4的一面与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合后，支撑结构4与粘附层7之间形成粘接。
S406：去除第一胶层3，保留的支撑结构4与粘附层7粘接，以将微型LED芯片支撑于转移基板6上；此时原来位于第一凹槽31中的支撑结构部分则构成将微型LED芯片支撑于转移基板6上的支撑体，且同时形成为降低微型LED芯片与转移基板6之间的粘接强度的弱化结构。
在本应用示例中，去除第一胶层3的方式可根据第一胶层的材质灵活采用。例如当第一胶层3采用光刻胶时，可以采用但不限于光刻胶清洗液，洗去光刻胶。
S407：将微型LED芯片与生长基板1剥离，去除生长基板1。
例如可以采用但不限于LLO激光剥离的方式，将微型型LED芯片与生长基板1剥离。
S408：将拾取基板8(也可替换为其他类型的转移头，在此不再赘述)上设置有拾取凸起81的一面与转移基板6上承载有微型LED芯片的一面贴合。
参见图4-3所示，拾取基板8带有图形化的多个拾取凸起81，拾取凸起81具有选择性拓弱粘性粘附层，与转移基板6贴合后，拾取凸起81上的粘附层与微型LED芯片的粘附力＞支撑结构4与微型LED芯片之间的粘附力，可以在不对转移基板6上的粘附层7解粘情况下，直接粘附转移微型LED芯片，拾取凸起81之间的间距可对应显示背板上像素间距(例如，为了降低成本，微型LED芯片制作较为密集，需要将微型LED芯片间间距调整到和显示背板像素间距一致)。
S409：从转移基板6上拾取微型LED芯片。在拾取过程中，拾取凸起81上的粘附层与微型LED芯片的粘附力＞支撑结构4与微型LED芯片之间的粘附力，因此可以直接顺利的将转移基板6上被拾取的微型LED芯片与支撑结构4脱离。
S410：将拾取的微型LED芯片转移至背板基底9之上的背板膜层10上，具体转移至背板膜层10上的固晶区。
S411：完成微型LED芯片的键合，将微型LED芯片与拾取凸起81分离。
参见图4-3所示，本应用示例中在背板膜层10上固晶区可以预先做好绑定焊接所需金属Bump材料(例如可以为但不限于锡Sn或铟In)，通过压力贴合将微型LED芯片的电极与Bump对接，然后加热使Bump熔融，从而焊接微型LED芯片的电极；之后，移除拾取基板8，因为拾取基板8的拾取凸起81对微型LED芯片为弱粘性，微型LED芯片的电极绑定后对LED的固定力>拾取凸起81对微型LED芯片的粘附力，从而可以不对拾取基板8进行解粘，也能完成与拾取基板8的分离，从而完成将微型LED芯片转移至固晶区完成键合。整个过程都不需要进行复杂的解粘工艺处理，简化了芯片转移工艺，提升了芯片转移的便捷性和效率。
应用示例二：
微型LED芯片从生长基板转移至显示背板(也可为其他转移基板或电路板)上的过程请参见图5-1至图5-2所示，包括但不限于：
S501：在生长有微型LED芯片的生长基板1上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层3；在第一胶层3上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽31，第一凹槽31的底部仅与微型LED芯片的外延层相通，顶部与第一胶层3的顶面相通。
S502：在第一凹槽31填充满与微型LED芯片的外延层21粘接的支撑结构4。
参见图5-2中S503所示，形成的支撑结构4覆盖第一胶层3，并填充满第一凹槽31。本应用示例中的支撑结构4可以为氧化硅SiOx胶层或氮化硅SiNx胶层。
S503：将生长基板1上相邻微型LED芯片之间的支撑结构4进行隔断处理后，在第一凹槽31对应区域的支撑结构4上形成第二凹槽41。参见图5-2中S503所示。
S504：在第二凹槽41中设置第二胶层5。第二胶层5可以通过但不限于注塑、涂覆、模压等方式形成。
S505：将生长基板1生长有微型LED芯片的一面(也即设置有支撑结构4和第二胶层5的一面)，与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合。
参见图5-2中S505所示，生长基板1设置有支撑结构4和第二胶层5的一面与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合后，支撑结构4与粘附层7之间形成粘接。
S506：去除第一胶层3和第二胶层5，保留的支撑结构4与粘附层7粘接，以将微型LED芯片支撑于转移基板6上。
此时原来位于第一凹槽31中的支撑结构部分(即构成第二凹槽41的侧壁部分)则构成将微型LED芯片支撑于转移基板6上的支撑体，且同时形成为降低微型LED芯片与转移基板6之间的粘接强度的弱化结构。
在本应用示例中，去除第一胶层3和第二胶层5的方式可根据第一胶层的材质灵活采用。例如当第一胶层3和第二胶层5采用光刻胶时，可以采用但不限于光刻胶清洗液，洗去光刻胶。
S507：将微型LED芯片与生长基板1剥离，去除生长基板1。
例如可以采用但不限于LLO激光剥离的方式，将微型LED芯片与生长基板1剥离。
S508：将拾取基板8(也可替换为其他类型的转移头，在此不再赘述)上设置有拾取凸起81的一面与转移基板6上承载有微型LED芯片的一面贴合。
参见图5-3所示，拾取基板8带有图形化的多个拾取凸起81，拾取凸起81具有选择性拓弱粘性粘附层，与转移基板6贴合后，与微型LED芯片形成粘接。
S509：在转移基板6上拾取的微型LED芯片施加向靠近转移基板的方向的压力，使得支撑该微型LED芯片的支撑结构4断裂。一部分支撑结构随微型LED芯片一起被拾取；
S510：将拾取的微型LED芯片上残留的支撑结构4去除。
S511：将拾取的微型LED芯片转移至背板基底9之上的背板膜层10上，具体转移至背板膜层10上的固晶区。
S512：完成微型LED芯片的键合，将微型LED芯片与拾取凸起81分离。
应用示例三：
微型LED芯片从生长基板转移至显示背板(也可为其他转移基板或电路板)上的过程请参见图6-1至图6-2所示，包括但不限于：
S601：在上述步骤503的基础上，在第一凹槽31对应区域的支撑结构4上形成第二凹槽41。
S602：在第二凹槽41的侧壁上形成弱化其侧壁强度的弱化槽42。
S603：在第二凹槽41中设置第二胶层5。第二胶层5可以通过但不限于注塑、涂覆、模压等方式形成。
S604：将生长基板1生长有微型LED芯片的一面(也即设置有支撑结构4和第二胶层5的一面)，与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合。
参见图6-2中S604所示，生长基板1设置有支撑结构4和第二胶层5的一面与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合后，支撑结构4与粘附层7之间形成粘接。
S605：去除第一胶层3和第二胶层5，保留的支撑结构4与粘附层7粘接，以将微型LED芯片支撑于转移基板6上。
此时原来位于第一凹槽31中的支撑结构部分(即构成第二凹槽41的侧壁部分)则构成将微型LED芯片支撑于转移基板6上的支撑体，且其上具有弱化槽42，使得其更容易被压断。在本应用示例中，去除第一胶层3和第二胶层5的方式可根据第一胶层的材质灵活采用。例如当第一胶层3和第二胶层5采用光刻胶时，可以采用但不限于光刻胶清洗液，洗去光刻胶。
S606：将微型LED芯片与生长基板1剥离，去除生长基板1。
S607：将拾取基板8(也可替换为其他类型的转移头，在此不再赘述)上设置有拾取凸起81的一面与转移基板6上承载有微型LED芯片的一面贴合。
参见图6-3所示，拾取基板8带有图形化的多个拾取凸起81，拾取凸起81具有选择性拓弱粘性粘附层，与转移基板6贴合后，与微型LED芯片形成粘接。
S608：在转移基板6上拾取的微型LED芯片施加向靠近转移基板的方向的压力，使得支撑该微型LED芯片的支撑结构4断裂。一部分支撑结构随微型LED芯片一起被拾取。由于弱化槽42的设置，支撑结构4相对应用场景二更容易断裂。
S609：将拾取的微型LED芯片上残留的支撑结构4去除。
S610：将拾取的微型LED芯片转移至背板基底9之上的背板膜层10上，具体转移至背板膜层10上的固晶区。
S611：完成微型LED芯片的键合，将微型LED芯片与拾取凸起81分离。
应用示例四：
微型LED芯片从生长基板转移至显示背板(也可为其他转移基板或电路板)上的过程请参见图7-1至图7-2所示，包括但不限于：
S701：在生长有微型LED芯片(微型LED芯片包括外延层21和设置于外延层21上的电极22)的生长基板1上形成将微型LED芯片覆盖的第一胶层3。
S702：在第一胶层3上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽31，第一凹槽31的底部仅与微型LED芯片的外延层相通，顶部与第一胶层3的顶面相通。
参见图7-2所示，本应用示例中的第一凹槽31的纵截面为矩形，第一凹槽31底部的面积(也即与外延层21相通的面积)等于第一凹槽31顶部的面积。本应用示例中，在第一胶层3上对应有微型LED芯片的区域形成第一凹槽31所采用的工艺也可灵活设置，例如当第一胶层3采用光刻胶时，可采用但不限于光刻的方式形成第一凹槽31，当然也可通过切割等方式形成。在此不再赘述。
S703：在第一凹槽31填充满与微型LED芯片的外延层21粘接的支撑结构4。
S704：将生长基板1上相邻微型LED芯片之间的支撑结构4进行隔断处理。
参见图7-2中S704所示，对支撑结构隔断处理后，相邻微型LED芯片之间的支撑结构4相互隔离无连接。
S705：将生长基板1生长有微型LED芯片的一面(也即设置有支撑结构4的一面)，与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合。
参见图7-2中S705所示，生长基板1设置有支撑结构4的一面与转移基板6设置有粘附层7的一面贴合后，支撑结构4与粘附层7之间形成粘接。
S706：去除第一胶层3，保留的支撑结构4与粘附层7粘接，以将微型LED芯片支撑于转移基板6上；此时原来位于第一凹槽31中的支撑结构部分则构成将微型LED芯片支撑于转移基板6上的支撑体，且同时形成为降低微型LED芯片与转移基板6之间的粘接强度的弱化结构。
S707：将微型LED芯片与生长基板1剥离，去除生长基板1。
例如可以采用但不限于LLO激光剥离的方式，将微型LED芯片与生长基板1剥离。
S708：将拾取基板8(也可替换为其他类型的转移头，在此不再赘述)上设置有拾取凸起81的一面与转移基板6上承载有微型LED芯片的一面贴合。
参见图7-3所示，拾取基板8带有图形化的多个拾取凸起81，拾取凸起81具有选择性拓弱粘性粘附层，与转移基板6贴合后，拾取凸起81上的粘附层与微型LED芯片的粘附力＞支撑结构4与微型LED芯片之间的粘附力，可以在不对转移基板6上的粘附层7解粘情况下，直接粘附转移微型LED芯片，拾取凸起81之间的间距可对应显示背板上像素间距。
S709：从转移基板6上拾取微型LED芯片。在拾取过程中，拾取凸起81上的粘附层与微型LED芯片的粘附力＞支撑结构4与微型LED芯片之间的粘附力，因此可以直接顺利的将转移基板6上被拾取的微型LED芯片与支撑结构4脱离。
S710：将拾取的微型LED芯片转移至背板基底9之上的背板膜层10上，具体转移至背板膜层10上的固晶区。
S711：完成微型LED芯片的键合，将微型LED芯片与拾取凸起81分离。
本实施例提供的微型LED芯片的转移方法，整个过程都不需要进行复杂的解粘工艺处理，简化了芯片转移工艺，提升了芯片转移的便捷性和效率。
需要说明的是，本申请所提供的微型LED芯片的转移方法不仅适用于micro-LED，还适用于纳米级LED。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种微型LED芯片转移方法，其特征在于，包括：
在生长有微型LED芯片的生长基板上形成将所述微型LED芯片覆盖的第一胶层；
在所述第一胶层上对应有所述微型LED芯片的区域形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述微型LED芯片的外延层部分相通；
在所述第一凹槽形成与所述微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构；
在所述支撑结构上形成第二凹槽，所述第二凹槽的底部靠近所述微型LED芯片的外延层或与所述微型LED芯片的外延层部分相通，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的所述支撑结构构成所述第二凹槽的侧壁；
在所述第二凹槽内填充满第二胶层，所述第二胶层与所述支撑结构齐平；
将所述生长基板生长有所述微型LED芯片的一面，与转移基板设置有粘附层的一面贴合；
去除所述第一胶层和所述生长基板及所述第二凹槽内的所述第二胶层，保留的所述支撑结构与所述粘附层粘接，以将所述微型LED芯片支撑于所述转移基板上；
将所述微型LED芯片与所述支撑结构至少一部分脱离，以将位于所述转移基板上的所述微型LED芯片拾取并转移至目标区域，包括：在所述转移基板上被拾取的微型LED芯片上向靠近所述转移基板的方向施加压力，使得构成所述第二凹槽的侧壁的支撑结构断裂，保留在所述微型LED芯片上的部分支撑结构随所述微型LED芯片一起被拾取；将保留在所述微型LED芯片上的部分支撑结构去除后，将拾取的所述微型LED芯片转移至目标区域。
2.如权利要求1所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一凹槽包括底部和与所述底部相对设置的顶部；所述底部的面积小于或等于所述顶部的面积；所述第一凹槽与所述微型LED芯片的外延层部分相通，包括：
所述第一凹槽的所述底部与所述微型LED芯片的外延层部分相通。
3.如权利要求1所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述生长基板上生长有多颗所述微型LED芯片；
所述在所述第一凹槽形成与所述微型LED芯片的外延层粘接的支撑结构，包括：
在所述第一凹槽内形成与所述微型LED芯片的外延层粘接的支撑体；
在所述第一胶层上形成与所述支撑体连接的支撑座，所述支撑座与所述支撑体构成所述支撑结构。
4.如权利要求1-3任一项所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述将所述微型LED芯片与所述支撑结构至少一部分脱离，以将位于所述转移基板上的所述微型LED芯片拾取并转移至目标区域包括：
在所述转移基板上被拾取的微型LED芯片上向远离所述转移基板的方向施加拉力，使得所述微型LED芯片与所述支撑结构全部脱离；
将拾取的所述微型LED芯片转移至目标区域。
5.如权利要求1-3任一项所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽内填充满第二胶层之前，还包括：
在所述第二凹槽的侧壁上开设弱化所述第二凹槽的侧壁强度的弱化槽。
6.如权利要求1-3任一项所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述第二凹槽与所述第一凹槽形状相同。
7.如权利要求1-3任一项所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述第二胶层与所述第一胶层材质相同。
8.如权利要求1-3任一项所述的微型LED芯片转移方法，其特征在于，所述支撑结构为氧化硅胶层或氮化硅胶层。
9.一种显示背板，其特征在于，所述显示背板上设置有多个固晶区；所述显示背板还包括多颗微型LED芯片，所述多颗微型LED芯片通过如权利要求1-8任一项所述的微型LED芯片转移方法，转移至所述固晶区上完成键合。
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