CN114068647A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示装置，包括：基板，该基板包括：像素区域；连接区域，分别在像素区域之中的邻近的像素区域之间；以及具有通孔的区域，具有通孔的区域由邻近的像素区域和分别在邻近的像素区域之间的连接区域限定；子像素结构，在基板上、像素区域中的每一个像素区域处；以及在基板的侧壁上的有机图案，该侧壁与通孔邻近。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本公开的实施例的方面总体上涉及一种有机发光显示装置以及一种制造有机发光显示装置的方法。更具体地，本公开的实施例的方面涉及一种包括有机图案的有机发光显示装置以及一种制造包括有机图案的有机发光显示装置的方法。
背景技术
平板显示装置由于具有轻重量和薄的特性而用作用于替代阴极射线管显示装置的显示装置。这种平板显示装置的一些代表性示例包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
在有机发光显示装置中，在基板由柔性材料形成之后，多个通孔可以形成在基板中以制造可伸缩的基板。正在研发可以通过使用可伸缩的基板而布置在弯曲表面或不均匀表面上而不导致抬起现象的可伸缩的有机发光显示装置。
在该背景技术部分中所公开的以上信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，并且因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
在制造可拉伸有机发光显示装置的方法中在从玻璃基板剥离基板的工艺期间，可能在基板的侧壁上过度地撕去可拉伸有机发光显示装置中所包括的薄膜封装层。在此情况下，可以在基板的侧壁处相对缩短用于阻挡可以从外部渗透的水和/或湿气渗入的路径，这可能导致水和/或湿气渗透到基板中。当水和/或湿气从外部渗透到基板中时，可以导致可拉伸的有机发光显示装置的缺陷。
本公开的一些实施例针对一种包括有机图案的有机发光显示装置。
本公开的一些实施例针对一种制造包括有机图案的有机发光显示装置的方法。
根据本公开的一些实施例，一种有机发光显示装置，包括：基板，该基板包括：像素区域；连接区域，分别在像素区域之中的邻近的像素区域之间；以及具有通孔的区域，具有通孔的区域由邻近的像素区域和分别在邻近的像素区域之间的连接区域限定；子像素结构，在基板上、像素区域中的每一个像素区域处；以及在基板的侧壁上的有机图案，该侧壁与通孔邻近。
在一些实施例中，在有机发光显示装置的平面图中，有机图案可以沿着由邻近的像素区域和分别在邻近的像素区域之间的连接区域限定的区域的最外围延伸。
在一些实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括：在子像素结构上的薄膜封装结构，该薄膜封装结构包括：在子像素结构上的第一无机薄膜封装层；在第一无机薄膜封装层上的有机薄膜封装层；以及在有机薄膜封装层上的第二无机薄膜封装层。
在一些实施例中，有机图案和有机薄膜封装层可以包括彼此相同的材料。
在一些实施例中，有机图案可以接触第一无机薄膜封装层和第二无机薄膜封装层。
在一些实施例中，第一无机薄膜封装层可以在从子像素结构到通孔的方向上延伸，并且在基板的与通孔邻接的侧壁和有机图案之间，并且第二无机薄膜封装层可以在该方向上延伸，并且可以在位于基板的侧壁上的第一无机薄膜封装层上。
在一些实施例中，第二无机薄膜封装层可以接触在基板的侧壁上的有机图案。
在一些实施例中，第一无机薄膜封装层可以包括在从基板的侧壁到通孔的方向上从第一无机薄膜封装层的与基板的底表面邻近的一部分突出的突起。
在一些实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括：在基板上的栅绝缘层；在栅绝缘层上的层间绝缘层；以及在层间绝缘层上的平坦化层。栅绝缘层、层间绝缘层和平坦化层中的每一个的与通孔邻近的侧壁可以接触第一无机薄膜封装层。
在一些实施例中，基板可以在像素区域中的每一个像素区域处具有岛形，并且基板可以在连接区域中的每一个连接区域处具有条形。
在一些实施例中，连接区域可以包括：在第一方向上延伸的第一连接区域；以及在与第一方向正交的第二方向上延伸的第二连接区域。像素区域之中的一个像素区域的一侧可以接触第一连接区域，并且一个像素区域的邻近侧可以接触第二连接区域。
在一些实施例中，基板可以在像素区域中的每一个像素区域处具有岛形，并且基板可以在连接区域中的每一个连接区域处具有U形、S形或W形。
在一些实施例中，在连接区域中的每一个连接区域处的基板可以是可伸缩的。
在一些实施例中，基板可以包括具有多个通孔的网状结构，并且多个通孔中的一个通孔可以由在像素区域之中的至少三个邻近的像素区域和连接区域之中的被配置为将至少三个邻近的像素区域彼此连接的至少三个连接区域处的基板限定。
根据本公开的一些实施例，一种制造有机发光显示装置的方法，包括：提供玻璃基板，该玻璃基板包括：像素区域；连接区域，分别在像素区域之中的邻近的像素区域之间；以及接触区域，由邻近的像素区域和分别在邻近的像素区域之间的连接区域围绕；在玻璃基板上、接触区域处形成接触图案；在玻璃基板和接触图案上形成预备基板；在预备基板上、像素区域中的每一个像素区域处形成子像素结构；通过移除预备基板的与接触区域的最外围部分重叠的一部分而形成暴露接触图案的一部分和玻璃基板的一部分的开口；以及在形成开口之后，在像素区域和连接区域处形成基板并且在接触图案上形成虚设图案。
在一些实施例中，该方法可以进一步包括：遍及玻璃基板的整个区域形成第一无机薄膜封装层；当在第一无机薄膜封装层上形成有机薄膜封装层时，在开口中形成有机薄膜封装层的一部分；以及在第一无机薄膜封装层和有机薄膜封装层上形成第二无机薄膜封装层。
在一些实施例中，有机薄膜封装层的在开口中的部分可以被定义为有机图案，并且有机图案可以由第一无机薄膜封装层和第二无机薄膜封装层围绕。
在一些实施例中，方法可以进一步包括：当将形成在接触图案上的虚设图案固定到玻璃基板上时，从玻璃基板剥离基板。
在一些实施例中，在基板被从玻璃基板剥离之后，可以限定由在邻近的像素区域和分别在邻近的像素区域之间的连接区域处的基板围绕的通孔。
在一些实施例中，接触图案可以包括在从玻璃基板到子像素结构的方向上在接触图案的最外围部分处从接触图案的顶表面突出的突起，并且突起可以由开口暴露。
根据本公开的一个或多个实施例，有机发光显示装置可以包括第一无机薄膜封装层和第二无机薄膜封装层。第一无机薄膜封装层和第二无机薄膜封装层可以覆盖(例如，可以完全地覆盖)基板、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层和平坦化层中的每一个的侧壁，以使可以阻挡或基本上阻挡(例如，可以完全地阻挡)可以从外部穿过通孔渗透到侧壁中的水和/或湿气。
根据本公开的一个或多个实施例，因为有机图案可以布置在基板的与通孔邻近的侧壁上，所以可以在基板的侧壁处相对增大用于阻挡水和/或湿气渗入的路径。
根据本公开的一个或多个实施例，在制造有机发光显示装置的方法中，因为有机图案和接触图案的突起可以形成在玻璃基板的开口所在的一部分处，所以第二无机薄膜封装层的厚度可以在开口内不被减小(例如，可以不会变得更薄)，并且可以在从玻璃基板剥离基板的工艺中不过度地撕去第二无机薄膜封装层。因此，可以减少有机发光显示装置的缺陷。
根据本公开的一个或多个实施例，因为接触图案的突起可以形成在开口中，所以可以相对减小其中第一无机薄膜封装层与玻璃基板接触的面积，并且第一无机薄膜封装层可以在剥离工艺中被容易地从玻璃基板剥离。
附图说明
本公开的以上和其他方面和特征将从参照附图的说明性的、非限制性的实施例的以下详细描述而被更清楚地理解，其中：
图1是示出根据本公开的一个或多个实施例的有机发光显示装置的平面图；
图2至图4是示出图1的有机发光显示装置中所包括的基板的示例的平面图；
图5是沿着图1的有机发光显示装置的线I-I’截取的截面图；
图6是沿着图1的有机发光显示装置的线II-II’截取的截面图；并且
图7至图22是示出根据本公开的一个或多个实施例的制造有机发光显示装置的方法的视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图更详细地描述本公开的实施例，其中，贯穿全文，相同的附图标记指相同的元件。然而，本公开可以以各种不同形式体现，并且不应被解释为仅限于本文中所图示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例以使本公开将是透彻的和全面的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员全面理解本公开的方面和特征不必要的工艺、元件和技术。除非另外说明，否则贯穿附图和书面描述，相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，可以不重复其描述。
在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。诸如“下方”、“下面”、“下部”、“之下”、“上面”和“上部”等的空间相对术语可以在本文中为了方便说明而使用，以描述如图中所图示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解，除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语意在包括装置在使用中或在操作中的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”或“之下”的元件将随后被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，示例术语“下面”和“之下”可以包括上面和下面的定向两者。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或按照其他定向)并且本文中所使用的空间相对描述符应被相应地解释。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各个元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语用于区分一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段。因此，下面描述的第一元件、部件、区域、层或区段可以被称为第二元件、部件、区域、层或区段而不脱离本公开的精神和范围。
将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接”或“耦接”到另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接或直接耦接到另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间的元件或层。此外，也将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一的元件或层，或者也可以存在一个或多个中间的元件或层。
本文中所使用的术语是为了描述具体实施例的目的，并且不意在限制本公开。如本文中所使用的，单数形式“一”意在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”和“具有”规定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。当在元件列表之后时，诸如“中的至少一个”的表达修饰整个元件列表并且不修饰列表的单个元件。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意在考虑将由本领域普通技术人员认识到的测量的或计算的值的固有偏差。进一步，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所使用的，术语“使用”、“正在使用”和“被使用”可以分别被认为与术语“利用”、“正在利用”和“被利用”同义。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中所定义的那些术语应被解释为具有与相关领域和/或本说明书的上下文中它们的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义解释，除非本文中明确地如此限定。
图1是示出根据本公开的一个或多个实施例的有机发光显示装置的平面图，并且图2至图4是示出图1的有机发光显示装置中所包括的基板的示例的平面图。
参照图1和图2，有机发光显示装置100可以包括基板110。
基板110可以包括像素区域10和连接区域30。在此情况下，像素区域10之中的一个像素区域10可以包括第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13。换言之，像素区域10中的每一个可以包括第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13。
如图22中所示，像素区域10可以在与有机发光显示装置100的顶表面平行的或基本上平行的第一方向D1上和与第一方向D1交叉(例如，正交或基本上正交)的第二方向D2上设置。像素区域10可以彼此间隔开，并且连接区域30可以分别位于像素区域10之中的邻近的像素区域10之间。换言之，一个连接区域30可以位于像素区域10之中的两个邻近的像素区域10之间。
在一个或多个实施例中，通孔205可以形成在基板110中。例如，通孔205之中的一个通孔205可以形成在由像素区域10之中的邻近的像素区域10和分别位于邻近的像素区域10之间的连接区域30限定的区域中。换言之，通孔205之中的一个通孔205可以由像素区域10之中的至少三个邻近的像素区域10和被配置为将至少三个邻近的像素区域10彼此连接的至少三个连接区域30围绕(例如，在其外围周围)。
返回参照图1，为了方便描述，位于像素区域10中的每一个处(例如，中或上)的基板110被定义为显示部分520，并且位于连接区域30中的每一个处(例如，中或上)的基板110被定义为连接部分120。换言之，基板110可以包括显示部分520和连接部分120。
在有机发光显示装置100的平面图(例如，从与相关元件或层的顶表面垂直的或基本上垂直的方向观看)中，显示部分520中的每一个可以具有岛形，并且连接部分120中的每一个可以具有条形。此外，包括显示部分520和连接部分120的基板110可以具有由通孔205限定的网状结构。例如，通孔205可以由显示部分520之中的四个邻近的显示部分520和连接部分120之中的四个邻近的连接部分120限定。
第一子像素至第三子像素(例如，参见图5和图6的子像素结构200)可以在显示部分520处(例如，中或上)分别布置在第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13处(例如，中或上)。例如，第一子像素可以发射红光，第二子像素可以发射绿光，并且第三子像素可以发射蓝光。有机发光显示装置100可以在与第一方向D1和第二方向D2垂直的或基本上垂直的第三方向(例如，厚度方向)D3上通过第一子像素至第三子像素显示图像。
尽管一个像素区域10已经被描述为包括三个子像素区域11、12和13，但是根据本公开的一个或多个实施例的一个像素区域10的配置不限于此。例如，一个像素区域10可以包括至少一个子像素区域。换言之，根据各个实施例，一个像素区域10可以包括一个或多个子像素区域，并且因此，本公开不限于图1中所示的三个子像素区域11、12和13。
布线(例如，栅信号布线、数据信号布线和/或电源电压布线等)可以被布置在连接部分120处(例如，中或上)。图像信号和电源电压可以通过布线被提供到第一子像素至第三子像素。
尽管显示部分520在图1中被示出为在平面图中具有矩形形状，但是根据本公开的一个或多个实施例的显示部分520的配置不限于此。例如，显示部分520和连接部分120中的每一个可以在平面图中具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道形状或椭圆形形状。
在一个或多个实施例中，当显示部分520在平面图中具有矩形形状时，连接部分120中的每一个可以包括在第一方向D1上延伸的第一连接部分121(例如，第一连接区域)以及在第二方向D2上延伸的第二连接部分122(例如，第二连接区域)。第一连接部分121可以在第一方向D1(例如，列方向)上设置，并且第二连接部分122可以在第二方向D2(例如，行方向)上设置。例如，显示部分520的一侧(例如，显示部分520的与第二方向D2平行的或基本上平行的侧表面)可以接触第一连接部分121(例如，可以与第一连接部分121接触)，并且显示部分520的邻近侧(例如，显示部分520的与第一方向D1平行的或基本上平行的侧表面)可以接触第二连接部分122(例如，可以与第二连接部分122接触)。
连接部分120可以是可伸缩的。例如，当显示部分520不规则地设置时，连接部分120的形状可以改变，以使显示部分520的不规则设置可以维持或基本上维持。例如，连接部分120可以拉伸、收缩、弯曲和/或折叠。在此情况下，通孔205的形状也可以改变。
参照图2至图4，连接部分120可以具有各种不同的合适的形状。例如，如图2中所示，连接部分420可以具有U形或基本上U形。此外，如图3中所示，连接部分421可以具有S形或基本上S形。进一步，如图4中所示，连接部分422可以具有W形或基本上W形。在此情况下，连接部分420、421和422的可拉伸性可以增大。例如，连接部分420、421和422中的每一个可以具有弹簧形状以便于比具有条形的连接部分120相对拉伸更多，并且连接部分420、421和422可以相对容易地拉伸、收缩、弯曲和/或折叠。
尽管连接部分420、421和422已经被描述为分别具有U形、S形和W形，但是根据本公开的一个或多个实施例的连接部分420、421和422的配置不限于此。例如，连接部分420、421和422可以具有各种合适的形状。
返回参照图1，显示部分520和连接部分120可以一体形成。例如，在预备基板(例如，图12的预备基板510)被提供之后，被划分为显示部分520和连接部分120的基板110可以通过在预备基板中形成通孔205而被提供。换言之，显示部分520和连接部分120可以通过使用相同或基本上相同的材料而同时形成。
有机发光显示装置100可以包括具有通孔205的基板110，以便于容易地布置在弯曲表面或不均匀表面上而没有抬起现象。因此，有机发光显示装置100也可以用作具有弯曲形状的可拉伸有机发光显示装置。
图5是沿着图1的有机发光显示装置的线I-I’截取的截面图，并且图6是沿着图1的有机发光显示装置的线II-II’截取的截面图。
参照图5和图6，有机发光显示装置100可以包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、子像素结构200、像素限定层310、间隔件390、薄膜封装结构450和有机图案454等。在此情况下，基板110可以包括第一有机膜层111、第一阻挡层112、第二有机膜层113和第二阻挡层114。半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。薄膜封装结构450可以包括第一无机薄膜封装层451、有机薄膜封装层452和第二无机薄膜封装层453。
如上所述，因为有机发光显示装置100包括包含第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13的像素区域10以及连接区域30，所以基板110也可以被划分为包括第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13的像素区域10以及连接区域30。此外，除了连接部分120之外，图5中所示的基板110的其余部分可以与显示部分520相对应，并且图6中所示的显示部分520之间的空白空间可以与通孔205相对应。
可以提供第一有机膜层111。第一有机膜层111可以包括具有柔性的有机材料。例如，第一有机膜层111可以包括无规共聚物或嵌段共聚物。此外，第一有机膜层111可以具有高透明度、低热膨胀系数和高玻璃化转变温度。因为第一有机膜层111可以包括酰亚胺基，所以其耐热性、耐化学性、耐磨性和电气特性可以被改善(例如，可以是优良的)。在一个或多个实施例中，第一有机膜层111可以包括聚酰亚胺。
第一阻挡层112可以布置在第一有机膜层111上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，第一阻挡层112可以遍及整个第一有机膜层111布置。第一阻挡层112可以阻挡或基本上阻挡湿气渗透穿过第一有机膜层111。第一阻挡层112可以包括具有柔性的无机材料。在一个或多个实施例中，第一阻挡层112可以包括硅化合物或金属氧化物等。例如，第一阻挡层112可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)和/或氧化钛(TiOx)等。
第二有机膜层113可以布置在第一阻挡层112上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，第二有机膜层113可以遍及整个第一阻挡层112布置。第二有机膜层113可以包括具有柔性的有机材料。例如，第二有机膜层113可以包括无规共聚物或嵌段共聚物。在一个或多个实施例中，第二有机膜层113可以包括聚酰亚胺。
第二阻挡层114可以布置在第二有机膜层113上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，第二阻挡层114可以遍及整个第二有机膜层113布置。第二阻挡层114可以阻挡或基本上阻挡湿气渗透穿过第二有机膜层113。第二阻挡层114可以包括具有柔性的无机材料。在一个或多个实施例中，第二阻挡层114可以包括氧化硅或氮化硅等。
因此，可以提供包括第一有机膜层111、第一阻挡层112、第二有机膜层113和第二阻挡层114的基板110。
尽管基板110已经被描述为具有四个层，但是根据本公开的一个或多个实施例的基板110的配置不限于此。例如，基板110可以包括单层或至少两个层。
在其他实施例中，基板110可以包括透明材料或不透明材料。例如，基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂氟的石英(掺杂F的石英)基板、碱石灰玻璃基板和/或非碱玻璃基板等。
缓冲层115可以布置在基板110上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，缓冲层115可以遍及整个基板110布置。缓冲层115可以防止或基本上防止金属原子和/或杂质从基板110扩散到上部结构中，并且可以控制在用于形成有源层130的晶化工艺期间热传输速率以获得均匀的或基本上均匀的有源层130。此外，当基板110的表面不均匀或基本上不均匀时，缓冲层115可以用于改善基板110的表面的平坦度。取决于基板110的种类，可以在基板110上提供至少两个缓冲层115，或者可以不提供(例如，可以省略)缓冲层115。缓冲层115可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个或多个实施例中，缓冲层115可以包括无机绝缘材料，并且可以阻挡或基本上阻挡可以渗透穿过基板110的湿气。
有源层130可以布置在缓冲层115上、像素区域10处(例如，中或上)。有源层130可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅半导体或多晶硅半导体)或有机半导体等。有源层130可以具有源区和漏区。
栅绝缘层150可以布置在缓冲层115上以及在有源层130上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，栅绝缘层150可以遍及整个缓冲层115布置。例如，栅绝缘层150可以充分地覆盖有源层130，并且可以具有平坦的或基本上平坦的顶表面而不在有源层130周围产生台阶。作为另一示例，栅绝缘层150可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着有源层130的轮廓布置以覆盖缓冲层115上的有源层130。栅绝缘层150可以包括硅化合物或金属氧化物等。在其他实施例中，栅绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，绝缘层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
栅电极170可以布置在栅绝缘层150上、像素区域10处(例如，中或上)。换言之，栅电极170可以布置在栅绝缘层150的有源层130位于其之下的一部分上。栅电极170可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等。例如，栅电极170可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)和/或氧化铟锌(IZO)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，栅电极170可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
层间绝缘层190可以布置在栅绝缘层150和栅电极170上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，层间绝缘层190可以遍及整个栅绝缘层150布置。例如，层间绝缘层190可以充分地覆盖栅绝缘层150上、像素区域10处(例如，中或上)的栅电极170，并且可以具有平坦的或基本上平坦的顶表面而不在栅电极170周围产生台阶。作为另一示例，层间绝缘层190可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着栅电极170的轮廓布置以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170。层间绝缘层190可以包括硅化合物或金属氧化物等。在其他实施例中，层间绝缘层190可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，绝缘层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
源电极210和漏电极230可以布置在层间绝缘层190上、像素区域10处(例如，中或上)。源电极210可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分形成的接触孔而连接到有源层130的源区，并且漏电极230可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分形成的接触孔而连接到有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每一个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
因此，可以提供包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230的半导体元件250。例如，有机发光显示装置100可以包括多个半导体元件250，并且至少一个半导体元件250可以布置在第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13中的每一个处(例如，中或上)。
尽管一个晶体管(例如，半导体元件250)已经被描述为布置在第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13中的每一个处(例如，中或上)，但是根据本公开的一个或多个实施例的第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13的配置不限于此。例如，第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13中的每一个可以具有包括至少两个晶体管以及至少一个电容器的配置。
此外，尽管半导体元件250已经被描述为具有顶栅结构，但是根据本公开的一个或多个实施例的半导体元件250的配置不限于此。例如，半导体元件250可以具有底栅结构和/或双栅结构。
平坦化层270可以布置在层间绝缘层190、源电极210和漏电极230上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，平坦化层270可以遍及整个层间绝缘层190布置。例如，平坦化层270可以具有相对厚的厚度以充分地覆盖层间绝缘层190上的源电极210和漏电极230。在此情况下，平坦化层270可以具有平坦的或基本上平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的这种平坦的或基本上平坦的顶表面，可以对平坦化层270额外地执行平坦化工艺。此外，平坦化层270可以具有暴露漏电极230的顶表面的接触孔。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在一个或多个实施例中，平坦化层270可以包括有机绝缘材料。
下电极290可以布置在平坦化层270上、像素区域10处(例如，中或上)。下电极290可以通过平坦化层270中的接触孔接触漏电极230(例如，可以与漏电极230直接接触)，并且下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，下电极290可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
像素限定层310可以布置在平坦化层270上、像素区域10处(例如，中或上)。换言之，像素限定层310可以布置在下电极290的一部分上以及在平坦化层270的一部分上。像素限定层310可以覆盖下电极290的相对的侧部(例如，相对的边缘部分)，并且可以具有暴露下电极290的顶表面的一部分的开口。在一些实施例中，像素限定层310也可以布置在平坦化层270上、连接区域30处(例如，中或上)。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在一个或多个实施例中，像素限定层310可以包括有机绝缘材料。
间隔件390可以布置在像素限定层310上、像素区域10处(例如，中或上)。间隔件390可以执行支撑金属掩模的功能。间隔件390可以包括有机材料或无机材料。
发光层330可以布置在下电极290上、像素区域10处(例如，中或上)。换言之，发光层330可以布置在由像素限定层310的开口暴露的下电极290上。发光层330可以通过使用用于根据子像素发射不同颜色的光(例如，红光、绿光和/或蓝光等)的各种合适的发光材料中的至少一种而形成。作为另一示例，发光层330可以通过堆叠用于生成不同颜色的光(例如，诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料而形成以整体发射白光。在此情况下，滤色器可以布置在发光层330上(例如，在薄膜封装结构450上以与发光层330重叠)。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一个。在一些实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂或彩色光致抗蚀剂。
上电极340可以布置在平坦化层270、像素限定层310、间隔件390和发光层330上、像素区域10和连接区域30处(例如，中或上)。换言之，上电极340可以遍及整个基板110布置。在一些实施例中，上电极340可以布置在像素区域10处(例如，中或上)、平坦化层270上，而不布置在连接区域30处(例如，中或上)、平坦化层270上。上电极340可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，上电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
因此，可以提供包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。例如，有机发光显示装置100可以包括多个下电极290和多个发光层330。在此情况下，一个下电极290和一个发光层330可以布置在第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13中的每一个处(例如，中或上)，并且上电极340可以布置在多个下电极290和多个发光层330上。
第一无机薄膜封装层451可以遍及整个像素区域10和连接区域30布置在上电极340上。换言之，第一无机薄膜封装层451可以布置在上电极340、基板110的侧壁、缓冲层115的侧壁、栅绝缘层150的侧壁、层间绝缘层190的侧壁和平坦化层270的侧壁上。如图6中所示，这些层的侧壁可以与通孔205邻近。第一无机薄膜封装层451可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着上电极340以及基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190和平坦化层270中的每一个的侧壁的轮廓布置，以覆盖上电极340以及基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190和平坦化层270中的每一个的侧壁。换言之，第一无机薄膜封装层451可以在从位于第一无机薄膜封装层451之下的子像素结构200到通孔205的方向上延伸，并且可以布置在基板110的与通孔205邻近的侧壁和有机图案454之间。
在一个或多个实施例中，第一无机薄膜封装层451可以完全地覆盖基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190和平坦化层270中的每一个的侧壁。此外，第一无机薄膜封装层451可以在基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190和平坦化层270中的每一个的侧壁上在与第三方向D3相反的方向上延伸，并且可以具有在从基板110的侧壁到通孔205的方向上从第一无机薄膜封装层451的与基板110的底表面邻近(例如，与第一有机膜层111的底表面邻近)的一部分突出的突起。
第一无机薄膜封装层451可以防止或基本上防止子像素结构200由于湿气和/或氧气等的渗透引起的退化。此外，第一无机薄膜封装层451也可以执行保护子像素结构200免受外部冲击的功能。第一无机薄膜封装层451可以包括具有柔性的一种或多种无机绝缘材料。
有机薄膜封装层452可以布置在第一无机薄膜封装层451上、像素区域10处(例如，中或上)。有机薄膜封装层452可以改善有机发光显示装置100的平坦度，并且可以与第一无机薄膜封装层451一起保护子像素结构200。有机薄膜封装层452可以包括具有柔性的一种或多种有机材料。在一些实施例中，有机薄膜封装层452可以布置在第一无机薄膜封装层451上、连接区域30处(例如，中或上)。
有机图案454可以布置在基板110的与通孔205邻近的侧壁上。换言之，有机图案454可以布置在第一无机薄膜封装层451的突起上。在一个或多个实施例中，在有机发光显示装置100的平面图中，有机图案454可以沿着由像素区域10之中的邻近的像素区域10和被配置为与邻近的像素区域10彼此连接的连接区域30限定的区域的最外围布置。换言之，有机图案454可以沿着通孔205的最外围的轮廓布置在第一无机薄膜封装层451的突起上。例如，有机图案454的底表面可以接触第一无机薄膜封装层451的突起(例如，可以与第一无机薄膜封装层451的突起接触)，有机图案454的顶表面可以接触第二无机薄膜封装层453(例如，可以与第二无机薄膜封装层453接触)，有机图案454的第一侧表面可以接触第一无机薄膜封装层451(例如，可以与第一无机薄膜封装层451接触)，并且有机图案454的(例如，与第一侧表面相对的)第二侧表面可以被暴露。
有机图案454可以包括具有柔性的一种或多种有机绝缘材料。在一个或多个实施例中，有机图案454可以包括与有机薄膜封装层452的材料相同或基本上相同的材料。例如，有机图案454可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸、聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺、环氧树脂、丙烯酸酯单体、苯乙炔、二胺、酸酐、硅氧烷、聚硅氧烷、硅烷、聚对二甲苯、烯烃类聚合物(聚乙烯或聚丙烯)、聚对苯二甲酸乙二酯和/或氟等。在一些实施例中，有机图案454可以包括包含有机绝缘材料作为基材的树脂。
第二无机薄膜封装层453可以遍及像素区域10和连接区域30的整个区域布置在第一无机薄膜封装层451和有机薄膜封装层452上。第二无机薄膜封装层453可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着第一无机薄膜封装层451和有机薄膜封装层452的轮廓布置以覆盖有机薄膜封装层452。换言之，第二无机薄膜封装层453可以在从位于第二无机薄膜封装层453之下的子像素结构200到通孔205的方向上延伸，并且可以布置在基板110的与通孔205邻近的侧壁上布置的第一无机薄膜封装层451和有机图案454上。第二无机薄膜封装层453可以与第一无机薄膜封装层451一起防止或基本上防止子像素结构200由于湿气和/或氧气等的渗透引起的退化。此外，第二无机薄膜封装层453也可以与第一无机薄膜封装层451和有机薄膜封装层452一起执行保护子像素结构200免受外部冲击的功能。第二无机薄膜封装层453可以包括具有柔性的一种或多种无机绝缘材料。
因此，可以提供包括第一无机薄膜封装层451、有机薄膜封装层452和第二无机薄膜封装层453的薄膜封装结构450。
在其他实施例中，薄膜封装结构450可以具有其中三个无机薄膜封装层和两个有机薄膜封装层彼此堆叠的五层结构，或者其中四个无机薄膜封装层和三个有机薄膜封装层彼此堆叠的七层结构。
如上所述，可以提供包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、子像素结构200、像素限定层310、间隔件390、薄膜封装结构450和有机图案454的有机发光显示装置100。
作为比较示例，在制造比较有机发光显示装置的方法中从玻璃基板剥离基板的工艺期间，可能在基板的侧壁上过度地撕去第二无机薄膜封装层，以使仅第一无机薄膜封装层可以保留在基板的侧壁上。在此情况下，可以在基板的侧壁处相对缩短用于阻挡可以从外部渗透的水和/或湿气渗入的路径，这可能导致水和/或湿气渗透到基板中。因此，可以在比较有机发光显示装置中导致缺陷。
根据本公开的一个或多个实施例，有机发光显示装置100包括完全地覆盖基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190和平坦化层270中的每一个的侧壁的第一无机薄膜封装层451和第二无机薄膜封装层453，以使可以阻挡或基本上阻挡(例如，可以完全地阻挡)可以从外部穿过通孔205渗透到侧壁中的水和/或湿气。
此外，因为有机图案454可以布置在基板110的与通孔205邻近的侧壁上，所以可以在基板110的侧壁处相对增大用于阻挡水和/或湿气渗入的路径。
图7至图22是示出根据本公开的一个或多个实施例的制造有机发光显示装置的方法的视图。
参照图7和图8，可以提供刚性玻璃基板105。玻璃基板105可以包括像素区域10、连接区域30和接触区域40。在此情况下，像素区域10之中的一个像素区域10可以包括第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13。
像素区域10可以在第一方向D1和第二方向D2上设置。像素区域10可以彼此间隔开，并且连接区域30可以分别位于像素区域10之中的邻近的像素区域10之间。换言之，一个连接区域30可以位于像素区域10之中的两个邻近的像素区域10之间。此外，接触区域40之中的一个接触区域40可以与由像素区域10之中的邻近的像素区域10和分别位于邻近的像素区域10之间的连接区域30限定的区域相对应。换言之，接触区域40之中的一个接触区域40可以由像素区域10之中的至少四个邻近的像素区域10和被配置为将至少四个邻近的像素区域10彼此连接的至少四个连接区域30围绕(例如，在其外围周围)。
参照图9和图10，接触图案135可以形成在玻璃基板105上、接触区域40处(例如，中或上)。接触图案135可以包括在第三方向D3上在接触图案135的最外围部分处从接触图案135的顶表面突出的突起。接触图案135可以通过使用非晶硅而形成。例如，接触图案135可以通过使用相对于下面将更详细地描述的预备第一有机膜层511具有相对高的粘合强度的材料而形成。在一些实施例中，接触图案135可以通过使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等而形成。
参照图11和图12，预备第一有机膜层511可以形成在玻璃基板105和接触图案135上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，预备第一有机膜层511可以遍及整个玻璃基板105形成。预备第一有机膜层511可以通过使用具有柔性的有机材料而形成。例如，预备第一有机膜层511可以包括无规共聚物或嵌段共聚物。此外，预备第一有机膜层511可以具有高透明度、低热膨胀系数和高玻璃化转变温度。因为预备第一有机膜层511包括酰亚胺基团，所以其耐热性、耐化学性、耐磨性和电气特性可以被改善(例如，可以是优良的)。在一个或多个实施例中，预备第一有机膜层511可以包括聚酰亚胺。
预备第一阻挡层512可以形成在预备第一有机膜层511上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，预备第一阻挡层512可以遍及整个预备第一有机膜层511形成。预备第一阻挡层512可以阻挡或基本上阻挡湿气渗透穿过预备第一有机膜层511。预备第一阻挡层512可以通过使用具有柔性的无机材料而形成。在一个或多个实施例中，预备第一阻挡层512可以包括硅化合物或金属氧化物等。例如，预备第一阻挡层512可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和/或氧化钛等。
预备第二有机膜层513可以形成在预备第一阻挡层512上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，预备第二有机膜层513可以遍及整个预备第一阻挡层512形成。预备第二有机膜层513可以通过使用具有柔性的有机材料而形成。例如，预备第二有机膜层513可以包括无规共聚物或嵌段共聚物。在一个或多个实施例中，预备第二有机膜层513可以包括聚酰亚胺。
预备第二阻挡层514可以形成在预备第二有机膜层513上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，预备第二阻挡层514可以遍及整个预备第二有机膜层513形成。预备第二阻挡层514可以阻挡或基本上阻挡湿气渗透穿过预备第二有机膜层513。预备第二阻挡层514可以通过使用具有柔性的无机材料而形成。在一个或多个实施例中，预备第二阻挡层514可以包括氧化硅或氮化硅等。
因此，可以形成包括预备第一有机膜层511、预备第一阻挡层512、预备第二有机膜层513和预备第二阻挡层514的预备基板510。
参照图13，缓冲层115可以在像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)形成在预备基板510上。换言之，缓冲层115可以遍及整个预备基板510形成。取决于预备基板510的种类，可以在预备基板510上提供至少两个缓冲层115，或者可以不形成(例如，可以省略)缓冲层115。缓冲层115可以通过使用无机绝缘材料而形成，并且可以阻挡或基本上阻挡湿气渗透穿过预备基板510。
有源层130可以形成在缓冲层115上、像素区域10处(例如，中或上)。有源层130可以通过使用金属氧化物半导体、无机半导体或有机半导体等而形成。有源层130可以具有源区和漏区。
栅绝缘层150可以形成在缓冲层115和有源层130上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，栅绝缘层150可以遍及整个缓冲层115形成。例如，栅绝缘层150可以充分地覆盖有源层130，并且可以具有平坦的或基本上平坦的顶表面而不在有源层130周围产生台阶。作为另一示例，栅绝缘层150可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着有源层130的轮廓形成以覆盖缓冲层115上的有源层130。栅绝缘层150可以通过使用硅化合物或金属氧化物等而形成。在其他实施例中，栅绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，绝缘层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
栅电极170可以形成在栅绝缘层150上、像素区域10处(例如，中或上)。换言之，栅电极150可以形成在栅绝缘层150的有源层130位于其之下的一部分上。栅电极170可以通过使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等而形成。例如，栅电极170可以包括金、银、铝、铂、镍、钛、钯、镁、钙、锂、铬、钽、钨、铜、钼、钪、钕、铱、含铝合金、氮化铝、含银合金、氮化钨、含铜合金、含钼合金、氮化钛、氮化铬、氮化钽、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓和/或氧化铟锌等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，栅电极170可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
层间绝缘层190可以形成在栅绝缘层150和栅电极170上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，层间绝缘层190可以遍及整个栅绝缘层150形成。例如，层间绝缘层190可以充分地覆盖在像素区域10处(例如，中或上)、栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有平坦的或基本上平坦的顶表面而不在栅电极170周围产生台阶。作为另一示例，层间绝缘层190可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着栅电极170的轮廓形成以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170。层间绝缘层190可以通过使用硅化合物或金属氧化物等而形成。在其他实施例中，层间绝缘层190可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，绝缘层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
源电极210和漏电极230可以形成在层间绝缘层190上、像素区域10处(例如，中或上)。源电极210可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分形成的接触孔而连接到有源层130的源区，并且漏电极230可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分形成的接触孔而连接到有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每一个可以通过使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等而形成。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
因此，可以形成包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
参照图14，平坦化层270可以形成在层间绝缘层190、源电极210和漏电极230上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，平坦化层270可以遍及整个层间绝缘层190形成。例如，平坦化层270可以具有相对厚的厚度以充分地覆盖层间绝缘层190上的源电极210和漏电极230。在此情况下，平坦化层270可以具有平坦的或基本上平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的这种平坦的或基本上平坦的顶表面，可以对平坦化层270额外地执行平坦化工艺。此外，平坦化层270可以具有暴露漏电极230的顶表面的接触孔。平坦化层270可以通过使用有机绝缘材料而形成。
下电极290可以形成在平坦化层270上、像素区域10处(例如，中或上)。下电极290可以穿过平坦化层270的接触孔接触漏电极230(例如，可以与漏电极230直接接触)。下电极290可以通过使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等而形成。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，下电极290可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
像素限定层310可以在像素区域10处(例如，中或上)形成在平坦化层270上。换言之，像素限定层310可以形成在下电极290的一部分上以及形成在平坦化层270的一部分上。像素限定层310可以覆盖下电极290的相对的侧部(例如，相对的边缘部分)，并且可以具有暴露下电极290的顶表面的一部分的开口。像素限定层310可以通过使用有机绝缘材料而形成。
间隔件390可以形成在像素限定层310上、像素区域10处(例如，中或上)。间隔件390可以执行支撑金属掩模的功能。像素限定层310和间隔件390可以通过使用半色调狭缝掩模而由相同的或基本上相同的材料并发地(例如，同时)形成。
发光层330可以形成在下电极290上、像素区域10处(例如，中或上)。换言之，发光层330可以形成在由像素限定层310的开口暴露的下电极290上。发光层330可以通过使用用于根据子像素发射不同颜色的光(例如，红光、绿光和/或蓝光等)的各种合适的发光材料中的至少一种而形成。作为另一示例，发光层330可以通过堆叠用于生成不同颜色的光(例如，诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料而形成以整体发射白光。在此情况下，滤色器可以形成在发光层330上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一个。在一些实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以通过使用光敏树脂或彩色光致抗蚀剂而形成。
上电极340可以形成在平坦化层270、像素限定层310、间隔件390和发光层330上、像素区域10、连接区域30和接触区域40处(例如，中或上)。换言之，上电极340可以遍及整个预备基板510形成。上电极340可以通过使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料等而形成。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，上电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有彼此不同的厚度，或者可以包括彼此不同的材料。
因此，可以形成包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。
参照图15，激光可以照射到预备基板510、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270和上电极340的与接触区域40的最外围部分重叠的部分上。
参照图16和图17，可以移除预备基板510、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270和上电极340的位于激光照射处的部分，并且开口215可以形成在接触区域40的最外围部分中。开口215可以暴露接触图案135的一部分和玻璃基板105的一部分。在开口215形成之后，在玻璃基板105上、位于像素区域10和接触区域30处(例如，中或上)的预备基板510可以被定义为基板110。例如，基板110可以位于开口215的外侧外围处(例如，中或上)。此外，预备基板510、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270和上电极340的形成在玻璃基板105上的接触图案135上的部分可以被定义为第一虚设图案610。例如，第一虚设图案610可以位于开口215的内侧处(例如，中或上)。
参照图18，第一无机薄膜封装层451可以遍及像素区域10、连接区域30和接触区域40的整个区域形成在玻璃基板105上。换言之，第一无机薄膜封装层451可以形成在上电极340、基板110的侧壁、缓冲层115的侧壁、栅绝缘层150的侧壁、层间绝缘层190的侧壁、平坦化层270的侧壁、第一虚设图案610的侧壁、玻璃基板105的位于开口215处(例如，中或上)的顶表面和接触图案135的位于开口215处(例如，中或上)的突起上。这些层的侧壁可以与开口215邻近。此外，第一无机薄膜封装层451也可以形成在第一虚设图案610上。
第一无机薄膜封装层451可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着上电极340、基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270和第一虚设图案610中的每一个的侧壁、玻璃基板105的位于开口215处(例如，中或上)的顶表面和接触图案135的位于开口215处(例如，中或上)的突起的轮廓而形成，以覆盖上电极340、基板110、缓冲层115、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270和第一虚设图案610中的每一个的侧壁、玻璃基板105的位于开口215处(例如，中或上)的顶表面以及接触图案135的位于开口215处(例如，中或上)的突起。第一无机薄膜封装层451可以防止或基本上防止子像素结构200由于湿气和/或氧气等的渗透引起的退化。此外，第一无机薄膜封装层451也可以执行保护子像素结构200免受外部冲击的功能。第一无机薄膜封装层451可以通过使用具有柔性的一种或多种无机绝缘材料而形成。
参照图19，有机薄膜封装层452可以形成在第一无机薄膜封装层451上、在像素区域10处(例如，中或上)。当有机薄膜封装层452形成在第一无机薄膜封装层451上时，有机薄膜封装层452的一部分可以形成在开口215中。在此情况下，有机薄膜封装层452的形成在开口215中的该部分被定义为有机图案454。在一些实施例中，有机薄膜封装层452可以形成在第一无机薄膜封装层451上、在连接区域30处(例如，中或上)。有机薄膜封装层452可以改善有机发光显示装置的平坦度，并且可以与第一无机薄膜封装层451一起保护子像素结构200。有机薄膜封装层452可以通过使用具有柔性的一种或多种有机绝缘材料而形成。
因为有机图案454形成在开口215中，所以有机图案454可以沿着接触区域40的最外围形成。换言之，有机图案454可以沿着开口215的轮廓形成在第一无机薄膜封装层451上。如上所述，有机图案454可以通过使用与有机薄膜封装层452的材料相同或基本上相同的材料而与有机薄膜封装层452并发地(例如，同时)形成。例如，有机图案454可以包括诸如光致抗蚀剂、丙烯酸、聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺、环氧树脂、丙烯酸酯单体、苯乙炔、二胺、酸酐、硅氧烷、聚硅氧烷、硅烷、聚对二甲苯、烯烃类聚合物、聚对苯二甲酸乙二酯和/或氟的有机绝缘材料。在一些实施例中，有机图案454可以包括包含有机绝缘材料作为基材的树脂。
参照图20，第二无机薄膜封装层453可以遍及像素区域10、连接区域30和接触区域40的整个区域形成在第一无机薄膜封装层451和有机薄膜封装层452上。第二无机薄膜封装层453可以以均匀的或基本上均匀的厚度沿着第一无机薄膜封装层451、有机薄膜封装层452和有机图案454的轮廓形成以覆盖有机薄膜封装层452。换言之，第二无机薄膜封装层453可以形成在形成于基板110的与开口215邻近的侧壁上的第一无机薄膜封装层451上，并且可以覆盖有机图案454。因此，有机图案454可以由第一无机薄膜封装层451和第二无机薄膜封装层453围绕(例如，在其外围周围)。此外，第二无机薄膜封装层453也可以形成在第一虚设图案610上。
第二无机薄膜封装层453可以与第一无机薄膜封装层451一起防止或基本上防止子像素结构200由于湿气和/或氧气等的渗透引起的退化。此外，第二无机薄膜封装层453也可以与第一无机薄膜封装层451和有机薄膜封装层452一起执行保护子像素结构200免受外部冲击的功能。第二无机薄膜封装层453可以通过使用具有柔性的一种或多种无机绝缘材料而形成。
对于比较示例，在制造不包括接触图案135和有机图案454的比较有机发光显示装置的方法中形成第二无机薄膜封装层的工艺中，开口在第三方向D3上的深度可以被增大(例如，可以更深)，并且开口在第二方向D2上的宽度可以通过在开口中形成第一无机薄膜封装层而被减小。因此，第二无机薄膜封装层的厚度可以在开口的下端部处(例如，在开口的基板所在的一部分处)变得相对更薄。在此情况下，在制造比较有机发光显示装置的方法中从玻璃基板剥离基板的工艺期间，可能在基板的侧壁上过度地撕去第二无机薄膜封装层，以使仅第一无机薄膜封装层可以保留在基板的侧壁上。在此情况下，可以在基板的侧壁处相对缩短用于阻挡可以从外部渗透的水和/或湿气渗入的路径，这可能导致水和/或湿气渗透到基板中。
根据本公开的一个或多个实施例，因为接触图案135的突起和有机图案454形成在玻璃基板105的开口215所在的一部分处，所以第二无机薄膜封装层453可以不延伸到开口215的下端部。因此，在形成第二无机薄膜封装层453的工艺中，第二无机薄膜封装层453的厚度可以在开口215内不会变得更薄。
参照图21和图22，第一无机薄膜封装层451和第二无机薄膜封装层453形成在其上的第一虚设图案610被定义为第二虚设图案620。此外，位于像素区域10中的每一个处(例如，中或上)的基板110被定义为显示部分520，并且位于连接区域30中的每一个处(例如，中或上)的基板110被定义为连接部分120。换言之，基板110可以包括显示部分520和连接部分120。
当将形成在接触图案135上的第二虚设图案620固定到玻璃基板105上时，基板110可以在第三方向D3上被从玻璃基板105剥离。在此情况下，第二虚设图案620可以通过接触接触图案135(例如，通过与接触图案135接触)而具有相对大的粘合强度，以使第二虚设图案620可以在剥离工艺中不被从接触图案135剥离。在剥离工艺中，第一无机薄膜封装层451的一部分、有机图案454的一部分和第二无机薄膜封装层453的一部分可以保留在与接触图案135的突起重叠的部分处。
在一个或多个实施例中，因为接触图案135的突起形成在开口215中，所以可以相对减小其中第一无机薄膜封装层451与玻璃基板105接触的面积，并且第一无机薄膜封装层451可以在剥离工艺中被容易地从玻璃基板105剥离。
当基板110被剥离时，第一无机薄膜封装层451、有机图案454和第二无机薄膜封装层453的位于开口215中的部分可以分离。因此，第一无机薄膜封装层451可以形成具有在从基板110的侧壁到开口215的方向上从第一无机薄膜封装层451的与基板110的底表面邻近(例如，与第一有机膜层111的底表面邻近)的一部分突出的突起。此外，有机图案454可以位于第一无机薄膜封装层451的突起上。例如，有机图案454的底表面可以接触第一无机薄膜封装层451的突起(例如，可以与第一无机薄膜封装层451的突起接触)，有机图案454的顶表面可以接触第二无机薄膜封装层453(例如，可以与第二无机薄膜封装层453接触)，有机图案454的第一侧表面可以接触第一无机薄膜封装层451(例如，可以与第一无机薄膜封装层451接触)，并且有机图案454的(例如，与第一侧表面相对的)第二侧表面可以被暴露。第二无机薄膜封装层453可以位于有机图案454上。
如图22中所示，可以形成通孔205，通孔205由分别形成在像素区域10之中的邻近的像素区域10(例如，显示部分520)和位于邻近的像素10之间的连接区域30(例如，连接部分120)处(例如，中或上)的基板110围绕(例如，在其外围周围)。例如，通孔205可以与开口215、接触图案135和第二虚设图案620形成在其处(例如，中或上)的接触区域40相对应。在一个或多个实施例中，有机图案454可以沿着通孔205的最外围的轮廓形成在第一无机薄膜封装层451的突起上。
因此，可以制造图1、图5和图6中所示的有机发光显示装置100，并且可以提供制造有机发光显示装置100的方法。
在根据本公开的一个或多个实施例的制造有机发光显示装置的方法中，因为有机图案454和接触图案135的突起形成在玻璃基板105的开口215所在的部分处，所以第二无机薄膜封装层453的厚度可以在开口215内不被减小(例如，可以不会变得更薄)，并且因此，可以在从玻璃基板105剥离基板110的工艺中不过度地撕去第二无机薄膜封装层453。因此，可以减少有机发光显示装置的缺陷。
此外，因为接触图案135的突起形成在开口215中，所以可以相对减小其中第一无机薄膜封装层451接触玻璃基板105(例如，与玻璃基板105接触)的面积，并且第一无机薄膜封装层451可以在剥离工艺中被容易地从玻璃基板105剥离。
本公开的实施例可以被应用于具有有机发光显示装置的各种合适的电子装置。例如，本公开的一个或多个实施例可以被应用于诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞行器显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置和医疗显示装置等的各种合适的电子装置。
尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易知晓，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在实施例中各种修改是可能的。将理解，每个实施例内的特征或方面的描述通常被视为可适用于其他实施例中的其他类似特征或方面，除非另外描述。因此，如对于本领域普通技术人员将是明显的，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外明确指示。因此，要理解，前述是各个实施例的说明并且不应被解释为限于本文所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的各种修改以及其他实施例意在包括在如所附权利要求及其等价形式中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括：
像素区域；
连接区域，分别在所述像素区域之中的邻近的像素区域之间；以及
具有通孔的区域，具有所述通孔的所述区域由所述邻近的像素区域和分别在所述邻近的像素区域之间的所述连接区域限定；
子像素结构，在所述基板上、所述像素区域中的每一个像素区域处；以及
在所述基板的侧壁上的有机图案，所述侧壁与所述通孔邻近。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，在所述有机发光显示装置的平面图中，所述有机图案沿着由所述邻近的像素区域和分别在所述邻近的像素区域之间的所述连接区域限定的所述区域的最外围延伸。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，进一步包括：在所述子像素结构上的薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括：
在所述子像素结构上的第一无机薄膜封装层；
在所述第一无机薄膜封装层上的有机薄膜封装层；以及
在所述有机薄膜封装层上的第二无机薄膜封装层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述有机图案和所述有机薄膜封装层包括彼此相同的材料。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述有机图案接触所述第一无机薄膜封装层和所述第二无机薄膜封装层。
6.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一无机薄膜封装层在从所述子像素结构到所述通孔的方向上延伸，并且在所述基板的与所述通孔邻近的所述侧壁和所述有机图案之间，
所述第二无机薄膜封装层在所述方向上延伸，并且在位于所述基板的所述侧壁上的所述第一无机薄膜封装层上，并且
其中，所述第二无机薄膜封装层接触在所述基板的所述侧壁上的所述有机图案。
7.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一无机薄膜封装层包括在从所述基板的所述侧壁到所述通孔的方向上从所述第一无机薄膜封装层的与所述基板的底表面邻近的一部分突出的突起。
8.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在所述基板上的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上的层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层上的平坦化层，
其中，所述栅绝缘层、所述层间绝缘层和所述平坦化层中的每一个的与所述通孔邻近的侧壁接触所述第一无机薄膜封装层。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基板在所述像素区域中的每一个像素区域处具有岛形，并且所述基板在所述连接区域中的每一个连接区域处具有条形，
其中，所述连接区域包括：
在第一方向上延伸的第一连接区域；以及
在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的第二连接区域，并且
其中，所述像素区域之中的一个像素区域的一侧接触所述第一连接区域，并且所述一个像素区域的邻近侧接触所述第二连接区域。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基板在所述像素区域中的每一个像素区域处具有岛形，并且
所述基板在所述连接区域中的每一个连接区域处具有U形、S形或W形。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，在所述连接区域中的每一个连接区域处的所述基板是可伸缩的。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基板包括具有多个通孔的网状结构，并且
所述多个通孔中的一个通孔由在所述像素区域之中的至少三个邻近的像素区域和所述连接区域之中的被配置为将所述至少三个邻近的像素区域彼此连接的至少三个连接区域处的所述基板限定。
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