CN113994375A

CN113994375A - 用于非对称晶片形状表征的度量

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Publication number: CN113994375A
Application number: CN202080042444.5A
Authority: CN
Inventors: S·阿加瓦尔; P·贾因; 钟媛; C·迟
Original assignee: KLA Tencor Corp
Current assignee: KLA Corp
Priority date: 2019-06-18
Filing date: 2020-06-16
Publication date: 2022-01-28
Also published as: US20200402252A1; JP2022536953A; KR102652160B1; WO2020257131A1; KR20220020978A; US11393118B2; JP7398483B2

Abstract

使用关于晶片的几何形状的数据，沿起源于沿所述晶片的圆周的不同点处的至少三个直径测量所述晶片的所述几何形状。使用所述三个直径确定所述晶片的所述几何形状的表征。可基于所述表征确定所述晶片的晶片夹持失败的概率。

Description

用于非对称晶片形状表征的度量

相关申请案的交叉引用

本申请案主张2019年6月18日申请且被指派第62/863,158号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的公开内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及表征半导体晶片或其它工件的形状。

背景技术

半导体制造行业的演进对良率管理，且特定来说对计量及检验系统提出更高的要求。临界尺寸继续缩小，但行业需要减少用于实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间决定了半导体制造商的投资回报率。

制造半导体装置，例如逻辑及存储器装置，通常包含使用大量制造工艺来处理半导体晶片，以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种半导体制造工艺，其涉及将图案从光罩转印到布置在半导体晶片上的光致抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以一布置制造在单个半导体晶片上并分离为个别半导体装置。

通常，对晶片的平整度及厚度均匀性有一定的要求。然而，在制造期间执行的各种工艺步骤可能会改变沉积在晶片上的薄膜中的应力，并可能导致弹性形变，从而导致显著的变形，包含平面内变形(IPD)及/或平面外变形(OPD)。此类变形可能会导致下游工艺中出现误差。例如，变形可导致平版印刷图案化等中的叠对误差。

在半导体制造工艺期间的各个步骤处使用计量过程来监测及控制一或多个半导体层工艺。这些特性中的一些包含晶片的平整度及厚度均匀性。现存的半导体标准界定用于晶片形状表征的度量，例如“弯曲”及“翘曲”。这些度量传统上用于工具中的裸晶片形状表征。然而，这些现存的度量可能无法完全表征晶片形状，因为这些现存的度量无法提供晶片形状变形的方向及/或程度。例如，当前的弯曲及翘曲度量每晶片仅提供一个数字。这不能提供足够的信息来捕获晶片变形的方向及/或角变化。

现存的计量工具支持沿X及Y方向(即，穿过晶片的中心的两个垂直直径)的晶片形状度量。然而，所有这些度量都是每晶片的一个值，并不表征晶片形状中的不对称性。晶片形状中的这种不对称性使得使用现存的度量很难捕获及监测真实的晶片形状。

当前的度量也不能捕获非X及Y方向上的晶片形状不对称性。当前，必须逐个目视检验晶片图以确定晶片形状不对称性。这种技术不准确，且不能提供最大或最小晶片形状的精确方向。

此外，如果晶片的最大翘曲在X或Y方向发生，那么当前度量仅捕获所述晶片的最大翘曲。否则，忽略最大翘曲。

因此，需要用于晶片形状表征的新技术。

发明内容

在第一实施例中提供一种检测系统。所述检测系统包含经配置以测量晶片的几何形状的成像系统及与所述成像系统电子通信的处理器。所述处理器经配置以：获得关于所述晶片的所述几何形状的数据；沿起源于沿所述晶片的圆周的不同点处的至少三个直径测量所述晶片的所述几何形状；并使用所述三个直径确定所述晶片的所述几何形状的表征。所述检测系统可进一步包含经配置以固持所述晶片的卡盘。

所述表征可包含所述晶片跨越所述三个直径的最大形状变化的量值及方向、角翘曲、峰值点或谷值点或曲率。

所述处理器可经进一步配置以基于所述表征确定所述晶片的晶片夹持失败的概率。

所述几何形状可沿至少三十二个直径测量。

在第二实施例中提供一种方法。一种方法包含在处理器处接收关于晶片的几何形状的数据。使用所述处理器，沿起源于沿所述晶片的圆周的不同点处的至少三个直径测量所述晶片的所述几何形状。使用所述处理器，使用所述三个直径确定所述晶片的所述几何形状的表征。

所述方法可进一步包含使用成像系统对所述晶片进行成像。

所述晶片可为3D NAND晶片或DRAM晶片。

所述方法可进一步包含使用所述处理器基于所述表征确定所述晶片的晶片夹持失败的概率。

所述几何形状可沿至少三十二个直径测量。

在例子中，所述三个直径中的两者彼此垂直。

所接收的所述数据可用于所述晶片的整个表面。

存储程序的非暂时性计算机可读媒体可经配置以指示处理器执行所述第二实施例的所述方法。

附图说明

为了更全面地理解本公开的性质及目的，应参考以下结合附图进行的详细描述，其中：

图1说明具有用于角翘曲确定的示范性角的晶片；

图2是根据本公开的方法的实施例的流程图；

图3比较角翘曲度量(底部)与先前的度量(顶部)；

图4说明卡盘夹紧失败的实例；及

图5是根据本公开的检测系统的实施例。

具体实施方式

尽管将鉴于某些实施例描述所主张的标的物，但包含不提供本文所阐述的所有优点及特征的其它实施例也在本公开的范围内。在不脱离本公开的范围的情况下，可进行各种结构、逻辑、工艺步骤及电子改变。因此，仅通过参考所附权利要求界定本公开的范围。

本文公开的实施例使用角翘曲技术来表征半导体晶片的形状或其它几何形状。现存的弯曲及翘曲度量可有助于裸晶片或对称图案化晶片的晶片形状表征，但对于非对称晶片(例如3D NAND)需要额外的表征。仅沿一个方向轴采样的部分数据可针对逻辑或DRAM装置中的低翘曲给予半导体制造商关于晶片形状的一般概念，这对于通常具有较高晶片形状的3D NAND是不足够的。来自全晶片的额外测量点帮助半导体制造商获得晶片的整体视图。

所公开的实施例可表征晶片形状以捕获方向性不对称性。例如，可使用本文中公开的实施例在任何方向上确定翘曲值作为用于晶片形状表征的度量。本文所描述的度量可在集成电路制造期间表征晶片形状，而无需对单个晶片形状图进行目视检验。晶片形状不对称性(例如，值或角)可经自动确定。此额外表征可用于非对称晶片以确定晶片形状是否过度变形。半导体制造商可决定报废过度变形的晶片，或在不对称性在可容忍范围内的情况下进一步处理晶片。

本文所公开的角翘曲度量非常适合于DRAM或3D NAND装置。然而，本文所公开的实施例可针对不同晶片类型或不同装置类型定制。

PWG测量系统是可测量晶片几何形状(例如，厚度、平整度或形状)的晶片计量系统的实例。来自KLA公司的经图案化晶片几何形状(PWG)系统可测量裸晶片或经图案化晶片的整个表面。来自KLA公司的WaferSight测量系统是可测量裸晶片的晶片几何形状的晶片计量系统的另一实例。此类系统可使用成像装置(例如，双斐索干涉成像装置)对经图案化晶片的前表面及/或后表面进行高分辨率(例如，125um到500um像素宽度)表面高度测量。其它晶片计量系统也可受益于本文所公开的实施例。可使用PWG测量系统或其它晶片计量系统获得及/或导出这些各种测量。在PWG测量系统的实例中，测量可包含晶片前侧高度、后侧高度、厚度变化、平整度及所有随之而来的衍生物，例如形状及纳米形貌。

本公开的实施例涉及用于提供用于高级半导体装置晶片的经改进的晶片几何形状测量的系统及方法。本公开中的术语晶片几何形状是指晶片前侧高度、后侧高度、厚度变化、平整度及所有随之而来的衍生物，例如形状、形貌等。根据本公开的实施例的系统及方法适合于处置任何类型的晶片，包含经图案化晶片，而不具有常规计量系统的缺点。

角翘曲度量可提供可量化及可报告的指示符，以计算晶片内所有角下的晶片形状，如图1中所展示。在图1的实例中，沿X方向(从0°开始的直径)及Y方向(从90°开始的直径)确定测量值。然而，也可沿从5°、30°、45°及135°开始的直径确定测量值。所选择的特定角可基于工艺层、制造工艺、晶片的类型或晶片上的装置。如果存在整个晶片表面的晶片数据，那么可在任何角下确定测量值。否则，可在所选择的角下进行测量。

图2是方法200的实施例的流程图。在201处，当晶片经固持在卡盘上时，使用成像系统对晶片进行成像。晶片也可经固持在引脚上或使用真空夹具固持。例如，晶片可为3DNAND或DRAM晶片。在202处，在处理器处接收关于晶片的几何形状的数据。此数据可包含关于晶片表面、形貌或形状的信息。关于晶片的几何形状的数据可来自成像系统。

虽然特定公开3D NAND及DRAM晶片，但可使用其它存储器或逻辑晶片。其它晶片可能展现不对称形状，并可受益于角翘曲度量。

使用处理器，在203处，沿至少三个直径测量晶片的几何形状。三个直径起源于沿晶片的圆周的不同点处。虽然提到至少三个直径，但沿三十六或七十二个直径进行测量是可能的。因此，直径可围绕晶片的圆周跨越每5°或每10°定位。例如，图1包含沿六个直径的测量，但可使用三十二个直径。晶片形状在小于5°的分离内变化不大，因此三十二个直径可能足以计算整个晶片形状。然而，针对某些晶片类型，多于三十二个的直径可能是有益的。在例子中，直径中的至少两者彼此垂直。

在例子中，每个像素(例如，X方向及Y方向上的每60μm)的晶片的前表面及后表面的高度(Z高度)以及其它晶片几何形状参数(例如形状、厚度或平整度)可从此Z高度导出。

当晶片形状为低时，X方向及Y方向测量(例如，图1中的0°及90°)可能足够。例如，如果仅在X方向上测量晶片形状(例如，导致120μm)，这将错过45°下的最大测量值(例如，导致150μm)。如果翘曲度为低，那么此25％的增加可能不会产生太大的工艺意义。然而，随着3D NAND技术的不断进步，堆叠越多，整体翘曲度就越高。使用3D NAND实例，如果在X方向上测量晶片形状(例如，导致320μm)，这将错过45°下的最大测量值(例如，导致400μm)。3DNAND实例中的25％的增加可能会由于最大卡盘能力限制而导致处理工具停机事件。许多处理工具(例如，扫描仪)使用真空卡盘，因此更高的翘曲晶片更难用卡盘夹紧。

在204处，使用三个或更多个直径确定晶片几何形状的表征。表征可包含晶片跨越三个直径的最大形状变化的量值及方向。表征还可包含角翘曲、峰值点、谷或曲率。其它表征可为可能的。

在例子中，在任何给定轴及/或直径处获得或接收值。因此，在这些点上计算的任何汇总统计数据都可用作表征度量。例如，可进行三个西格玛、平均值、范围、峰值(最大值)或其它确定。这些点可用于拟合曲线，然后计算所述曲线的统计数据，这可在曲率拟合度量中执行(例如，角翘曲-CF，其可在X、Y或X及Y方向上)。此曲线可具有任意阶数。例如，二阶曲线可用于基于曲率拟合(CF)的度量中。

可使用处理器基于表征确定晶片的晶片夹持失败的概率。这可确定晶片翘曲是否超过卡盘可处置的限制。不同的处理工具使用不同的卡盘，因此可针对具体工具进行确定。例如，在200次晶片测量之后，对数据进行分析，且可发现沿多于(32个中的)10个直径/方向具有>400μm的角翘曲的晶片具有90％的夹持失败概率。半导体制造商可使用此准则以识别及/或隔离这些潜在问题的晶片。因此，可将特定工具或卡盘的阈值应用到结果以确定夹持失败的概率。

本文所公开的实施例可用于提供沿所测量的直径中的任一者的以下度量。其它度量是可能的。度量可经选择用于非对称晶片，但可基于特定半导体制造商及特定工艺步骤而变化。

可确定在其下翘曲曲率拟合值的角。曲率拟合是将数学函数/曲线拟合到一系列数据点的过程，且可确定可拟合到给定数据点的最佳及/或最近圆。这包含二阶拟合(即，圆)，因为二阶拟合界定晶片形状。然而，曲率拟合具有任意阶数。

可确定形状轮廓(带正负号)上的最高点(Z高度)。其可针对每个径向轮廓界定。可确定峰值点(带正负号)与晶片的中心的距离。还可报告曲率的拟合曲率半径。

可确定形状轮廓(带正负号)上的最低点(Z高度)。其可在每个径向轮廓上界定。可确定谷值点(带正负号)与晶片的中心的距离。还可报告曲率的拟合曲率半径。

可确定所有角翘曲度曲率拟合的最大值或最小值。

所有角翘曲曲率拟合中的最大量值(在忽略正负号之后)可与其正负号(正或负)一起报告。

本文所公开的角翘曲度量提供优点。可确定非对称晶片的真实晶片形状。当前可用的度量无法捕获最大晶片形状，尤其是在非X及非Y方向上，这会导致扫描仪及处理工具卡盘夹紧公差的误报。例如，最大值可能不在从0°到180°或90°到270°的直径上。这在确定晶片是否被卡盘夹紧时可能导致晶片的不正确废弃。本文所公开的角翘曲度量可提供能够准确地标记这些被错误废弃的晶片的度量，且因此可为半导体制造商节省时间及金钱。

角翘曲度量可捕获方向性不对称性及工艺不规则性，例如腔室到腔室变动、蚀刻倾斜或半导体制造工艺中早期的其它不规则性。如果工艺是稳定的且所有的工艺腔室都是匹配的，那么晶片形状特征在理想情况下应该是相同的。然而，情况通常并非如此。即使一个工艺的传入晶片类似，但通过后处理，这些晶片具有不同的特征。角翘曲从翘曲角度检测此特征。如果一个晶片与相同晶片传送盒中的其它24个晶片不同，那么指示一个晶片经历了工艺腔室的偏移。

每晶片的多个度量或指示符可导致更全面的晶片形状表征。虽然公开至少三个直径，但可使用360个或更多个直径。

角翘曲度量可用于捕获及监测跨越半导体制造流程或工艺内的晶片形状变化的量值(例如，晶片到晶片的变动)。角翘曲度量还可监测最大形状的方向如何在工艺内或跨工艺变化。

图3比较角翘曲度量(底部)与先前的度量(顶部)。与仅在X方向及垂直Y方向上测量的先前技术相比，角翘曲度量可更好地捕获真实翘曲值。在图3的实例中，捕获跨工艺及在工艺内的最大晶片形状变化的量值及方向。传统的晶片形状度量(例如弯曲-X/翘曲-X及弯曲-Y/翘曲-Y)将仅在X方向或Y方向上捕获晶片形状。对DRAM装置的大约40个工艺层进行了分段研究。图3包含使用传统翘曲度量(顶部图)及本文所公开的角翘曲度量(底部图)的分段。

对于步骤12，先前的度量提供约20μm的翘曲值，且此层登记为低应力工艺。然而，在使用角翘曲进行分段后，确定此层的更准确的晶片形状，其为80μm。使用角翘曲值，半导体制造商可标记此层以进行临界工艺监测。这些结果也帮助减少工艺漂移并改进循环时间。

先前的度量展示步骤24的批次内变动得到了很好的控制。然而，此工艺的角翘曲数据在步骤24处确定50μm的批次内可变性。

图4说明卡盘夹紧失败的实例。角翘曲可帮助检测由先前度量废弃的且可能不会实际上导致处理工具上的卡盘夹紧失败的误报。先前技术指示晶片翘曲为494μm，其超过了处理工具的限制(例如，400μm的扫描仪限制)。使用超过限制的晶片将导致校正成本高昂或耗时的工具停机事件。然而，使用角翘曲技术，实际上此晶片的大部分部分都低于400μm，这对于扫描仪进行处理是可接受的。这些节省了半导体制造商的晶片返工成本。

在图4中，使用先前的技术将晶片槽6错误地检测为卡盘夹紧失败晶片。传统的翘曲规格为350μm，使用先前技术(Warp-CF_XY)废弃所有三个晶片。使用本文所公开的角翘曲实施例，如果遇到70％的高翘曲扇形，那么废弃晶片。70％高翘扇形经展示在虚线之外。因此，三个晶片中只有两个因夹持失败而被废弃。

如由图4中的实例所说明的，使用先前的翘曲度量确定的具有450μm的形状的两个不同的晶片在经受到扫描仪工具上的卡盘夹紧时表现不同。具有对称形状的晶片可能导致卡盘夹紧失败。具有不对称形状的晶片可能被卡盘夹紧而不会出现问题。通过使用角翘曲进行筛选，半导体制造商可提供用于因潜在卡盘夹紧失败而废弃晶片的更好规范。这可导致更少的晶片报废，并为半导体制造商节省资源。

图5是检测系统300的实施例。检测系统300经配置以使用经图案化晶片几何形状测量来检测、量化及控制工艺诱导的不对称特征。检测系统300可包含晶片几何形状工具301，其经配置以测量给定晶片302的晶片几何形状。检测系统300还可包含与晶片几何形状工具301电子通信的处理器303。处理器303可经配置以实施先前描述的各种分析方法。处理器303可经实施为独立处理装置或晶片几何形状工具301的嵌入式/集成组件。处理器303可将其输出提供到各种处理工具304，以有利于叠对误差的校正、根本原因分析以及如上文所描述的工艺控制优化。

晶片几何形状工具301可包含经配置以固持晶片302的卡盘及经配置以测量晶片302的几何形状的成像系统。成像系统可为光学系统。

晶片几何形状工具301可在单次拍摄中收集表面的所有晶片数据。晶片几何形状工具301还可旋转及扫描晶片以构建所需的晶片图。

处理器303可以任何合适的方式(例如，经由一或多个传输媒体，其可包含有线及/或无线传输媒体)经耦合到检测系统300的组件，使得处理器303可接收输出。处理器303可经配置以使用输出执行若干功能。检测系统300可从处理器303接收指令或其它信息。

本文所描述的处理器303、其它系统或其它子系统可为各种系统的部分，包含个人计算机系统、图像计算机、大型机计算机系统、工作站、网络器具、因特网器具或其它装置。子系统或系统还可包含本领域已知的任何合适的处理器，例如并行处理器。另外，子系统或系统可包含具有高速处理及软件的平台，作为独立或网络工具。

处理器303在实践中可通过硬件、软件及固件的任何组合来实施。此外，其如本文所描述的功能可由一个单元执行，或在不同组件之间划分，其中每一者可依次由硬件、软件及固件的任何组合来实施。用于使处理器303实施各种方法及功能的程序代码或指令可经存储在可读存储媒体中。

如果检测系统300包含多于一个的处理器303，那么不同的子系统可彼此耦合，使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个子系统可通过任何合适的传输媒体经耦合到额外子系统，所述传输媒体可包含本领域已知的任何合适的有线及/或无线传输媒体。此类子系统中的两个或更多个还可由共享的计算机可读存储媒体(未展示)有效地耦合。

处理器303可经配置以使用检测系统300的输出或其它输出执行若干功能。例如，处理器303可经连接到存储媒体。处理器303可如本文所描述那样经进一步配置。

处理器303可根据本文所描述的实施例中的任一者来配置。处理器303还可经配置以使用检测系统300的输出或使用来自其它源的图像或数据来执行其它功能或额外步骤。

本文所公开的检测系统300及方法的各种步骤、功能及/或操作由以下中的一或多者实施：电子电路、逻辑门、多路复用器、可编程逻辑装置、ASIC、模拟或数字控制件/开关、微控制器或计算系统。实施例如本文所描述的方法的程序指令可通过载体媒体传输或存储在载体媒体上。载体媒体可包含存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带等。载体媒体可包含传输媒体，例如导线、缆线或无线传输链路。例如，本公开中所描述的各种步骤可由单个处理器303或替代地由多个处理器303实施。此外，检测系统300的不同子系统可包含一或多个计算或逻辑系统。因此，上述描述不应被解释为对本公开的限制，而仅仅是说明。

在例子中，处理器303与检测系统300通信。处理器303经配置以获得关于晶片302的几何形状的数据；沿起源于沿晶片302的圆周的不同点处的至少三个直径测量晶片302的几何形状；并使用三个直径确定晶片302的几何形状的表征。

额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在控制器上执行以用于执行如本文所公开的用于确定晶片的几何形状的表征的计算机实施的方法的程序指令。特定来说，电子数据存储单元或其它存储媒体可含有包含可在处理器303上执行的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。计算机实施的方法可包含本文所描述的任何方法(包含方法100)的任何步骤。

程序指令可以各种方式中的任一者实施，包含基于工艺的技术、基于组件的技术及/或面向对象的技术等。例如，程序指令可根据期望使用ActiveX控件、C++对象、JavaBeans、微软基础类(MFC)、流式传输SIMD扩展(SSE)或其它技术或方法来实施。

根据本公开的系统及方法所提供的优点可在各种应用中被理解。不对称性的检测及量化两者都可在任何给定的过程步骤处执行，且可纯粹地基于晶片几何形状执行估计。与使用真空卡盘且具有更低可用空间采样的常规光刻扫描仪相比，可改进不对称性估计的准确度。

虽然上述实例中的一些涉及某些特定的处理工具，但根据本公开的系统及方法适用于其它类型的处理工具，这些处理工具也可受益于分辨率增强测量，而不脱离本公开的范围。另外，经考虑，本公开中所使用的术语晶片可包含在集成电路及其它装置的制造中使用的半导体材料的薄切片，以及其它薄抛光板，例如磁盘衬底、量块等。

本文所公开的方法可通过单个生产装置及/或通过多个生产装置作为由一或多个处理器执行的指令集实施在各种晶片几何形状测量工具中。进一步来说，所公开的方法中的步骤的特定顺序或层次结构是示范性方法的实例。基于设计偏好，可重新布置方法中的步骤的特定顺序或层次结构，同时保持在本公开的范围及精神内。所附方法权利要求以样本顺序呈现各种步骤的元素，且不一定意在限于所呈现的特定顺序或层次结构。

尽管已关于一或多个特定实施例描述本公开，但应理解，可在不脱离本公开的范围的情况下制作本公开的其它实施例。因此，本公开被认为仅受所附权利要求及其合理解释的限制。

Claims

1.一种检测系统，其包括：

成像系统，其经配置以测量晶片的几何形状；及

处理器，其与所述成像系统电子通信，其中所述处理器经配置以：

获得关于所述晶片的所述几何形状的数据；

沿起源于沿所述晶片的圆周的不同点处的至少三个直径测量所述晶片的所述几何形状；及

使用所述三个直径确定所述晶片的所述几何形状的表征。

2.根据权利要求1所述的检测系统，其中所述表征包含所述晶片跨越所述三个直径的最大形状变化的量值及方向。

3.根据权利要求1所述的检测系统，其中所述表征包含角翘曲。

4.根据权利要求1所述的检测系统，其中所述表征包含峰值点或谷值点。

5.根据权利要求1所述的检测系统，其中所述表征包含曲率。

6.根据权利要求1所述的检测系统，其中所述处理器经进一步配置以基于所述表征确定所述晶片的晶片夹持失败的概率。

7.根据权利要求1所述的检测系统，其中所述几何形状沿至少三十二个直径测量。

8.根据权利要求1所述的检测系统，其进一步包括经配置以固持所述晶片的卡盘。

9.一种方法，其包括：

在处理器处接收关于晶片的几何形状的数据；

使用所述处理器，沿起源于沿所述晶片的圆周的不同点处的至少三个直径测量所述晶片的所述几何形状；及

使用所述处理器，使用所述三个直径确定所述晶片的所述几何形状的表征。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括使用成像系统对所述晶片进行成像。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述晶片为3D NAND晶片或DRAM晶片。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述表征包含所述晶片跨越所述三个直径的最大形状变化的量值及方向。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述表征包含角翘曲。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述表征包含峰值点或谷值点。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述表征包含曲率。

16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括使用所述处理器基于所述表征确定所述晶片的晶片夹持失败的概率。

17.根据权利要求9所述的方法，其中所述几何形状沿至少三十二个直径测量。

18.根据权利要求9所述的方法，其中所述三个直径中的两者彼此垂直。

19.根据权利要求9所述的方法，其中所述数据是针对所述晶片的整个表面。

20.一种存储程序的非暂时性计算机可读媒体，其经配置以指示处理器执行根据权利要求9所述的方法。