CN113993288A - 一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，属于线路蚀刻技术领域。包括步骤：在基材的铜层上贴覆干膜；利用半显影工艺对干膜进行减薄；对贴覆的干膜进行曝光、显影、蚀刻、剥膜处理，完成精细线路的形成。所述的半显影工艺处理的干膜为正性干膜的情况下，通过整板显影，对干膜进行减薄。本发明的有益效果是：半显影干膜法提升了干膜解析度，生产产品线路更精细，提升产品竞争力；干膜价格便宜，降低产品生产成本；半显影干膜法使用干膜贴覆工艺，相较涂布光刻胶工艺设备简单，价格低廉，生产难度降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，属于线路蚀刻技术领域。
背景技术
现有的随着电子行业的飞速发展，社会对印刷线路板的需求量急剧增加，人们对精细线路的需求更为迫切，但精细线路的生产难度过大，目前行业中线路形成主要采用干膜或光刻胶作为抗蚀剂。因干膜厚度原因，解析度低，无法做成精细线路；光刻胶虽然解决了干膜厚度造成解析度低的问题，但是涂布光刻胶设备庞大，工艺复杂，光刻胶的价格昂贵，大大增加了产品成本。
目前应用最广泛的技术是在基材上贴覆干膜，曝光、显影、蚀刻、剥膜，线路形成。干膜作为抗蚀剂，受到干膜厚度的影响，解析度低，无法形成精细线路。
目前行业里，形成精细线路（线心距小于50微米）的工艺是基材上涂布液体光刻胶，静置、曝光、显影、蚀刻、剥膜，精细线路形成。选用液体光刻胶作为抗蚀剂解决了解析度差的问题，但是涂布光刻胶设备庞大，工艺复杂，设备价格昂贵，生产难度高；光刻胶价格昂贵，产品成本增加。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足之处，本发明提供一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，采用半显影工艺对干膜进行减薄，提高干膜解析度，形成精细线路。
本发明是通过如下技术方案实现的：一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：
在基材的铜层上贴覆干膜；
利用半显影工艺对干膜进行减薄；
对贴覆的干膜进行曝光、显影、蚀刻、剥膜处理，完成精细线路的形成。
所述的半显影工艺处理的干膜为正性干膜的情况下，通过整板显影，对干膜进行减薄。
所述的正性干膜的半显影工艺通过对显影液的管控做到半显影的效果。
所述的干膜为负性干膜的情况下，通过整板显影，对干膜进行减薄。
所述的负性干膜的半显影工艺通过对显影液的管控做到半显影的效果。
本发明的有益效果是：半显影干膜法提升了干膜解析度，生产产品线路更精细，提升产品竞争力；干膜价格便宜，降低产品生产成本；半显影干膜法使用干膜贴覆工艺，相较涂布光刻胶工艺设备简单，价格低廉，生产难度降低。
附图说明
下面根据附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的流程原理图。
图中：1、铜层；2、干膜。
具体实施方式
如图1所示的一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：
在基材的铜层1上贴覆干膜2；
利用半显影工艺对干膜2进行减薄；
对贴覆的干膜2进行曝光、显影、蚀刻、剥膜处理，完成精细线路的形成。
所述的半显影工艺处理的干膜2为正性干膜的情况下，具体操作步骤如下：
在基材铜箔上贴覆干膜，可采用辊压式干式贴合或湿法贴合。
产品进行半显影处理，通过控制显影液浓度，温度，反应时间可选的主体药液包含NaOH，Na2CO3等参数，可控的实现半显影深度，达到干膜减薄的效果。
将线路图案印制在透光介质上可选用透光玻璃、PET等材质等，使光通过带有线路图案的透光介质照射到产品上，被光照射的区域会发生光分解反应。
显影，显影液与发生光分解反应的干膜进行化学反应，去除此部分的干膜，裸露出铜面，呈现出线路雏形。
进行蚀刻，通过药水浸泡或喷淋的方式对露出铜面的区域进行铜蚀刻处理。
剥离，采用药水浸泡或喷淋的方式将铜表面剩余的干膜去除掉，线路形成。
所述的正性干膜的半显影工艺通过对显影液的管控做到半显影的效果。
所述的干膜2为负性干膜的情况下，具体操作步骤如下：
在基材铜箔上贴覆干膜，可采用辊压式干式贴合或湿法贴合。
产品进行半显影处理，通过控制显影液浓度，温度，反应时间（可选的主体药液包含NaOH，Na2CO3）等参数，可控的实现半显影深度，达到干膜减薄的效果
将线路图案印制在透光介质上（可选用透光玻璃、PET等材质），使光通过带有线路图案的透光介质照射到产品上，被光照射的区域会发生光聚合反应。
显影，显影液与未发生光聚合反应的干膜进行化学反应，去除此部分的干膜，裸露出铜面，呈现出线路雏形。
进行蚀刻，通过药水浸泡或喷淋的方式对露出铜面的区域进行铜蚀刻处理。
剥离，采用药水浸泡或喷淋的方式将铜表面剩余的干膜去除掉，线路形成。
所述的负性干膜的半显影工艺通过对显影液的管控做到半显影的效果。
Claims (5)
1.一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：
在基材的铜层（1）上贴覆干膜（2）；
利用半显影工艺对干膜（2）进行减薄；
对贴覆的干膜（2）进行曝光、显影、蚀刻、剥膜处理，完成精细线路的形成。
2.根据权利要求1所述的一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于：所述的半显影工艺处理的干膜（2）为正性干膜的情况下，整板显影，对干膜进行减薄。
3.根据权利要求2所述的一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于：所述的正性干膜的半显影工艺通过显影液的管控做到半显影的效果。
4.根据权利要求1所述的一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于：所述的干膜（2）为负性干膜的情况下，通过整板显影，对干膜进行减薄。
5.根据权利要求4所述的一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，其特征在于：所述的负性干膜的半显影工艺通过对显影液的管控做到半显影的效果。
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