CN113990990B - 微型发光二极管外延片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述微型发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和电极接触层，所述复合P型波导层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为氮化镓层，所述第二子层为表面具有纳米颗粒的氮化镓层，所述第三子层为InGaN层，所述第四子层为掺Mg的InGaN层。该微型发光二极管外延片可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种微型发光二极管外延片及其制造方法。
背景技术
GaN(氮化镓)材料是一种宽带隙(Eg＝3.39eV)半导体材料，具有优良的物理和化学特性，掺人一定比例的In或Al后，其禁带宽度可在0.77～6.28eV的宽广范围内变化，可用于制作从红光到紫外光的发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)等光电子器件，具有广阔的应用前景。
外延片是LED中的主要构成部分，现有的氮化镓基LED外延片包括蓝宝石衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层和P型波导层。多量子阱层包括交替生长的InGaN阱层和GaN垒层。N型层的电子和P型层的空穴在多量子阱层复合发光。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
伴随着对显色指数及色温的要求持续提升，发光芯片的尺寸需求也不断变小。而随着发光芯片尺寸的减小，微型LED芯片的工作电流密度也会减小，驱动电压也会降低，使得空穴的注入数量降低，耗尽区位置更易偏向P型区。现有的LED芯片中的P型波导层中的Mg激活能较高，空穴浓度较低，注入到多量子阱层中的空穴数量较少，进行辐射复合的电子和空穴的数量就会较少，导致LED的内量子效率较低。
发明内容
本公开实施例提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种微型发光二极管外延片，所述微型发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和电极接触层，
所述复合P型波导层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为氮化镓层，所述第二子层为纳米颗粒层，所述第三子层为InGaN层，所述第四子层为掺Mg的InGaN层。
可选地，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度，所述第三子层的厚度大于所述第二子层的厚度，所述第四子层的厚度大于所述第三子层的厚度。
可选地，所述第一子层的厚度为1～3nm，所述第二子层的厚度为2～5nm，所述第三子层的厚度为4～8nm，所述第四子层的厚度为20～100nm。
可选地，所述纳米颗粒层中包括多个纳米颗粒，每个所述纳米颗粒均为圆锥形。
可选地，每个所述纳米颗粒的底面直径均为3～8nm，每个所述纳米颗粒的高度均为2～5nm，相邻两个所述纳米颗粒之间间隔5～50nm。
可选地，所述第四子层中Mg的掺杂浓度为5E17～5E18cm-3。
另一方面，提供了一种微型发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
提供一多孔氮化镓基底；
在所述多孔氮化镓基底上依次生长未掺杂的GaN层、N型波导层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长复合P型波导层，所述复合P型波导层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为氮化镓层，所述第二子层为表面具有纳米颗粒的氮化镓层，所述第三子层为InGaN层，所述第四子层为掺Mg的InGaN层；
在所述复合P型波导层上生长电极接触层。
可选地，所述在所述多量子阱层上生长复合P型波导层，包括：
生长一层氮化镓底层；
采用干法刻蚀的方法，在所述氮化镓底层的表面形成多个所述纳米颗粒，每个所述纳米颗粒均为圆锥形。
可选地，所述第一子层、所述第二子层、所述第三子层和所述第四子层的生长温度均为800～1000℃。
可选地，所述第一子层、所述第二子层、所述第三子层和所述第四子层的生长压力均为100～500torr。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过设置一种复合P型波导层，该复合P型波导层包括四个子层。其中，第一子层为氮化镓层，可以起到扩展载流子的作用。第二子层为纳米颗粒层，纳米颗粒层中的纳米颗粒在波尔激子半径附近能带会发生不同块体的变化，拉高价带位置，从而可以降低Mg的激活能。第三子层为InGaN层，InGaN带隙小，可以进一步调整价带位置，降低Mg的激活能。而第四子层为掺Mg的InGaN层，可以作为空穴的主要提供层，起到欧姆接触的作用。因此，通过设置该复合P型波导层可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的制造方法流程图；
图3是本公开实施例提供的另一种微型发光二极管外延片的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的结构示意图，如图1所示，该微型发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底1、以及依次层叠在多孔氮化镓基底1上的未掺杂的GaN层2、N型波导层3、多量子阱层4、复合P型波导层5和电极接触层6。
复合P型波导层5包括第一子层51、第二子层52、第三子层53和第四子层54。第一子层51为氮化镓层，第二子层52为纳米颗粒层，第三子层53为InGaN层，第四子层54为掺Mg的InGaN层。
本公开实施例通过设置一种复合P型波导层，该复合P型波导层包括四个子层。其中，第一子层为氮化镓层，可以起到扩展载流子的作用。第二子层为纳米颗粒层，纳米颗粒层中的纳米颗粒在波尔激子半径附近能带会发生不同块体的变化，拉高价带位置，从而可以降低Mg的激活能。第三子层为InGaN层，InGaN带隙小，可以进一步调整价带位置，降低Mg的激活能。而第四子层为掺Mg的InGaN层，可以作为空穴的主要提供层，起到欧姆接触的作用。因此，通过设置该复合P型波导层可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。
且在本公开实施例中，第二子层为纳米颗粒层，第四子层为掺Mg的InGaN层，若直接在第二子层上生长第四子层，会导致能带位置调整有限，Mg激活能降低较小。本公开实施例在第二子层和第四子层之间生长一层第三子层，第三子层为不掺Mg的InGaN层，可以将第二子层和第四子层空间分离，使得降低Mg激活能的效果最好。
可选地，第二子层52的厚度大于第一子层51的厚度，第三子层53的厚度大于第二子层52的厚度，第四子层54的厚度大于第三子层53的厚度。
由于第一子层为未掺杂的GaN层，因此，将第一子层的厚度设置的较薄，有利于实现空穴的有效注入。第二子层为纳米颗粒层，需要一定的厚度，以实现降低Mg的激活能的效果。第三子层用于填平第二子层，因此第三子层的厚度大于第二子层。而第四子层为空穴的供给主要层，因此，第四子层的厚度需设置为最厚，以保证空穴的注入。
示例性地，第一子层51的厚度为1～3nm，第二子层52的厚度为2～5nm，第三子层53的厚度为4～8nm，第四子层54的厚度为20～100nm。
需要说明的是，从上述取值范围中选取各个子层的厚度值时，需满足上述厚度关系。
可选地，第二子层52具有多个纳米颗粒52a，每个纳米颗粒52a的横向尺寸均为3～8nm，纵向尺寸均为2～5nm。
在本公开实施例中，纳米颗粒的纵向为外延片的层叠方向，横向为与外延片的表面平行的方向。
若每个纳米颗粒52a的尺寸过大，则难以填平，晶界散射严重会降低空穴注入能力；若每个纳米颗粒52a的尺寸过小，又难以制备。
可选地，相邻两个纳米颗粒52a之间间隔5～50nm。
若每个纳米颗粒52a之间的间隔过大或过小，都起不到较好的降低Mg激活能的效果
可选地，每个纳米颗粒52a均为圆锥形。
示例性地，第二子层52可以采用干法刻蚀的方法制备而成。
在本公开实施例的其它实现方式中，每个纳米颗粒52a还可以为半球形或不规则的岛状结构。
可选地，第四子层54中Mg的掺杂浓度为5E17～5E18cm-3。
由于第四子层54为主要的空穴提供层，因此，第四子层54中Mg的掺杂浓度需要设置的较高。但是，Mg始终为杂质，若掺杂浓度过高，会影响生长出的第四子层54的晶体质量。因此，设置第四子层54中Mg的掺杂浓度在上述取值范围内，既可以保证第四子层能够提供足够的空穴，又能够保证生长出的第四子层的晶体质量。
在本公开实施例中，多孔氮化镓基底1包括衬底11、以及依次层叠在衬底11上的成核层12、愈合层13和多孔氮化镓层14。
其中，衬底11可以为蓝宝石衬底或者硅衬底。成核层12可以包括三维生长的GaN层和二维生长的GaN层，三维生长获得岛状的GaN晶格，在二维愈合中湮灭部分位错，减少位错向上延伸。
可选地，愈合层13为掺杂C和H的GaN层，沿外延片的层叠方向，愈合层13中C和H含量逐渐降低。通过设置C和H含量逐渐降低，有利于实现晶体质量的缓慢过渡，从而获得高质量的愈合层，进而有利于减少下部Ga空位扩散对多量子阱层造成影响。
示例性地，愈合层13中的C含量由5E17～2E18cm-3逐渐降低至1E16～1E17cm-3，愈合层13中的H含量由2E17～8E17cm-3逐渐降低至1E16～1E17cm-3。
若C和H的含量在初期过高，会导致生长出的愈合层13的晶体质量较差，在后期生长中难以有效保证台阶流生长。若C和H的含量在初期过低，对减少下部Ga空位扩散的效果有限。
可选地，愈合层13的厚度为0.5～2um。
可选地，多孔氮化镓层14为掺Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为5E19～5E20cm-3。多孔氮化镓层14为具有纳米或微米尺度的多个孔的氮化镓层，可以起到较好的应力释放的作用，还可为后续外延生长提供一个较好的底层基底。
若多孔氮化镓层14中Mg的掺杂浓度过高，会影响GaN原子排布，使GaN晶体质量快速下降，从而导致生长出的多孔氮化镓层14的晶体质量较差。若多孔氮化镓层14中Mg的掺杂浓度过低，又难以实现纳米多孔结构生长。
可选地，多孔氮化镓层14的厚度为20～100nm。
若多孔氮化镓层14的厚度过厚，后续难以有效填平；若多孔氮化镓层14的厚度过薄，又难以达到有效释放应力的目的。
在本公开实施例中，未掺杂的GaN层2的厚度为200～1000nm。未掺杂的GaN层2可以起到较好的应力释放的作用，还可为后续外延生长提供一个较好的底层基底。
可选地，N型波导层3为掺Si的InGaN层，厚度为200～400nm。N型波导层3中Si的掺杂浓度为5E18cm-3～1E20cm-3，In的摩尔含量为3％～8％。
可选地，多量子阱层4包括多个周期交替生长的阱层和垒层。
其中，阱层为InGaN层，厚度为1～3.5nm。阱层中In的摩尔含量0.2～0.4。垒层包括依次层叠的AlGaN和GaN层，AlGaN层的厚度1～2nm，Al的摩尔含量为0.15～0.3，GaN层的厚度5～10nm。
可选地，电极接触层6为本征GaN层，电极接触层6的厚度为0.5～3nm。
图2是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的制造方法流程图，如图2所示，该制造方法包括：
步骤201、提供一多孔氮化镓基底。
其中，多孔氮化镓基底包括依次层叠的衬底、成核层、愈合层和多孔氮化镓层。
示例性地，衬底为蓝宝石衬底，或者SiC衬底。成核层为未掺杂的GaN层，愈合层为掺C和H的GaN层，多孔氮化镓层为掺Mg的GaN层。
步骤202、在多孔氮化镓基底上依次生长未掺杂的GaN层、N型波导层和多量子阱层。
可选地，未掺杂的GaN层的厚度为200～1000nm，未掺杂的GaN层可以起到较好的应力释放的作用，还可为后续外延生长提供一个较好的底层基底。
可选地，N型波导层为掺Si的InGaN层，厚度为200～400nm。N型波导层中Si的掺杂浓度为5E18cm-3～1E20cm-3，In的摩尔含量为3％～8％。
可选地，多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层。
其中，阱层为InGaN层，厚度为1nm～3.5nm。阱层中In的摩尔含量0.2～0.4。垒层包括依次层叠的AlGaN和GaN层，AlGaN层的厚度1～2nm，Al的摩尔含量为0.15～0.3，GaN层的厚度5～10nm。
步骤203、在多量子阱层上生长复合P型波导层。
其中，复合P型波导层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层为氮化镓层，第二子层为纳米颗粒层，第三子层为InGaN层，第四子层为掺Mg的InGaN层。
步骤204、在复合P型波导层上生长电极接触层。
可选地，电极接触层为本征GaN层，厚度为0.5～3nm。
本公开实施例通过设置一种复合P型波导层，该复合P型波导层包括四个子层。其中，第一子层为氮化镓层，可以起到扩展载流子的作用。第二子层为纳米颗粒层，纳米颗粒层中的纳米颗粒在波尔激子半径附近能带会发生不同块体的变化，拉高价带位置，从而可以降低Mg的激活能。第三子层为InGaN层，InGaN带隙小，可以进一步调整价带位置，降低Mg的激活能。而第四子层为掺Mg的InGaN层，可以作为空穴的主要提供层，起到欧姆接触的作用。因此，通过设置该复合P型波导层可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。
本公开实施例说明了微型发光二极管外延片在生长各层时的具体生长步骤，图3是本公开实施例提供的另一种微型发光二极管外延片的制造方法流程图，如图3所示，该制造方法包括：
步骤301、提供一多孔氮化镓基底。
其中，基底包括依次层叠的衬底、成核层、愈合层和多孔氮化镓层。
示例性地，衬底为蓝宝石衬底，或者SiC衬底。成核层为未掺杂的GaN层，愈合层为掺C和H的GaN层，沿外延片的层叠方向，愈合层中C和H含量逐渐降低。多孔氮化镓层为掺Mg的GaN层。插入层为高温生长的掺C和H的GaN层。
可选地，愈合层中的C含量由5E17～2E18cm-3逐渐降低至1E16～1E17cm-3，愈合层中的H含量由2E17～8E17cm-3逐渐降低至1E16～1E17cm-3。通过设置C和H含量逐渐降低，有利于实现晶体质量的缓慢过渡，从而获得高质量的愈合层，进而有利于减少下部Ga空位扩散对多量子阱层造成影响。
可选地，成核层的厚度为200～1000nm，愈合层的厚度为0.5～2um。多孔氮化镓层的厚度为20～100nm。
示例性地，步骤301可以包括：
控制反应室温度为500～900℃，压力为200～500Torr(优选为400～500Torr)，在衬底上生长成核层；
控制反应室温度为850～1050℃，压力为200～500Torr(优选为200～300)，在成核层上生长愈合层；
控制反应室温度为900～1100℃，压力为200～500Torr(优选为300～500Torr)，在愈合层上生长多孔氮化镓层。
进一步地，步骤301还可以包括：
控制温度为1000℃～1200℃，在氢气气氛中对衬底进行6分钟～10分钟退火处理；
对衬底进行氮化处理。
通过上述步骤清洁衬底的表面，避免杂质掺入外延片中，有利于提高外延片的生长质量。
在本实施例中，采用Veeco K465i or C4 or RB MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现外延片的制造方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为氮源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，即Si源，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂，即Mg源。反应室压力为100～600torr。
步骤302、在多孔氮化镓基底上生长未掺杂的GaN层。
可选地，未掺杂的GaN层的厚度为200～1000nm，未掺杂的GaN层可以起到较好的应力释放的作用，还可为后续外延生长提供一个较好的底层基底。
示例性地，步骤302可以包括：
控制反应室温度为950～1100℃，压力为100torr～300torr(优选为200torr)，在多孔氮化镓基底上生长未掺杂GaN层。
步骤303、在未掺杂的GaN层上生长N型波导层。
其中，N型波导层为掺Si的InGaN层，厚度为1um～2um。N型波导层中Si的掺杂浓度为3E18cm-3～8E18cm-3，In的摩尔含量为3％～8％。
示例性地，控制反应室温度为700～850℃，压力为100torr～300Torr，在缓冲层上生长N型波导层，气氛为氮氢混合气气氛，氮气和氢气的流量比为1：1～1：0。
步骤304、在N型波导层上生长多量子阱层。
可选地，多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层。
其中，阱层为InGaN层，厚度为1nm～3.5nm。阱层中In的摩尔含量0.2～0.4。垒层包括依次层叠的AlGaN和GaN层，AlGaN层的厚度1～2nm，Al的摩尔含量为0.15～0.3，GaN层的厚度5～10nm。
在本公开实施例中，多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层。
示例性地，控制反应室温度为650℃～800℃，压力为100torr～300Torr(优选为200torr)，在N型波导层上生长多量子阱层。
步骤305、在多量子阱层上生长复合P型波导层。
其中，复合P型波导层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层为氮化镓层，第二子层为表面具有纳米颗粒的氮化镓层，第三子层为InGaN层，第四子层为掺Mg的InGaN层。
在本公开实施例中，复合P型波导层中的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层依次层叠设置在多量子阱层上。
可选地，第二子层表面均布有多个纳米颗粒，每个纳米颗粒的横向尺寸均为3～8nm，纵向尺寸均为2～5nm，相邻两个纳米颗粒之间间隔5～50nm。
可选地，每个纳米颗粒均为圆锥形。
可选地，第二子层的厚度大于第一子层的厚度，第三子层的厚度大于第二子层的厚度，第四子层的厚度大于第三子层的厚度。
示例性地，第一子层的厚度为1～3nm，第二子层的厚度为2～5nm，第三子层的厚度为4～8nm，第四子层的厚度为20～100nm。从上述取值范围中选取各个子层的厚度值时，需满足上述厚度关系。
可选地，第四子层中Mg的掺杂浓度为5E17～5E18cm-3。
可选地，第一子层、第二子层、第三子层和第四子层的生长温度均为800～1000℃。
可选地，第一子层、第二子层、第三子层和第四子层的生长压力均为100～500torr。
步骤306、在复合P型波导层上生长电极接触层。
其中，电极接触层为本征GaN层，厚度为0.5～3nm。
示例性地，控制反应室温度为850℃～1050℃(优选为950℃)，压力为100torr～300Torr(优选为200torr)，在P型波导层上生长电极接触层。
需要说明的是，在上述外延生长结束之后，会先将温度降低至650℃～850℃(优选为750℃)，在氮气气氛中对外延片进行5分钟～15分钟(优选为10分钟)的退火处理，然后再将外延片的温度降低至室温。
本公开实施例通过设置一种复合P型波导层，该复合P型波导层包括四个子层。其中，第一子层为氮化镓层，可以起到扩展载流子的作用。第二子层为纳米颗粒层，纳米颗粒层中的纳米颗粒在波尔激子半径附近能带会发生不同块体的变化，拉高价带位置，从而可以降低Mg的激活能。第三子层为InGaN层，InGaN带隙小，可以进一步调整价带位置，降低Mg的激活能。而第四子层为掺Mg的InGaN层，可以作为空穴的主要提供层，起到欧姆接触的作用。因此，通过设置该复合P型波导层可以降低P型波导层中Mg的激活能，提高空穴的注入，最终可以有效提升LED的内量子效率。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种微型发光二极管外延片，所述微型发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和电极接触层，其特征在于，
所述复合P型波导层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为氮化镓层，所述第二子层为纳米颗粒层，所述第三子层为InGaN层，所述第四子层为掺Mg的InGaN层，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度，所述第三子层的厚度大于所述第二子层的厚度，所述第四子层的厚度大于所述第三子层的厚度。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为1~3nm，所述第二子层的厚度为2~5nm，所述第三子层的厚度为4~8nm，所述第四子层的厚度为20~100nm。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述纳米颗粒层中包括多个纳米颗粒，每个所述纳米颗粒均为圆锥形。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，每个所述纳米颗粒的底面直径均为3~8nm，每个所述纳米颗粒的高度均为2~5nm，相邻两个所述纳米颗粒之间间隔5~50nm。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述第四子层中Mg的掺杂浓度为5E17~5E18cm-3。
6.一种微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一多孔氮化镓基底；
在所述多孔氮化镓基底上依次生长未掺杂的GaN层、N型波导层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长复合P型波导层，所述复合P型波导层包括第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为氮化镓层，所述第二子层为表面具有纳米颗粒的氮化镓层，所述第三子层为InGaN层，所述第四子层为掺Mg的InGaN层，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度，所述第三子层的厚度大于所述第二子层的厚度，所述第四子层的厚度大于所述第三子层的厚度；
在所述复合P型波导层上生长电极接触层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层上生长复合P型波导层，包括：
生长一层氮化镓底层；
采用干法刻蚀的方法，在所述氮化镓底层的表面形成多个所述纳米颗粒，每个所述纳米颗粒均为圆锥形。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层、所述第二子层、所述第三子层和所述第四子层的生长温度均为800~1000℃。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层、所述第二子层、所述第三子层和所述第四子层的生长压力均为100~500torr。
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