CN109920890A - 发光二极管、外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管、外延片及其制备方法，属于外延技术领域。该所述发光二极管外延片包括：衬底、以及依次层叠于所述衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层、多量子阱层、P型复合层、P型掺杂氮化镓层和P型接触层；所述P型复合层包括：位于所述多量子阱层上的高温氮化铝子层，位于所述高温氮化铝层上的铝镓氮子层，以及位于所述铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层，所述P型掺杂氮化镓层位于所述含铟的氮化物子层上。通过包含三个子层的P型复合层，一方面提升了电子阻挡的效果，另一方面保证了空穴的顺利通过。
Description
技术领域
本发明涉及外延技术领域，特别涉及一种发光二极管、外延片及其制备方法。
背景技术
目前，氮化镓(GaN)基发光二极管(Light Emitting Diode，LED)受到越来越多的关注和研究。外延片是GaN基LED的核心部分，外延片的结构包括：衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型铝镓氮(AlGaN)层、多量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)层、P型AlGaN层、P型掺杂GaN层和P型接触层。
当有电流通过时，N型掺杂GaN层中的电子和P型掺杂GaN层中的空穴进入MQW层，并且在MQW层中复合发光。而电子和空穴在MQW层外的其它层发生复合，则不会发光，称为非辐射复合。为了减少非辐射复合的发生，在上述外延片结构中设置有P型AlGaN层，P型AlGaN层的作用是阻挡N型掺杂GaN层中的电子从MQW层溢出，以增加MQW层中的发光复合。
但是，目前的外延片结构中的P型AlGaN层晶体质量通常较差，一方面不利于对电子的阻挡，另一方面也不利于空穴通过该P型AlGaN层进入MQW层。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管、外延片及其制备方法，以改善P型AlGaN层阻挡电子的效果，同时保证空穴的顺利通过。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底、以及依次层叠于所述衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层、多量子阱层、P型复合层、P型掺杂氮化镓层和P型接触层；所述P型复合层包括：
位于所述多量子阱层上的高温氮化铝子层，位于所述高温氮化铝层上的铝镓氮子层，以及位于所述铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层，所述P型掺杂氮化镓层位于所述含铟的氮化物子层上。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述P型复合层的厚度范围为300nm-600nm。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述高温氮化铝子层的厚度范围为200nm-400nm，所述铝镓氮子层的厚度范围为50nm-100nm，所述含铟的氮化物子层的厚度范围为50nm-100nm。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述高温氮化铝子层的生长温度范围为950℃-1000℃；所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层的生长温度范围均为800℃-950℃。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述高温氮化铝子层、所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层的生长压力范围均为200Torr-300Torr。
另一方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管外延片制备方法，所述方法包括：
在衬底上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上依次生长高温氮化铝子层、铝镓氮子层和含铟的氮化物子层，形成P型复合层；
在所述P型复合层的含铟的氮化物子层上依次生长P型掺杂氮化镓层和P型接触层。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述高温氮化铝子层的厚度范围为200nm-400nm，所述铝镓氮子层的厚度范围为50nm-100nm，所述含铟的氮化物子层的厚度范围为50nm-100nm。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述在所述多量子阱层上依次生长高温氮化铝子层、铝镓氮子层和含铟的氮化物子层，包括：
在生长温度范围为950℃-1000℃的条件下，生长所述高温氮化铝子层；
在生长温度范围为800℃-950℃的条件下，生长所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述在所述多量子阱层上依次生长高温氮化铝子层、铝镓氮子层和含铟的氮化物子层，包括：
在生长压力范围为200Torr-300Torr的条件下，生长所述高温氮化铝子层、所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层。
另一方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括如前任一项所述的发光二极管外延片。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例中，多量子阱层和P型掺杂氮化镓层之间设置有P型复合层，该P型复合层包括位于多量子阱层上的高温氮化铝子层，位于高温氮化铝层上的铝镓氮子层，以及位于铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层。其中，铝镓氮子层的主要作用是阻挡电子，而在铝镓氮子层和多量子阱层之间生长一层高温氮化铝子层，铝在氮化铝子层的表面迁移率更高，所以均匀性更好，进而能够有效提升铝镓氮子层中的铝的掺杂均匀性，铝的掺杂更均匀后对该层应力释放更好，进而有效提升铝镓氮子层的晶体质量，对电子的阻挡效果更好，同时高温氮化铝子层还能够起到释放应力的作用，增加了铝镓氮子层的豫驰度，有效阻隔了从多量子阱层延伸上来的V型缺陷，还能够使后续生长的P型掺杂氮化镓层的晶体质量更好，从而可以提高空穴浓度，保证空穴通过该铝镓氮子层；另一方面，因为阻挡层对空穴的阻挡，主要发生在该层表面，而含铟的氮化物子层靠近P型掺杂氮化镓层，是与空穴发生直接接触的子层，而含铟的氮化物子层带宽较窄，使得位于铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层能够降低整个复合层的带宽，从而降低整个复合层对空穴的阻挡，提高了空穴注入多量子阱层的效率，提高了具有该外延片的发光二极管的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片制备方法；
图3是本发明实施例提供的另一种发光二极管外延片制备方法。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图。参见图1，该发光二极管外延片可以包括：衬底100、以及依次层叠于衬底100上的GaN缓冲层101、未掺杂GaN层102、N型掺杂GaN层103、N型AlGaN层104、多量子阱层105、P型复合层106、P型掺杂GaN层107和P型接触层108。
其中，P型复合层106可以包括：位于多量子阱层上的高温AlN子层161，位于高温AlN层161上的AlGaN子层162，以及位于AlGaN子层162上的含In的氮化物子层163，P型掺杂GaN层107位于含In的氮化物子层163上。
本发明实施例中，多量子阱层和P型掺杂GaN层之间设置有P型复合层，该P型复合层包括位于多量子阱层上的高温AlN子层，位于高温AlN层上的AlGaN子层，以及位于AlGaN子层上的含In的氮化物子层。其中，AlGaN子层的主要作用是阻挡电子，而在AlGaN子层和多量子阱层之间生长一层高温AlN子层，Al在AlN子层的表面迁移率更高，所以均匀性更好，进而能够有效提升AlGaN子层中的铝的掺杂均匀性，Al的掺杂更均匀后对该层应力释放更好，进而有效提升AlGaN子层的晶体质量，对电子的阻挡效果更好，同时高温AlN子层还能够起到释放应力的作用，增加了AlGaN子层的豫驰度，有效阻隔了从多量子阱层延伸上来的V型缺陷，还能够使后续生长的P型掺杂GaN层的晶体质量更好，从而可以提高空穴浓度，保证空穴通过该AlGaN子层；另一方面，因为阻挡层对空穴的阻挡，主要发生在该层表面，而含In的氮化物子层靠近P型掺杂GaN层，是与空穴发生直接接触的子层，而含In的氮化物子层带宽较窄，使得位于AlGaN子层上的含In的氮化物子层能够降低整个复合层的带宽，从而降低整个复合层对空穴的阻挡，提高了空穴注入多量子阱层的效率，提高了具有该外延片的发光二极管的发光效率。
在本发明实施例中，P型复合层中的三个子层均为P型掺杂层，掺杂浓度相当，均在2×1017～2×1018cm-3之间。
在本发明实施例中，含In的氮化物子层可以为InN子层或InGaN子层。
当含In的氮化物子层为InGaN子层时，In的含量可以在0.05-0.2之间。
当含In的氮化物子层为InN子层时，InN子层有利于空穴的平面扩展，能够提高空穴注入一致性和均匀性，增多量子阱中载流子的数量，增加了电子空穴在量子阱中复合发光效率，提升了器件发光效率。
在本发明实施例中，P型复合层的厚度范围可以为300nm-600nm，设计成这个厚度可以保证三个子层都能有一定的厚度实现各自的功能。
在本发明实施例中，高温AlN子层的厚度范围可以为200nm-400nm，AlGaN子层的厚度范围可以为50nm-100nm，含In的氮化物子层的厚度范围可以为50nm-100nm。其中，高温AlN子层设计得较厚，应力释放更充分，对V型缺陷的阻挡效果好，能够有效提升AlGaN子层的晶体质量，而AlGaN子层和含In的氮化物子层的厚度相对较薄，在能够实现对电子的阻挡和让空穴顺利通过的功能的前提下，保证该复合层厚度不至于过大。
示例性地，高温AlN子层的厚度可以为300nm，AlGaN子层和含In的氮化物子层的厚度可以为80nm。
在本发明实施例中，高温AlN子层的生长温度范围可以为950℃-1000℃，AlN子层高温生长有助于提高AlGaN子层与AlN子层表面Al的迁移率，提高Al掺杂均匀性，Al掺杂更均匀后对该层应力释放更好，且对向上延伸的V型缺陷阻挡效果更好；AlGaN子层和含In的氮化物子层的生长温度范围均可以为800℃-950℃，采用上述温度能够保证各层的晶体质量，避免多量子阱层延伸上来的V型缺陷。
其中，高温AlN子层采用较高的温度生长，例如980℃。AlGaN子层和含In的氮化物子层采用稍低的温度生长，例如920℃。
在本发明实施例中，高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层的生长压力范围均可以为200Torr-300Torr，采用该生长压力能够保证几个子层的顺利生长以及生长的质量。
在本发明实施例中，衬底可以采用二氧化硅图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphire Substrate，PSS)。
图2是本发明实施例一种发光二极管外延片制备方法的流程图。该方法用于制备图1所示的外延片，参见图2，该方法包括：
步骤201：在衬底上依次生长GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层和多量子阱层。
在本发明实施例中，衬底可以采用二氧化硅PSS。
步骤202：在多量子阱层上依次生长高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层，形成P型复合层。
在本发明实施例中，P型复合层中的三个子层均为P型掺杂层，掺杂浓度相当，均在2×1017～2×1018cm-3之间。
在本发明实施例中，含In的氮化物子层可以为InN子层或InGaN子层。
当含In的氮化物子层为InGaN子层时，In的含量可以在0.05-0.2之间。
当含In的氮化物子层为InN子层时，InN子层有利于空穴的平面扩展，能够提高空穴注入一致性和均匀性，增多量子阱中载流子的数量，增加了电子空穴在量子阱中复合发光效率，提升了器件发光效率。
在本发明实施例中，P型复合层的厚度范围可以为300nm-600nm，设计成这个厚度可以保证三个子层都能有一定的厚度实现各自的功能。
在本发明实施例中，高温AlN子层的厚度范围可以为200nm-400nm，AlGaN子层的厚度范围可以为50nm-100nm，含In的氮化物子层的厚度范围可以为50nm-100nm。其中，高温AlN子层设计得较厚，能够有效提升AlGaN子层的晶体质量，而AlGaN子层和含In的氮化物子层的厚度相对较薄，在能够实现对电子的阻挡和让空穴顺利通过的功能的前提下，保证该复合层厚度不至于过大。
示例性地，高温AlN子层的厚度可以为300nm，AlGaN子层和含In的氮化物子层的厚度可以为80nm。
在本发明实施例中，高温AlN子层的生长温度范围可以为950℃-1000℃，AlN子层高温生长有助于提高AlGaN子层与AlN子层表面Al的迁移率，提高Al掺杂均匀性，Al掺杂更均匀后对该层应力释放更好，且对向上延伸的V型缺陷阻挡效果更好；AlGaN子层和含In的氮化物子层的生长温度范围均可以为800℃-950℃，采用上述温度能够保证各层的晶体质量，避免多量子阱层延伸上来的V型缺陷。
其中，高温AlN子层采用较高的温度生长，例如980℃。AlGaN子层和含In的氮化物子层采用稍低的温度生长，例如920℃。
在本发明实施例中，高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层的生长压力范围均可以为200Torr-300Torr，采用该生长压力能够保证几个子层的顺利生长以及生长的质量。
步骤203：在P型复合层的含In的氮化物子层上依次生长P型掺杂GaN层和P型接触层。
本发明实施例中，多量子阱层和P型掺杂GaN层之间设置有P型复合层，该P型复合层包括位于多量子阱层上的高温AlN子层，位于高温AlN层上的AlGaN子层，以及位于AlGaN子层上的含In的氮化物子层。其中，AlGaN子层的主要作用是阻挡电子，而在AlGaN子层和多量子阱层之间生长一层高温AlN子层，Al在AlN子层的表面迁移率更高，所以均匀性更好，进而能够有效提升AlGaN子层中的铝的掺杂均匀性，Al的掺杂更均匀后对该层应力释放更好，进而有效提升AlGaN子层的晶体质量，对电子的阻挡效果更好，同时高温AlN子层还能够起到释放应力的作用，增加了AlGaN子层的豫驰度，有效阻隔了从多量子阱层延伸上来的V型缺陷，还能够使后续生长的P型掺杂GaN层的晶体质量更好，从而可以提高空穴浓度，保证空穴通过该AlGaN子层；另一方面，因为阻挡层对空穴的阻挡，主要发生在该层表面，而含In的氮化物子层靠近P型掺杂GaN层，是与空穴发生直接接触的子层，而含In的氮化物子层带宽较窄，使得位于AlGaN子层上的含In的氮化物子层能够降低整个复合层的带宽，从而降低整个复合层对空穴的阻挡，提高了空穴注入多量子阱层的效率，提高了具有该外延片的发光二极管的发光效率。
图3是本发明实施例另一种GaN基发光二极管外延片制备方法的流程图。该方法用于制备图1所示的外延片，参见图3，该方法包括：
步骤301：在衬底上生长GaN缓冲层。
在本发明实施例中，衬底可以采用二氧化硅PSS。在生长缓冲层之前，该方法还可以包括：将衬底置于氢气气氛中退火处理8分钟，清洁衬底表面，温度可以在1000℃与1200℃之间；然后对衬底进行氮化处理。
在本发明实施例中，该步骤可以包括：将温度调整至400℃-600℃，生长15至35nm厚的GaN缓冲层，生长压力区间可以为400Torr-600Torr。
在缓冲层生长完成后，该方法还可以包括：对缓冲层进行退火处理，温度可以在1000℃-1200℃之间，时间可以在5分钟至10分钟之间，压力可以为400Torr-600Torr。
步骤302：在GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层。
在本发明实施例中，该步骤可以包括：将温度调节至1000℃～1100℃，生长厚度在1至5.0微米的未掺杂GaN层，生长压力可以在100Torr至500Torr之间。
步骤303：在未掺杂GaN层上生长N型掺杂GaN层。
在未掺杂GaN层生长结束后，生长一层Si掺杂的N型掺杂GaN层，厚度可以在1.0～5.0微米之间，生长温度可以在1000℃～1200℃之间，压力可以在100Torr至500Torr之间，Si掺杂浓度可以在1018cm-3～1019cm-3之间。
步骤304：在N型掺杂GaN层上生长N型AlGaN层。
在N型掺杂GaN层生长结束后，生长N型AlGaN层，N型AlGaN层厚度可以在50nm-180nm之间，生长温度可以在800℃-1100℃之间，生长压力可以在300Torr至500Torr之间，Al摩尔掺入量可以为0-0.3。
步骤305：在N型AlGaN层上生长多量子阱层。
在N型AlGaN层生长结束后，生长多量子阱层，多量子阱层由3到15个周期的InxGa1-xN(0<x<1)和GaN超晶格结构组成，阱厚可以在3nm左右，生长温度的范围可以在720℃-829℃之间，压力范围可以在100Torr与500Torr之间；垒的厚度在9nm至20nm间，生长温度在850℃-959℃之间，生长压力在100Torr到500Torr之间。
步骤306：在多量子阱层上依次生长高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层，形成P型复合层。
在本发明实施例中，P型复合层中的三个子层均为P型掺杂层，掺杂浓度相当，均在2×1017～2×1018cm-3之间。
在本发明实施例中，含In的氮化物子层可以为InN子层或InGaN子层。
当含In的氮化物子层为InGaN子层时，In的含量可以在0.05-0.2之间。
当含In的氮化物子层为InN子层时，InN子层有利于空穴的平面扩展，能够提高空穴注入一致性和均匀性，增多量子阱中载流子的数量，增加了电子空穴在量子阱中复合发光效率，提升了器件发光效率。
在本发明实施例中，P型复合层的厚度范围可以为300nm-600nm，设计成这个厚度可以保证三个子层都能有一定的厚度实现各自的功能。。
在本发明实施例中，高温AlN子层的厚度范围可以为200nm-400nm，AlGaN子层的厚度范围可以为50nm-100nm，含In的氮化物子层的厚度范围可以为50nm-100nm。其中，高温AlN子层设计得较厚，能够有效提升AlGaN子层的晶体质量，而AlGaN子层和含In的氮化物子层的厚度相对较薄，在能够实现对电子的阻挡和让空穴顺利通过的功能的前提下，保证该复合层厚度不至于过大。
示例性地，高温AlN子层的厚度可以为300nm，AlGaN子层和含In的氮化物子层的厚度可以为80nm。
在本发明实施例中，在多量子阱层上依次生长高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层，可以包括：
在生长温度范围为950℃-1000℃的条件下，生长高温AlN子层；
在生长温度范围为800℃-950℃的条件下，生长AlGaN子层和含In的氮化物子层。
AlN子层高温生长有助于提高AlGaN子层与AlN子层表面Al的迁移率，提高Al掺杂均匀性，Al掺杂更均匀后对该层应力释放更好，且对向上延伸的V型缺陷阻挡效果更好；另外，采用上述温度能够保证各层的晶体质量，避免多量子阱层延伸上来的V型缺陷。
其中，高温AlN子层采用较高的温度生长，例如980℃。AlGaN子层和含In的氮化物子层采用稍低的温度生长，例如920℃。
在本发明实施例中，在多量子阱层上依次生长高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层，可以包括：
在生长压力范围为200Torr-300Torr的条件下，生长高温AlN子层、AlGaN子层和含In的氮化物子层。采用该生长压力能够保证几个子层的顺利生长以及生长的质量。
在本发明实施例中，AlGaN子层中Al的摩尔掺入量可以为0.2-0.5。
步骤307：在P型复合层上生长P型掺杂GaN层。
在P型复合层生长完成后，在其上生长一层P型掺杂GaN层，厚度可以在100nm至800nm之间，生长温度可以在800℃-950℃之间，生长压力区间可以为200Torr-300Torr。
步骤308：在P型掺杂GaN层上生长P型接触层。
P型掺杂GaN层结束后，在P型掺杂GaN层上生长P型接触层，厚度可以为5nm至300nm之间，生长温度区间可以为800℃～950℃，生长压力区间可以为100Torr～300Torr。
生长结束后，将反应腔温度降低，在氮气气氛中退火处理，退火温度区间可以为650℃～850℃，退火处理5到15分钟，降至室温外延生长结束。
本发明实施例还提供了一种发光二极管，发光二极管包括如前所述的发光二极管外延片。
本发明实施例中，多量子阱层和P型掺杂GaN层之间设置有P型复合层，该P型复合层包括位于多量子阱层上的高温AlN子层，位于高温AlN层上的AlGaN子层，以及位于AlGaN子层上的含In的氮化物子层。其中，AlGaN子层的主要作用是阻挡电子，而在AlGaN子层和多量子阱层之间生长一层高温AlN子层，Al在AlN子层的表面迁移率更高，所以均匀性更好，进而能够有效提升AlGaN子层中的铝的掺杂均匀性，Al的掺杂更均匀后对该层应力释放更好，进而有效提升AlGaN子层的晶体质量，对电子的阻挡效果更好，同时高温AlN子层还能够起到释放应力的作用，增加了AlGaN子层的豫驰度，有效阻隔了从多量子阱层延伸上来的V型缺陷，还能够使后续生长的P型掺杂GaN层的晶体质量更好，从而可以提高空穴浓度，保证空穴通过该AlGaN子层；另一方面，因为阻挡层对空穴的阻挡，主要发生在该层表面，而含In的氮化物子层靠近P型掺杂GaN层，是与空穴发生直接接触的子层，而含In的氮化物子层带宽较窄，使得位于AlGaN子层上的含In的氮化物子层能够降低整个复合层的带宽，从而降低整个复合层对空穴的阻挡，提高了空穴注入多量子阱层的效率，提高了具有该外延片的发光二极管的发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底、以及依次层叠于所述衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层、多量子阱层、P型复合层、P型掺杂氮化镓层和P型接触层；其特征在于，所述P型复合层包括：
位于所述多量子阱层上的高温氮化铝子层，位于所述高温氮化铝层上的铝镓氮子层，以及位于所述铝镓氮子层上的含铟的氮化物子层，所述P型掺杂氮化镓层位于所述含铟的氮化物子层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型复合层的厚度范围为300nm-600nm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述高温氮化铝子层的厚度范围为200nm-400nm，所述铝镓氮子层的厚度范围为50nm-100nm，所述含铟的氮化物子层的厚度范围为50nm-100nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述高温氮化铝子层的生长温度范围为950℃-1000℃；所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层的生长温度范围均为800℃-950℃。
5.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述高温氮化铝子层、所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层的生长压力范围均为200Torr-300Torr。
6.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上依次生长高温氮化铝子层、铝镓氮子层和含铟的氮化物子层，形成P型复合层；
在所述P型复合层的含铟的氮化物子层上依次生长P型掺杂氮化镓层和P型接触层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述高温氮化铝子层的厚度范围为200nm-400nm，所述铝镓氮子层的厚度范围为50nm-100nm，所述含铟的氮化物子层的厚度范围为50nm-100nm。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层上依次生长高温氮化铝子层、铝镓氮子层和含铟的氮化物子层，包括：
在生长温度范围为950℃-1000℃的条件下，生长所述高温氮化铝子层；
在生长温度范围为800℃-950℃的条件下，生长所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层上依次生长高温氮化铝子层、铝镓氮子层和含铟的氮化物子层，包括：
在生长压力范围为200Torr-300Torr的条件下，生长所述高温氮化铝子层、所述铝镓氮子层和所述含铟的氮化物子层。
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1-5任一项所述的发光二极管外延片。
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