CN113970880A - 一种用于半导体光刻胶的清洗方法 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 77
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 5
- QDYLMAYUEZBUFO-UHFFFAOYSA-N cetalkonium chloride Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 QDYLMAYUEZBUFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 claims description 3
- -1 methylphenyl vinyl Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- MOSXLDGILGBOSZ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methyl-phenylsilicon Chemical compound C=C[Si](C)C1=CC=CC=C1 MOSXLDGILGBOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Abstract
本发明公开了一种用于半导体光刻胶的清洗方法，第一步：拆卸机台涂胶部件，在光刻胶周边区域铺上防渗漏高分子材料；第二步：将光刻胶剥离液倒入防渗漏材料圈起范围内以浸润光刻胶，软化表面；第三步：将表面软化的光刻胶去除；第四步：继续软化胶体；第五步：再次将软化的下层光刻胶去除；第六步：使用十六烷基二甲基苄基铵溶液将最底层的光刻胶浸泡擦除；第七步：使用超纯水去除残留化学品；第八步：使用高纯氮气吹扫整个热板部件。本发明主要解决热板上的残留光刻胶的清洗，可将涂胶部件从设备机台拆卸下来，针对涂胶部件上热板区域局部的光刻胶采取化学品浸泡。而无需将氧化铝陶瓷热板完全从涂胶部件拆卸，增加热板部件安装错误的风险。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产晶圆过程中热板上残留的光刻胶的清洗方法，属于光刻胶技术领域。
背景技术
现有常用去除光刻胶的技术主要是灰化和全湿法清洗。灰化是利用氧等离子体轰击来去除光刻胶，缺点附着光刻胶的部件表面会有损伤，同时不能完全去除。全湿法清洗为将化学试剂喷洒浸泡在光刻胶表面，后超纯水冲洗，缺点消耗大量清洗液，清洗液包括硫酸、臭氧等。清洗耗时较长，同时大量废液处理增加生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术中的光刻胶的清洗会造成部件损伤或者废液多的缺陷，提供一种用于半导体光刻胶的清洗方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
一种用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：拆卸机台涂胶部件，在光刻胶区域铺上防渗漏高分子材料；防渗漏高分子材料使用多聚异氰酸酯涂布在丁基橡胶薄膜上，裁剪成所需形状；
第二步：将光刻胶剥离液加热到50℃±5℃，倒入防渗漏高分子材料所圈起的光刻胶区域，浸润光刻胶，软化表面；(浸润4H、光刻胶剥离液使用量为没过光刻胶范围)
第三步：使用硅橡胶刮片将表面软化的光刻胶去除；硅橡胶刮片由甲基苯基乙烯基硅橡胶热硫化在宽5mm的铁片上制成。
第四步：继续使用光刻胶剥离液浸润下层光刻胶，软化胶体(浸润6H、光刻胶剥离液使用量为没过光刻胶范围，中途更换一次新的剥离液)；
第五步：使用硅橡胶刮片将软化的下层光刻胶去除；
第六步：使用十六烷基二甲基苄基铵将最底层的光刻胶浸泡去除；
第七步：使用超纯水去除残留化学品；
第八步：使用高纯氮气吹扫整个热板部件。
优选的，本发明使用光刻胶剥离液TOK106去除光刻胶，为DMSO 30％和MEA 70％的混合溶剂。
本发明所达到的有益效果是：
本发明主要解决热板上的残留光刻胶的清洗，热板的材质为氧化铝陶瓷，残留物成分为PI(Polyimide，聚酰亚胺)，其他清洗工艺为热板在生产晶圆的机台上清洗，影响设备生产效率。本发明可将热板部件从机台拆卸下来，针对热板局部的光刻胶采取化学品浸泡。而无需将氧化铝陶瓷热板完全从部件拆卸，增加热板部件安装错误的风险。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例
一种用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：拆卸机台涂胶部件，在光刻胶区域铺上防渗漏高分子材料；防渗漏高分子材料使用多聚异氰酸酯涂布在丁基橡胶薄膜上，裁剪成所需形状；
第二步：将光刻胶剥离液TOK106加热到50℃，倒入防渗漏高分子材料所圈起的光刻胶区域，浸润光刻胶，软化表面，浸润4H、光刻胶剥离液使用量为没过光刻胶范围；
第三步：使用硅橡胶刮片将表面软化的光刻胶去除；硅橡胶刮片由甲基苯基乙烯基硅橡胶热硫化在宽5mm的铁片上制成；
第四步：继续使用加热到50℃的TOK106浸润下层光刻胶，软化胶体，浸润6H、光刻胶剥离液使用量为没过光刻胶范围，中途更换一次新的剥离液；
第五步：使用硅橡胶刮片将软化的下层光刻胶去除；
第六步：使用十六烷基二甲基苄基铵将最底层的光刻胶浸泡去除；
第七步：使用超纯水去除残留化学品；
第八步：使用高纯氮气吹扫整个热板部件。
采用上述方法进行5次试验与传统的清洗方法进行对比，试验结果如下：
其中，传统的清洗方法为：将氧化铝陶瓷热板从涂胶设备上拆卸下来，完全浸泡于光刻胶剥离液，光刻胶剥离液的初始温度为50℃，浸泡时间约3天，同时清洗完成后将氧化铝陶瓷热板安装回涂胶设备上需经过厂家指导，增加安装失误的风险，以及消耗大量时间来调试验证安装的可行性。若在机台上清洗光刻胶则采取等离子体轰击氧化铝陶瓷热板，缺点导致部件表面会有损伤，同时不能完全去除。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：拆卸机台涂胶部件，在残留光刻胶的周边区域铺上防渗漏高分子材料；
第二步：将光刻胶剥离液倒入防渗漏高分子材料圈起范围内以浸润光刻胶，软化表面；
第三步：使用硅橡胶刮片将表面软化的光刻胶去除；
第四步：继续使用光刻胶剥离液浸润下层光刻胶，软化胶体；
第五步：使用硅橡胶刮片将软化的下层光刻胶去除；
第六步：使用十六烷基二甲基苄基铵溶液将最底层的光刻胶浸泡去除；
第七步：使用超纯水去除残留化学品；
第八步：使用高纯氮气吹扫整个热板部件。
2.如权利要求1所述的用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，本所述的光刻胶剥离液为TOK106。
3.如权利要求1所述的用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，所述的渗漏高分子材料使用多聚异氰酸酯涂布在丁基橡胶薄膜上制成。
4.如权利要求1所述的用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，第三步和第五步中使用的硅橡胶刮片的制备方法为将甲基苯基乙烯基硅橡胶热硫化在铁片上固化而成。
5.如权利要求1所述的用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，第二步中将光刻胶剥离液加热到50℃±5℃后再使用。
6.如权利要求5所述的用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，光刻胶剥离液浸润4H，光刻胶剥离液使用量为没过光刻胶范围。
7.如权利要求1所述的用于半导体光刻胶的清洗方法，其特征在于，第四步中光刻胶剥离液浸润6H、光刻胶剥离液使用量为没过光刻胶范围，中途更换一次新的剥离液。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111391021.7A CN113970880A (zh) | 2021-11-23 | 2021-11-23 | 一种用于半导体光刻胶的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN202111391021.7A CN113970880A (zh) | 2021-11-23 | 2021-11-23 | 一种用于半导体光刻胶的清洗方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113970880A true CN113970880A (zh) | 2022-01-25 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111391021.7A Pending CN113970880A (zh) | 2021-11-23 | 2021-11-23 | 一种用于半导体光刻胶的清洗方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113970880A (zh) |
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