CN113934258A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种电子装置。所述电子装置包括:显示面板,被构造为显示图像;输入传感器,在显示面板上且包括第一感测电极和与第一感测电极电绝缘的第二感测电极;输入传感器,被构造为在第一模式下感测第一输入且在第二模式下感测第二输入;以及输入装置,被构造为将第二输入提供到输入传感器。第一感测电极和第二感测电极中的至少一个包括:主网格图案,在其中第一感测电极和第二感测电极彼此交叉的交叉区域中;以及副网格图案,在其中第一感测电极和第二感测电极彼此不交叉的非交叉区域中,并且具有与主网格图案的尺寸不同的尺寸。
Description
本申请要求于2020年7月14日提交的第10-2020-0087072号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
背景技术
在此本公开的一些实施例的方面涉及一种电子装置。
诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统、游戏控制台等的多媒体电子装置用于显示图像。除了诸如按钮、键盘、鼠标等的通常输入方式之外,这样的电子装置可以包括能够提供基于触摸的输入机制以允许用户相对容易地直观且方便地输入信息或命令的输入传感器。
输入传感器可以感测使用用户的身体的触摸或压力输入。对于熟悉使用书写工具或特定应用程序(例如,用于草绘或绘图的应用程序)的信息输入的用户,使用有源笔进行精细触摸输入的需求正在增加。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解,因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
在此本公开的一些实施例的方面涉及一种电子装置,例如,涉及一种具有相对地改善的输入感测性能的电子装置。
本公开的一些实施例的方面包括一种其中相对地改善使用有源笔的输入的感测性能的电子装置。
发明构思的一些实施例的方面包括一种电子装置,所述电子装置包括:显示面板,被构造为显示图像;输入传感器,设置在显示面板上;以及输入装置,被构造为将第二输入提供到输入传感器。输入传感器包括第一感测电极和与第一感测电极电绝缘的第二感测电极,并且被构造为在第一模式下感测第一输入且在第二模式下感测第二输入。
根据一些实施例,第一感测电极和第二感测电极中的至少一个包括:主网格图案,设置在其中第一感测电极和第二感测电极彼此交叉的交叉区域中;以及副网格图案,设置在其中第一感测电极和第二感测电极彼此不交叉的非交叉区域中。主网格图案具有与副网格图案的尺寸不同的尺寸。
根据一些实施例,电子装置包括:显示面板,被构造为显示图像;以及输入传感器,设置在显示面板上。输入传感器包括:第一感测电极;以及第二感测电极,与第一感测电极电绝缘。输入传感器被构造为在第一模式下感测第一输入且在第二模式下感测第二输入。
根据一些实施例,第一感测电极包括:第一主网格图案,设置在交叉区域中;以及第一副网格图案,设置在其中第一感测电极与第二感测电极不交叉的第一非交叉区域中。第二感测电极包括:第二主网格图案,设置在交叉区域中;以及第二副网格图案,设置在其中第二感测电极与第一感测电极不交叉的第二非交叉区域中。第一主网格图案具有与第二主网格图案的尺寸不同的尺寸。
附图说明
附图被包括以提供对根据发明构思的实施例的进一步理解,并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的实施例,并且与说明书一起用于解释发明构思的原理。在附图中:
图1A是根据发明构思的一些实施例的电子装置的透视图;
图1B是根据发明构思的一些实施例的电子装置的分解透视图;
图2A和图2B是沿着图1B的线I-I'截取的剖视图;
图3A是用于解释根据发明构思的一些实施例的电子装置的操作的框图;
图3B是图3A的输入装置的框图;
图4是根据发明构思的一些实施例的显示模块的剖视图;
图5是根据发明构思的一些实施例的输入传感器的平面图;
图6是用于解释根据一些实施例的输入传感器在第一模式下的操作的视图;
图7A和图7B是用于解释根据一些实施例的输入传感器在第二模式下的操作的视图;
图8A是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图;
图8B是图8A的区域A2的放大平面图;
图8C是沿着图8A的线II-II'截取的剖视图;
图9A是图8B的区域A3的放大平面图;
图9B是沿着图9A的线III-III'截取的剖视图;
图10A是图8B的区域A4的放大平面图;
图10B是沿着图10A的线IV-IV'截取的剖视图;
图11是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图;
图12A和图12B是图11的区域A5的放大平面图;
图12C是沿着图11的线V-V'截取的剖视图;
图13是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图;
图14A是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图;
图14B是沿着图14A的线VI-VI'截取的剖视图;
图15A是示出了图14A的第一感测电极的放大平面图;以及
图15B是示出了图14A的第二感测电极的放大平面图。
具体实施方式
在本说明书中,还将理解的是,当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时,所述组件可以直接布置在所述一个组件上/直接连接/直接结合到所述一个组件,或者也可以存在中间的第三组件。
同样的附图标记始终指同样的元件。而且,在附图中,为了清楚说明,夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是,虽然在此使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件,但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如,在不脱离所附权利要求的范围的情况下,在一个实施例中被称为第一元件的第一元件可以在另一实施例中被称为第二元件。除非相反指出,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
而且,“在……下面”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等用于解释附图中所示的组件的关系关联。术语可以是相对概念,并且基于附图中表示的方向来描述。
除非另外定义,否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。而且,术语(诸如常用词典中定义的术语)被解释为具有与相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且除非在此明确定义,否则不以理想或过于正式的意义解释。
“包括”或“包含”的含义说明性质、固定数目、步骤、操作、元件、组件或它们的组合,但是不排除其它性质、固定数目、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
在下文中,将参照附图描述发明构思的一些实施例的方面。
图1A是根据发明构思的一些实施例的电子装置的透视图,图1B是根据发明构思的一些实施例的电子装置的分解透视图。图2A和图2B是沿着图1B的线I-I'截取的剖视图。
参照图1A至图2B,电子装置ED可以是根据电信号激活的装置。电子装置ED可以包括各种电子装置或组件。例如,电子装置ED可以应用于诸如智能手表、平板电脑、笔记本电脑、计算机、智能电视等的电子装置。
电子装置ED可以在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面IS上沿第三方向DR3显示图像IM。其上显示有图像IM的显示表面IS可以与电子装置ED的前表面对应。图像IM可以包括静止图像以及动态图像。
根据一些实施例,可以基于显示图像IM所沿的方向来限定构件中的每个的前表面(或顶表面)或后表面(或底表面)。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对。前表面和后表面中的每个的法线方向可以与第三方向DR3平行。
前表面与后表面之间的在第三方向DR3上的间隔距离可以与电子装置ED的在第三方向DR3上的厚度对应。被指示为第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3的方向可以是相对概念,并且因此可以(例如,根据电子装置ED的方位)被改变为不同的方向。
电子装置ED可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以包括从电子装置ED的外部提供的各种类型的输入。根据发明构思的实施例的电子装置ED可以感测从外部施加的用户US的第一输入TC1。用户US的第一输入TC1可以是诸如用户US的身体的一部分、光、热或压力的各种类型的外部输入中的一种或组合。在该实施例中,假设用户US的第一输入TC1是由用户US的手施加到前表面的触摸输入,但是这是说明性的,因此,如上所述,用户US的第一输入TC1可以设置为各种形式。而且,电子装置ED可以根据电子装置ED的结构感测施加到电子装置ED的侧表面或后表面的用户US的第一输入TC1(例如,例如来自用户US的手指的触摸输入),但是根据本公开的实施例不限于此。
而且,根据发明构思的实施例的电子装置ED可以感测从外部施加的第二输入TC2。除了用户US的手之外,第二输入TC2包括通过电子输入装置AP(例如,手写笔、有源笔、触摸笔、电子笔、e-pen等)的输入。在以下描述中,其中第二输入TC2是通过有源笔的输入的情况将被描述为示例。
电子装置ED的前表面可以被划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是其上显示有图像IM的区域。用户US可以看到通过透射区域TA显示的图像IM。根据一些实施例,透射区域TA的顶点中的每个可以具有倒圆的矩形形状。然而,这仅仅是示例。例如,电子装置ED可以具有各种形状,根据本公开的实施例不限于任何特定形状。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有一定颜色(例如,设定或预定颜色)。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。因此,透射区域TA的形状可以由边框区域BZA的形状或区域基本上限定。然而,这仅仅是示例。例如,边框区域BZA可以定位为与透射区域TA的仅一侧相邻,或者可以被省略。根据发明构思的一些实施例的电子装置ED可以根据各种实施例来实现,但不限于特定实施例。
如图1B中所示,电子装置ED可以包括显示模块DM和定位在显示模块DM上的窗WM。显示模块DM可以包括显示面板DP和输入传感器ISP。
根据发明构思的一些实施例的显示面板DP可以是发射型显示面板,但是根据本公开的实施例不限于此。例如,显示面板DP可以是有机发光显示面板和量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中,有机发光显示面板将被描述为显示面板DP的示例。
参照图2A,输入传感器ISP可以直接定位在显示面板DP上。根据发明构思的一些实施例,输入传感器ISP可以通过连续工艺定位在显示面板DP上。即,当输入传感器ISP直接定位在显示面板DP上时,粘合膜不定位在输入传感器ISP与显示面板DP之间。然而,如图2B中所示,内粘合膜I_AF可以定位在输入传感器ISP与显示面板DP之间。在这种情况下,输入传感器ISP可以不通过连续工艺与显示面板DP一起制造。因此,在通过与形成显示面板DP的工艺分开的工艺制造之后,输入传感器ISP可以通过内粘合膜I_AF固定到显示面板DP的顶表面。
显示面板DP产生图像IM,输入传感器ISP获取外部输入(例如,第一输入TC1和第二输入TC2)的坐标信息。
窗WM可以由能够发射图像的透明材料制成。例如,窗WM可以由玻璃、蓝宝石、塑料等制成。虽然窗WM被示出为单个层,但是发明构思的实施例不限于此。例如,根据一些实施例,窗WM可以包括多个层。根据一些实施例,上述电子装置ED的边框区域BZA可以基本上设置为其中具有一定颜色(例如,设定或预定颜色)的材料印刷在窗WM的一个区域上的区域。根据发明构思的一些实施例,窗WM可以包括用于限定边框区域BZA的光阻挡图案WBM。光阻挡图案WBM可以使用有色有机膜例如以涂覆方式形成。
窗WM可以通过粘合膜AF结合到显示模块DM。根据发明构思的一些实施例,粘合膜AF可以包括光学透明粘合膜(OCA)。然而,粘合膜AF不限于此,并且可以包括典型的粘合剂或压敏粘合剂。例如,粘合膜AF可以包括光学透明树脂(OCR)或压敏粘合膜(PSA)。
防反射层还可以定位在窗WM与显示模块DM之间。防反射层减少从窗WM的上侧入射的外部光的反射率。根据发明构思的一些实施例的防反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型延迟器或液晶涂覆型延迟器,并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型偏振器或液晶涂覆型偏振器。膜型可以包括伸长型合成树脂,液晶涂覆型可以包括以一定布置(例如,设定或预定布置)布置的液晶。延迟器和偏振器可以实现为一个偏振膜。
作为另一示例,防反射层可以包括直接定位在输入传感器ISP或显示面板DP上的滤色器。
显示模块DM可以根据电信号显示图像IM,并且发送/接收关于外部输入的信息。显示模块DM可以被划分为有效区域AA和外围区域NAA。有效区域AA可以被定义为发射从显示模块DM提供的图像IM的区域。
外围区域NAA与有效区域AA相邻。例如,外围区域NAA可以围绕有效区域AA。然而,这仅仅是示例。例如,外围区域NAA可以具有各种形状,并且不限于特定实施例。根据一些实施例,显示模块DM的有效区域AA可以与透射区域TA的至少一部分对应。
显示模块DM还可以包括主电路板MCB、柔性电路膜FCB和驱动芯片DIC。主电路板MCB可以连接到柔性电路膜FCB且电连接到显示面板DP。主电路板MCB可以包括多个驱动元件。多个驱动元件可以包括用于驱动显示面板DP的电路单元。柔性电路膜FCB连接到显示面板DP,以将显示面板DP电连接到主电路板MCB。驱动芯片DIC可以安装在柔性电路膜FCB上。
驱动芯片DIC可以包括用于驱动显示面板DP的像素的驱动元件,例如,数据驱动电路。根据发明构思的一些实施例的柔性电路膜FCB被示出为一个膜,但是根据本公开的实施例不限于此。例如,柔性电路膜FCB可以被设置为多个且连接到显示面板DP。图1B示出了其中驱动芯片DIC安装在柔性电路膜FCB上的结构,但是根据发明构思的实施例不限于此。例如,驱动芯片DIC可以直接安装在显示面板DP上。在这种情况下,显示面板DP的其上安装有驱动芯片DIC的一部分可以弯曲为定位在显示模块DM的后表面上。
输入传感器ISP可以通过柔性电路膜FCB电连接到主电路板MCB。然而,根据发明构思的实施例不限于此。即,显示模块DM可以附加地包括用于将输入传感器ISP电连接到主电路板MCB的单独的柔性电路膜。
电子装置ED还包括容纳显示模块DM的外壳EDC。外壳EDC可以结合到窗WM以限定电子装置ED的外观。外壳EDC吸收从外部施加的冲击,并且防止异物/湿气渗透到显示模块DM中,以保护容纳在外壳EDC中的组件。根据一些实施例,外壳EDC可以以其中多个容纳构件彼此接合的形状设置。
根据一些实施例的电子装置ED包括包含用于驱动显示模块DM的各种功能模块的电子模块、用于供应电子装置ED的整体操作所需的电力的电源模块以及接合到显示模块DM和/或外壳EDC以划分电子装置ED的内部空间的支架。
图3A是用于解释根据发明构思的一些实施例的电子装置的操作的框图,图3B是图3A的输入装置的框图。
参照图3A和图3B,根据发明构思的一些实施例的电子装置ED包括用于控制显示面板DP的驱动的主控制器200和连接到输入传感器ISP的传感器控制器100。主控制器200可以控制连接到输入传感器ISP的传感器控制器100的驱动。根据发明构思的一些实施例,主控制器200和传感器控制器100可以安装在主电路板MCB(见图1B)上。然而,根据一些实施例,传感器控制器100可以嵌入在驱动芯片DIC(见图1B)中。
输入传感器ISP可以包括感测电极。稍后将参照图4至图15B更详细地描述输入传感器ISP的结构。
传感器控制器100可以连接到输入传感器ISP的感测电极。传感器控制器100可以允许输入传感器ISP在第一模式下操作以便感测第一输入TC1,并且还允许输入传感器ISP在第二模式下操作以便感测第二输入TC2。
如图3B中所示,输入装置AP可以包括壳体11、导电笔尖12和通信模块13。壳体11可以具有笔形状,容纳空间可以限定在壳体11中。导电笔尖12可以从壳体11的开口侧向外突出。导电笔尖12可以是输入装置AP的直接接触输入传感器ISP的一部分。
通信模块13可以包括发送电路13a和接收电路13b。发送电路13a可以将下行链路信号发送到传感器控制器100。下行链路信号可以包括输入装置AP的位置、输入装置AP的倾斜度和状态信息。当输入装置AP接触输入传感器ISP时,传感器控制器100可以通过输入传感器ISP接收下行链路信号。
接收电路13b可以从传感器控制器100接收上行链路信号。上行链路信号可以包括诸如面板信息、协议版本等的信息。传感器控制器100可以将上行链路信号供应到输入传感器ISP,输入装置AP可以通过与输入传感器ISP的接触来接收上行链路信号。
输入装置AP还包括控制输入装置AP的驱动的输入控制器14。输入控制器14可以被构造为根据规定的程序操作。发送电路13a接收从输入控制器14供应的信号,以将接收的信号调制为能够由输入传感器ISP感测的信号,接收电路13b接收通过输入传感器ISP接收到的信号,以将接收的信号调制为能够由输入控制器14处理的信号。
输入装置AP还可以包括用于将电力供应到输入装置AP的每个组件的电力模块15。
图4是根据发明构思的一些实施例的显示模块的剖视图。
参照图4,显示模块DM可以包括显示面板DP和直接定位在显示面板DP上的输入传感器ISP。显示面板DP可以包括基体层BS、电路层DP_CL、发光元件层DP_ED和封装层TFE。
基体层BS可以提供其上定位有电路层DP_CL的基体表面。基体层BS可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底。然而,根据发明构思的实施例不限于此。例如,基体层BS可以是无机层、有机层或复合层。
基体层BS可以具有多层结构。例如,基体层BS可以具有由合成树脂层、粘合层和合成树脂层构成的三层结构。例如,合成树脂层可以包括聚酰亚胺类树脂。而且,合成树脂层可以包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
电路层DP_CL可以定位在基体层BS上。电路层DP_CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以以诸如涂覆或气相沉积的方式形成在基体层BS上,然后,绝缘层、半导体层和导电层可以通过多个光刻工艺被选择性地图案化。此后,可以设置包括在电路层DP_CL中的半导体图案、导电图案和信号线。
至少一个无机层可以定位在基体层BS的顶表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以设置为多层。多层无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层BFL。根据一些实施例,显示面板DP可以包括缓冲层BFL。
缓冲层BFL可以改善基体层BS与半导体图案之间的接合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层,氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
半导体图案可以定位在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。然而,根据发明构思的实施例不限于此。例如,半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
图4仅示出了半导体图案的一部分。例如,半导体图案还可以定位在其它区域中。半导体图案可以以特定规则布置在像素之上。根据半导体图案是否被掺杂,半导体图案具有不同的电性质。半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。PMOS晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区,NMOS晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。
掺杂区可以具有比非掺杂区的导电性大的导电性,并且可以基本上用作电极或信号线。非掺杂区可以与晶体管的有源区(或沟道区)基本上对应。也就是说,半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区,另一部分可以是晶体管的源区或漏区。
像素中的每个可以具有包括七个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路,像素的等效电路图可以以各种形式修改。在图4中,包括在像素中的一个晶体管TR和发光元件EE被示出为示例。
晶体管TR的源区SR、有源区CHR和漏区DR可以由半导体图案形成。源区SR和漏区DR在剖面上可以设置在与有源区CHR相反的方向上。图4示出了信号线SCL的与半导体图案定位在同一层上的一部分。根据一些实施例,信号线SCL在平面上可以电连接到晶体管TR。
第一绝缘层IL1可以定位在缓冲层BFL上。第一绝缘层IL1与多个像素共同地叠置以覆盖半导体图案。第一绝缘层IL1可以包括无机层和/或有机层,并且具有单层或多层结构。第一绝缘层IL1可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。根据一些实施例,第一绝缘层IL1可以包括单层氧化硅层。稍后将描述的电路层DP_CL的绝缘层中的每个以及第一绝缘层IL1可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种,但不限于此。
晶体管TR的栅极GE定位在第一绝缘层IL1上。栅极GE可以是金属图案的一部分。栅极GE与有源区CHR叠置。在掺杂半导体图案的工艺中,栅极GE可以用作掩模。
第二绝缘层IL2可以定位在第一绝缘层IL1上以覆盖栅极GE。第二绝缘层IL2可以与像素共同地叠置。第二绝缘层IL2可以是无机层和/或有机层,并且具有单层或多层结构。根据一些实施例,第二绝缘层IL2可以是单层氧化硅层。
第三绝缘层IL3可以定位在第二绝缘层IL2上。根据一些实施例,第三绝缘层IL3可以是单层氧化硅层。
第一连接电极CNE1可以定位在第三绝缘层IL3上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3的第一接触孔CNT1连接到信号线SCL。
第四绝缘层IL4可以定位在第三绝缘层IL3上。第四绝缘层IL4可以是单层氧化硅层。第五绝缘层IL5可以定位在第四绝缘层IL4上。第五绝缘层IL5可以是有机层。
第二连接电极CNE2可以定位在第五绝缘层IL5上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第四绝缘层IL4和第五绝缘层IL5的第二接触孔CNT2连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层IL6可以定位在第五绝缘层IL5上以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层IL6可以是有机层。发光元件层DP_ED可以定位在电路层DP_CL上。发光元件层DP_ED可以包括发光元件EE。例如,发光元件层DP_ED可以包括有机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。发光元件EE可以包括第一电极AE、发射层EL和第二电极CE。
第一电极AE可以定位在第六绝缘层IL6上。第一电极AE可以通过穿过第六绝缘层IL6的第三接触孔CNT3连接到第二连接电极CNE2。
像素限定层IL7可以定位在第六绝缘层IL6上以覆盖第一电极AE的一部分。开口OP限定在像素限定层IL7中。像素限定层IL7的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。根据一些实施例,发射区域PXA可以被限定为与第一电极AE的被开口OP暴露的区域的一部分对应。非发射区域NPXA可以围绕发射区域PXA。
发射层EL可以定位在第一电极AE上。发射层EL可以定位在开口OP中。即,发射层EL可以布置为相对于像素中的每个分开。当发射层EL布置为与相对于像素中的每个分开时,发射层EL中的每个可以发射具有蓝色、红色和绿色中的至少一种的光。然而,发明构思的实施例不限于此。例如,发射层EL可以共同地设置为连接到像素。在这种情况下,发射层EL可以提供蓝光或白光。
第二电极CE可以定位在发射层EL上。第二电极CE可以具有一体化的形状且共同地定位在多个像素上。共电压可以被提供到第二电极CE,第二电极CE可以被称为共电极。
根据一些实施例,空穴控制层可以定位在第一电极AE与发射层EL之间。空穴控制层可以共同地定位在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。空穴控制层可以包括空穴传输层,并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以定位在发射层EL与第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层,并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以通过使用开口掩模共同地形成在多个像素中。封装层TFE可以定位在发光元件层DP_ED上。封装层TFE可以包括顺序地层叠的无机层、有机层和无机层,但是构成封装层TFE的层不限于此。
无机层可以保护发光元件层DP_ED免受湿气和氧的影响,有机层可以保护发光元件层DP_ED免受诸如灰尘颗粒或其它污染物的异物的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以包括丙烯酸类有机层,但是发明构思的实施例不限于此。
输入传感器ISP可以通过连续工艺定位在显示面板DP上。输入传感器ISP可以包括输入基体层IIL1、第一导电层ICL1、感测绝缘层IIL2、第二导电层ICL2和覆盖绝缘层IIL3。
输入基体层IIL1可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的任何一种的无机层。可选地,输入基体层IIL1可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。输入基体层IIL1中的每个可以具有单层结构或其中多个层在第三方向DR3上层叠的多层结构。
第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的每个可以具有单层结构或其中多个层在第三方向DR3上层叠的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(IZTO)等的透明导电氧化物。另外,透明导电层可以包括诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。
具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
感测绝缘层IIL2和覆盖绝缘层IIL3中的至少一个可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
感测绝缘层IIL2和覆盖绝缘层IIL3中的至少一个可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
图5是根据发明构思的一些实施例的输入传感器的平面图,图6是用于解释输入传感器在第一模式下的操作的视图。图7A和图7B是用于解释输入传感器在第二模式下的操作的视图。
参照图3A和图5,输入传感器ISP可以包括感测区域SA和非感测区域NSA。感测区域SA可以是根据电信号激活的区域。例如,感测区域SA可以是感测输入的区域。非感测区域NSA可以围绕感测区域SA。
输入传感器ISP包括第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m。第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m彼此电绝缘且彼此交叉。根据发明构思的一些实施例,第一感测电极SE1_1至SE1_n包括n个第一感测电极SE1_1至SE1_n,第二感测电极SE2_1至SE2_m包括m个第二感测电极SE2_1至SE2_m。这里,n和m是1或更大的自然数。数字n可以是大于数字m的数字,但不限于此。即,数字n可以是等于或小于数字m的数字。
第一感测电极SE1_1至SE1_n中的每个可以在第二方向DR2上以条形延伸。第一感测电极SE1_1至SE1_n可以布置为在第一方向DR1上彼此分隔开。第一感测电极SE1_1至SE1_n可以在第一方向DR1上具有彼此相同的电极宽度。第一感测电极SE1_1至SE1_n之间的在第一方向DR1上的间隔距离可以是恒定的。
第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个可以在第一方向DR1上以条形延伸。第二感测电极SE2_1至SE2_m可以布置为在第二方向DR2上彼此分隔开。第二感测电极SE2_1至SE1_m可以在第二方向DR2上具有彼此相同的电极宽度。第二感测电极SE2_1至SE2_m之间的在第二方向DR2上的间隔距离可以是恒定的。
第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m可以彼此交叉。第一感测电极SE1_1至SE1_n可以彼此电分开,第二感测电极SE2_1至SE2_m可以彼此电分开。
输入传感器ISP可以在第一模式或第二模式下操作,在第一模式下,通过第一感测电极SE1_1至SE1_n与第二感测电极SE2_1至SE2_m之间的互电容的改变来获取关于外部输入的信息,在第二模式下,通过第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m的电容的改变来感测通过输入装置AP(见图3A)的输入。
输入传感器ISP还可以包括多条第一感测线SL1_1至SL1_n和多条第二感测线SL2_1至SL2_m。第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m可以定位在感测区域SA中。第一感测线SL1_1至SL1_n和第二感测线SL2_1至SL2_m可以定位在非感测区域NSA中。多条第一感测线SL1_1至SL1_n电连接到第一感测电极SE1_1至SE1_n的一侧,多条第二感测线SL2_1至SL2_m电连接到第二感测电极SE2_1至SE2_m的一侧。根据发明构思的一些实施例,输入传感器ISP还可以包括电连接到第一感测电极SE1_1至SE1_n的另一侧的第三感测线SL3_1至SL3_n。然而,发明构思的实施例不限于此。即,可以省略第三感测线SL3_1至SL3_n。
第一感测电极SE1_1至SE1_n通过多条第一感测线SL1_1至SL1_n电连接到传感器控制器100,第二感测电极SE2_1至SE2_m通过多条第二感测线SL2_1至SL2_m电连接到传感器控制器100。
参照图3A、图5和图6,在第一模式下,第一感测电极SE1_1至SE1_n可以作为发送电极操作,第二感测电极SE2_1至SE2_m可以作为接收电极操作。在第一模式下,传感器控制器100可以通过感测第一感测电极SE1_1至SE1_n与第二感测电极SE2_1至SE2_m之间产生的互电容的改变来感测第一输入TC1。
在第一模式下,传感器控制器100可以将驱动信号TS1和TS2提供到第一感测电极SE1_1至SE1_n。在第一模式下,传感器控制器100可以从第二感测电极SE2_1至SE2_m接收感测信号RS1和RS2。因此,传感器控制器100可以将驱动信号TS1和TS2与对应的感测信号RS1和RS2进行比较,以基于它们之间的改变量来计算其处提供有第一输入TC1的位置的坐标值。
参照图3A、图5、图7A和图7B,当输入装置AP接近输入传感器ISP时,输入传感器ISP可以进入用于感测第二输入TC2的第二模式。输入装置AP可以通过输入传感器ISP将数据发送到传感器控制器100,或者通过输入传感器ISP从传感器控制器100接收数据。
在第二模式下,第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个可以用作用于将从传感器控制器100提供的上行链路信号TSa、TSb、TSc和TSd提供到输入装置AP的发送电极。在第二模式下,第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个可以用作用于将从输入装置AP提供的下行链路信号RSa、RSb、RSc和RSd提供到传感器控制器100的接收电极。即,在第二模式下,第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的所有可以用作发送电极,或者可以用作接收电极。
当第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个以条形设置时,即使输入装置AP移动,第一感测电极SE1_1至SE1_n与第二感测电极SE2_1至SE2_m之间的互电容的改变也可以基本上恒定地保持。因此,在第二模式下,即使第二输入TC2移动,也可以相对准确地感测移动。即,诸如当使用输入装置AP书写字母或绘制图片时,可以能够防止以线的形式提供的第二输入TC2因上述互电容的改变量而失真。因此,可以相对地改善第二输入TC2的线性度。
图8A是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图,图8B是图8A的区域A2的放大平面图。图8C是沿着图8A的线II-II'截取的剖视图。
参照图8A至图8C,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以具有网格结构。
第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个可以包括被限定为具有网格结构的多个网格图案。这里,包括在第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个中的网格图案可以被定义为多个第一网格图案。多个第一网格图案可以包括第一主网格图案MMP1和第一副网格图案SMP1。第一主网格图案MMP1定位在其中第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2彼此交叉的交叉区域CR中。第一副网格图案SMP1定位在其中第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2不交叉的第一非交叉区域NCR1中。
第一主网格图案MMP1可以通过与在相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的第四方向DR4上延伸的第一网格线和在相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜且与第四方向DR4交叉的第五方向DR5上延伸的第二网格线具有菱形形状。第一副网格图案SMP1可以通过在第四方向DR4上延伸的第三网格线和在第五方向DR5上延伸的第四网格线具有菱形形状。图8A和图8B示出了其中第一主网格图案MMP1和第一副网格图案SMP1中的每个具有菱形形状的结构,但是第一主网格图案MMP1和第一副网格图案SMP1中的每个的形状不限于此。例如,第一主网格图案MMP1和第一副网格图案SMP1中的每个可以具有三角形形状、矩形形状、圆形形状、V形状等。
第一主网格图案MMP1可以具有与第一副网格图案SMP1的尺寸相等或不同的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第一主网格图案MMP1可以具有比第一副网格图案SMP1的尺寸小的尺寸。例如,第一主网格图案MMP1可以具有与第一副网格图案SMP1的约1/2倍或约1/4倍对应的尺寸。
第一主网格开口MOP1_1可以通过第一网格线和第二网格线限定在第一主网格图案MMP1中。第一主网格开口MOP1_1可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有第一宽度w1。第一副网格开口MOP1_2可以通过第三网格线和第四网格线限定在第一副网格图案SMP1中。第一副网格开口MOP1_2可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有比第一宽度w1大的宽度。根据发明构思的一些实施例,第一副网格开口MOP1_2可以具有第一主网格开口MOP1_1的宽度的两倍或四倍的宽度。图8A示出了其中当与第一主网格开口MOP1_1相比时第一副网格开口MOP1_2在第四方向DR4和第五方向DR5上具有第一宽度w1的两倍的宽度2w1的结构,但是发明构思的实施例不限于此。这里,第一主网格开口MOP1_1和第一副网格开口MOP1_2可以与图4中描述的发射区域PXA叠置。
第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以包括被限定为具有网格结构的多个网格图案。这里,包括在第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个中的网格图案可以被定义为多个第二网格图案。多个第二网格图案可以包括第二主网格图案MMP2和第二副网格图案SMP2。第二主网格图案MMP2定位在交叉区域CR中,第二副网格图案SMP2定位在其中第二感测电极SE2_1和SE2_2与第一感测电极SE1_1和SE1_2不交叉的第二非交叉区域NCR2中。
第二主网格图案MMP2可以通过在第四方向DR4上延伸的第五网格线和在第五方向DR5上延伸的第六网格线具有菱形形状。第二副网格图案SMP2可以通过在第四方向DR4上延伸的第七网格线和在第五方向DR5上延伸的第八网格线具有菱形形状。图8A和图8B示出了其中第二主网格图案MMP2和第二副网格图案SMP2中的每个具有菱形形状的结构,但是第二主网格图案MMP2和第二副网格图案SMP2中的每个的形状不限于此。例如,第二主网格图案MMP2和第二副网格图案SMP2中的每个可以具有三角形形状、矩形形状、圆形形状、V形状等。
第二主网格图案MMP2可以具有与第二副网格图案SMP2的尺寸相等或不同的尺寸。第二主网格图案MMP2可以具有与第一主网格图案MMP1的尺寸相等或不同的尺寸,第二副网格图案SMP2可以具有与第一副网格图案SMP1的尺寸相等或不同的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第二主网格图案MMP2可以具有与第二副网格图案SMP2相同的尺寸,第二副网格图案SMP2可以具有与第一副网格图案SMP1相同的尺寸。
第二主网格开口MOP2_1可以通过第五网格线和第六网格线限定在第二主网格图案MMP2中。第二主网格开口MOP2_1可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有第二宽度w2。第二副网格开口MOP2_2可以通过第七网格线和第八网格线限定在第二副网格图案SMP2中。第二副网格开口MOP2_2可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有等于或大于第二宽度w2的宽度。根据发明构思的一些实施例,第二副网格开口MOP2_2可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有与第二宽度w2相同的宽度。这里,第二主网格开口MOP2_1和第二副网格开口MOP2_2可以与图4中描述的发射区域PXA叠置。
根据发明构思的一些实施例,交叉区域CR中的第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的至少一者可以包括具有比副网格图案的尺寸小的尺寸的主网格图案。因此,至少一个第一主网格图案MMP1可以布置为在交叉区域CR中与一个第二主网格图案MMP2交叉。因此,在其处第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2彼此交叉的部分处,第一主网格图案MMP1与第二主网格图案MMP2之间的间隔距离可以比第一宽度w1小。即,可以减小第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的距离,因此,在第一模式下,当使用第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的互电容感测第一输入TC1时,可以改善感测灵敏度。
另一方面,当第一感测电极SE1_1和SE1_2和第二感测电极SE2_1和SE2_2的总电容大于或等于参考值时,第二模式下的感测灵敏度会劣化。根据发明构思的一些实施例,参考值可以是约200皮法,但不特别限于此。
在第二模式下,可以确定第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2以及第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2的尺寸,使得第一感测电极SE1_1和SE1_2和第二感测电极SE2_1和SE2_2的总电容保持为比参考值低。即,不影响第一模式下的感测灵敏度的第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2的尺寸可以增加,以改善第二模式下的感测灵敏度。而且,影响第一模式下的感测灵敏度的第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2中的至少一个可以具有比第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2中的每个的尺寸小的尺寸,以改善第一模式下的感测灵敏度。
图8A至图8C示出了根据发明构思的一些实施例的其中第一主网格图案MMP1中的每个具有比第一副网格图案SMP1中的每个的尺寸小的尺寸的结构,但是发明构思的实施例不限于此。例如,第二主网格图案MMP2中的每个可以具有比第二副网格图案SMP2中的每个的尺寸小的尺寸。
而且,如图8A至图8C中所示,第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2可以具有相同的尺寸。然而,发明构思的实施例不限于此。例如,第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2可以具有彼此不同的尺寸。
图9A是图8B的区域A3的放大平面图,图9B是沿着图9A的线III-III'截取的剖视图。图10A是图8B的区域A4的放大平面图,图10B是沿着图10A的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图8A、图8B、图8C、图9A和图9B,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2定位在同一层上。具体地,在交叉区域CR中,第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2定位在同一层上。根据发明构思的一些实施例,第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2可以定位在感测绝缘层IIL2上。
第一感测电极SE1_1和SE1_2还可以包括通过使第一主网格图案MMP1开口而设置的第一连接开口POP1。第二主网格图案MMP2可以布置为穿过第一连接开口POP1。根据发明构思的一些实施例,第一连接开口POP1可以在第五方向DR5上布置。第一感测电极SE1_1和SE1_2还包括用于将通过第一连接开口POP1彼此分隔开的第一主网格图案MMP1彼此电连接的第一桥接图案BE1。第一桥接图案BE1可以设置在第一连接开口POP1中以便电连接到第一主网格图案MMP1。
示出了其中相对于穿过第一连接开口POP1的第二主网格图案MMP2定位在一侧和另一侧处的第一主网格图案MMP1与第二主网格图案MMP2分开一定距离(例如,设定或预定距离)的结构(即,对称间隔结构)。然而,发明构思的实施例不限于此。例如,相对于穿过第一连接开口POP1的第二主网格图案MMP2定位在一侧处的第一主网格图案MMP1与第二主网格图案MMP2之间的距离d1可以与定位在另一侧处的第一主网格图案MMP1与第二主网格图案MMP2之间的距离d2不同。
参照图8A、图8B、图8C、图10A和图10B,第二感测电极SE2_1和SE2_2还可以包括通过使第二主网格图案MMP2开口而设置的第二连接开口POP2。第一主网格图案MMP1可以布置为穿过第二连接开口POP2。根据发明构思的一些实施例,第二连接开口POP2可以在第四方向DR4上布置。第二感测电极SE2_1和SE2_2还可以包括用于将通过第二连接开口POP2彼此分隔开的第二主网格图案MMP2彼此电连接的第二桥接图案BE2。第二桥接图案BE2可以设置在第二连接开口POP2中以便电连接到第二主网格图案MMP2。
第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2可以定位在同一层上。根据发明构思的一些实施例,第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2可以定位在输入基体层IIL1上。用于分别暴露第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2的第一桥接接触孔BCT1和第二桥接接触孔BCT2可以设置在感测绝缘层IIL2中。第一主网格图案MMP1通过第一桥接接触孔BCT1电连接到第一桥接图案BE1,第二主网格图案MMP2通过第二桥接接触孔BCT2电连接到第二桥接图案BE2。
第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2定位在与第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2的层不同的层上。图9B和图10B示出了其中第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2定位在感测绝缘层IIL2上并且第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2定位在输入基体层IIL1上的结构,但是发明构思的实施例不限于此。即,第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2可以定位在输入基体层IIL1上,第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2可以定位在感测绝缘层IIL2上。
图11是根据发明构思的实施例的图5的区域A1的放大平面图。图12A和图12B是图11的区域A5的放大平面图。图12C是沿着图11的线V-V'截取的剖视图。
参照图11、图12A和图12C,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以具有网格结构。
第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个可以包括定位在交叉区域CR中的第一主网格图案MMP1和定位在第一非交叉区域NCR1中的第一副网格图案SMP1。
第一主网格图案MMP1可以具有与第一副网格图案SMP1的尺寸不同的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第一主网格图案MMP1可以具有比第一副网格图案SMP1的尺寸小的尺寸。例如,第一主网格图案MMP1可以具有与第一副网格图案SMP1的约1/2倍或约1/4倍对应的尺寸。
第一主网格开口MOP1_1可以限定在第一主网格图案MMP1中。第一主网格开口MOP1_1可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有第一宽度w1。第一副网格开口MOP1_2可以限定在第一副网格图案SMP1中。第一副网格开口MOP1_2可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有比第一宽度w1大的宽度。根据发明构思的一些实施例,第一副网格开口MOP1_2可以具有第一主网格开口MOP1_1的尺寸的两倍或四倍的尺寸。
第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以包括定位在交叉区域CR中的第二主网格图案MMP2和定位在第二非交叉区域NCR2中的第二副网格图案SMP2。
第二主网格图案MMP2可以具有比第二副网格图案SMP2的尺寸小的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第二主网格图案MMP2可以具有与第二副网格图案SMP2的约1/2倍或约1/4倍对应的尺寸。
第二主网格开口MOP2_1可以限定在第二主网格图案MMP2中。第二主网格开口MOP2_1可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有第三宽度w3。第二副网格开口MOP2_2可以限定在第二副网格图案SMP2中。第二副网格开口MOP2_2可以在第四方向DR4和第五方向DR5上具有比第三宽度w3大的宽度。根据发明构思的一些实施例,第二副网格开口MOP2_2可以具有第二主网格开口MOP2_1的尺寸的两倍或四倍的尺寸。
图12A示出了其中第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2具有相同的尺寸的结构,但是根据发明构思的实施例不限于此。具体地,如图12B中所示,第二主网格图案MMP2可以具有比第一主网格图案MMP1的尺寸大且比第二副网格图案SMP2的尺寸小的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第二主网格图案MMP2可以具有第一主网格图案MMP1的尺寸的两倍的尺寸以及与第二副网格图案SMP2的约1/2倍对应的尺寸。图12B示出了其中第二主网格开口MOP2_1在第四方向DR4上具有第三宽度w3且在第五方向DR5上具有第三宽度w3的两倍的第二宽度w2的结构,但是根据发明构思的实施例不限于此。例如,第二主网格开口MOP2_1可以在第四方向DR4上具有第二宽度w2且在第五方向DR5上具有第三宽度w3。
根据发明构思的一些实施例,交叉区域CR中的第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的所有可以包括具有比副网格图案的尺寸小的尺寸的主网格图案。因此,至少一个第一主网格图案MMP1可以在交叉区域CR中与两个或更多个第二主网格图案MMP2交叉。因此,当与图8B中所示的结构相比时,其处第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2彼此交叉的交叉部分的数量可以增加。因此,第一主网格图案MMP1与第二主网格图案MMP2之间的间隔距离可以在其具有比第一宽度w1小的宽度的部分方面进一步增加。因此,可以减小第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的距离,因此,在第一模式下,当使用第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的互电容来感测第一输入TC1(参照图3A)时,可以改善感测灵敏度。
另一方面,当第一感测电极SE1_1和SE1_2和第二感测电极SE2_1和SE2_2的总电容大于或等于参考值时,第二模式下的感测灵敏度会劣化。根据发明构思的一些实施例,参考值可以是约200皮法,但不特别限于此。
在第二模式下,可以确定第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2以及第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2的尺寸,使得第一感测电极SE1_1和SE1_2和第二感测电极SE2_1和SE2_2的总电容保持为比参考值低。即,不影响第一模式下的感测灵敏度的第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2的尺寸可以增加,以改善第二模式下的感测灵敏度。而且,影响第一模式下的感测灵敏度的第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2中的至少一个可以具有比第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2中的每个的尺寸小的尺寸,以改善第一模式下的感测灵敏度。
在图11至图12C中,第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2可以具有相同的尺寸。然而,根据发明构思的实施例不限于此。例如,第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2可以具有彼此不同的尺寸。
如图12A和图12B中所示,当与如图8B中所示的其中仅第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2中的第一主网格图案MMP1具有比第一副网格图案SMP1的尺寸小的尺寸的实施例相比时,在如图12A和图12B中所示的其中第一主网格图案MMP1和第二主网格图案MMP2中的每个具有比第一副网格图案SMP1和第二副网格图案SMP2中的每个的尺寸小的尺寸的实施例中,可以进一步改善第一模式下的感测灵敏度。然而,在图12A和图12B中所示的结构中,当与图8B中所示的结构相比时,定位在交叉区域CR中的第一桥接图案BE1和第二桥接图案BE2的数量可以增加。
图13是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图。
参照图13,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以具有网格结构。
第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个可以包括定位在交叉区域CR中的第一主网格图案MMP1和定位在第一非交叉区域NCR1中的第一副网格图案SMP1。第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个在交叉区域CR中具有第一电极宽度EW1,并且在第一非交叉区域NCR1中具有与第一电极宽度EW1不同的第二电极宽度EW2。这里,第一电极宽度EW1和第二电极宽度EW2可以被定义为第一方向DR1上的宽度。
根据发明构思的一些实施例,第二电极宽度EW2可以比第一电极宽度EW1大。第一非交叉区域NCR1中的第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个的第二电极宽度EW2可以不具有一个值。即,第一非交叉区域NCR1中的第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个的第二电极宽度EW2可以根据距交叉区域CR的距离而具有不同的值。例如,第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个的第二电极宽度EW2可以在其中与交叉区域CR分隔开的距离在第一参考距离内的第一相邻区域中逐渐地增加。
参照图8B和图13,第一主网格图案MMP1可以具有与第一副网格图案SMP1的尺寸不同的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第一主网格图案MMP1可以具有比第一副网格图案SMP1的尺寸小的尺寸。例如,第一主网格图案MMP1可以具有与第一副网格图案SMP1的约1/2倍或约1/4倍对应的尺寸。
第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以包括定位在交叉区域CR中的第二主网格图案MMP2和定位在第二非交叉区域NCR2中的第二副网格图案SMP2。第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以在交叉区域CR中具有第三电极宽度EW3,并且在第二非交叉区域NCR2中具有与第三电极宽度EW3不同的第四电极宽度EW4。这里,第三电极宽度EW3和第四电极宽度EW4可以被定义为第二方向DR2上的宽度。
根据发明构思的一些实施例,第四电极宽度EW4可以比第三电极宽度EW3大。然而,第二非交叉区域NCR2中的第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的第四电极宽度EW4可以不具有一个值。即,第二非交叉区域NCR2中的第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的第四电极宽度EW4可以根据与交叉区域CR分隔开的距离而具有不同的值。例如,第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的第四电极宽度EW4可以在其中与交叉区域CR分隔开的距离在第二参考距离内的第二相邻区域中逐渐地增加。
第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的在第一非交叉区域NCR1和第二非交叉区域NCR2的与交叉区域CR相邻的第一相邻区域和第二相邻区域中的电极宽度EW2和EW4而不是电极宽度EW1和EW3可以增加。然后,可以减小与交叉区域CR相邻的第一相邻区域和第二相邻区域中的第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的间隔距离。因此,即使在第一相邻区域和第二相邻区域中,也可以在第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间产生互电容。因此,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2可以直到与交叉区域CR相邻的相邻区域仍然产生互电容,以改善第一模式下的感测灵敏度。
图14A是根据发明构思的一些实施例的图5的区域A1的放大平面图,图14B是沿着图14A的线VI-VI'截取的剖视图。图15A是示出了图14A的第一感测电极的放大平面图,图15B是示出了图14A的第二感测电极的放大平面图。
参照图14A至图15B,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以具有网格结构。
第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个可以包括定位在交叉区域CR中的第一主网格图案MMP1和定位在第一非交叉区域NCR1中的第一副网格图案SMP1。第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以包括定位在交叉区域CR中的第二主网格图案MMP2和定位在第二非交叉区域NCR2中的第二副网格图案SMP2。根据发明构思的一些实施例,第一主网格图案MMP1可以具有比第一副网格图案SMP1的尺寸小的尺寸,第二主网格图案MMP2可以与第二副网格图案SMP2具有相同的尺寸。
相邻区域ACR可以设置在交叉区域CR周围。相邻区域ACR可以设置在交叉区域CR与第一非交叉区域NCR1和第二非交叉区域NCR2之间。相邻区域ACR包括其中定位有第一感测电极SE1_1和SE1_2的第一相邻区域ACR1以及其中定位有第二感测电极SE2_1和SE2_2的第二相邻区域ACR2。
第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个还可以包括定位在第一相邻区域ACR1中的第一相邻网格图案AMP1,第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个还可以包括定位在第二相邻区域ACR2中的第二相邻网格图案AMP2。第一相邻网格图案AMP1可以具有比第一副网格图案SMP1的尺寸小的尺寸。第一相邻网格图案AMP1可以具有大于或等于第一主网格图案MMP1的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第一相邻网格图案AMP1可以具有第一主网格图案MMP1的尺寸的两倍的尺寸,第一副网格图案SMP1可以具有第一主网格图案MMP1的尺寸的四倍的尺寸。
设置在第一主网格图案MMP1中的第一主网格开口MOP1_1具有比设置在第一副网格图案SMP1中的第一副网格开口MOP1_2的尺寸小的尺寸。第一相邻网格开口MOP1_3设置在第一相邻网格图案AMP1中。第一相邻网格开口MOP1_3可以比第一副网格开口MOP1_2小且比第一主网格开口MOP1_1大。
第二相邻网格图案AMP2可以具有比第二副网格图案SMP2的尺寸小的尺寸。根据发明构思的一些实施例,第二相邻网格图案AMP2可以具有与第二副网格图案SMP2的约1/2倍或约1/4倍对应的尺寸。图14A和图15B示出了其中第二主网格图案MMP2与第二副网格图案SMP2具有相同的尺寸的结构,但是根据发明构思的实施例不限于此。例如,当第二主网格图案MMP2具有比第二副网格图案SMP2的尺寸小的尺寸时,第二相邻网格图案AMP2具有等于或大于第二主网格图案MMP2的尺寸的尺寸。
设置在第二主网格图案MMP2中的第二主网格开口MOP2_1具有与设置在第二副网格图案SMP2中的第二副网格开口MOP2_2的尺寸相同的尺寸。第二相邻网格开口MOP2_3设置在第二相邻网格图案AMP2中。第二相邻网格开口MOP2_3可以比第二副网格开口MOP2_2和第二主网格开口MOP2_1中的每个小。
第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个在交叉区域CR中具有第一电极宽度EW1,并且在第一相邻区域ACR1中具有与第一电极宽度EW1不同的第二电极宽度EW2。这里,第一电极宽度EW1和第二电极宽度EW2可以被定义为第一方向DR1上的宽度。根据发明构思的一些实施例,第二电极宽度EW2可以比第一电极宽度EW1大。第一相邻区域ACR1中的第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个的第二电极宽度EW2可以根据与交叉区域CR分隔开的距离而具有不同的值。例如,第一感测电极SE1_1和SE1_2中的每个的第二电极宽度EW2可以在第一相邻区域ACR1中逐渐地增加。
第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以在交叉区域CR中具有第三电极宽度EW3,并且在第二相邻区域ACR2中具有与第三电极宽度EW3不同的第四电极宽度EW4。这里,第三电极宽度EW3和第四电极宽度EW4可以被定义为第二方向DR2上的宽度。根据发明构思的一些实施例,第四电极宽度EW4可以比第三电极宽度EW3大。第二相邻区域ACR2中的第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的第四电极宽度EW4可以根据与交叉区域CR分隔开的距离而具有不同的值。例如,第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的第四电极宽度EW4可以在第二相邻区域ACR2中逐渐地增加。
因为定位在第一相邻区域ACR1和第二相邻区域ACR2中的第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个的网格图案的尺寸减小,所以当与参照图13描述的实施例相比时,第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的互电容可以增加。因此,当与图8A和图13中所示的实施例相比时,可以进一步改善第一模式下的感测灵敏度。
根据发明构思的一些实施例,交叉区域中的第一感测电极和第二感测电极中的至少一个可以包括具有比设置在非交叉区域中的副网格图案的尺寸小的尺寸的主网格图案。因此,可以在交叉区域中减小第一感测电极与第二感测电极之间的距离。因此,可以改善其中使用第一感测电极与第二感测电极之间的互电容来感测第一输入的第一模式下的感测灵敏度。
另外,设置在非交叉区域中的副网格图案的尺寸可以充分地增加,以减小第一感测电极和第二感测电极的总电容,从而改善第二模式下的感测灵敏度。
对于本领域技术人员来说将明显的是,可以在发明构思中进行各种修改和偏差。因此,意图的是,本公开涵盖本发明的修改和偏差,只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。因此,发明构思的真实保护范围应由所附权利要求及其等同物的技术范围确定。
Claims (20)
1.一种电子装置,所述电子装置包括:
显示面板,被构造为显示图像;
输入传感器,位于所述显示面板上且包括第一感测电极和与所述第一感测电极电绝缘的第二感测电极,所述输入传感器被构造为在第一模式下感测第一输入且在第二模式下感测第二输入;以及
输入装置,被构造为将所述第二输入提供到所述输入传感器,
其中,所述第一感测电极和所述第二感测电极中的至少一个包括:主网格图案,位于其中所述第一感测电极和所述第二感测电极彼此交叉的交叉区域中;以及副网格图案,位于其中所述第一感测电极和所述第二感测电极彼此不交叉的非交叉区域中,并且具有与所述主网格图案的尺寸不同的尺寸。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一感测电极包括:
第一主网格图案,位于所述交叉区域中;以及
第一副网格图案,位于其中所述第一感测电极与所述第二感测电极不交叉的第一非交叉区域中,并且
所述第二感测电极包括:
第二主网格图案,位于所述交叉区域中;以及
第二副网格图案,位于其中所述第二感测电极与所述第一感测电极不交叉的第二非交叉区域中。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述第一主网格图案具有与所述第一副网格图案的尺寸不同的尺寸,并且
所述第二主网格图案与所述第二副网格图案具有相同的尺寸。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其中,所述第一主网格图案具有比所述第一副网格图案的尺寸小的尺寸。
5.根据权利要求3所述的电子装置,其中,所述第一副网格图案和所述第二副网格图案具有相同的尺寸,并且
所述第一主网格图案具有比所述第二主网格图案的尺寸小的尺寸。
6.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述第一主网格图案具有与所述第一副网格图案的尺寸不同的尺寸,并且
所述第二主网格图案具有与所述第二副网格图案的尺寸不同的尺寸。
7.根据权利要求6所述的电子装置,其中,所述第一主网格图案具有比所述第一副网格图案的尺寸小的尺寸,并且
所述第二主网格图案具有比所述第二副网格图案的尺寸小的尺寸。
8.根据权利要求7所述的电子装置,其中,所述第一副网格图案和所述第二副网格图案具有相同的尺寸,并且
所述第一主网格图案具有等于或小于所述第二主网格图案的尺寸的尺寸。
9.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述第一感测电极和所述第二感测电极位于同一层上,并且
所述第一感测电极和所述第二感测电极在所述交叉区域中彼此电绝缘。
10.根据权利要求9所述的电子装置,其中,所述第一感测电极还包括通过使所述第一主网格图案开口而限定的第一连接开口,其中,所述第二主网格图案穿过所述第一连接开口,并且
所述第二感测电极设置有通过使所述第二主网格图案开口而限定的第二连接开口,其中,所述第一主网格图案穿过所述第二连接开口。
11.根据权利要求10所述的电子装置,其中,所述第一感测电极还包括第一桥接电极,所述第一桥接电极设置在所述第一连接开口中以便电连接到所述第一主网格图案,并且
所述第二感测电极还包括第二桥接电极,所述第二桥接电极设置在所述第二连接开口中以便电连接到所述第二主网格图案。
12.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述第一感测电极具有在第一方向上延伸的条形,并且
所述第二感测电极具有在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的条形。
13.根据权利要求12所述的电子装置,其中,所述第一感测电极具有在所述第一方向上恒定地保持的宽度,并且
所述第二感测电极具有在所述第二方向上恒定地保持的宽度。
14.根据权利要求12所述的电子装置,其中,所述第一感测电极在所述交叉区域中具有第一电极宽度,并且在所述第一非交叉区域中具有比所述第一电极宽度大的第二电极宽度,并且
所述第二感测电极在所述交叉区域中具有第三电极宽度,并且在所述第二非交叉区域中具有比所述第三电极宽度大的第四电极宽度。
15.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述第一感测电极还包括第一相邻网格图案,所述第一相邻网格图案位于与所述交叉区域相邻的第一相邻区域中且具有与所述第一主网格图案和所述第一副网格图案中的每个的尺寸不同的尺寸。
16.根据权利要求15所述的电子装置,其中,所述第一相邻网格图案具有比所述第一副网格图案的尺寸小且比所述第一主网格图案的尺寸大的尺寸。
17.根据权利要求15所述的电子装置,其中,所述第二感测电极还包括第二相邻网格图案,所述第二相邻网格图案位于与所述交叉区域相邻的第二相邻区域中且具有与所述第二主网格图案和所述第二副网格图案中的每个的尺寸不同的尺寸。
18.根据权利要求17所述的电子装置,其中,所述第二主网格图案和所述第二副网格图案具有相同的尺寸,并且
所述第二相邻网格图案具有比所述第二副网格图案的尺寸小的尺寸。
19.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一输入包括通过用户的手指的接触产生的输入,并且
所述第二输入包括通过所述输入装置的接触产生的输入。
20.根据权利要求19所述的电子装置,其中,所述输入装置包括有源笔。
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