CN113867468B - 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器 - Google Patents

一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN113867468B
CN113867468B CN202111196447.7A CN202111196447A CN113867468B CN 113867468 B CN113867468 B CN 113867468B CN 202111196447 A CN202111196447 A CN 202111196447A CN 113867468 B CN113867468 B CN 113867468B
Authority
CN
China
Prior art keywords
current
tube
nmos
generation module
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111196447.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113867468A (zh
Inventor
李靖
范淋
尧博文
宁宁
于奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN202111196447.7A priority Critical patent/CN113867468B/zh
Publication of CN113867468A publication Critical patent/CN113867468A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113867468B publication Critical patent/CN113867468B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明属于模拟集成电路领域，具体为一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器。本发明中，基准电压产生模块产生与温度无关的基准电压提供给电流产生模块1和电流产生模块2；电流产生模块1和电流产生模块2进行感温产生与温度有关的亚阈值电流信号提供给电流数字转化模块，最终电流数字转化模块将电流信号转化为电流比值信号。利用亚阈值区工作的MOS管进行感温，减小了电路的功耗并且提高了电路的电源电压抑制能力；利用四个NMOS以及三个PMOS产生了两支温度系数不同的电流信号，并且电流补偿模块向电流产生模块2提供电流补偿。整体电路的结构简单，还降低了面积，有利于集成在芯片的功能模块内部。

Description

一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器
技术领域
本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器。
背景技术
当今世界，传感器技术与计算机技术和通讯技术一起被称为信息技术的三大主流支柱。而温度传感器与人们的生活紧密连接，是所有种类传感器中使用范围最广，数量最多的传感器。随着医疗健康以及可穿戴设备的需求不断增加，对低功耗、小面积、高电源抑制能力的温度传感器有较大需求。
从集成电路出现以来，其一直按照摩尔定律飞速发展，近几年由于量子隧穿效应的影响，集成电路的发展脚步一定程度上放缓，但是也保持着不断进步的步伐。由于器件尺寸的不断缩小，相同面积上电路的集成度不断提高，导致整个电路的功率密度不断增加，芯片的温度不均匀性问题日益突出，监测芯片模块的温度就成为了优化芯片的重要内容。以前在芯片外部加一个感温电路就能很好检测整个芯片的温度变化，但是现如今由于芯片温度的不均匀性，这种方法不再适用。为了检测某些功能模块温度过热的现象，在模块内部集成多个传感器成为了新的解决方法。
CMOS温度传感器的主要实现方式是基于CMOS工艺下的寄生双极型晶体管的CMOSBJT温度传感器。通过双极型晶体管产生与温度呈正相关或者负相关的电压或者电流信号，再通过模数转换电路(ADC)将电压或者电流信号转化为数字信号输出。这样的温度传感器具有高精度的优点，但是由于存在模数转换电路，电路比较复杂并且功耗较大因此不适合集成在芯片的功能模块内部。现如今，一些基于频率到数字转化(FDC)和延时到数字转化(TDC)的温度传感器被提出来，它们的电路结构简单，面积小，但是具有抗电源干扰能力弱的缺点，也不利于集成在功能模块内部。如何设计一款温度传感器使其能更好的集成在芯片功能模块的内部，并且不对模块的功能造成影响成为了本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
针对上述存在问题或不足，为解决传统CMOS温度传感器在功耗、面积以及对抗电源电压变化方面的问题，本发明提供了一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器。
一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器，包括基准电压产生模块、电流产生模块1、电流产生模块2、电流补偿模块以及电流数字转化模块。
所述基准电压产生模块包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其中第一NMOS管为低阈值电压MOS管，第二NMOS管为高阈值电压MOS管，且均工作在亚阈值区。基准电压产生模块产生与温度无关的基准电压提供给电流产生模块1和电流产生模块2。
所述电流产生模块1包括第一PMOS管M3、第三NMOS管M5；所述电流产生模块2包括第二PMOS管M4和第四NMOS管M6；其中M5和M6的漏极和源极电压差VDS大于3倍热力学电压VT，第三NMOS管M5以及第四NMOS管M6均工作在亚阈值区。电流产生模块1和电流产生模块2进行感温产生与温度有关的亚阈值电流信号提供给电流数字转化模块。
所述电流补偿模块包括第三PMOS管M7，工作在亚阈值区；电流补偿模块向电流产生模块2提供电流补偿。
第一NMOS管M1的栅极和源极、第二NMOS管M2的栅极和漏极、第三NMOS管M5的栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接在一起；第一NMOS管M1的漏极接电源电压，第二NMOS管M2的源极接地。第三NMOS管M5的源极以及第四NMOS管M6的源极接地。第三NMOS管M5的漏极、第一PMOS管M3的漏极和栅极接在一起。第四NMOS管M6的漏极、第二PMOS管M4的漏极和栅极以及第三PMOS管M7的漏极接在一起。第一PMOS管M3的源极和第二PMOS管M4的源极接电源电压。第三PMOS管M7的栅极和源极接在一起并且接电源电压。
所述电流数字转化模块将第三NMOS管和第四NMOS管产生的电流信号转化为比值信号并输出，输出的比值信号即为整个温度传感器的输出信号。
进一步的，所述电流数字转化模块包括第一振荡器和第二振荡器和计数器，两个振荡器分别与第一PMOS管M3以及第二PMOS管M4一一对应连接，两个振荡器分别将第三NMOS管M5产生的电流以及第四NMOS管M6产生的电流转化为频率信号。两个振荡器产生的频率信号通过计数器，将第三NMOS管和第四NMOS管输出的电流信号转化为比值信号并输出，输出的比值信号即为整个温度传感器的输出信号。
本发明中，基准电压产生模块产生与温度无关的基准电压提供给电流产生模块1和电流产生模块2；电流产生模块1和电流产生模块2进行感温产生与温度有关的亚阈值电流信号提供给电流数字转化模块，最终电流数字转化模块将电流信号转化为电流比值信号。利用亚阈值区工作的MOS管进行感温，减小了电路的功耗并且提高了电路的电源电压抑制能力；利用四个NMOS以及三个PMOS产生了两支温度系数不同的电流信号，并且电流补偿模块向电流产生模块2提供电流补偿。整体电路的结构简单，还降低了面积，有利于集成在芯片的功能模块内部。
附图说明
图1为本发明的结构框图。
图2为实施例101-104模块的电路结构示意图。
图3为本发明两支不同温度系数电流以及它们比值的曲线示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域的技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明地其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同地具体实施方式加以实施或者应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
本发明提出了一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力的温度传感器，包括基准电压产生模块(101)、电流产生模块1(102)、电流产生模块2(103)、电流补偿模块(104)和电流数字转化模块。图2为本实施例基准电压产生模块101、电流产生模块102、电流产生模块103和电流补偿模块104的电路结构示意图。
基准电压产生模块(101)包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其中M1是低阈值电压MOS管，M2是高阈值电压MOS管。电流产生模块1(102)包括第一PMOS管、第三NMOS管。电流产生模块2(103)包括第二PMOS管和第四NMOS管。电流补偿模块(104)包括第三PMOS管M7。
第一NMOS管M1的栅极和源极、第二NMOS管M2的栅极和漏极、第三NMOS管M5的栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接在一起；第一NMOS管M1的漏极接电源电压，第二NMOS管M2的源极接地。第三NMOS管M5的源极以及第四NMOS管M6的源极接地。第三NMOS管M5的漏极、第一PMOS管M3的漏极和栅极接在一起。第四NMOS管M6的漏极、第二PMOS管M4的漏极和栅极以及第三PMOS管M7的漏极接在一起。第一PMOS管M3的源极和第二PMOS管M4的源极接电源电压。第三PMOS管M7的栅极和源极接在一起并且接电源电压。
基准电压产生模块(101)用于产生不随温度变化的基准电压提供给电流产生模块1(102)和电流产生模块2(103)，电流产生模块1(102)和电流产生模块2(103)产生两支不同温度系数的电流输入到电流数字转化模块转化为数字信号输出。电流补偿模块(104)产生漏电流，补偿电流产生模块2(103)的漏电流，提高电路在低温条件下的感温线性度。电路包含的4个模块一共使用7个MOS管，不含电阻和电容，因此电路的面积小，并且第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6工作在亚阈值区，电路消耗的功耗低。
下面对各个模块的工作原理进行分析：
首先是基准电压产生模块(101)，如图2所示，由于所有的MOS管都工作在亚阈值区，晶体管的亚阈值区电流公式为(1.1)：
Figure BDA0003303246780000031
其中n＝1+CD/COX，CD是沟道下的耗尽层电容，COX是单位面积的栅氧化层电容，n与温度无关；β＝μCOXW/L，μ为载流子的迁移率，W/L为MOS管的宽长比；VT为热力学电压；VGS为MOS管的栅极和源极电压差；VTH是MOS管的阈值电压；VDS为MOS管的漏极和源极电压差。
因此可以得到流过第一NMOS管M1电流ID1(1.2)以及第二NMOS管M2的电流ID2(1.3)为(令VDS大于3VT)：
Figure BDA0003303246780000041
Figure BDA0003303246780000042
由于流过两个晶体管的电流相等，我们可以得到基准电压VREF的表达式为(1.4)：
Figure BDA0003303246780000043
从公式(1.4)中可以得到，VREF由两部分组成，其中第一部分由VT决定，因此与温度呈正相关，第二部分由阈值电压决定，因此与温度呈负相关，且两部分都与温度呈线性变化关系。通过调节第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的宽长比能使两部分的温度系数相互抵消，得到与温度无关的基准电压信号。我们还可以从公式(1.4)中得出，基准电压的公式中不含电源电压(VDD)变量，因此参考电压值不随电源电压变化而变化，电源抑制能力强。其次为了增加基准电压值，使M1采用低阈值电压MOS管，M2采用高阈值电压MOS管。
其次是电流产生模块1(102)和电流产生模块2(103)，如图2所示：第三NMOS管M5和第四NMOS管M6，工作在亚阈值区，并且使两个MOS管的漏极和源极电压差(VDS)大于三倍热力学电压(3VT)，由亚阈值区的电流公式(1.1)，可以得到晶体管M5和M6的电流I5和I6：
Figure BDA0003303246780000044
Figure BDA0003303246780000045
用电流I5比上I6,得到电流比值公式(1.7)：
Figure BDA0003303246780000046
由于第三NMOS管M5与第四NMOS管M6的栅极连接在一起，源极接地，因此这两个MOS管的栅极和源极电压差相同，都为式(1.4)中的VREF电压。并且因为第三NMOS管M5和第四NMOS管M6为相同类型的NMOS管，近似得到n5＝n6，则公式(1.7)可以简化为公式(1.8)：
Figure BDA0003303246780000051
由于晶体管的阈值电压与温度呈一阶线性关系，令VTH6-VTH5＝a4+5，n5VT＝c4，可以得到公式(1.9)：
Figure BDA0003303246780000052
其中，A＝β5/β6exp(3/c)，B＝b/c，然后将式(1.9)按照泰勒公式展开，可以得到式(1.10)：
Figure BDA0003303246780000053
高阶项可以忽略，并且令二次项系数为零，可以得到B＝-240，因此可以通过调节第三NMOS管M5以及第四NMOS管M6的沟道长度，改变阈值电压差值，使B＝-240，就可以得到电流比值与温度呈一阶线性关系，达到感温的目的。从式(1.8)中可以得出，电流比值与电源电压无关，因此感温电路抑制电源电压变化能力很强。如图3所示给出了第三NMOS管M5电流I5、第四NMOS管M6电流I6以及两支电流的比值随温度变化的曲线。
最后是电流补偿模块(104)，由第三PMOS管M7构成，如图2所示。由于当今主流的半导体制造工艺，NMOS管做在P型硅衬底上，PMOS管做在N型硅衬底上，两种类型的MOS管的沟道和衬底都是通过反向偏置二极管进行电气隔离，因此会产生反向偏置电流。例如NMOS管，当其在正常工作的条件下，漏极电压大于衬底电压，漏极和衬底之间的二极管反向偏置产生反向偏置漏电流，使流过NMOS管漏极的电流增加。由于本发明的温度传感器是通过调节第三NMOS管M5和第四NMOS管M6的沟道长度，产生阈值电压差值来抵消二次项系数进行感温。因此在电路调节过程中第四NMOS管M6的沟道长度应大于第三NMOS管M5的沟道长度。要使电流比值接近于1，以减小非理想因素的影响提高感温电路性能，因此第四NMOS管M6的finger数大于第三NMOS管M5的finger数。由于晶体管的衬底漏电流会随着finger数增加而增加，因此流过第四NMOS管M6的漏电流大于流过第三NMOS管M5的电流。
温度传感器中的第一PMOS管M3和第二PMOS管M4将第三NMOS管M5和第四NMOS管M6产生的电流镜像到输出模块，由于漏电流的影响，会使流过第一PMOS管M3的电流大于第三NMOS管的电流；同理第二PMOS管M4的电流也大于第四NMOS管的电路，并且后者差距更大。在高温条件下，流过两个晶体管的亚阈值电流很大，电流差值在总电流中所占比例很低，对电流比值线性度的影响可以忽略不记。但是在低温条件下，两个晶体管的亚阈值电流减小，电流差值所占比例增加，使电流比值曲线的线性度在低温条件下降低，恶化感温电路性能。本发明中第三PMOS管M7的栅极和源极短接在一起，使其工作在亚阈值区，并且减小第三PMOS管的宽长比，其产生的电流I7主要为漏电流，并且不随温度变化而变化，对电流I7起补偿作用，在一定程度上减小了第二PMOS管M4与第四NMOS管的电流差值，改善低温条件下比值曲线的线性度，而且不会恶化感温电路在高温条件下的性能。
通过以上实施例可见，本发明中，基准电压产生模块产生与温度无关的基准电压提供给电流产生模块1和电流产生模块2；电流产生模块1和电流产生模块2进行感温产生与温度有关的亚阈值电流信号提供给电流数字转化模块，最终电流数字转化模块将电流信号转化为电流比值信号。利用亚阈值区工作的MOS管进行感温，减小了电路的功耗并且提高了电路的电源电压抑制能力；利用四个NMOS以及三个PMOS产生了两支温度系数不同的电流信号，并且电流补偿模块向电流产生模块2提供电流补偿。整体电路的结构简单，还降低了面积，有利于集成在芯片的功能模块内部。

Claims (2)

1.一种基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器，其特征在于：包括基准电压产生模块、电流产生模块1、电流产生模块2、电流补偿模块以及电流数字转化模块；
所述基准电压产生模块包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其中第一NMOS管为低阈值电压MOS管，第二NMOS管为高阈值电压MOS管，且均工作在亚阈值区；基准电压产生模块产生与温度无关的基准电压提供给电流产生模块1和电流产生模块2；
所述电流产生模块1包括第一PMOS管M3、第三NMOS管M5；所述电流产生模块2包括第二PMOS管M4和第四NMOS管M6；其中M5和M6的漏极和源极电压差VDS大于等于3倍热力学电压VT，第三NMOS管M5以及第四NMOS管M6均工作在亚阈值区；电流产生模块1和电流产生模块2进行感温产生与温度有关的亚阈值电流信号提供给电流数字转化模块；
所述电流补偿模块包括第三PMOS管M7，工作在亚阈值区；电流补偿模块向电流产生模块2提供电流补偿；
第一NMOS管M1的栅极和源极、第二NMOS管M2的栅极和漏极、第三NMOS管M5的栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接在一起；第一NMOS管M1的漏极接电源电压，第二NMOS管M2的源极接地；第三NMOS管M5的源极以及第四NMOS管M6的源极接地；第三NMOS管M5的漏极、第一PMOS管M3的漏极和栅极接在一起；第四NMOS管M6的漏极、第二PMOS管M4的漏极和栅极以及第三PMOS管M7的漏极接在一起；第一PMOS管M3的源极和第二PMOS管M4的源极接电源电压；第三PMOS管M7的栅极和源极接在一起并且接电源电压；
所述电流数字转化模块将第三NMOS管和第四NMOS管产生的电流信号转化为比值信号并输出，输出的比值信号即为整个温度传感器的输出信号。
2.如权利要求1所述基于MOS管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器，其特征在于：所述电流数字转化模块包括第一振荡器和第二振荡器和计数器，两个振荡器分别与第一PMOS管M3以及第二PMOS管M4一一对应连接，两个振荡器分别将第三NMOS管M5产生的电流以及第四NMOS管M6产生的电流转化为频率信号；两个振荡器产生的频率信号通过计数器，将第三NMOS管和第四NMOS管输出的电流信号转化为比值信号并输出，输出的比值信号即为整个温度传感器的输出信号。
CN202111196447.7A 2021-10-14 2021-10-14 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器 Active CN113867468B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111196447.7A CN113867468B (zh) 2021-10-14 2021-10-14 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111196447.7A CN113867468B (zh) 2021-10-14 2021-10-14 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113867468A CN113867468A (zh) 2021-12-31
CN113867468B true CN113867468B (zh) 2022-10-14

Family

ID=78999564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111196447.7A Active CN113867468B (zh) 2021-10-14 2021-10-14 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113867468B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114690843A (zh) * 2022-02-21 2022-07-01 电子科技大学 一种低功耗的mos管温度传感器电路
CN115437447B (zh) * 2022-10-26 2023-08-01 电子科技大学 一种带低温漏电补偿的mos管温度传感器

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10325758A (ja) * 1997-03-26 1998-12-08 Nissan Motor Co Ltd 温度検知回路
CN102338669A (zh) * 2010-05-27 2012-02-01 香港科技大学 低电压低功耗cmos温度传感器
CN105784157A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 中国科学院上海高等研究院 一种低功耗、高线性度cmos温度传感器
CN107219014A (zh) * 2017-06-02 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 用于温度检测的装置
CN107992145A (zh) * 2017-12-06 2018-05-04 电子科技大学 一种具有超低功耗特性的电压基准电路
US9977454B1 (en) * 2015-09-23 2018-05-22 Cadence Design Systems, Inc. Methods and apparatuses for a CMOS-based process insensitive current reference circuit
CN108489625A (zh) * 2018-03-21 2018-09-04 西安交通大学 一种cmos全集成近零功耗温度传感器
CN112033557A (zh) * 2020-09-28 2020-12-04 中山大学 一种高灵敏度绝对温度测量电路
CN112187270A (zh) * 2020-09-30 2021-01-05 山东华科半导体研究院有限公司 温度传感器电路和温度传感模数转换方法
CN113008410A (zh) * 2021-03-01 2021-06-22 南京邮电大学 用于集成电路的温度传感器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9557226B2 (en) * 2013-07-22 2017-01-31 Intel Corporation Current-mode digital temperature sensor apparatus
US9816872B2 (en) * 2014-06-09 2017-11-14 Qualcomm Incorporated Low power low cost temperature sensor
WO2017014336A1 (ko) * 2015-07-21 2017-01-26 주식회사 실리콘웍스 비선형 성분이 보상된 온도 센서 회로 및 온도 센서 회로의 보상 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10325758A (ja) * 1997-03-26 1998-12-08 Nissan Motor Co Ltd 温度検知回路
CN102338669A (zh) * 2010-05-27 2012-02-01 香港科技大学 低电压低功耗cmos温度传感器
CN105784157A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 中国科学院上海高等研究院 一种低功耗、高线性度cmos温度传感器
US9977454B1 (en) * 2015-09-23 2018-05-22 Cadence Design Systems, Inc. Methods and apparatuses for a CMOS-based process insensitive current reference circuit
CN107219014A (zh) * 2017-06-02 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 用于温度检测的装置
CN107992145A (zh) * 2017-12-06 2018-05-04 电子科技大学 一种具有超低功耗特性的电压基准电路
CN108489625A (zh) * 2018-03-21 2018-09-04 西安交通大学 一种cmos全集成近零功耗温度传感器
CN112033557A (zh) * 2020-09-28 2020-12-04 中山大学 一种高灵敏度绝对温度测量电路
CN112187270A (zh) * 2020-09-30 2021-01-05 山东华科半导体研究院有限公司 温度传感器电路和温度传感模数转换方法
CN113008410A (zh) * 2021-03-01 2021-06-22 南京邮电大学 用于集成电路的温度传感器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
高精度低功耗温度传感器设计;王成;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)信息科技辑》;20200615;I140-177 *
高精度温度传感器的设计;张成发;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)信息科技辑》;20200115;I140-469 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113867468A (zh) 2021-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113867468B (zh) 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器
KR101031434B1 (ko) 초저전력 아날로그 보상 회로 및 보상 방법
CN105974996B (zh) 一种基准电压源
Van Dijk et al. Cryo-CMOS for analog/mixed-signal circuits and systems
CN105974989A (zh) 一种基于亚阈值的低功耗全cmos基准源电路
Truesdell et al. A 640 pW 22 pJ/sample gate leakage-based digital CMOS temperature sensor with 0.25° C resolution
CN109308091A (zh) 一种电压基准源电路
EP1529343A1 (en) Circuit and method for controlling the threshold voltage of transistors
TW202135465A (zh) 參考訊號產生器以及使用參考訊號產生器而在輸出節點提供電壓參考訊號之方法
CN101149628B (zh) 一种基准电压源电路
Yang et al. All-CMOS subbandgap reference circuit operating at low supply voltage
CN111796624B (zh) 一种超高电源纹波抑制比cmos电压基准电路
Zhang et al. A near-zero-power temperature sensor with±0.24° C inaccuracy using only standard CMOS transistors for IoT applications
CN111813177A (zh) 一种带有负反馈的高性能cmos电压基准源
CN112345103B (zh) 一种基于mos管的温度传感器
CN108181968B (zh) 一种基准电压产生电路
CN113325914B (zh) 工艺自补偿cmos电压基准源及其设计方法
Komatsu et al. Substrate-noise and random-fluctuations reduction with self-adjusted forward body bias
CN110568902B (zh) 一种基准电压源电路
US7576599B2 (en) Voltage generating apparatus
CN115933795B (zh) 一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路
Liu et al. Picowatt 0.5 V supply with 3 ppm/° C CMOS voltage reference for energy harvesting system
CN115373460B (zh) 一种电压基准源及集成电路
CN113282127B (zh) 一种基准电流源
CN117873262A (zh) 一种具有自偏置升压结构的基准电压源电路及其控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant